光学记录介质及其制造方法

专利名称：：光学记录介质及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及光学记录介质及其制造方法。具体地，本发明涉及用于在照射光时进行记录和/或再现信息信号的光学记录介质。
背景技术：
：到目前为止，可重写光学记录介质已经广泛普及，该可重写光学记录介质用于在信息信号层上照射有激光时进行读取或写入信息信号。通常，对于可重写蓝光光盘等中采用的信息记录层，采用相变记录材料，在该相变记录材料中照射激光时发生晶相和非晶相之间的可逆改变(例如，见JP-A-2006-18926)。在该相变记录材料中，通过急剧降低照射激光时被加热的记录层的温度，可以形成非晶相(记录标记)，并且照射具有相对小的功率的激光相对长的时间非晶相可以返回到晶相。因为这样的原因，其可以进行多次重写。
发明内容然而，在记录次数增加的情况下，通常存在这样的趋势热损坏累积在相变记录层中，实施晶相和非晶相之间的可逆改变的功能失去，并且记录标记的再现特性劣化。该劣化的程度取决于制造条件。根据本发明人最近的了解，在刚好在相变记录层的薄膜沉积之前的真空度相对差的情况下，前述劣化变得显著。例如，在双层蓝光光盘中，因为从基板的成型到Ll层的薄膜沉积的时间必定变得很长，因此，水分被吸入树脂基板和由UV硬化树脂形成的中间层中。当吸入的水分释放在用于Ll层薄膜沉积的真空溅射设备中时，Ll层的记录/再现特性，特别是重复重写后的抖动(jitter)，劣化。为了抑制该影响，可以考虑图1的流程图所示的技术，具有形成在其上的LO层和中间层的基板置于80°C的高温很长的时间周期，并且在基板和中间层中的水分被脱气且干燥后，得到的结构被投入用于Ll层薄膜沉积的真空溅射设备。然而，该脱气花费4小时或更长的时间，因此，生产率显著下降。从而，所希望的是提供一种光学记录介质及其制造方法，该光学记录介质能够增强对重复记录的耐久性，而不引起生产率的下降。根据本发明的实施例涉及一种光学记录介质，包括基板，具有第一主表面和第二主表面；—个或多个信息信号层，形成在基板的第一主表面上，用于在照射光时进行信息信号的记录或再现；以及阻挡层，形成在基板的第二主表面上，用于抑制气体从基板的第二主表面释放，其中基板的第二主表面由阻挡层暴露的区域的面积不大于688mm2。根据本发明的另一个实施例涉及制造光学记录介质的方法，包括如下步骤成型具有第一主表面和第二主表面的基板；在基板的第一主表面上形成第一信息信号层；在第一信息信号层上形成中间层；在中间层上形成第二信息信号层；以及在成型基板的步骤之后并在形成第二信息信号层的步骤之前，在基板的第二主表面上形成阻挡层用于抑制自基板的第二主表面的气体释放，其中在形成阻挡层的步骤中，基板的第二主表面由阻挡层暴露的区域的面积不大于688mm2。在根据本发明的实施例中，不仅形成了用于抑制在基板的第二主表面上的气体释放的阻挡层，而且基板的第二主表面由阻挡层暴露的区域的面积设定为不大于688mm2。据此，在信息信号记录层的形成中，可以有效抑制基板内的排气。出于这样的原因，在信息信号层的形成中，可以抑制由诸如水分的杂质气体引起的真空度的劣化。从而，可以获得由重复记录引起的劣化很小的信息信号层。就是说，甚至在不实施高温脱气处理时，也可以获得对重复记录具有优秀耐久性的光学记录介质。如前所述，根据本发明的实施例，可以获得对重复记录的优秀耐久性，而不引起生产率的下降。图1是用于说明包括脱气处理的制造光学记录介质的方法的流程图；图2的示意性截面图示出了根据本发明第一实施例的光学记录介质的构造示例；图3的示意性截面图示出了第一信息信号层的构造示例；图4的示意性截面图示出了第二信息信号层的构造示例；图5的平面图示出了形成在基板后表面上的阻挡层的薄膜沉积区域；图6是用于说明根据本发明第一实施例的制造光学记录介质的方法示例的流程图；图7的示意图示出了外周掩模31和内周掩模32的布置示例。