技术总结
本发明涉及聚吡咯包覆钴酸镍纳米线阵列石墨烯电极的制备方法及检测重金属铅离子的应用。先利用水热釜进行氧化石墨烯的水热反应，得到具有三维结构的3D石墨烯电极，而后利用第二次水热过程，在3D石墨烯电极表面生长NiCo2O4纳米线阵列。使用化学气相聚合的方法在NiCo2O4纳米线阵列表面包覆一层极薄的导电聚合物聚吡咯层；得到最终的聚吡咯包覆NiCo2O4纳米线阵列石墨烯电极，电极用于重金属Pb2+的检测。基于NiCo2O4@PPy/3D石墨烯构建的传感器灵敏度为115.621μA μM‑1，线性范围为0.0125to 0.709μM，最低检测限为0.2nM，传感器具有良好的抗干扰性和稳定性。
技术研发人员：许鑫华;王超;曹真真;郑娇;窦鹏
受保护的技术使用者：天津大学
文档号码：201610959204
技术研发日：2016.11.03
技术公布日：2017.03.22