一种晶体硅体寿命的精确测量方法与流程

技术特征：

1.一种晶体硅体寿命的精确测量方法，使用涡流电导传感器和过滤的氙闪光灯来测量少数载流子的有效寿命，其特征在于采取以下步骤：

1）氙气闪光灯：脉冲频率在1~500毫秒可调，光强通过衰减片来调节，调节范围为0.001~1000个太阳光（sun）强；

2）分别通过涡流电导传感器和参考电池测量样品的薄层光电导率：确定薄层光电导率跟时间t的函数关系，以及闪光强度I跟时间t的函数关系；时间t的变化对应着不同的稳态注入量，薄层光电导率是由射频线圈通过电感耦合测得，而闪光强度I由校准过的光传感器测量；

薄层光电导率可转换成平均非平衡载流子浓度△n：

（1）式中：d为样品厚度，q为电子基本电荷，、分别为电子和空穴的迁移率；

3）产生率G是通过下式得到：

（2）式中：I(t)为光照强度，以sun为强度单位；为标准太阳光谱时光量子能量大于硅带隙的光子流， ；f_abs为样品的光学常量；

4）然后计算硅片在指定载流子浓度下的有效少子寿命；

5）再通过表面复合的公式计算得到硅片的真实体寿命，计算公式如下：

（3）式中，为有效少子寿命，为硅片的体寿命，为前表面复合，为后表面复合，W为硅片厚度。