专利名称：磁记录介质和磁记录与再生设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种磁记录介质和磁记录再生设备，并且尤其涉及一种其中在该磁记录介质和磁头滑动片之间有效地防止静摩擦的磁记录介质，该磁头滑动片在该磁记录介质的表面上飞旋并且安放在用于在/从该磁记录介质上记录和再生信息的磁头上，以便防止被压碎或类似情形，并且磁记录再生设备具有该磁记录介质。
背景技术：
例如硬磁盘的磁记录媒体通过改进的技术在面密度上已经被显著地改善了，改进的技术例如更精细的粒化磁性粒子以形成磁性记录层、替代材料、以及更精细的磁头处理。将来有望在面密度上做出进一步的改善。然而，这些采纳的改进技术到现在因为磁头处理的限制和磁场的扩展引出许多问题，例如边缘干扰(side fringe)、串扰(crosstalk)等。因此，在使用背景技术改善面密度上已经达到了其极限。
作为解决该问题的一种方法，即，作为能改善磁记录介质的面密度的一种技术，建议用离散轨道类型的磁记录媒体(例如，参见JP-A-9-97419或JP-A-2000-195042)。典型的离散轨道类型磁记录介质具有一个由同心轨道图案形成的磁记录层，和一个在磁记录层图案的相邻处之间的凹进部分注入了的非磁性层，以便在轨道的方向连续延伸并使同心轨道图案彼此分离。
在具有这样一个离散轨道类型的磁记录介质的磁记录再生设备中，伺服图案区域用作为用于磁头寻轨至需要的轨道的控制磁轨控制的参考，在磁记录介质的整个360°周围形成伺服图案区域，例如，以相邻的数据轨道区域之间的固定角度间隔。
图2是一个配置示意图，展示了在一个离散型磁记录介质上形成一个伺服图案区域的例子。伺服图案区域21在该磁记录介质的360°圆周上形成并且在数据轨道区域20和彼此相邻的20之间的固定角度间隔上形成。每个伺服图案区域21主要是由同步信号区域(前导区域)22，地址区域23和伺服脉冲信号区域24构成的。同步信号区域22通过AGC电路来修复所再生的波形振幅或确保与时钟同步。地址区域23包括指示扇区的开始位置和用作为每个数据轨道区域20的参考位置的定时信号，以及索引识别信号。伺服脉冲信号区域24用来生成指示磁轨位置的位置信号。地址区域23包括用于标识排列在磁盘径向方向的磁轨的编号的磁轨编号标识函数，以及用于标识排列在该磁盘的圆周方向的伺服图案的编号的扇区编号标识函数。
伺服脉冲信号区域24是一个典型地由四个脉冲信号区域24A，24B，24C和24D组成的两相伺服系统。基于第一个和第二个脉冲信号区域24A和24B组成的对以及第三个和第四个脉冲信号区域24C和24D组成的对来计算在脉冲信号之间振幅的差异。因此，因为该振幅差异，在线性上高的部分被连接以容纳获得线性位置错误信号。这样的伺服图案区域21用作为磁头准确寻轨在磁记录介质中形成的磁轨的参考。因此，高的定位准确率对于形成伺服图案区域21是需要的。
在具有伺服图案区域和数据轨道区域的离散磁轨型磁记录介质的制造中，非磁性材料被注入到形成磁记录层的预定的凹凸图案的凹进部分。因此，表面被制造成足够得平坦以抑制与磁头相连的滑动片的飞旋中的波动。因此，作为一种充电的方法，也使用将要被运用在半导体制造领域的薄膜形成技术例如溅射法。然而，当使用薄膜形成技术时，非磁性材料不仅在前述的凹进部分而且也在磁记录层的上表面形成。因此，由于在磁记录层上形成作为一层的非磁性材料导致的高度起伏的不规则是在磁记录介质的表面中形成的。由于高度起伏的不规则产生了如下问题。也就是说，在记录再生期间内与磁头相连的磁头滑动片的飞旋高度和因为在旋转的磁记录介质表面的空气流动导致的飞旋是不稳定的，或者在磁头和磁记录层之间的缝隙长度是增长的(也就是，在磁头和磁记录层之间空间损失)。因此，敏感度降低或者更易导致外部问题。
作为前述问题的一种解决方案，当移除作为在磁记录层上形成的一层的非磁性材料时需要使磁记录层的表面变平坦。例如，在半导体制造领域中使用的一种例如CMP(化学机械清洗)的处理技术，被用作为一种平坦化的方法。典型地在磁记录介质的表面上形成一种纹理以使通过纹理的效果阻止了在该磁头滑动片和该磁记录介质之间的静摩擦。当前述的CMP或其类似方法被用来使磁记录介质的表面太平坦时，纹理的效果并没有完全的发挥。因此，存在一个问题，即磁头滑动片被卡在该磁记录介质上以至于磁头更易被压碎。
特别地，随着面密度的增长，磁头滑动片的飞旋高度不能超过10nm。在这样一种情况下，磁头滑动片和磁记录介质彼此间歇性地接触。在这种情况下，当磁记录介质的表面太平坦了，就会有一个问题，即在磁头滑动片和磁记录介质之间的摩擦力增长以至于磁头由于上述相同的原因更易被压碎。
JP-A-2000-195042提出了一种这类问题的解决方案，在其中在非磁性材料的变平坦的表面形成一种纹理，并且在磁头滑动片和磁记录介质之间的静摩擦被纹理的不规则所阻止，从而阻止压碎的发生。
即使在JP-A-2000-195042中公开的磁记录介质在阻止磁头滑动片的摩擦上有一些效果，也有必要增加一个在非磁性材料的变平坦的表面上形成一种纹理的步骤。因此，存在一个问题，即在制造过程中步骤的数量的增加使得成本的增长。另外，在磁记录介质制造中，变平坦的非磁性材附因此仍然在磁记录层的表面。因此，存在一个问题，即在磁记录介质中形成的磁记录层和磁头之间的缝隙长度(与“空间损失”同义相同情况在下文还会出现)也在增长。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而进行开发的。本发明的第一个目的是为了提供一种具有一种阻止磁头的静摩擦的结构，并且在空间损失尽可能少而且成本优势更好的磁记录介质。本发明的第二个目的是提供一种具有该磁记录介质的磁记录再生设备。
为了达到前述的第一个目的，根据本发明磁记录介质包括磁盘基板，在该磁盘基板上用预定的凹凸图案形成的磁记录层，和注入到凹凸图案的凹进部分的非磁性材料层，其中该磁记录介质具有数据轨道区域和伺服图案区域。磁记录介质的特征在于每个数据轨道区域的表面存在凹进和突出。
