专利名称：薄膜磁头及其制造方法
技术领域：
本发明涉及MR(磁阻Magnetoresistive)磁头、GMR(巨磁阻GiantMagnetoresistive)磁头、TMR(隧道结式磁阻Tunneling JunctionMagnetoresistive)型的磁头、CPP(电流垂直平面Current Perpendicularin plane)型的磁头等各种薄膜磁头及其制造方法。
背景技术：
近年来，磁性记录的高密度化不断发展。与此同时，作为硬盘用磁头，正在盛行用软磁性薄膜作为磁极的薄膜磁头的开发。
薄膜磁头中有MR磁头、GMR磁头、TMR或者CPP型的磁头。
但是，薄膜磁头通常在记录介质上受空气的支撑作用而上浮，所以多采用CSS(接触式启停机Contact Start Stop)方式，在高速旋转的磁盘上通常保持1～10nm左右的微少上浮量。因此，可经受住磁头碰撞和CSS磨耗的表面强度、耐磨性成为问题。已知为提高耐磨性进行了种种试验，如特开平4-276367号公报中记载的，在磁头滑动触头的轨道上设置保护覆膜的方法。但是，所述保护覆膜是由厚度250埃(25nm)或其以下的硅构成的，强度不够充分。另外，在构成薄膜磁头的氧化铝和碳化钛的烧结体基板、氧化铝绝缘层、坡莫合金、铁硅铝磁性合金、氮化铁等软磁性体薄膜等构造体上设置这种硅覆膜时，由于薄膜磁头与保护覆膜的密合性或粘结性不够充分，因此，存在着发生剥离，或无法充分获得耐磨性等问题。
作为用于改善耐磨性的保护层，已知有TiN、TiCN、金刚石状碳薄膜(DLC)等。但是，即使将这些用于薄膜磁头，在耐久性方面也是不充分的。
另外，在日本专利第2571957号公报中记载了在氧化物表面上设置无定形硅、无定形碳化硅等缓冲层，在其上面进一步设置碳或以碳为主要成分的覆膜。但是，即使将这种设有缓冲层的保护层用于薄膜磁头，在耐久性方面也不充分。并且，除了设置保护覆膜的工序外还需要缓冲层制膜工序，增加了制造时间和制造成本，同时膜的厚度也增加了，因此，在日益增加对于低成本化、批量生产性、增加记录密度的要求的硬盘用磁头领域中是极其不利的。
鉴于这种情况，本发明申请人曾经提出了通过规定组成的Si-C系气相成膜制成的保护膜(特开平10-289419号、特开平10-275308号)。
如上所述，硬盘的记录容量依赖于磁头性能，今后要求120GB或其以上的容量，因此，要求磁头保护膜的厚度在3nm(30)或其以下。
但是，上述公报中的保护膜，与当时的技术水平吻合，实质上是对应于7nm(70)程度的保护膜，因此如果直接采用则耐久性不够充分。特别是需要处理装置内的结露等时，对水的耐腐蚀性等方面也成为问题。
发明内容
本发明的目的在于提供对薄膜磁头构成部件的粘结力强、耐久性优异的薄膜磁头及其制造方法。
另外，本发明的其他目的在于提供可进一步薄膜化、制造工序少、并且廉价的薄膜磁头及其制造方法。
这种目的可由下述(1)～(10)的任一构成实现。
(1)一种薄膜磁头，其特征在于至少在与记录介质对向的表面具有保护膜，该保护膜含有Si、C及H，其中Si为3～9at％、C为61～81at％、H为16～30at％，其膜厚为1～3nm，其折射率在2.0或其以上。
(2)如上述(1)所述的薄膜磁头，其特征在于所述的对向表面上存在氧化物基材、氧化物绝缘层以及软磁性金属层的端面。
(3)如上述(1)或(2)所述的薄膜磁头，其特征在于是MR磁头、GMR磁头、TMR或者CPP型的磁头。
(4)一种薄膜磁头的制造方法，其特征在于通过对薄膜磁头施加负偏电压，至少在与记录介质对向的表面气相成膜一种保护膜，该保护膜含有Si、C及H，其中Si为3～9at％、C为61～81at％、H为16～30at％，其膜厚为1～3nm，其折射率在2.0或其以上。
(5)如上述(4)所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于所述偏电压是通过施加的DC电源或施加的高频电压所产生的自偏压来施加的。