图8的示意性截面图示出了根据本发明第二实施例的光学记录介质的构造示例；图9的图线示出了经历示例1至4和比较例1和2的每个光学记录介质的相变记录层的薄膜沉积的真空室的真空度；图10的图线示出了示例1至4和比较例1和2的每个光学记录介质在1000次重写后的抖动；图11的图线示出了在形成示例1至4和比较例1和2的每个光学记录介质的相变记录层时真空度和DOW1，000次后的限制EQ抖动之间的关系；图12的图线示出了在示例1至4和比较例1和2的每个光学记录介质中重复重写次数和定时抖动之间的关系；图13的图线示出了在示例1至4和比较例1和2的每个光学记录介质中激光功率Pp和定时抖动之间的关系。具体实施例方式在下文，参考附图以下面的顺序描述根据本发明的实施例。在下面实施例的所有附图中，对于相同或对应的部分给出相同的附图标记。1.第一实施例(双层光学记录介质的示例)42.第二实施例(单层光学记录介质的示例)<1.第一实施例>[光学记录介质的构造]图2示出了根据本发明第一实施例的光学记录介质的构造示例。该光学记录介质是能够擦除或重写数据的可重写光学记录介质。如图2所示，光学记录介质包括基板1；第一信息信号层(L0层)2、中间层3、第二信息信号层(Li层)4和盖层(coverlayer)5,依次层叠在基板1的一个主表面(第一主表面)上；以及阻挡层6，层叠在基板的另一主表面(第二主表面)上。在下文，基板1的其上层叠有第一信息信号层2和第二信息信号层4的一个主表面适当地被称为“信号表面”；并且在相反侧上的另一个主表面适当地被称为“后表面”。在该光学记录介质中，通过从盖层5侧在第一信息信号层2或第二信息信号层4上照射激光，进行信息信号的记录或再现。例如，波长为400nm至410nm的激光被数值孔径为0.84至0.86的物镜聚集，并且从盖层5侧照射在第一信息信号层2或第二信息信号层4上，由此进行信息信号的记录或再现。这样的光学记录介质的示例包括BD-RE(可重写蓝光光盘)该光学记录介质包括激光入射的入射表面和与该入射表面相反的后表面。基于入射表面，第二信息信号层4设置在近侧，并且第一信息信号层2设置在远侧。第二信息信号层4是半透明层，其构成为使得照射在第一信息信号层2上的激光可以从其透过。从而，通过在第一信息信号层2上照射已经透射通过第二信息信号层4的激光，进行与第一信息信号层2相关的信息信号的记录或再现。在下文，陆续描述构成光学记录介质的基板1、第一信息信号层2、中间层3、第二信息信号层4、盖层5和阻挡层6的每个。(基板)基板1具有环形形状，其具有形成在该环形形状的中心的开口(该开口在下文将称为“中心孔”)。基板1的一个主表面形成例如凹凸表面，并且第一信息信号层2经历在该凹凸表面上的薄膜沉积。在下文，凹凸表面的凹部称为凹槽中(in-gr00Ve)Gin，并且凹凸表面的凸部称为凹槽上(on-groove)Gon。凹槽中Gin和凹槽上Gon中每个的形状示例包括各种形状，如螺旋状和同心形状。而且，凹槽中Gin和/或凹槽上Gon例如为了添加地址信息的目的而摆动(wobbled)。基板1的直径选择为例如120mm。基板1的厚度同时考虑到刚度而被选择；优选选择为在0.3mm以上且不大于1.3mm的范围内，且更优选在0.6mm以上且不大于1.3mm的范围内；并且被选择为例如1.1mm。而且，中心孔的直径选择为例如15mm。基板1包括例如具有吸水性的塑料树脂材料作为主要成分。基板1可使用的材料的示例包括树脂材料，如聚碳酸酯基树脂和丙烯酸树脂。(第一信息信号层)图3示出了第一信息信号层的构造示例。