根据本发明，在一个硬盘驱动器等等中提供具有凹进和突出的磁记录介质，这些凹进和突出在每个形成磁记录介质的数据轨道区域表面上，阻止磁头滑动片在磁记录介质上和读取/写入磁记录信息的飞旋产生的静摩擦的效果可以因为凹进和突出的存在而得到提高。结果，硬盘驱动器等等可以被稳定地驱动。
根据本发明的磁记录介质的特征还在于每个所估计的数据轨道区域的侧表面的算术平均偏差不低于0.3nm。
根据本发明，在一个硬盘驱动器等等中提供每个所估计的数据轨道区域的侧表面的算术平均偏差不低于0.3nm的磁记录介质，由于所估计的侧表面的算术平均偏差因此防止磁记录介质的表面过于平坦。因此，在磁记录介质和磁头滑动片之间的摩擦阻力的提高可以得到抑制。结果，阻止在磁记录介质和该在该磁记录介质上飞旋并且安装在用于读取/写入磁记录信息的磁头的磁头滑动片之间的静摩擦是可能的。
根据本发明的磁记录介质的特征还在于每个数据轨道区域表面的每个凹进和每个突起之间在表面水平面上的差异不高于6nm。
根据本发明，由于存在于每个数据轨道区域表面的每个凹进和每个突起之间在表面水平面上存在的的差异，该差异不高于6nm，阻止静摩擦的效果可以得到提高而不降低磁头在磁记录介质上飞旋的飞旋稳定性。
根据本发明的该磁记录介质的特征还在于每个数据轨道区域表面的凹进和突起由在磁记录层和非磁性材料层之间的表面水平面差异而形成，并且在每个数据轨道区域中，磁记录层的厚度方向的表面位置比非磁性材料层的厚度方向的表面位置更高。
根据本发明，存在于每个数据轨道区域表面的凹进和突起是由在磁记录层和非磁性材料层之间的表面水平面差异而形成的，并且在每个数据轨道区域中，磁记录层的厚度方向的表面位置比非磁性材料层的厚度方向的表面位置更高。因此，在磁记录层和磁头之间的距离可以更窄以减少两者之间的空间损失。
根据本发明该磁记录介质的特征还在于非磁性材料层的厚度方向的表面位置不高于在磁记录层的厚度方向的表面位置。
根据本发明，在每个数据轨道区域和每个伺服图案区域中，非磁性材料层的厚度方向的表面位置不高于在磁记录层的厚度方向的表面位置。因此，该磁记录层被充分地暴露。结果，也可以缩短在磁记录层和磁头之间的距离以减少两者之间的空间损失。
根据本发明该磁记录介质的特征还在于每个伺服图案区域的估计的侧表面的算术平均偏差低于所估计的每个数据轨道区域的侧表面算术平均偏差。
根据本发明，由于估计的每个伺服图案区域的侧表面的算术平均偏差低于所估计的每个数据轨道区域的侧表面的算术平均偏差，在每个伺服图案区域中的数据再生的S/N比可以得到很大的提高。
根据本发明该磁记录介质的特征还在于磁记录层缺少凹进突起图案中的凹进部分。
根据本发明，由于磁记录层缺少在凹进突起图案的凹进部分，在凹进部分产生的噪声问题可以被消除。
根据本发明的磁记录介质的特征还在于用于形成非磁性材料层的非磁性材料由从氧化物，氮化物和碳化物中选择一或多种混合物组成。
根据本发明，该用来形成非磁性层的非磁性材料是由从氧化物，氮化物和碳化物中选择一或多种混合物组成。因此，这些混合物自身在化学上具有良好的稳定性而且难于发生腐蚀或其类似情形，例如，由于与具有金属成分的磁记录层接触。结果，提供一种在化学稳定性上优良的磁记录介质是可能的。
根据本发明的磁记录介质的特征还在于用于形成非磁性材料层的非磁性材料是具有一种非晶结构(amorphous structure)或一种微晶材料(microcrystalline)的材料。
通常地，用非磁性层注入的凹进部分是通过蚀刻磁记录层来形成的。凹进部分的凹槽侧面被认为已经被蚀刻所破坏以至于会产生缺陷，例如晶界(grain boundary)。这些缺陷不能通过通常的具有晶界的结晶材料得到很好的保护。根据本发明，这种缺陷可以通过使用一种具有非晶结构或微晶材料作为注入材料来得到保护。相关联地，微晶材料(microcrystalinematerial)就是指在X射线衍射中一种不具有晶体峰(crystalline peak)的材料。
根据本发明的磁记录介质的特征还在于用于形成非磁性材料层的非磁性材料具有一种二氧化硅作为其主要成分。
根据本发明，由于具有二氧化硅作为主要成分的非磁性材料的使用，该材料易于被蚀刻，尤其是在每个伺服图案区域可以获得良好的平坦度。另外，制造在粘付于磁记录层和抑制晶粒生长方面表现较优的非磁性材料层是可能的。
为了达到第二个目的，根据本发明的磁记录再生设备的特征在于包含根据本发明的磁记录介质、被设计成在记录再生时至少部分地在该磁记录介质的表面飞旋的磁头滑动片、以及一个安装在该磁头滑动片上并用于记录再生信息到该磁记录介质中/从该磁记录介质记录再生信息的磁头。
根据本发明，该磁记录再生设备提供有具有这样一种结构的磁记录介质，该结构具有一种可以阻止磁头滑动片的静摩擦以及降低空间损失并成本优势更高。因此，如此配置的飞旋于磁记录介质上的磁头滑动片因此可以稳定地飞旋而不会由于磁记录介质上的静摩擦而产生压碎。结果，可以提供被稳定地驱动的磁记录再生设备。
根据本发明的磁记录再生设备的特征还在于在磁记录介质中的每个伺服图案区域的圆周连续长度不长于磁头滑动片的圆周长度。
根据本发明，由于磁记录介质中每个伺服图案区域的圆周连续长度不长于磁头滑动片的圆周长度，至少磁头滑动片的一部分总是出现在具有凹进和突起的数据轨道区域中。结果，磁头滑动片的静摩擦能更肯定地被阻止。
此外，在本说明书中，“在磁盘基板上用预定的凹进突起图案形成的磁记录层”意味着不仅磁记录层被分成大量在磁盘基板上具有预定图案的记录元件，而且磁记录层被部分地分割但部分地相连，磁记录层例如在基板的一部分中连续形成的螺旋磁记录层，和其中已经形成凹进部分和突起部分的具有凹进突起图案的连续磁记录层。进一步，在本说明书中，“凹进和突起部分图案的突起部分”意味着在正交于表面的扇区产生凹进突起形状的部分。