(6)如上述(4)或(5)所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于通过等离子体CVD法形成所述保护膜。
(7)如上述(4)或(5)所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于通过离子蒸镀法形成所述保护膜。
(8)如上述(4)或(5)所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于通过溅射法形成所述保护膜。
(9)如上述(4)或(5)所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于所述对向表面具有氧化物基材、氧化物绝缘层、层间薄膜、软磁性金属层。
(10)如上述(4)或(5)所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于是MR磁头、GMR磁头、TMR或者CPP型的磁头。
在本发明中，至少在薄膜磁头与记录介质对向的面，即上浮面或滑动面形成含有规定组成比的Si+C+H的保护膜。该保护膜是通过在薄膜磁头施加DC偏电压、或自偏压，通过等离子体CVD法、离子蒸镀法、溅射法等形成。
这样形成的保护膜的膜厚为1～3nm，折射率在2.0或其以上。即使是这种薄膜，与使用了TiN、TiCN的相比，其耐久性、耐磨性优异，另外，与金刚石状薄膜(DLC)、或在其中隔着缓冲层的相比，对于氧化铝、坡莫合金、铁硅铝磁性合金等薄膜磁头构成部件的粘结力高，耐久性提高，薄膜磁头自身的寿命延长。另外，因没有必要设置中间层或缓冲层，所以保护膜整体厚度变薄，可实现成本降低和生产效率的提高，可进一步使保护膜变薄，从而实现1～3nm的膜厚，实现记录密度的提高。
本发明满足用于120GB或其以上的记录容量的硬盘的磁头保护膜膜厚在3nm或其以下的要求，同时折射率在2.0或其以上，所以耐久性充分，特别对水的耐腐蚀性充分。
这种保护膜优选通过例如等离子体CVD法成膜，可以减少气体量来降低成膜压力，在施加偏电压的条件下成膜而获得。此时的成膜压力优选0.001～0.008托。
如上所述，根据本发明，可实现对于氧化铝、坡莫合金、铁硅铝磁性合金或氮化铁等的粘结力强、耐久性优异的薄膜磁头及其制造方法。另外，能够实现进一步的薄膜化，制造工序少，并且廉价的薄膜磁头及其制造方法。
图1是表示本发明的薄膜磁头(MR薄膜磁头)的构成例的剖面概略构成图。
符号的说明1 保护膜 8 MR元件2 保护层 9 下部屏蔽层3 上部磁极层 10 底层4 缝隙 11 基材5 下部磁极层 12 线圈6 绝缘层 13 绝缘层7 上部屏蔽层具体实施方案下面，详细说明本发明薄膜磁头的具体构成。
本发明的薄膜磁头是至少在与记录介质对向的表面具有保护膜的薄膜磁头。该保护膜含有Si、C及H，其中Si为3～9at％、C为61～81at％、H为16～30at％。优选Si为3～8at％、C为68～81at％、H为16～24at％。特别优选Si为3～8at％、C为70～79at％、H为18～22at％。
如果Si不足3at％，则粘结力小，耐久性下降。如果Si超过9at％，则膜硬度小而不够充分，在高温高湿度下的耐久性下降。如果H不足16at％，则内部应力增大，膜容易破坏，耐久性下降。如果H超过30at％，则膜硬度不充分，耐久性下降。
保护膜的组成优选在保护膜内厚度方向的任意部分都相同，或者是在上述范围内的组成，优选从保护膜的上面(与薄膜磁头相反的面)至少1/3厚度部分和2/3厚度部分的组成相同，或者在上述范围内。
此外，除了上述主要成分以外，还可以在全体的3wt％或其以下的范围内含有S、B、P等元素中的至少一种，也可以进一步含有1at％或其以下的O。另外，这种保护膜为无定形状态，其膜厚为1～3nm，在波长632.8nm的折射率在2.0或其以上。
通过形成这种膜厚和折射率，成为适合于高记录密度要求的产品，并且耐久性充分。相对于此，当膜厚不足1nm时，耐久性等不够充分；当膜厚超过3nm时，与记录介质的缝隙增加，变得不符合高记录密度的要求。另外，如果折射率不足2.0，则耐久性等不够充分。