如图3所示，第一信息信号层2为例如层叠膜，该层叠膜通过在基板1上依次层叠反射层11、第二电介质层12、第一电介质层13、记录层14、第一电介质层15、第二电介质层16和第三电介质层17而获得。构成反射层11的材料示例包括单质，如Al、Ag、Au、Ni、Cr、Ti、Pd、Co、Si、Ta、W、Mo5和Ge；以及主要由这样的单质组成的合金。这些材料当中，从实用性的观点来看，Al基、Ag基、Au基、Si基和Ge基材料尤其是优选的。可以适合使用的合金示例包括Al-Ti、Al-Cr、Al-Cu,Al-Mg-Si、Ag-Nd-Cu、Ag-Pd-Cu,Ag-Pb-Ti和Si-Β。优选考虑光学特性和热特性而设定这些材料中构成反射层11的材料。例如，考虑到甚至在单一波长区域内也呈现高反射率这点，优选采用Al基或Ag基材料。第一电介质层13、第二电介质层12、第一电介质层15、第二电介质层16和第三电介质层17的每一层是用于保护记录层14的层，并且还是用于控制光学特性和热特性等的层。作为构成这样的电介质层的电介质材料，可以采用例如Si、In、Zr、Cr、Sn、Ta、Al、Nb或类似物的氧化物；Si、Al或类似物的氮化物；Zn或类似物的硫化物；或者这些电介质材料中两种或多种的混合物。可采用的电介质材料的具体示例包括SiN、ZnS-SiO2,A1N、A1203、Si02、Cr203、In2O3,ZrO2,SiO2-In2O3-ZrO2(在下文适当地称为"SIZ，，)、SiO2-Cr2O3-ZrO2(在下文适当地称为“SCZ”)、TiO2和Nb205。第一电介质层13和第一电介质层15可以由彼此不同的材料构成。而且，第二电介质层12和第二电介质层16可以由彼此不同的材料构成。记录层14是例如在其上照射激光时能重复记录信息信号的记录层。具体地，记录层14为例如相变记录层，在该相变记录层中通过在其上照射激光进行晶相和非晶相之间的可逆改变而进行信息信号的记录和重写。可用于该相变记录层的材料的示例包括共晶相变材料和化合物基相变材料。相变材料的具体示例包括主要由GeSbTe、SbTe、BiGeTe、BiGeSbTe.AglnSbTe,GeSnSbTe或类似物组成的相变材料。如果需要，一种或多种金属材料例如Ag、In、Cr和Mn可以加到主要由前述材料组成的相变材料。(中间层)在形成在基板1的第一信息信号层2上，例如，中间层3形成为厚度为25μm的树脂层。中间层3包括例如具有透明性和吸水性的树脂材料作为主要成分。这样的可以采用的树脂材料的示例包括塑料材料，如聚碳酸酯基材料、聚烯烃基材料和丙烯酸树脂。中间层3位于盖层5侧的表面为例如与基板1类似的由凹槽中Gin和凹槽上Gon组成的凹凸表面。第二信息信号层4在该凹凸表面上经历薄膜沉积。凹的凹槽中Gin和凸的凹槽上Gon中每个的形状的示例包括各种形状，如螺旋状和同心形状。而且，为了加入地址信息的目的，凹槽中Gin和/或凹槽上Gon例如摆动。(第二信息信号层)图4示出了第二信息信号层的构造示例。如图4所示，第二信息信号层4为例如层叠膜，该层叠膜通过在中间层3上依次层叠透射率调整层21、反射层22、第二电介质层23、第一电介质层24、记录层25、第一电介质层26、第二电介质层27和第三电介质层28而获得。透射率调整层21是用于增加第二信息信号层4的透射率的层。可采用的构成透射率调整层21的材料的示例包括高折射率材料，如TiO2和Nb205。反射层22是用于反射入射激光以增强光学特性且也用于迅速消散记录层25上吸收的热的层。构成反射层22的材料的示例包括单质，如Al、Ag、Au、Ni、Cr、Ti、Pd、Co、Si、Ta、W、Mo和Ge；以及主要由这样的单质组成的合金。在这些材料中，从实用性的观点看，Al基、Ag基、Au基、Si基和Ge基材料尤其是优选的。可适合采用的合金示例包括Al-Ti、Al-Cr、Al-Cu、Al-Mg-Si、Ag-Pd-Cu、Ag-Pb-Ti和Si-Β。