半导体测试装置及测试方法与流程

技术特征：
1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：第一测试端、第二测试端、待测试MOS晶体管、加热单元、二极管和第一电阻；所述待测试MOS晶体管的源极、漏极的其中一端与第一测试端相连接，另一端与第二测试端相连接；所述加热单元围绕所述待测试MOS晶体管设置，所述加热单元、第一电阻和二极管串联且与所述待测试MOS晶体管的源极、漏极并联，所述加热单元、电阻和二极管的串联结构的第一端与第一测试端相连接，第二端与第二测试端相连接，且所述二极管的正极对应于第一测试端，所述二极管的负极对应于第二测试端。2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，还包括：围绕所述待测试MOS晶体管设置的隔离结构，所述加热单元位于所述隔离结构表面，使得所述加热单元与所述待测试MOS晶体管电学隔离。3.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述加热单元位于围绕待测试MOS晶体管设置的半导体衬底内，且所述加热单元与所述待测试MOS晶体管电学隔离。4.如权利要求2或3所述的半导体测试结构，其特征在于，所述加热单元的材料为多晶硅或TiN。5.如权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，所述加热单元的图形的形状为蛇形或螺旋形。6.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述加热单元与所述待测试MOS晶体管之间的间距为最小设计尺寸。7.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，当所述加热单元的电阻值为R1，漏极应力电压的电压值为Vd1，漏极工作电压的电压值为Vd2，则所述第一电阻的电阻值R0=Vd1*R1/Vd2-R1。8.一种采用如权利要求1所述的半导体测试结构的测试方法，其特征在于，包括：确定待测试MOS晶体管对应的漏极应力电压、漏极工作电压，获得待测试MOS晶体管对应参数的初值参数值；在所述第一测试端施加漏极应力电压，所述第二测试端接地，加热单元工作，对待测试MOS晶体管的漏极施加电压应力；对待测试MOS晶体管的漏极施加一段时间的电压应力后，所述第二测试端变为施加漏极工作电压，所述第一测试端变为接地，加热单元不工作，测试所述待测试MOS晶体管处于正常工作状态下的对应参数值，将所述参数值与初值参数值进行比较，获得对应参数值的退化幅度值；一次参数值测试完成后，继续对待测试MOS晶体管的漏极施加电压应力，直到下一次参数值测试，如此反复，直到对应参数值的退化幅度值达到失效标准，获得对应的失效时间。9.如权利要求8所述的测试方法，其特征在于，当对待测试MOS晶体管的漏极施加电压应力时，待测试MOS晶体管的栅极施加的电压为栅极应力电压，当进行参数值测试时，待测试MOS晶体管的栅极施加的电压为栅极工作电压，所述栅极应力电压和栅极工作电压的电压值相同或不同。10.如权利要求9所述的测试方法，其特征在于，当所述栅极应力电压和栅极工作电压的电压值相等时，所述电压值为饱和区漏极电流对应的栅极电压值。11.如权利要求9所述的测试方法，其特征在于，当所述栅极应力电压和栅极工作电压的电压值不相等时，栅极工作电压的电压值为饱和区漏极电流对应的栅极电压值。12.如权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述对应参数值为饱和区漏极电流。13.如权利要求12所述的测试方法，其特征在于，当所述对应参数值为饱和区漏极电流时，所述失效标准为饱和区漏极电流的退化幅度值达到初始饱和区漏极电流的10%。14.如权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述漏极应力电压大于漏极工作电压。