对于折射率的上限没有特别的限定，但通常是2.8左右。一般来说，该保护膜的维氏硬度为Hv＝600～400左右。
下面，说明本发明的薄膜磁头。
图1显示的是本发明的薄膜磁头的构成例，是剖面概略构成图。图中例示的薄膜磁头具有，本发明的保护膜1、保护层2、上部磁极层3、缝隙4、下部磁极层5、绝缘层6、上部屏蔽层7、MR元件8、下部屏蔽层9、底层10、基体11、线圈12、绝缘层13。
图示例的薄膜磁头为使用MR磁头的例子，是具有再现用MR磁头部和记录用诱导型磁头部的所谓MR诱导型复合磁头。这里，记录用诱导型磁头部是由上部磁极层3和下部磁极层5，以及夹在其中的缝隙4和线圈12构成。MR磁头部是由上部屏蔽层7和下部屏蔽层9，以及夹在其中的绝缘层13和MR元件8构成。因此，在图示例中，诱导型磁头部是所谓的从动侧，MR磁头部是引导侧。
并且，通常保护层2使用氧化铝等非磁性材料，上部磁极层3及下部磁极层5使用坡莫合金等软磁性材料，上部屏蔽层7及下部屏蔽层9使用坡莫合金、铁硅铝磁性合金、氮化铁等软磁性材料，底层10使用氧化铝等非磁性材料。
MR元件除了使用坡莫合金或Ni-Co合金外，还可以使用具有抗磁效果的各种材料。其中也有能够降低热处理温度的材料，特别适合用于MR元件膜为多层结构的情况。作为多层结构的MR膜可列举例如，自旋型的人工格子多层膜(NiFe/Cu/NiFe/FeMn、Co/Cu/Co/FeMn等)，反强磁性人工格子多层膜(NiFe/Ag、Co/Ag等)。
连接在MR元件上的引线优选使用Ta或W等不在MR膜扩散的材料。绝缘层6、13可以使用Al2O3、SiO2等各种陶瓷等通常的绝缘材料。另外，由アルテイツク(氧化铝和碳化钛的烧结体)等构成的基材11通常固定在磁头的滑动触头上，但也可以将基材11本身作为滑动触头使用。
并且，在层压了这些构造物形成的薄膜磁头半成品(素体)的至少移动面或滑动面即与磁记录介质(磁盘)对向的面(在图中是与左侧纸面垂直的面)形成有本发明的保护膜1。保护膜1设置在薄膜磁头半成品的至少移动面或滑动面即可，虽然薄膜磁头的其他部分不需要设置保护膜，但根据保护膜的制膜方法、薄膜磁头的制造方法等条件在其他部分附着保护膜，或者从提高薄膜磁头整体强度等的角度出发，在其他部分设置保护膜也无妨。
对各部分的尺寸没有特别的限定，可根据组合的磁记录介质的构成等适当选择，但通常是屏蔽层7、9为厚度1～5μm，宽30～200μm；MR元件(抗磁效果膜)8为厚度5～60nm，宽1～10μm；屏蔽层7、9与MR元件8的距离为0.03～1.0μm；诱导型磁头部的磁极层3、5为厚度1～5μm，宽0.5～10μm；从动侧的屏蔽层7与诱导型磁头部的下部磁极5的距离为1～10nm。
本发明的磁头中，对MR元件的线形动作化方式没有特别的限定，可从电流偏压法、硬膜偏压法、软膜偏压法、形状偏压法等各种方式中适当选择。
本发明的磁头，通常是通过薄膜制作和图案形成制造的。在形成各膜时，可使用溅射法、真空蒸镀法等气相粘附法或者镀法等。形成图案时可通过选择性刻蚀或选择性淀积等进行。
本发明的薄膜磁头，并不限定于上述图示例，也可适用于其他结构的薄膜磁头，例如可以是下部磁极和上部屏蔽层为相同的，或者不使用MR元件的只有诱导型磁头的构成(下面有时将使用MR元件的叫做MR薄膜磁头，将只使用诱导型磁头的叫做诱导薄膜磁头)。特别优选使用具有1种或其以上选自氧化铝和碳化钛的烧结体、氧化铝、坡莫合金、铁硅铝磁性合金、或氮化铁的复合材料的薄膜磁头，如果是该磁头，能够很好地获得本发明的效果。
本发明的薄膜磁头，特别优选是MR磁头、GMR磁头、TMR或者CPP型的磁头。
本发明的磁头可与臂等现有已知的装配组合使用。
下面，说明薄膜磁头的制造方法。
在本发明中，特别优选通过等离子体CVD法形成保护膜。关于等离子体CVD法，在例如特开平4-41672号等中有记载。等离子体CVD法中的等离子体可以是直流、交流中的任意一种，但优选使用交流。交流可以是几赫兹至微波。另外，也可以使用金刚石薄膜技术(综合技术中心发行)等中记载的ECR等离子体。