优选考虑光学特性和热特性而设定这些材料中构成反射层22的材料。例如，考虑到甚至在单一波长区域内也呈现高反射率这点，优选采用Al基或Ag基材料。第一电介质层24、第二电介质层23、第一电介质层26、第二电介质层27和第三电介质层28的每一层都用于保护记录层25，并且还用于控制光学特性和热特性等。作为构成该电介质层的电介质材料，可以采用例如Si、In、Zr、Cr、Sn、Ta、Al、Nb或类似物的氧化物；Si、Al或类似物的氮化物；Zn或类似物的硫化物；或者两种或多种这些电介质材料的混合物。可采用的电介质材料的具体示例包括SiN、ZnS-SiO2,A1N、A1203、SiO2,Cr2O3>Ιη203、&02、SCZ、SIZ、Ti02*Nb205。第一电介质层24和第一电介质层26可以由彼此不同的材料构成。而且，第二电介质层23和第二电介质层27可以由彼此不同的材料构成。与相邻于记录层25的第一电介质层24的导热率相比，优选相邻于反射层22的第二电介质层23的导热率设定为较高。据此，可以迅速地将照射激光时被加热的记录层25的热量朝着反射层22消散，由此可以提高第二信息信号层4对重复记录的耐久性。在第一电介质层24和第二电介质层23的每个主要由Si02、In2O3和&02组成的情况下，优选每个电介质层中包含的In2O3的比率满足下面的关系。就是说，当相邻于记录层25的第一电介质层24中包含的In2O3比率定义为a(mol%)，并且相邻于反射层22的第二电介质层23中包含的In2O3比率定义为b(mol%)时，优选满足关系(a<b)。当满足这样的关系时，第二电介质层23的导热率与第一电介质层24的导热率相比可以被设定得较高。这里，该比率基于第一电介质层24或第二电介质层23中包含的SiO2Un2O3和&02的总和为IOOmol%。这里，导热率为薄膜厚度方向上的导热率。具体地，在第一电介质层24和第二电介质层23的每个主要由Si02、In2O3和&02组成的情况下，优选第一电介质层24具有由下面的化学式(1)表示的组分；并且第二电介质层23具有由下面的化学式(2)表示的组分。(SiO2)xl(In2O3)yl(ZrO2)ζ1···(1)在化学式(1)中，(xl+yl+zl)=100，5彡xl彡20，40彡yl彡60，且30彡zl彡50。(SiO2)x2(In2O3)y2(ZrO2)ζ2···(2)在化学式(2)中，(x2+y2+z2)=100，5彡x2彡20，60彡y2彡90，且5彡z2彡20。记录层25为例如在激光照射时能重复记录信息信号的记录层。具体地，记录层25为例如相变记录层，在该相变记录层中通过在激光照射时实施晶相和非晶相之间的可逆改变而进行信息信号的记录和重写。该相变记录层可采用的材料示例包括共晶相变材料和化合物基相变材料。该相变材料的具体示例包括主要由GeSbTe、SbTe,BiGeTe,BiGeSbTe,AgInSbTe,GeSnSbTe或类似物组成的相变材料。如果需要，一种或多种金属材料例如Ag、In、Cr和Mn可以加到主要由前述材料组成的相变材料。优选采用主要由共晶相变材料组成的相变记录层作为第一信息信号层2的记录层14，并且采用化合物基相变材料作为第二信息信号层4的记录层25。在采用这样构造的情况下，优选采用GeSbTe基材料作为共晶相变材料，并且采用BiGeTe基材料作为化合物基材料。这是因为通过结合分别具有这样构造的记录层14和记录层25，可以增强记录特性。化合物基相变材料的BiGeTe基材料优选具有由下面的化学式(3)表示的成分。BixGeyTez...(3)在化学式(3)中，(x+y+z)=100，2彡χ彡10，35彡y彡45，且45彡ζ彡55。(盖层)作为保护层的盖层5为通过硬化诸如紫外线硬化树脂等的光敏树脂获得的树脂层。