如上所述，根据本发明的磁记录介质，防止磁记录介质的表面过于平坦，以使在磁记录介质和磁头滑动片之间的摩擦阻力可以得到抑制。因此，在根据本发明阻止的磁记录介质和在磁记录介质上飞旋的并与用于读取/写入磁记录信息的磁头相连的磁头滑动片之间的静摩擦是可能的。因此，由于静摩擦导致如磁头压碎的问题可以被显著地抑制。另外，没有必要添加一个给磁记录介质的表面设置纹理的步骤。因此，成本可以减少。另外，在磁记录介质中形成的磁记录层和磁头之间的距离是如此之小以至于空间损失也可以减少。进一步，没有必要给每个伺服图案区域设置纹理。因此，在伺服图案区域的不规则可以被压缩得很小以至于在伺服图案区域中再生数据的S/N比可以被提高。
另外，本发明的磁记录再生设备配备了前述的磁记录介质。因此，阻止在磁记录介质和磁头滑动片之间的静摩擦是可能的，该磁头滑动片在磁记录介质上飞旋并且与用于读取/写入磁记录信息的磁头相连。因此，提供一种这样磁记录再生设备是可能的，这种磁记录再生设备能够显著抑制例如由于静摩擦导致的磁头压碎的问题，并且在磁头和磁记录层之间的空间损失更低，而且成本优势更高。
图1A-1B是表示根据本发明的磁记录媒体的分层配置的剖面示意图；图2是根据本发明的在磁记录介质中的每个数据轨道区域和每个伺服图案区域的平面示意图；图3A-3B是表示根据本发明的一个磁记录介质的实施例的剖面示意图；图4A-4B是表示根据本发明的另一个磁记录介质的实施例的剖面示意图；图5A-5B是表示根据本发明的另一个磁记录介质的实施例的剖面示意图；图6A-6H是解释根据本发明的磁记录介质的一种制造工艺的剖面图；图7A-7C是解释根据本发明的磁记录介质的这种制造工艺的剖面图；图8是表示根据本发明的磁记录再生设备的一个实施例的透视图；图9是表示在每个伺服脉冲信号区域的每个凹进部分和突起部分之间面积比率的平面示意图；图10是表示所估计的侧面的算术平均偏差和在磁记录介质的表面摩擦系数之间关系的图表；
图11是用于解释凹进突起图案中凹进部分的范围的示意图。
具体实施例方式
下面将对关于根据本发明的磁记录介质和具有这种磁记录介质的磁记录再生设备进行详细描述。
(磁记录介质)根据本发明的磁记录媒体包括仅使用磁性来进行记录和读取信息的硬磁盘、软(已被注册的商标)磁盘、磁带等等。然而，根据本发明的磁记录媒体并不仅限于这些媒体，还包括光磁记录媒体，例如使用磁性和光的MO(光磁)盘，以及使用磁性和热能的热能辅助记录媒体。例如，磁记录媒体可以通过磁记录介质(参见下文将描述的图2)来代表，在该磁记录介质中伺服图案区域作为用于控制磁头寻轨至需要的轨道的磁轨控制的参考，在相邻的数据轨道区域之间以固定角度间隔在磁记录介质的整个360°周围形成伺服图案区域。
图1A-1B是表示根据本发明的磁记录介质的基本扇区模式的例子的剖面示意图；如图1A-1B所示根据本发明的磁记录介质是具有一软磁层的正交记录类型的磁记录介质。该磁记录介质至少包括磁盘基板1，利用一预定的凹进突起图案在磁盘基板1上所形成的磁记录层5，以及注入到凹进突起图案中的凹进部分的非磁性层6。更特别地，例如，磁盘基板1上按顺序叠置内涂层(undercoat layer)2，软磁层3和定向层4。进一步在定向层4上，利用预定的凹进突起图案形成磁记录层5，以及在凹进突起图案中的凹进部分注入非磁性层6。进一步形成保护膜7和润滑膜8，以覆盖磁记录层5和非磁性层6。
此外，在图1A-1B中，相关的数字1A表示方便地标明在磁盘基板1上接连地叠置的在内涂层2上、软磁层3和定向层4的所有层压制片的磁盘基板。图1A展示一个磁记录介质10的扇区模式，在该磁记录介质10中在利用预定凹进突起图案在磁盘基板1A上形成的磁记录层5的元件之间没有磁记录层。图1B展示了一个磁记录介质11(被称为“掌型，palm”)的扇区模式，在该磁记录介质11中凹进和突起在磁盘基板1A中形成，并且磁记录层5在其上作为一紧接着凹进和突起的薄膜形成。下面的描述主要是基于图1A中关于具有软磁层3的正交记录类型的磁记录介质10。然而，根据本发明的磁记录介质可以是纵向记录类型(longitudinal recording typ)的磁记录介质，或者可以是如图1B所示的其中磁记录层存在于凹进突起图案的凹进部分中的磁记录介质11。
首先，下面将关于构成根据本发明的磁记录介质的每层进行描述。
磁盘基板1必须极其光滑并且不具有波动等。因此，在最后形成的磁记录介质上飞旋的磁头滑动片可以在很低的高度飞旋。最好使用玻璃基板，镀磷化镍铝镁合金基板等作为磁盘基板1。要使用的磁盘基板1的厚度例如大约为300-700μm。特别地，玻璃基板的表面粗糙度低于镀磷化镍铝镁合金。因此，玻璃基板可以获得很高的表面光滑度。另外，玻璃基板在抗震性能上也更优良。因此，在小尺寸磁记录介质中优选使用玻璃基板。
内涂层2是提供用于控制在其上形成的软磁层3等等的定向。软磁层3是提供用于在磁头和磁记录介质等等之间形成磁性回路。定向层4是提供用于控制形成于其上的磁记录层5等等的定向。
磁记录层5是提供有预定的图案作为在硬磁盘驱动器等中的磁记录层。例如，在一个离散磁轨类型(discrete track type)的磁记录介质中，在每个构成该磁记录介质的数据轨道区域中，形成磁记录层以至于它的部件都通过一同心图案以在轨道的半径方向的很小的间隔上被安排，以便记录/再生磁记录信息。另一方面，在每个伺服图案区域中，磁记录层被形成为一个用作为用于磁头寻轨至一所需要的数据轨道上的寻轨控制的参考的图案。另外，例如，在一离散的比特类型磁记录介质中，在构成该磁记录介质的每个数据轨道区域中，形成一磁记录层以至于使它的部件被通过一圆点图案以很小的间隔寻轨安排在轨道的圆周方向和半径方向上。另一方面，在每个构成磁记录介质的伺服图案区域中，利用一相应于预定伺服信息等的图案形成磁记录层。用于形成该磁记录层5的优选材料的例子包括Co-Cr基的多源金属合金(polygenetic alloys)例如CoCrTa，CoCrPt，CoCrPtTa，等等。磁记录层5通过一种薄膜形成方法，例如溅射法和蚀刻法形成5-30nm的厚度，5-1000nm宽度的突起和10-2000nm的图案节距。
非磁性层6是一注入到在该磁盘基板上形成的凹进突起图案中的每个凹进部分中的层。用于形成该非磁性层6的非磁性材料的例子包括SiO2(二氧化硅)，In(铟)，ITO(搀杂锡的铟氧化物)，Al2O3，TiN，TaSi合金，Ta，MgO，SiC，TiC等等。通过一种薄膜形成方法，例如一种溅射法形成非磁性层6，例如，5-30nm厚。