在本发明中，作为等离子体CVD法，优选使用施加偏压的等离子体CVD法。施加偏压的等离子体CVD法中，对薄膜磁头施加负偏电压。关于该方法，在例如M.Nakayama et al，Journal of the Ceramic Society ofJapan Int.Edition Vol.98 607-609(1990)等中有详细的记载。另外，也可以不施加偏电压而利用自偏压。将作为交流电源的等离子体电源连接到装置的电极上，则产生等离子体。该等离子体含有电子、离子、自由基，整体是中性的。但是，当等离子体电源的频率成为声波(AF)、高频波(RF)、微波(MW)时，则产生离子和电子的移动差，所以在施加电极侧(通常在未接地侧)呈负电压状态。将它叫做自偏电压。上述的偏电压优选-10～-2000V、更优选-50～-1000V。
通过等离子体CVD法形成保护膜时，原料气体优选使用属于下组的化合物。即含有Si、C及H的化合物，作为该化合物可列举，甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、二乙基硅烷、四乙基硅烷、四丁基硅烷、二甲基二乙基硅烷、四苯基硅烷、甲基三苯基硅烷、二甲基二苯基硅烷、三甲基苯基硅烷、三甲基甲硅烷基-三甲基硅烷、三甲基甲硅烷基甲基-三甲基硅烷等。这些可以并用，也可以使用硅烷系化合物和烃。
此外，作为C+H源可以使用CH4、C2H4、C2H6、C3H8、C6H6等烃；作为Si+H源可以使用SiH4等；作为H源可以使用H2等。
上述原料气体的流量可根据原料气体的种类适当选择。工作压力通常优选0.001～0.008托，输入功率通常优选10W～5KW左右。
在本发明中，还可以通过离子蒸镀法形成保护膜。离子蒸镀法在例如特开昭58-174507号、特开昭59-174508号公报等中有记载。但是，并不限定于它们公开的方法、装置，只要能够对保护膜的原料用离子气体进行加速，也可以使用其他方式的离子蒸镀技术。
作为在这些情况下的装置的优选例子，可使用例如，实开昭59-174507号公报中记载的离子直进型或离子偏向型的装置。
在离子蒸镀法中，真空容器内为10-6托左右的高真空度。该真空容器内设有被交流电加热产生热电子的灯丝，围绕着该灯丝配置有对电极，在与灯丝之间赋予电压Vd。另外，围绕着灯丝和对电极配置有用于产生封闭离子化气体用的磁场的电磁线圈。原料气体与来自灯丝的热电子碰撞，产生正的热解离子和电子，该正离子被施加在栅极的负电压Va加速。通过调节该Vd、Va及线圈的磁场，可改变组成和膜质。在本发明中，优选Vd＝10～500V、Va＝-10～-500V左右。与上述相同，施加在薄膜磁头上的偏压是施加负偏电压。偏电压优选直流。另外，也可以不施加偏电压而利用自偏压。偏电压与前述同样，优选-10～-2000V，更优选-50～-1000V。
通过离子蒸镀法形成保护膜时，原料气体可以使用与等离子体CVD法相同的气体。上述原料气体的流量可根据其种类适当选择。工作压力通常优选0.001～0.008托左右。
在本发明中，还可以通过溅射法形成保护膜。即，在Ar、Kr等溅射用溅射气体中引入H2、CH4等烃、SiH4等气体作为反应性气体，同时将C、Si、SiC等作为靶，或者将C、Si、SiC的混合组成作为靶，或者根据情况可以使用含有C、Si的2或其以上的靶。另外，也可以使用聚合物作为靶。使用这种靶施加高频电压，溅射靶，通过将它溅射层积到载置在基板上的薄膜磁头上来形成保护膜。另外，此时施加在基板至薄膜磁头的偏电压为负偏电压。偏压优选直流。另外，也可以不施加偏电压而利用自偏压。上述偏电压优选-10～-2000V，更优选-50～-1000V。高频溅射功率通常优选50W～2KW左右。工作压力通常优选10-5～10-3托。
实施例下面，示出本发明的具体实施例，进一步详细说明本发明。
示出以GMR磁头为对象的采用等离子体CVD法的成膜例。