该树脂层的材料示例包括紫外线硬化丙烯酸树脂。而且，盖层5可以构造为包括具有环形形状的透光片和用于将该透光片接合到基板1的附着层。优选透光片由相对于用于记录和再现的激光具有低吸收能力的材料制作。具体地，优选透光片由具有90%以上透射率的材料制作。透光片的材料示例包括聚碳酸酯树脂材料和聚烯烃基树脂(例如，ZEONEX(注册商标))。透光片的厚度优选选择为不大于0.3mm,并且更优选选择为在3μm至177μm的范围内。附着层例如由紫外线硬化树脂或压敏粘合剂(PSA)制作。盖层5的厚度优选选择为在10μm至177μm的范围内，并且例如选择为100μm。通过结合这样的薄盖层5与具有例如约0.85的高数值孔径(NA)的物镜，可以实现高密度记录。(阻挡层)阻挡层6用于在薄膜沉积步骤中抑制从基板1的后表面排气(水分释放)。而且，阻挡层6用作防潮层，用于抑制基板1的后表面上的水分吸收。构成阻挡层6的材料不作特别限定，只要它能够抑制从基板1的后表面排气(水分释放)。可采用的材料示例包括具有低透气性的电介质材料。例如，选自由SiN、Si02、TiN、AlN和ZnS-SiO2组成的组的至少一种可以用作这样的电介质材料。阻挡层6的透水率优选不大于每天5X10_5g/cm2·天。阻挡层6的厚度优选设定为5nm以上而不大于40nm。这是因为当阻挡层6的厚度小于5nm时，抑制从基板1的后表面排气的阻挡功能倾向于下降；另一方面，当阻挡层6的厚度超过40nm时，抑制排气的阻挡功能并非基本上不同于膜厚度不大于40nm的情形，并且生产率倾向于下降。图5的平面图示出了形成在基板的后表面上的阻挡层的薄膜沉积区域。如前所述，中心孔Ia形成在基板1的中心。内周侧的基板暴露区域R1、阻挡层6的薄膜沉积区域R2和外周侧的基板暴露区域R3从基板1的内周朝着外周设定在基板1的后表面上。如稍后所述，在阻挡层6的薄膜沉积步骤中，阻挡层6的薄膜沉积区域R2的面积由分别覆盖基板1的内周部分和外周部分的内周掩模和外周掩模调整。通过由这些内周掩模和外周掩模分别覆盖基板1的内周部分和外周部分，没有形成阻挡层6，而是形成了内周侧的基板暴露区域R1和外周侧的基板暴露区域R3，在这两个基板暴露区域的每个中基板被暴露。基板1的后表面上的暴露区域的面积(即，内周侧的基板暴露区域R1和外周侧的基板暴露区域R3的总和的面积)不大于688mm2，并且优选不大于398.2mm2。据此，可以抑制第二信息信号层4，具体地，第二信息信号层4的记录层25的薄膜沉积时的真空度下降，并且可以抑制多次记录后再现特性的下降。[光学记录介质的制造方法]接下来，参考图6描述制造具有前述构造的光学记录介质的方法示例。首先，在步骤Sl中，通过诸如注射成型设备的成型设备成型基板1。随后，被成型的基板从成型设备转入LO层薄膜沉积设备中。随后，在步骤S2中，利用LO层薄膜沉积设备形成第一信息信号层2。该LO层薄膜沉积设备优选为单一薄膜沉积设备。这是因为通过利用该单一薄膜沉积设备的每个真空室，反射层11、第二电介质层12、第一电介质层13、记录层14、第一电介质层15、第二电介质层16和第三电介质层17可以依次连续层叠在基板1上，而不破坏真空。作为单一薄膜沉积设备，可以采用应用诸如溅射法或真空气相沉积法等的真空薄膜形成技术的设备。随后，具有第一信息信号层2形成在其上的基板1从LO层薄膜沉积设备转入阻挡层薄膜沉积设备中。随后，在步骤S3中，如图7所示，通过阻挡层薄膜沉积设备，基板1的后表面上的外周部分和内周部分分别被外周掩模31和内周掩模32覆盖，由此在基板1的后表面上形成阻挡层6。作为阻挡层薄膜沉积设备，可以采用应用诸如溅射法或真空气相沉积法等的真空薄膜形成技术的设备。作为LO层薄膜沉积设备和阻挡层薄膜沉积设备的集成设备，第一信息信号层2和阻挡层6可以在一个薄膜沉积设备内经受连续的薄膜沉积。