根据本发明，最好从上述不同非磁性材料中选择氧化物(SiO2，ITO，Al2O3，MgO等等)，氮化物(TiN等等)以及碳化物(SiC，TiC等等)的一或多种混合物。这些混合物自身在化学稳定性上很优良并且难于受到腐蚀或其类似情形的发生，例如，由于具有金属成分的磁记录层5的接触。因此，这些成分可以提供在化学稳定性方面优良的磁记录媒体。根据本发明，具有SiO2的非磁性材料被特别地作为其主要成分优选地被使用。SiO2是通过很容易地蚀刻法进行处理的，以使通过蚀刻尤其是在每个伺服图案区域中可以获得很好的平坦度。另外，SiO2在粘附磁记录层5上这一点更优越并且还具有一种能在抑制晶粒生长下形成非磁性层6的效果。
可替代地，具有一非晶结构或微晶结构材料的非磁性材料可以优选地被用来形成非磁性层6。典型地用非磁性层6注入的凹进部分是通过蚀刻磁记录层5形成的。凹进部分的凹槽侧面被蚀刻相当严重地毁坏以至于产生例如晶界(grain boundary)的缺陷。这种缺陷不能通过普通的具有晶界的微晶材料得到很好的保护。因此，通过蚀刻法损坏的这种例如晶界的缺陷可以通过将具有一不具有晶界的非晶结构或者基本上无价值的具有晶界的微晶结构作为注入的材料来进行保护。具有非晶结构的非磁性材料具体例子包括C，Si，SiO2，Al2O3，TaSi合金，TbFeCo合金，CoZr合金等等。通过一种薄膜形成方法，例如一种溅射法形成非磁性层6，例如，5-30nm厚。此外，微晶结构材料指定为在X射线衍射中不具有晶体峰的材料。
保护层7是提供用于保护磁记录介质的表面，以便保证与后面将介绍的润滑层8在协作中滑动的耐久性。特别地，提供的保护层7提供用于防止磁记录介质在与磁头滑动片接触时被损伤。形成保护层7的材料的例子包括一种被称为类钻石碳(此后简称为“DLC”)，氧化锆(ZrO2)，二氧化硅(SiO2)等等的硬碳膜。保护层7通过一种例如CVD(化学蒸气沉积)的方法或一种溅射法的薄膜形成法形成为1-5nm厚。相关地，DLC是一种具有碳元素作为其主要成分的非晶结构薄膜，并且它是一种通过维氏硬度测量表现出硬度大约为200-8000kgf/mm2的含碳材料。
提供的润滑层8用于保护磁记录介质的表面，以保证与前述的保护层7在协作中滑动的耐久性。形成润滑层8的优选材料的例子包括液态的氟基成分，例如全氟化聚醚(PFPE)。润滑层8通过一种薄膜形成法，例如一种浸渍(dipping)法形成为1-2nm厚。
图2是在根据本发明的磁记录介质中形成的数据轨道区域和伺服图案区域的例子的示意结构图。图3A-3B、4A-4B和5A-5B是表示根据本发明的第一个到第三个实施例的磁记录介质的剖面示意图。此外，在图2中，阴影部分指定为凹进突起图案的凹进部分，而另外的部分被指定为凹进突起图案的突起部分。图3A-5A是在图2的A-A线上的展示数据轨道区域的剖面图。图3B-5B是在图2中B-B线上的展示伺服图案区域的剖面图。在图3A-3B、4A-4B和5A-5B中，为了得出本发明的优点，由一磁盘基板1，一内涂层2，一软磁层3和一定向层4组成的层压制片被一“磁盘基板1A”来指定，并且提供在磁记录层5和非磁性层6上的一保护层7和一润滑层8未被说明。
如图2所示，相据本发明的磁记录介质包括数据轨道区域20和伺服图案区域21。在每个数据轨道区域20中，一用于记录再生磁记录信息的磁记录层像一个轨道般被形成。每个伺服图案区域21作为用于使磁头寻轨于所需要的数据轨道的寻轨控制的参考。
在数据轨道区域20和20之间以固定的角度间隔对整个磁记录介质360°的圆周形成伺服图案区域21。每个伺服图案区域21主要由一同步信号区域(preamble region，前导区域)22、一个地址区域23和一个伺服脉冲信号区域24构成。该同步信号区域22用于固定由一个AGC电路的方式再生的波形振幅或者确保与一时钟信号同步。地址区域23包括一指示扇区的开始位置和作为数据轨道区域20的参考位置的定时信号，以及一索引识别信号。伺服脉冲信号区域24用于生成一指示在轨道中的位置的位置信号。此外，地址区域23包括一用于识别排列在磁盘半径方向的轨道编号的轨道编号识别函数和用于识别排列在磁盘圆周方向的伺服图案区域的编号的扇区编号识别函数。
伺服脉冲信号区域24是典型地由四个脉冲信号区域24A，24B，24C和24D构成的两相伺服系统。在脉冲信号之间的振幅差异是基于第一个和第二个脉冲信号区域24A和24B组成的对以及第三个和第四个脉冲信号区域24C和24D组成的对来计算的。因此，因为该振幅差异，高线性部分被连接以获得一个线性部分的错误信号。这样的伺服图案区域21作为磁头准确寻轨在磁记录介质中形成的磁轨的参考。因此，高的定位准确率对于形成伺服图案区域21是需要的。
在根据本发明的磁记录介质10中的首要特征在于如图3A、4A和5A中所示的每个数据轨道区域20中存在凹进和突起。由于凹进和突起在每个伺服图案区域20中的存在，在提供有具有凹进和突起的磁记录介质的一个硬磁盘驱动器等中，阻止在磁记录介质和读取/写入磁记录信息飞旋的磁头滑动片的静摩擦的效果能被改善。结果，硬盘驱动器等可以被稳定地驱动。
存在于每个数据轨道区域20的表面的凹进和突起是由于在如图3A、4A和5A中所示的磁记录层5和非磁性层6之间的表面水平面差异形成的。在这些实施例中，如图3A和4A中所示，优选的是，在每个数据轨道区域20中磁记录层5表面的厚度方向的位置最好高于非磁性层6表面的厚度方向的位置。在根据该实施例的磁记录媒体中，在磁记录层和磁头之间的距离可以很窄以使在两者之间的空间损失可以减少。如图5A所示，在每个数据轨道区域20中非磁性层6表面的厚度方向的位置可以高于磁记录层5表面的厚度方向的位置。在这个例子中，磁记录介质可以被指定来提高至少阻止磁头滑动片的静摩擦的效果。
