专利名称：：内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法
技术领域：
：本发明涉及一种内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法，尤其涉及一种无需预留专门的测试管脚内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法。
背景技术：
：目前，作为DFT(可测性设计，DriveFitnessTest)设计技术的一种，在设计内置非挥发性存储器芯片时，通常需预留测试管脚(PIN)，以用来区分电路处于测试状态还是正常工作状态。但是这样导致了电路需要多一个PAD，使得面积增大，芯片的成本也随之提高。尤其在对芯片面积要求很高，可使用的PIN的数目非常有限，无法为测试单独设置一个PIN甚至连复用都变得无法实现时，这种方法的缺点尤其突出。
发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法，可在不预留专门的测试管脚的情况下实现对所述芯片的测试，并能够从测试状态转换到工作状态下，从而可减小芯片的面积，也不会对芯片的其他正常功能造成任何影响。为解决上述技术问题，本发明提供了一种内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法，包括以下步骤(1)将芯片内置的非挥发性存储器寻址范围内的初始地址值设为表征测试模式的值，将其他值设为表征正常工作模式的值；(2)在所述非挥发性存储器的寻址范围外引入一个额外的附加地址，用于存放状态标志值；(3)使用一个二输入比较器来实现测试模式和正常工作模式间的切换；所述比较器的一端固定输入的预定义数据为所述非挥发性存储器寻址范围的初始值，另一端输入由所述附加地址所指向的所述状态标志值；当所述状态标志值为所述非挥发性存储器寻址范围的初始值时，所述比较器将输出使所述芯片工作在测试模式下的信号；而当所述状态标志值为其他值时，所述比较器将输出使所述芯片工作在正常工作模式下的信号。本发明由于采用了上述技术方案，具有这样的有益效果，即通过在芯片内置存储器的寻址范围之外引入一个表征芯片处于测试模式还是正常工作模式的状态标志位，从而实现了所述芯片能够在测试模式和正常工作模式之间转换，而无需在芯片上增加额外的测试管脚来实现上述功能，从一定程度上减小了芯片的面积，降低了成本；而且由于所述状态标志值的地址是在所述芯片内置存储器的寻址范围之外的，因此当所述芯片处于正常工作模式时，无法再访问和修改所述状态标志值，由此保证了处于正常工作模式时的芯片不会再误进入测试模式，从而确保了数据的安全性。下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明-图1是根据本发明使用二输入比较器来实现在测试模式和正常工作模式间的切换的示意图2是根据本发明在存储器寻址范围外引入存放状态标志值的附加地址后的存储区域的示例性示意图3是根据本发明使用比较器来实现避免用户误读出附加地址中的状态标志值的示例性示意图。具体实施例方式将芯片内置的非挥发性存储器寻址范围内的初始地址值设为表征测试模式的值，将其他值设为表征正常工作模式的值；但是如果在测试模式下需要访问所述存储器寻址范围内的其他地址值，则将这些测试模式下需要访问的地址值也设为表征测试模式的值，而将剩下的值设为表征正常工作模式的值。在所述芯片内置的非挥发性存储器的寻址范围之外引入一个额外的附加地址，用于存放状态标志值；之所以要将存储器寻址范围之外附加地址作为所述状态标志值的地址，是因为这样可保证不对用户的正常使用造成影响。因此可确保芯片在完成通信协议的同时，在不影响正常协议的前提下，对该附加地址中的状态标志值进行访问，而不需增加额外的时间和增加额外的读周期从而造成通信协议的不兼容。通过一定的逻辑，使得当芯片工作在测试模式下时才可以对该地址进行访问和修改，而当其工作在正常工作模式时不可对该地址进行访问和修改，从而可避免当芯片处于正常工作模式时有误进入测试模式的可能性，因此确保了数据的安全性。但是为了避免该状态标志值给用户带来混乱，将所述状态标志值从该附加地址读出是由所述芯片在其电路内部读出后自己进行判断的，而并不输出到该芯片的外部，而一旦用户误将所述附加地址中的数据读出时，则通过反向器将所读出的数据转变为o输出。如图1所示，使用一个二输入比较器来实现测试模式和正常工作模式间的切换。该比较器的一端固定输入的预定义数据为所述非挥发性存储器寻址范围的初始值，而另一端输入的是由所述附加地址所指向的所述状态标志值。当所述状态标志值为存储器寻址范围的初始值时，所述比较器将输出使所述芯片工作在测试模式下的信号;而当所述状态标志值为其他值时，所述比较器将输出使所述芯片工作在正常工作模式下的信号。其中，所述状态标志值缺省设置为所述存储器寻址范围的初始值，从而可确保芯片第一次上电复位时一定是处在测试模式下的。当所述芯片处于测试模式下时，所述芯片可以对所述状态标志值的地址进行写操作，从而确保了当芯片测试完毕时，可以改变所述状态标志值，从而使芯片转换为正常工作模式。为了提高所述芯片从测试模式转换到正常工作模式时的可靠性，可预先设定一个专门的转换状态值，该转换状态值应由多个1和多个0组成，从而确保了当状态标志值被写为所述转换状态值时，能够可靠的进入正常工作模式，而不会由于所述状态标志值中的个别位被损坏而使该状态标志值中写入的值变为表征为测试模式的值;而当所述芯片处于正常工作模式下时，由于这时不能对该地址再进行访问或修改，从而避免了在正常工作模式下会误进入测试模式的可能性，保证了数据的安全性，因此非常适用于那些只需要在Wafer级对芯片进行测试的情况。