随后，具有阻挡层6形成在其上的基板1从阻挡层薄膜沉积设备转入中间层形成设备。随后，在步骤S4中，紫外线硬化树脂通过例如旋涂法利用中间层形成设备均勻地涂覆在第一信息信号层2上。此后，压模的凹凸图案压向均勻地涂覆在第一信息信号层2上的紫外线硬化树脂，紫外线硬化树脂在照射UV线时被硬化，然后分开压模。这样，压模的凹凸图案转移到紫外线硬化树脂上，由此形成提供有例如凹槽中Gin和凹槽上Gon的中间层3。随后，具有中间层3形成在其上的基板1从中间层形成设备转入Ll层薄膜沉积设备中。所希望的是调整从中间层形成设备到Ll层薄膜沉积设备的传送区间的露点(dewpoint)优选不高于_5°C，更优选不高于_15°C。这样，在从中间层形成设备到Ll层薄膜沉积设备的传送步骤中，可以抑制中间层3上的水分吸收，并且在Ll层薄膜沉积设备的每个真空室，诸如，用于形成记录层25的真空室中，可以抑制从中间层3的排气(水分释放)。从而，在记录层25的薄膜沉积期间，真空度可以保持得很好。这样，可以形成由重复记录而引起的劣化很小的记录层25。随后，在步骤S5中，第二信息信号层4通过Ll层薄膜沉积设备形成在中间层3上。该Ll层薄膜沉积设备优选为单一薄膜沉积设备。这是因为例如，通过采用该单一薄膜沉积设备的每个真空室，透射率调整层21、反射层22、第二电介质层23、第一电介质层24、记录层25、第一电介质层26、第二电介质层27和第三电介质层28可以连续地层叠在中间层3上，而不破坏真空。作为单一薄膜沉积设备，可以采用应用诸如溅射法或真空气相沉积法等的真空薄膜形成技术的设备。随后，具有Ll层形成在其上的基板1从Ll层薄膜沉积设备转入盖层形成设备。随后，在步骤S6中，作为保护层的盖层5通过盖层形成设备形成在第二信息信号层4上。作为盖层形成设备，可以采用这样的设备，在该设备中诸如紫外线硬化树脂等的光敏树脂旋涂在第二信息信号层4上，并且在该光敏树脂上照射诸如紫外线的光，由此形成盖层5。而且，可以采用这样的设备，在该设备中透光片采用粘合剂接合到基板1上的凹凸表面侧，由此形成盖层5。具体地，例如，可以采用这样的设备，在该设备中采用涂覆在第二信息信号层4上的诸如紫外线硬化树脂的光敏树脂将到凹凸表面侧的透光片接合在基板1上，由此形成盖层5。而且，可以采用这样的设备，在该设备中采用预先均勻涂覆在透光片的主表面上的压敏粘合剂(PSA)将到凹凸表面侧的透光片接合在基板1上，由此形成盖层5。通过前述步骤获得图2所示的光学记录介质如前所述，在根据本发明的第一实施例中，阻挡层6形成在基板1的后表面上，并且基板1的后表面由阻挡层6暴露的部分的面积被设定为不大于688mm2，优选不大于398.2mm2。这样，可以抑制从基板1的后表面的排气。出于这样的原因，在记录层25的薄9膜沉积期间，真空度不因诸如水分的杂质气体而劣化，并且可以形成由重复记录引起的劣化很小的信息信号层。也就是，可以提高光学记录介质对重复记录的耐久性。而且，所希望的是调整从中间层形成设备到Ll层薄膜沉积设备的传送区间的露点优选不高于_5°C，且更优选不高于_15°C。这样，在从中间层形成设备转入Ll层薄膜沉积设备的步骤中，可以抑制中间层3上的水分吸收，并且在Ll层薄膜沉积设备中，可以抑制从中间层3的排气(水分释放)。从而，在Ll层薄膜沉积设备的每个真空室中，记录层25的薄膜沉积期间真空度可以保持得很好。因此，可以更加提高光学记录介质对重复记录的耐久性。而且，优选相邻于反射层22的第二电介质层23的导热率相对于相邻于记录层25的第一电介质层24的导热率设定为较高。这样，可以将照射激光时被加热的记录层25的热量向反射层22快速消散，由此可以提高第二信息信号层4对重复记录的耐久性。