存在于每个数据轨道区域20表面的凹进和突起具有在表面水平上不大于6nm的差异是需要的。在这个范围内，阻止静摩擦的效果可以得到提高而不用降低在磁记录介质上飞旋的磁头滑动片的飞旋稳定性。另一方面，在表面水平上凹进和突起的差别大于6nm时，磁头的飞旋稳定性会恶化并引起实用问题。进一步，从数据信息的再生信号质量来看，表面水平上的差别最好不大于3nm，并且更好的情况是不大于1nm。此外，表面水平上的差别可以通过原子能显微镜来测量。
特别地，在根据本发明的磁记录介质中，如图3A-3B所示的实施例是优选的。也就是，在每个伺服图案区域21中在磁记录层5的表面缺少非磁性层6，并且在每个数据轨道区域20中的磁记录层5形成凹进突起图案的突起部分。因此根据所配置的这个实施例，不形成非磁性层来6以覆盖在一个数据轨道区域20或者在一个伺服图案区域21中的磁记录层5的表面。也就是说，非磁性层6的厚度方向的表面位置不高于磁记录层5的厚度方向的表面位置，并且非磁性层6主要是存在于凹进突起图案的凹进部分。因此，磁记录层5被充分地暴露。结果，在磁记录层和磁头之间的距离可以被减少以使两者之间的空间损失可以被减少。
在如图4A-4B中所示的在根据本发明的磁记录介质中，在每个伺服图案区域21中非磁性层6是在磁记录层5上形成的。因此，由于非磁性层6而出现空间损失问题是有可能产生的。然而，当在磁记录层5上形成的非磁性层6在厚度不超过1nm时，空间损失开始变小并且不导致任何实用的问题。
另一方面，在如图5A-5B所示的磁记录介质中当通过非磁性层6在每个数据轨道区域20上形成突起部分时，阻止磁头滑动片静摩擦的效果是存在的。然而，非磁性层6比磁记录层5在厚度方向的表面位置形成得更高(更厚)。因此，依照非磁性层6比磁记录层5形成的更高(更厚)的距离，在磁头和磁记录层之间会出现空间损失。结果，在磁记录介质上飞旋的磁头滑动片和形成于磁记录介质上的磁记录层之间的缝隙长度会增长以至于灵敏度会恶化。此外，以上所述的相同的方式，在根据在如图5A-5B所示的实施例中，当在磁记录层5和非磁性层6之间的表面水平上的差别不大于1nm时，空间损失会变小而不会导致任何实用问题。
另外，在根据如图3A-3B，4A-4B和5A-5B所示的实施例中的磁记录媒体中，在凹进突起图案的凹进部分中缺少了磁记录层5。因此，存在会产生一种消除凹进部分生成的噪声的问题的效果。
此外，在本说明书中，该“凹进突起图案的突起部分”意思是在与表面正交扇区上的凹进突起形状中的突出部分。进一步，假设当突起部分92出现如图11所示的锥起角度(tapered angle)时，在本说明书中的凹进突起图案的每个突起部分92包括一成锥形的部分。
根据本发明的磁记录介质其次的特征在于所估计的每个数据轨道区域20的侧表面Ra的算术平均偏差不低于0.3nm，并且最好不低于0.5nm。在一个提供有具有这样一种所估计的侧表面的算术平均偏差的磁记录介质的硬磁盘驱动器等中，该磁记录介质的表面不是很平坦，以至于它对于抑制在磁记录介质和磁头滑动片之间的摩擦阻力是可能的。结果，阻止在磁记录介质和飞旋于其上并用于读取/写入磁记录信息的磁头滑动片之间的静摩擦是可能的，以至于几乎很难出现例如由于静摩擦导致的磁头压碎的问题。此外，所估计的侧面Ra的算术平均偏差被定义作为JIS-B0601-2001。
此处，所估计的每个数据轨道区域20的侧表面的算术平均偏差的意思是所估计的包括存在于如图3A-3B、4A-4B和5A-5B所示的例子中的数据轨道区域20的表面的凹进和突起(例如，在磁记录层5和非磁性层6之间在水平面的差别)的侧表面的算术平均偏差。由于所估计的侧表面的算术平均偏差不低于0.3nm，在磁记录介质和磁头滑动片之间的静摩擦被阻止以使由静摩擦导致的磁头的压碎可以被消除。如果侧表面的算术平均偏差低于0.3nm，每个数据轨道区域20的表面是如此的平坦以使在磁记录介质和磁头滑动片之间的静摩擦阻力会增加。结果，容易发生在磁记录介质和磁头滑动片之间的静摩擦。
另一方面，根据本发明，每个数据轨道区域20中的凹进和突起缺少每个伺服图案区域21。因此，所估计的伺服图案区域21的侧表面的算术平均偏差低于所估计的数据轨道区域20的侧表面的算术平均偏差。因此，具有在伺服图案区域21中的再生数据的S/N比可以更大程度地得到提高的效果。就S/N比而言，伺服图案区域21的所估计的侧表面Ra的算术平均偏差最好不高于1nm并且更好的情况是不高于0.5nm。如果伺服图案区域21的所估计的侧表面Ra的算术平均偏差高于1nm，伺服数据的S/N比会下降从而使伺服寻轨错误增加。此外，测量伺服图案区域21的所估计的侧表面Ra的算术平均偏差的方法是与前述在数据轨道区域20中使用的方法相似的。
根据本发明的磁记录介质，如上所述，磁记录介质的表面不是很平坦，以使在磁记录介质和磁头滑动片之间的摩擦阻力的增长能被抑制。因此，阻止在根据本发明的磁记录介质和在磁记录介质上飞旋并安装用于读取/写入磁记录信息的磁头的磁头滑动片之间的静摩擦是可能的。因此，一种由静摩擦导致的例如磁头被压碎的问题可以被显著地抑制。进一步，没有必要提供给磁记录介质的表面设定纹理的步骤。因此，成本被降低了。另外，由于磁记录介质上形成的磁记录层和磁头之间的距离很小，空间损失也可以减少。而且，没有必要给任何伺服图案区域设定纹理。因此，在伺服图案区域中的不规则之处也可以抑制在很小的范围内以使伺服图案区域中的伺服数据的S/N比可以得到提高。因此抑制伺服寻轨错误是可能的。
在根据本发明的前述实施例中的磁记录介质中，内涂层2，软磁层3和定向层4是在磁记录层5下面形成的。本发明并不限于这一种配置。在磁记录层5下面的层的配置可以根据磁记录介质的种类而适当改变。例如，一或两层的内涂层2、软磁层3和定向层4可以被省略，或者磁记录层5可以直接在一基板上形成。
在前述实施例中，根据本发明的磁记录介质10是一正交记录离散轨道类型的磁盘，其中磁记录层5是在轨道的半径方向以微小间隔被分开的。然而，本发明并不限于这种配置。无须多言，本发明也可以应用于其中磁记录层在轨道的圆周方向(扇区方向)上以微小间隔被分开的磁盘、其中磁记录层在轨道的半径方向上和轨道的圆周方向上都以微小间隔被分开的磁盘、具有如图1B所示的有连续凹进突起图案的磁记录层的掌型磁盘、以及具有螺旋磁记录层的磁盘。