实施例1将Si(CH3)4和CH4作为含有Si、C及H的化合物的原料气体，各自以3sccm和20sccm的流量通入。施加RF500W作为用于产生等离子体的交流电，在工作压力0.005托下，在GMR薄膜磁头的移动面或滑动面，利用自偏压-800V成膜2nm厚的保护膜。将它作为样品1。
对于样品1，除了按照表1所示改变保护膜的厚度外，其他不变，获得样品2～4。
另外，对于样品1，除了工作压力为0.05托、自偏压为-400V外，其他不变，获得样品5。
另外，作为比较例，将Si(CH3)4和CH4作为含有Si、C及H的化合物的原料气体，各自以2sccm和30sccm的流量通入。施加RF500W作为用于产生等离子体的交流电，在工作压力0.005托下，在GMR薄膜磁头的移动面或滑动面，利用自偏压-800V成膜2nm厚的保护膜，获得样品6。
进一步，作为比较例，将Si(CH3)4和CH4作为含有Si、C及H的化合物的原料气体，各自以15sccm和10sccm的流量通入。施加RF500W作为用于产生等离子体的交流电，在工作压力0.005托下，在GMR薄膜磁头的移动面或滑动面，利用自偏压-800V成膜2nm厚的保护膜(样品7)。
另外，作为比较例，将Si(CH3)4和CH4作为含有Si、C及H的化合物的原料气体，各自以30sccm和2sccm的流量通入。施加RF500W作为用于产生等离子体的交流电，在工作压力0.005托下，在GMR薄膜磁头的移动面或滑动面，利用自偏压-800V成膜2nm厚的保护膜(样品8)。
进一步，将SiH4和C2H4作为含有Si、C及H的化合物的原料气体，各自以10sccm和70sccm的流量通入。施加RF100W作为用于产生等离子体的交流电，在工作压力0.005托下，在GMR薄膜磁头的移动面或滑动面，利用自偏压-800V成膜2nm厚的保护膜(样品9)。
另外，将SiH4和CH4作为含有Si、C及H的化合物的原料气体，各自以5sccm和10sccm的流量通入。施加RF1000W作为用于产生等离子体的交流电，在工作压力0.005托下，在GMR薄膜磁头的移动面或滑动面，利用自偏压-800V成膜2nm厚的保护膜(样品10)。
对这样获得样品如下评价其特性，并将其评价结果示于表1。另外，一并记录了根据所形成膜的化学分析测定的组成。还一并记录了用偏振光椭圆计测定的折射率。
CSS耐久次数进行CSS反复试验至磁头无法读取，测定此时的次数。10万次或其以下的数值四舍五入。表中用○、×表示。
○超过100×104×100×104或其以下耐久摩擦系数测定10×104次CSS试验后的摩擦系数。表中用○、×表示。
○0.2或其以下×超过0.2耐腐蚀性观察浸渍在脱氧水中5分钟后的磁头的腐蚀状态。在50个磁头样品，以浸渍后没有问题而能够使用(合格)的比例进行评价。表中用○、△、×表示。
○全部合格△50％合格×10％或其以下合格表1
*表示在范围外实施例2将Si(CH3)4和CH4作为含有Si、C及H的化合物的原料气体，各自以5sccm和25sccm的流量通入。施加RF500W作为用于产生等离子体的交流电，在工作压力0.005托或0.05托，在GMR薄膜磁头的移动面或滑动面，利用自偏压-800V或-400V成膜，除此之外，与实施例1相同，获得如表2所示样品，评价其特性，将其评价结果示于表2。
表2
*表示在范围外实施例3将SiH4和C2H4作为含有Si、C及H的化合物的原料气体，各自以10sccm和40sccm的流量通入。施加RF500W作为用于产生等离子体的交流电，在工作压力0.005托或0.05托，在GMR薄膜磁头的移动面或滑动面，利用自偏压-800V或-400V成膜，除此之外，与实施例1相同，获得如表3所示样品，评价其特性，将其评价结果示于表3。
表3
*表示在范围外实施例4将Si(CH3)4和C2H4作为含有Si、C及H的化合物的原料气体，各自以8sccm和20sccm的流量通入。施加RF500W作为用于产生等离子体的交流电，在工作压力0.005托或0.05托，在GMR薄膜磁头的移动面或滑动面，利用自偏压-800V或-400V成膜，除此之外，与实施例1相同，获得如表4所示样品，评价其特性，将其评价结果示于表4。