就是说，在多层的可重写光学记录介质中，可以提高对重复记录的耐久性。而且，甚至在为了控制透射通过第二信息信号层4的激光的透射率的目的而使反射层22的膜厚较薄的情况下，也可以将照射激光时被加热的记录层25的热量向反射层22快速消散。从而，在多层可重写光学记录介质中，可以提高对重复记录的耐久性。而且，在采用第一电介质层24和第二电介质层23(二者中每个主要由Si02、In2O3和&02组成)的情况下，通过调整In2O3在这两个电介质层每一个中的比率，可以容易地控制这两个电介质层每一个的导热率。具体地，当In2O3在相邻于记录层25的第一电介质层24中的比率定义为a(mol%)，并且In2O3在相邻于反射层22的第二电介质层23中的比率定义为b(mol%)时，优选设定a和b使得满足关系(a<b)。这是因为，通过以这样的方式设定a和b，相邻于反射层22的第二电介质层23的导热率可以设定为高于相邻于记录层25的第一电介质层24的导热率。而且，优选采用主要由SiO2Un2O3和&02组成的电介质层作为第一电介质层24和第二电介质层23中的每一个，并且优选采用主要由Bi、Ge和Te组成的记录层作为记录层25。这样，可以控制记录层25的晶体形成，并且可以获得更加适合的信号特性。<2.第二实施例>图8示出了根据本发明第二实施例的光学记录介质的构造示例。如图8所示，根据第二实施例的光学记录介质与第一实施例的光学记录介质的不同之处在于其包括单层信息信号层7。与前述第一实施例相同的附图标记指代相同的部分，并且省略其说明。作为信息信号层7，例如，可以采用与第一实施例中的第一信息信号层2相同的层。在该第二实施例中，例如，阻挡层6形成在基板1的成型的步骤后、形成信息信号层7的步骤前。根据该第二实施例，以单层可重写光学记录介质可以提高对重复记录的耐久性。示例下面，参考下面的示例具体描述本发明，但是不应解释为本发明仅限于这些示例。(示例1)首先，通过注射成型设备成型直径φ为120mm、厚度为1.Imm且提供有轨道节距为0.32μm的凹槽的聚碳酸酯基板。该聚碳酸酯基板与蓝光光盘可重写格式，部分1基本格式规范版本2.1(Part1=BasicFormatSpecificationsVersion)，具有一致性。随后，被成型的基板从注射成型设备转入第一单溅射设备(由Oerlikon制造的DVDSPRINTER)。随后，每个都具有下面的组成和膜厚的反射层、第二电介质层、第一电介质层、相变记录层、第一电介质层和第二电介质层以磁控管溅射模式依次层叠在基板的表面上。因此，在基板的表面上形成第一信息信号层(L0层)。第二电介质层SiN，40nm第一电介质层ZnS-Si02，IOnm相变记录层GeSbTe，12nm第一电介质层ZnS_Si02，5nm第二电介质层SiN，5nm反射层Ag合金，IOOnm随后，具有第一信息信号层形成在其上的基板从第一单溅射设备转入用于形成阻挡层的溅射设备中。随后，在基板的后表面上的内周部分和外周部分分别由内直径为25mm的内周掩模和外直径为118mm的外周掩模覆盖后，由SiN制成的5nm厚的阻挡层以磁控管溅射模式形成在基板的后表面上。随后，基板从用于形成阻挡层的溅射设备转入中间层形成设备中，并且通过旋涂法将紫外线硬化树脂均勻地涂覆在第一信息信号层上。此后，压模的凹凸图案压向均勻涂覆在第一信息信号层上的紫外线硬化树脂，在照射紫外线时紫外线硬化树脂被硬化，然后分开压模。因此，形成了厚度为25μm且提供有轨道节距为0.32μm的凹槽的中间层。随后，基板从中间层形成设备转入第二单溅射设备(由Oerlikon制造的DVDSPRINTER)。随后，每个都具有下面的组成和膜厚的透射率调整层、反射层、第二电介质层、第一电介质层、相变记录层、第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层以磁控管溅射模式依次层叠在中间层上。