(制造磁记录介质的方法)接下来，将对关于制造上述磁记录介质的一种方法的一个例子进行描述。图6A-6H和7A-7C是解释根据本发明的磁记录介质的一种制造工艺的剖面图。此外，下面的方法仅仅是一个示例。制造磁记录介质并不仅限于下述方法。
首先，预备好磁盘基板1，例如，通过溅射法等等(参见图6A)按顺序在磁盘基板1上以预定厚度形成并层压内涂层2、软磁层3、定向层4和磁记录层5。例如，通过溅射法等等，第一掩模层61和第二掩模层62按顺序形成并层压在磁记录层5上，以及例如，通过浸渍法或旋转涂层法(参见图6B)，抗蚀层63被进一步层压在上面。这里，例如，该第一掩模层61是由DLC(类钻碳)等形成的，该第二掩模层62是由Si等形成的，以及该抗蚀层63是由阴性类型的抗蚀材料形成的(例如由Sumitomo化学有限公司生产的商标名称为NBE22A)。
接下来，预定的凹进突起图案通过纳米压印法(nano-imprint method)被转移到抗蚀层63以形成抗蚀图案。然后，通过使用O2气作为活性气体的活性离子蚀刻法(参见图6C)移除抗蚀图案中每个凹进部分底部的抗蚀层。可替代地，抗蚀图案可以通过照相平板印刷法(photolithographic)来形成。
接下来，例如，通过使用Ar(氩)气的离子束蚀刻，从抗蚀图案的每个凹进部分的底部暴露出来的第二掩模层62被移除。例如，由Si等形成的第二掩模层62是通过在一个离子入射角为90°的离子束蚀刻来被移除的。在这种情况下，在不是凹进部分的区域中形成的抗蚀层63也被稍微移除(参见图6D)。之后，例如，通过使用O2的活性气体蚀刻法(参见图6E)，在每个凹进部分底部的第一掩模层61也被移除。因此，磁记录层5从每个凹进部分的底部暴露出来。此外，在不是凹进部分的区域中形成的抗蚀层63也被很完整地移除了。另一方面，在不是凹进部分的区域中形成的第二掩模层62也被部分地移除，但是仍然保留有一定量。
接下来，例如，通过使用Ar(氩)气的离子束蚀刻法(参见图6F)，从每个凹进部分底部暴露出来的磁记录层5被移除了。因此，利用一预定的凹进突起图案形成磁记录层5。此外，通过离子束蚀刻，在区域中而不是凹进部分中的第二掩模层62被很完整地移除了，并且不是凹进部分的区域中的第一掩模层61也被部分地移除了。在磁记录层5上仍然保留了一定量的第一掩模层61。此外，通过使用离子束蚀刻法，每个伺服图案区域21的处理深度基本上等于每个数据轨道区域20的处理深度。
接下来，例如，通过使用O2的活性气体蚀刻法(参见图6G)，保留在磁记录层5上的第一掩模层61被完整地移除。因此，形成了具有预定凹进突起图案的磁记录层5。
剩余的活性气体通过干洗来移除。之后，例如，由SiO2制成的非磁性材料通过溅射法形成薄膜，以使非磁性材料被注入到由磁记录层5形成的凹进突起图案的凹进部分中。因此，形成了非磁性层6(参见图6H)。非磁性层6不仅在凹进突起图案的凹进部分中而且也在磁记录层5上形成。当非磁性层6需要许多步骤形成时，要被处理的主体被涂了膜的表面可以变平坦。例如，利用应用在该要被处理的主体的要被涂上非磁性层膜的表面的偏压(bias power)形成非磁性层的第二层。因此，已形成的非磁性层的上表面的平坦度可以被提高。
接下来，要被处理的主体的被整个涂有非磁性层6的主体表面通过使用Ar气的离子束蚀刻法被蚀刻。因此，高于磁记录层5的表面位置的非磁性层6被移除，以使要被处理的主体的表面变平坦(参见图7A-7B)。例如，用离子束71在一例如2°的入射角辐射在磁记录层5上面涂有非磁性层6的膜的要被处理的主体。因此，要被处理的主体的表面可以通过离子束蚀刻来变平坦。
此外，在本说明书中，该术语“离子束蚀刻”用作处理方法的一般术语，该方法是利用离子化气体辐射被处理的主体从而移除一层，例如离子磨铣法(ion milling)。离子束蚀刻并不仅限于使用一很窄的离子束辐射要被处理的主体的处理方法。术语“入射角度”意思是一个与要被处理的主体的表面相关的离子束(离子化气体)的入射角度，该角度与在要被处理的主体表面和离子束的中央轴之间的角度是同义的。例如，当离子束的中央轴与要被处理的主体的表面平行时，入射角为0°。当中央轴与要被处理的主体的表面正交时，入射角为90°。
接下来，保护层7在磁记录层5和非磁性层6的上表面通过CVD(化学蒸气沉积)法形成。进一步，润滑层8在保护层7上通过浸渍法形成。因此，根据本发明的磁记录介质就完成了。
在前述制造磁记录介质的方法中，离子束蚀刻法被用作蚀刻磁记录层5以形成一预定的凹进突起图案的方法。因此，每个数据轨道区域20的处理深度与每个伺服图案区域21的处理深度是基本上相等的。一般地，在数据轨道区域20中形成的凹进突起图案中的凹进突起比率与伺服图案区域21的不同。例如，当在伺服图案区域21中的突起部分的比率高于在数据轨道区域20中的突起部分的比率时，数据轨道区域20中的处理深度与伺服图案区域21中的处理深度基本上是基本相等的。结果，当非磁性层6通过一种溅射法或其类似方法被注入到已形成的凹进突起图案中的凹进部分时，在数据轨道区域20中形成的非磁性层6的表面位置低于在伺服图案区域21中形成的非磁性层6的表面位置。因此，通过接着进行的离子束蚀刻，可以使在数据轨道区域20中的非磁性层6的表面位置低于在伺服图案区域21中的非磁性层6的表面位置，如图3A-3B和4A-4B所示。因此，凹进和突起可以在数据轨道区域20中形成。
磁记录层5或者非磁性层6的蚀刻率可以通过调整不同的条件(在形成薄膜时的气压，偏压等等)进行改变，通过这些条件非磁性层6被注入到由磁记录层5形成的凹进突起图案的凹进部分，或者通过调整不同的条件(离子束的辐射角度，气体种类等等)进行改变，在这些条件下要被处理的主体的表面通过离子束蚀刻变平坦。因此，在每个数据轨道区域20中，可以使磁记录层5的蚀刻率与非磁性层6的蚀刻率相等。例如，当被蚀刻的粒子通过一个质谱仪被监视时，使用一种一开始检测磁记录层5材料就完成平坦化的方法是可能的。通过结合上述方法，就可以得到如图3A-3B、4A-4B和5A-5B的结构。
