专利名称：一种用电可擦除存储器实现一次性编程存储器的方法
技术领域：
本发明属于信息存储技术，尤其涉及一种用电可擦除存储器结构附加 控制逻辑实现一次性编程存储器功能的方法。
背景技术：
众所周知，目前的IC卡芯片等各种芯片中，需要使用一次性编程存 储器(PROM)来存储密码、序列号、保护位、程序等信息，这些信息要 求一次被写入后即不能再被改写。而芯片的主存储器通常由电可擦除存储 器(EEPROM)组成，与一次性编程存储器(PROM)为不同的存储单元 结构。芯片中包含两种不同的存储单元结构，其结果是增加了芯片的复杂 度。
发明内容
本发明需要解决的技术问题之一在于提供一种用电可擦除存储器结 构实现一次性编程存储器功能的方法。
针对上述的技术方案为 用电可擦除存储器结构附加控制逻辑实现一次性编程存储器的功能。 控制逻辑允许电可擦除存储器的每个比特位从"1"被写为"0"，但禁止 从"0"被写为"1"。使得电可擦除存储器被一次性写入编程后，禁止被改写。本发明的技术效果为，由于用电可擦除存储器结构附加控制逻辑实现 一次性编程存储器的功能，代替一次性编程存储器结构，使得芯片中的主 存储器和保护存储器都一致使用电可擦除存储器结构实现，从而减小了芯 片复杂度，直接降低了成本。
图1为电可擦除存储器(EEPROM)示意图2为本发明的实施例所描述的示意图3为实施本发明的IC卡芯片结构示意图。
具体实施例方式
以下结合附图和具体实施例对本发明作详细说明。 如图1， 描绘出了电可擦除存储器(EEPROM)示意图。EEPROM 写控制信号高电平有效，即只有当写控制信号为高电平"1"时，才可以 向EEPROM中写入数据，当写控制信号为低电平"O"时,禁止向EEPROM 中写入数据。
图2为本发明的实施例所描述的示意图。用电可擦除存储器 (EEPROM)结构附加控制逻辑实现一次性编程存储器(EPROM)的功 能。EEPROM中一个单元的数据可输出并暂存在寄存器中，寄存器的输 出端连接到与非门的输入端。如果EEPROM单元中数据为"0"，则寄存 器中的数据也为"0",导致与门的一个输入为"0"，不论EPROM的写控 制信号是哪种电平状态，与非门的输出均为低电平"0"，从而禁止向 EEPROM存储器中写入数据。如果EEPROM单元中数据为"l"，则寄存 器中的数据也为"l",导致与门的一个输入为"l"，如EPROM的写控制信号是有效高电平"1 "，则与门的输出为高电平"1",从而允许向EEPROM 存储器中写入数据。控制逻辑允许电可擦除存储器(EEPROM)的每个 比特位从"1"被写为"0",但禁止从"0"被写为"1"。使得电可擦除 存储器(EEPROM)被一次性写入编程后，禁止被改写，从而实现了一 次性编程存储器(EPROM)的功能。
如图3为实施本发明的IC卡芯片结构示意图，当电源及上电复位电 路上电工作后，控制电路控制接口电路将芯片外部命令及数据导入，控制 电路处理外部命令并控制对主存储器及保护存储器的操作，以及控制接口 电路将芯片内部应答数据导出。保护存储器具有一次性编程存储器功能， 用电可擦除存储器结构(EEPROM)实现，控制电路对保护存储器的读 写进行控制，即控制实现一次性编程存储器(EPROM)功能。
本发明可以在不背离本实用新型的精神或基本特征以其它具体形式实 施，因此目前公开的实施例在所有的方面都被认为是说明性的而不是限制 性的，本发明的范围由权利要求指出，所以其中也包括了在权利要求中的 等同物的意思和范围中出现的所有变化。
权利要求
1.一种用电可擦除存储器结构实现一次性编程存储器功能的方法。其特征在于，用电可擦除存储器结构附加控制逻辑，实现一次性编程存储器功能，使得电可擦除存储器被一次性写入编程后，禁止被改写。
2. 如权利要求1所述的控制逻辑，其特征在于，该控制逻辑允许电可擦除存储器的每个比特位从"1"被写为"0"，但禁止从"0"被写为"1"。
全文摘要
本发明公开了一种用电可擦除存储器结构实现一次性编程存储器功能的方法，其特征在于，用电可擦除存储器结构附加控制逻辑，实现一次性编程存储器功能，代替一次性编程存储器结构，使得电可擦除存储器被一次性写入编程后，禁止被改写。技术效果为，使得芯片中的主存储器和保护存储器都一致使用电可擦除存储器结构实现，从而减小了芯片复杂度，直接降低了成本。
文档编号G11C16/06GK101540198SQ200810034759
公开日2009年9月23日 申请日期2008年3月18日 优先权日2008年3月18日
发明者黄春江 申请人:上海芯正电子科技有限公司