1.一种聚吡咯包覆NiCo2O4纳米线阵列石墨烯电极的制备方法，其特征在于利用两步水热法得到NiCo2O4纳米线阵列石墨烯结构，再利用化学气相聚合方法包覆PPy，得到最终的聚吡咯包覆NiCo2O4纳米线阵列石墨烯电极。
2.如权利要求1所述的方法；其特征是采用以下步骤：
(1)3D石墨烯电极的制备
配制浓度为1～8mg mL‐1的氧化石墨烯溶液，超声2～4h，转移至水热釜中；放入马弗炉中120～180℃加热，得到3D石墨烯，而后进行冻干处理；
(2)NiCo2O4纳米线阵列‐3D石墨烯的制备
配置氯化镍1～2.5mmol，硝酸钴2～5mmol，氟化铵6～15mmol，尿素10～30mmol，加入蒸馏水中混合搅拌，得到明亮均一的粉色液体；将此粉色液体倒入水热釜中，3D石墨烯悬置于粉色液体中；在60～140℃温度下水热反应，反应结束后取出反应釜冷却至室温，取出3D石墨烯基底，在石墨烯基底上附着了粉色物质，用蒸馏水和乙醇反复冲洗，室温干燥；然后放入管式炉中，在氮气气氛下煅烧，得到NiCo2O4‐3D石墨烯；
(3)PPy包覆NiCo2O4/3D石墨烯的制备
配置3～6mmol过硫酸铵和0.1～0.3mmol SDS至蒸馏水中，超声使其充分溶解为溶液；将NiCo2O4/3D石墨烯放入溶液中浸泡至充分润湿，取出后置于培养皿中，在培养皿中加入10～30μL吡咯单体，两者不直接接触，盖上培养皿，培养皿中吡咯单体挥发产生吡咯蒸汽；3～10min后取出，用蒸馏水和乙醇反复冲洗表面，得到聚吡咯包覆NiCo2O4纳米线阵列石墨烯电极。
3.如权利要求2所述的方法，其特征是所述步骤(1)放入马弗炉中加热5～12h。
4.如权利要求2所述的方法，其特征是所述步骤(2)加入蒸馏水中混合搅拌5～15min。
5.如权利要求2所述的方法，其特征是所述步骤(2)在60～140℃温度下，水热反应5～8h。
6.如权利要求2所述的方法，其特征是所述步骤(3)在管式炉中煅烧温度为200～300℃，煅烧时间为1～4h。
7.聚吡咯包覆NiCo2O4纳米线阵列石墨烯电极用于重金属铅离子传感器。