如上所述，为了制造根据本发明的该磁记录介质，可以使在每个数据轨道区域20中的凹进突起图案的凹进部分的深度与在每个伺服图案区域21中的该深度相等，尤其是通过使用离子束蚀刻法时。由于在数据轨道区域20中形成的凹进突起图案和在伺服图案区域21中形成的凹进突起图案在凹进突起比率上的差别，在非磁性层注入到凹进部分之后可以在数据轨道区域20的表面提供凹进和突起。进一步，例如磁记录层5和非磁性层6的蚀刻率、层5和6蚀刻率对于离子束入射角度的相关性和气体的相关性等等处理条件是最优的，以使根据前述实施例的磁记录媒体可以被制造。在一个提供有这样一种磁记录介质的硬磁盘驱动器等中，该磁记录介质的表面不太平坦，以使在磁记录介质和磁头滑动片之间的摩擦阻力可以被抑制。结果，在磁记录介质和在磁记录介质上飞旋的并且读取/写入磁记录信息的磁头滑动片之间的摩擦阻力的增加可以被抑制以阻止在磁记录介质和磁头滑动片之间的静摩擦。
(磁记录再生设备)接下来，将对根据本发明的磁记录再生设备进行描述。
图8是表示根据本发明的磁记录再生设备的一个实施例的透视图。根据本发明的磁记录再生设备80具有一个根据本发明的磁记录介质81，它已经在上面描述过了，一被设计成在记录再生时至少一部分在磁记录介质81的表面飞旋的磁头滑动片82，以及一安装到磁头滑动片82上的并用于记录再生信息到该磁记录介质81/从该磁记录介质81记录再生信息的磁头。
磁记录介质81以一很高的与一主轴马达84的旋转一致的速率旋转。在摆动臂83的末端提供的磁头滑动片82由于磁记录介质81的旋转产生的空气流动而飞旋。一个传动器85通过一在磁记录介质81中形成的伺服信号区域的伺服信号被驱动。因此，摆动臂83来回摆动以使磁头滑动片82可以在磁记录介质81上形成的轨道上精确地寻轨。
在根据本发明的磁记录再生设备中，磁记录介质81中的每个伺服图案区域21的圆周的持续长度最好不超过磁头滑动片82的圆周长度。在这种配置下，至少磁头滑动片82的一部分总是位于具有凹进和突起的数据轨道区域20的任何一个上面。因此，磁头滑动片的静摩擦可以被更确定地阻止。
如上所述，根据本发明的磁记录再生设备具有前述的根据本发明的上述磁记录介质。因此，阻止在磁记录介质和和在磁记录介质上飞旋并且安装在读取/写入磁记录信息的磁头滑动片之间的摩擦阻力是可能的。因此，提供一种可以显著抑制例如静摩擦导致的磁头压碎的问题并且在磁头和磁记录层之间减少空间损失并且成本优势更高的磁记录再生设备是可能的。
本发明下面将更详细地用例子和比较的事例进行描述。
(要被处理的主体的制造)首先，用于形成离散轨道类型磁记录介质的要被处理的主体被制造好了。由玻璃基板制成的并具有630μm厚度的磁盘基板1被按顺序涂上了内涂层2、软磁层3、定向层4、磁记录层5(20nm厚)、第一掩模层(DLC10nm厚)和第二掩模层(Si5nm厚)。已涂膜的样本通过螺旋涂层方法(spincoat method)被涂上阴性类型抗蚀材料(商标名称NEB22A由Sumitomo化学有限公司制造)以形成100nm厚抗蚀层。通过使用一种具有预定凹进突起形状的压模，凹进突起形状通过使用纳米印刷法(nano-print)的压力被转移到样本表面的抗蚀层，以及在其上完成了使用O2气作为活性气体的活性离子蚀刻。因此，当在每个凹进部分的底部的抗蚀层被移除时形成了由微图形(micro-figures)制成的抗蚀图案。接下来，使用抗蚀图案作为掩膜，抗蚀图案的微图形被通过使用Ar气的离子束蚀刻法转移到第二掩模层。因此，由微图形制造的第二掩膜图案形成了。接下来，使用第二掩模图案作为掩膜，第二掩模图案的微图形被通过使用O2气的活性离子束蚀刻法转移到第一掩模层。因此，由微图形制造的第一掩膜图案形成了。接下来，使用第一掩模图案作为掩膜，第一掩模图案的微图形被通过使用Ar气的离子束蚀刻法转移到磁记录层5。因此，由微图形制造的磁记录层图案形成了。接下来，通过使用O2气的活性离子束蚀刻法移除了保留在磁记录层图案上的第一掩模层。
通过上述方法，制造了用于形成离散的轨道类型磁记录介质的要被处理的主体。每个数据轨道区域20的处理尺度在轨道节距上是150nm，在磁记录层的图案宽度上是90nm，其中上面未形成磁记录层的每个部分(凹进突起图案的凹进部分)的面积与其中形成磁记录层的每个部分(凹进突起图案的突起部分)的面积的比率是1∶1.5(凹进突起比率)，没有形成磁记录层的每个部分(凹进突起图案的凹进部分)的宽度是60nm，以及在每个凹进部分的深度是22nm。磁记录层图案(凹进突起图案)的位置被设定在半径10nm至30nm的范围。另一方面，作为每个伺服图案区域21的处理尺度，例如在一个如图9所示的伺服脉冲信号区域24中，磁记录层图案构建的每个凹进突起图案的突起部分92，经测量在周长WS5为100-300nm在半径宽度WL5为150nm，以及该图案构建的每个凹进突起图案的凹进部分91，经测量在周长WS6为100-300nm在半径宽度WL6为150nm。进一步，如图9中所示，其中没有形成磁记录层的每个凹进部分91的面积S6与其中形成了磁记录层的每个突起部分92的面积S5的比率被设定为1∶3。此外，每个凹进部分91的深度是22nm，以及磁记录层图案(凹进突起图案)的位置以如在与在数据轨道区域20中相同的方式被设定在半径方向的10nm至30nm的范围。
(实例1)非磁性层6在通过前述方式已经得到的要被处理的主体上形成。首先，通过一种溅射法在薄膜形成功率500W、偏压150W和Ar气压力0.3Pa的条件下形成100nm厚的一层SiO2的膜。此外，此处薄膜的厚度意味着当薄膜在平坦的表面上平行形成时平坦表面的膜的厚度。使用Ar气和具有一入射角为2°的离子束蚀刻是在非磁性层6形成后在要被处理的主体上进行的。因此，在磁记录层5上多余的SiO2被移除以使表面变平坦。蚀刻是通过一质谱仪来监视的。一开始检测伺服图案区域21中的磁记录层上述平坦化就被完成了。