下面以一个具体的实施例来说明本发明所述的方法以I2C串行EEPR0M芯片为例，在电路正常工作的时候，该EEPR0M的寻址范围为00H7FH，因此这时可将状态标志值的附加地址设为如80H,具体可参考图2。这时，由于EEPROM的初始值均为OOH，所以将00H设为表征测试模式；同时由于在测试时会对EEPROM进行00H/FFH的擦写试验，所以将FFH也设为表征测试模式的值。因此参考表1，可得当附加地址80H中的状态标志值为00H或FFH时，可使所述二输入比较器将输出使所述EEPROM芯片工作在测试模式下的信号，这时芯片将工作在测试模式下；而当正式完成测试后，通过在附加地址80H中的状态标志值写为55H时，则可使二输入比较器输出使所述EEPROM芯片工作在正常工作模式下的信号，这时所述芯片就从测试模式转换到正常工作模式下了；之所以将55H作为从测试模式转换到正常工作模式的转换状态值，是因为55H由4个"1"和4个"0"组成，所以即使状态标致值中的个别位被损坏也不会轻易变成00H或FFH，从而提高了可靠性。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>所述80H中的状态标志值缺省设为OOH，这样当所述EEPROM芯片第一次上电复位时，12C通信初始"开始(Start)"后，电路会利用串行输入"设备地址(DeviceAddress)"的时候，将80H中的状态标志值读出，读出后由于经判断是OOH，所以会自动进入测试模式，这样既不会影响I2C协议的正常进行，也保证了标志位字节中的数据被顺利采集。当所述EEPROM芯片处于测试模式时，可以对所述附加地址80H重新写数据，当写入的数据为55H时，电路就会自动进行判断并进入正常工作模式，当进入正常工作模式后，由于所述附加地址80H是在EEPR0M寻址范围之外的，因此用户就永远无法再对该附加地址80H进行访问或修改了，所以应测试结束之前对80H写入55H，以保护该状态标志值。在下一次通信初始"开始"后，电路再次利用串行输入"设备地址"的时候，将EEPROM中附加地址80H中的数据读出，这时若读出55H的值后即可判断芯片处于正常工作模式。由于附加地址80H是在EEPROM的寻址范围之外的，因此用户在使用过程中有可能会误读出，为了避免该附加地址80H中的状态标志值给用户带来混乱，将数据从该附加地址80H读出是电路内部读出后自己进行判断，并不输出到芯片外部。通过逻辑控制，一旦客户误将该附加地址80H中的数据读出，则如图3所示，则会预先通过4个反向器将55H的实际值转变为00H输出。权利要求1、一种内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法，其特征在于，包括以下步骤(1)将芯片内置的非挥发性存储器寻址范围内的初始地址值设为表征测试模式的值，将其他值设为表征正常工作模式的值；(2)在所述非挥发性存储器的寻址范围外引入一个额外的附加地址，用于存放状态标志值；(3)使用一个二输入比较器来实现测试模式和正常工作模式间的切换；所述比较器的一端固定输入的预定义数据为所述非挥发性存储器寻址范围的初始值，另一端输入由所述附加地址所指向的所述状态标志值；当所述状态标志值为所述非挥发性存储器寻址范围的初始值时，所述比较器将输出使所述芯片工作在测试模式下的信号；而当所述状态标志值为其他值时，所述比较器将输出使所述芯片工作在正常工作模式下的信号。2、根据权利要求1所述的内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法，其特征在于，所述状态标志值在默认情况下为所述存储器寻址范围的初始值。3、根据权利要求1所述的内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法，其特征在于，预先设定一个专门的转换状态值，该转换状态值应由多个1和多个0组成。4、根据权利要求1所述的内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法，其特征在于，在步骤(1)中，如果在测试模式下需要访问所述存储器寻址范围内的其他地址值，则将这些测试模式下需要访问的地址值也设为表征测试模式的值，而将剩下的值设为表征正常工作模式的值。5、根据权利要求1所述的内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法，其特征在于，所述状态标志值从该附加地址读出是由所述芯片在其电路内部读出后自己进行判断的，而并不输出到该芯片的外部，而一旦用户误将所述附加地址中的数据读出时，则通过反向器将所读出的数据转变为0输出。6、根据权利要求1所述的内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法，其特征在于，当所述非挥发性存储器芯片处于测试模式时能够对所述状态标志值进行访问和修改，而当所述非挥发性存储器芯片处于正常工作模式时则不能够对所述状态标志值进行访问和修改。全文摘要本发明公开了一种内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法，通过在芯片内置存储器的寻址范围之外引入一个表征芯片处于测试模式还是正常工作模式的状态标志值，从而可使所述内置非挥发性存储器的芯片能够在测试模式和正常工作模式之间转换，而无需在芯片上增加额外的测试管脚来实现上述功能，从一定程度上减小了芯片的面积，降低了成本。文档编号G11C29/04GK101202115SQ200610147328公开日2008年6月18日申请日期2006年12月15日优先权日2006年12月15日发明者秦硕诣申请人:上海华虹Nec电子有限公司