表4
*表示在范围外实施例5将Si(CH3)4和CH4作为含有Si、C及H的化合物的原料气体，各自以10sccm和30sccm的流量通入。施加RF500W作为用于产生等离子体的交流电，在工作压力0.005托或0.05托，在GMR薄膜磁头的移动面或滑动面，利用自偏压-800V或-400V成膜，除此之外，与实施例1相同，获得如表5所示样品，评价其特性，将其评价结果示于表5。
表5
*表示在范围外实施例6将Si(CH3)4和C2H4作为含有Si、C及H的化合物的原料气体，各自以8sccm和20sccm的流量通入。施加RF500W作为用于产生等离子体的交流电，在工作压力0.005托或0.05托，在GMR薄膜磁头的移动面或滑动面，利用自偏压-800V或-400V成膜，除此之外，与实施例1相同，获得如表6所示样品，评价其特性，将其评价结果示于表6。
表6
*表示在范围外从上述所示结果可以知道，本发明的薄膜磁头在CSS耐久次数、耐久摩擦系数、耐腐蚀性方面都很优异。
由此可知，本发明的薄膜磁头可对应于高记录密度，成为适用于这种用途的薄膜磁头。
另外，还可以知道，如果保护膜的厚度超过3nm，则不适用于高记录密度用薄膜磁头。
权利要求
1.一种薄膜磁头，其特征在于至少在与记录介质对向的表面具有保护膜，该保护膜含有Si、C及H，其中Si为3～9at％、C为61～81at％、H为16～30at％，其膜厚为1～3nm，其折射率在2.0或其以上。
2.如权利要求1所述的薄膜磁头，其特征在于在所述的对向表面上存在氧化物基材、氧化物绝缘层以及软磁性金属层的端面。
3.如权利要求1或2所述的薄膜磁头，其特征在于是MR磁头、GMR磁头、TMR或者CPP型的磁头。
4.一种薄膜磁头的制造方法，其特征在于通过对薄膜磁头施加负偏电压，至少在与记录介质对向的表面气相成膜一种保护膜，该保护膜含有Si、C及H，其中Si为3～9at％、C为61～81at％、H为16～30at％，其膜厚为1～3nm，其折射率在2.0或其以上。
5.如权利要求4所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于所述偏电压是通过施加的DC电源或施加的高频电压产生的自偏压施加的。
6.如权利要求4或5所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于通过等离子体CVD法形成所述保护膜。
7.如权利要求4或5所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于通过离子蒸镀法形成所述保护膜。
8.如权利要求4或5所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于通过溅射法形成所述保护膜。
9.如权利要求4或5所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于所述对向表面具有氧化物基材、氧化物绝缘层、层间薄膜、软磁性金属层。
10.如权利要求4或5所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于是MR磁头、GMR磁头、TMR或者CPP型的磁头。
全文摘要
本发明提供一种薄膜磁头，其特征在于至少在与记录介质对向的表面具有保护膜，该保护膜含有Si、C及H，其中Si为3～9at％、C为61～81at％、H为16～30at％，且其膜厚为1～3nm，其折射率在2.0或其以上。该保护膜对薄膜磁头的构成部件的粘结力高、耐久性优异、并且可进一步薄膜化，并提供制造工序少、以及廉价的薄膜磁头的制造方法。
文档编号G11B5/31GK1719520SQ200410062470
公开日2006年1月11日 申请日期2004年7月8日 优先权日2004年7月8日
发明者中山正俊 申请人:Tdk株式会社