此外，当非磁性层6被形成时，非磁性层6的表面位置在每个数据轨道区域20中低于在每个伺服图案区域21中。因此，当离子束蚀刻继续时，在数据轨道区域20中的磁记录层5就开始被检测到，并且之后，在伺服图案区域21的磁记录层5也开始被检测到。两种检测可以基于在质谱仪中检测到的速率变化来区别。因此，当在伺服图案区域21中的磁记录层5一开始被检测时，通过延缓离子束蚀刻就能获得每个伺服图案区域21的表面的平坦化。
2nm厚的DLC被通过一CVD方法形成在其上并作为保护层7。进一步在保护层7上，2nm厚的全氟化聚醚(PFPE)被通过一浸渍法形成并作为润滑层8。因此，在实例1中的磁记录介质被制造出来了。
因此所制造的磁记录介质具有一种存在于每个伺服图案区域21的表面的凹进和突起的表面粗糙度极其低的模式，同时存在于每个数据轨道区域20表面上的凹进和突起的表面粗糙度却很高。在这种模式中，在数据轨道区域20的表面上的凹进和突起的突起部分是由磁记录层制成的，并且在磁记录层和形成该凹进部分的非磁性层之间在水平面上存在差别。
在离子束入射在平行于其表面的磁记录介质的辐射的情况下，离子束的入射角度被看成是0°，在离子束入射在正交于其表面的磁记录介质的辐射的情况下离子束的入射角度被看成是90°。在实例1中，由于离子束在2°的入射角度的辐射，非磁性层的蚀刻率比磁记录层的蚀刻率要高。因此，被注入到在每个数据轨道区域20中的磁记录层的部件之间的非磁性层的蚀刻深度变得更大。
因此在所制造的磁记录介质的每个数据轨道区域20中的每个凹进和突起之间在水平面上的差别是0.9nm，而其Ra(所估计的侧面的算术平均偏差)则是0.6nm。另一方面，在每个伺服图案区域21的表面的Ra是0.3nm。
图10是表示从磁头滑动片的一次滑动测试中得到的所估计的侧面的算术平均偏差和在磁记录介质的摩擦系数之间关系的图表。如图10所示的所估计的侧面的算术平均偏差和摩擦系数之间的关系是通过使用在所估计的侧表面的算术平均偏差不同的样本来获得的并且通过被使用在CSS(ContactStart Stop，接触启停)测试中的测试仪来测量的。从图10中可以明显看出，当所估计的侧表面的算术平均偏差不高于0.3nm时，摩擦系数会骤然升高。事实表明当所估计的侧表面的算术平均偏差不高于0.3nm时，磁头的静摩擦会很容易发生。
(实例2)如图4A-4B所示的磁记录介质根据一与实例1中类似的方法制造。该磁记录介质可以如下制造。也就是，在实例1中的非磁性层的离子束蚀刻中，自从在每个数据轨道区域20中的磁记录层5开始被检测以来离子束蚀刻被延缓直到在每个伺服图案区域21中的磁记录层5开始被检测。因此，这样完成了平坦化。
(实例3)如图5A-5B所示的磁记录介质根据一与实例1中类似的方法制造。该磁记录介质可以如下制造。也就是，在实例1中的非磁性层的离子束蚀刻中，从在每个数据轨道区域20中的磁记录层5一旦开始要被检测时离子束蚀刻就马上被延缓。入射角度在2°到90°(90°是“磁记录层5的蚀刻率高于非磁性材料(SiO2)的蚀刻率”的入射角)之间变化，并且恢复离子束蚀刻。一旦在每个伺服图案区域21中的磁记录层5要开始被检测，离子束蚀刻就被延缓。这样，完成了平坦化。
本发明是基于并且要求在2004年2月26日申请的日本专利申请2004-50817的优先权，其全部内容在此被引入作为参考。
权利要求
1.一种磁记录介质包括磁盘基板；在所述磁盘基板上利用预定凹进突起图案形成的磁记录层；和注入到所述凹进突起图案的凹进部分的非磁性层；其中所述磁记录介质具有数据轨道区域和伺服图案区域；并且其中凹进和突起存在于每个所述数据轨道区域的表面。
2.根据权利要求1的磁记录介质，其中每个所述的数据轨道区域的所估计的侧表面的算术平均偏差不低于0.3nm。
3.根据权利要求1的磁记录介质，其中存在于每个所述的数据轨道区域的表面上的每个所述的凹进和每个所述的突起之间的水平面差异不高于6nm。
4.根据权利要求1的磁记录介质，其中所述的存在于每个所述的数据轨道区域的表面上的所述的凹进和所述的突起是通过在所述的磁记录层和所述的非磁性层之间在水平面上的差异而形成的，并且在所述的每个数据轨道区域中，所述的磁记录层的厚度方向的表面位置高于所述的非磁性层的厚度方向的表面位置。
5.根据权利要求1的磁记录介质，其中所述非磁性层的厚度方向的表面位置不高于所述的磁记录层的厚度方向的表面位置。
6.根据权利要求1的磁记录介质，其中每个所述的伺服图案区域的所估计的侧表面的算术平均偏差低于每个所述的数据轨道区域的所估计的侧表面的算术平均偏差。
7.根据权利要求1的磁记录介质，其中所述的磁记录层缺少所述的凹进突起图案的所述凹进部分。
8.根据权利要求1的磁记录介质，其中用于形成所述的非磁性层的非磁性材料是由从氧化物、氮化物和磁化物中选取的一或多种混合物组成。
9.根据权利要求1的磁记录介质，其中用于形成所述的非磁性层的非磁性材料是一种具有非晶结构或微晶材料的材料。
10.根据权利要求1的磁记录介质，其中用于形成所述的非磁性层的非磁性材料具有二氧化硅作为其主要成分。
11.一种磁记录再生设备，包括根据权利要求1的磁记录介质；被设计成在记录再生时至少部分地在所述的磁记录介质的表面飞旋的磁头滑动片；和安装在所述磁头滑动片上并且用于记录信息到所述的磁记录介质/从所述的磁记录介质再生信息的磁头。
12.根据权利要求11的磁记录再生设备，其中在所述的磁记录介质中的每个所述的伺服图案区域的圆周连续长度不长于所述的磁头滑动片的圆周长度。
全文摘要
磁记录介质，至少包括磁盘基板(1A)，在磁盘基板(1A)上利用预定的凹进突起图案而形成的磁记录层(5)，和注入到凹进突起图案的凹进部分的非磁性层(6)，以具有数据轨道区域(20)和伺服图案区域(21)。由于在每个数据轨道区域(20)表面的凹进和突起的存在，前述问题得到了解决。在这种情况下，每个数据轨道区域(20)的所估计的侧表面Ra的算术平均偏差应该不低于0.3nm。在存在于数据轨道区域(20)的表面的每个凹进和每个突起之间在水平面上的差别应该不超过6nm。
文档编号G11B5/64GK1684152SQ20051006561
公开日2005年10月19日 申请日期2005年2月25日 优先权日2004年2月26日
发明者藤田实, 高井充, 岛川和也 申请人:Tdk株式会社