因此，在中间层上形成了第二信息信号层。第三电介质层SiN，30nm第二电介质层ZnS-Si02，IOnm第一电介质层SiO2-Cr2O3-ZrO2，2nm相变记录层Bi8Ge4tlTe52，6nm第一电介质层=SiO2-In2O3-ZrO2,2nm(SiO2-In2O3-ZrO2的组成为15mol%的SiO2,50mol%的In2O3及35mol%的ZrO2)第二电介质层Si02-In203-&02，8nm(Si02-In203-&02的组成为Ιδπιο%的Si02、70mol%的In2O3及15mol%的ZrO2)反射层Ag合金，IOnm透射率调整层Ti02，20nm随后，基板从第二单溅射设备转入旋涂设备，并且通过旋涂法将紫外线硬化树脂涂覆在该第二信息信号层上，然后照射紫外线而被硬化，由此形成厚度为75μπι的盖层。因此，获得希望的光学记录介质。(示例2)除了改变内周掩模的内直径到16mm外，以与示例1相同的方式获得光学记录介质。(示例3)除了调整从中间层形成设备到第二单溅射设备的传送区间的露点在_5°C外，以与示例2相同的方式获得光学记录介质。(示例4)除了调整从中间层形成设备到第二单溅射设备的传送区间的露点在_15°C外，以与示例1相同的方式获得光学记录介质。(比较例1)除了省略在基板的后表面上形成阻挡层外，以与示例1相同的方式获得光学记录介质。(比较例2)除了改变内周掩模的内直径到40mm外，以与示例1相同的方式获得光学记录介质。(真空度)如前所述，在示例和比较例中，每层的薄膜沉积都采用单溅射设备(由Oerlikon制造的DVDSPRINTER)实施。相变记录层在十三个薄膜沉积室中的第七薄膜沉积室中经受薄膜沉积。然而，在DVDSPRINTER中，在连续操作期间，用于工艺的氩气等引入薄膜沉积设备中用于实际经受薄膜沉积，因此，不能精确测量成为用于相变记录层的第七真空室中的基础真空度。然后，第六薄膜沉积室不用于薄膜沉积，而是以下面的方式测量该真空室的真空度。就是说，直到在中间层上依次层叠透射率调整层、反射层、第二电介质层、第一电介质层的步骤都以与示例和比较例的每一个相同的方式实施。随后，在基板送入第七真空室后，仅执行抽空而不经历工艺气体等的充入及溅射，并且测量真空室的真空度。所获得的结果示于表1和图9中。(重写1，000次后的抖动)以下面的方式评估这样获得的示例1至4和比较例1和2的光学记录介质中的每个在重写1000次后的抖动。采用用于蓝光光盘评估的0DU-1000(由PulstecIndustrialCo.，Ltd.制造)作为评估机，0DU-1000包括NA=0.85的物镜和激光波长为405nm的光学系统。前述光学记录介质的每一个都设置在该评估机中。并且以9.834m/s的线速度旋转，其值为基本速率4.917m/s的两倍。然后，以与蓝光光盘重写格式，部分1基本格式规范版本2.1(Blu-rayDiscRewritableFormat,Partl:BasicFormatSpecificationsVersion2.1)一致的方法，利用最佳N-I光策略(optimalN-Ilightstrategy)且改变记录功率Pp来测量采用limitEq的定时抖动(下面简称为“抖动”)。所获得的结果示于图13中。此时，获得最小抖动的记录功率定义为Po。以该记录功率Po、在相同的地方实施重写1，000次，并且此时，分别测量重写1、2、5、10、20、50、100、200、500和1,000次后的抖动。重写1、2、5、10、20、50、100、200、500和1,000后的抖动分别示于图12中，并且重写1，000次后的抖动被总结而示于表1和图10中。此外，作为基础真空度和抖动之间的关系根据图9和10来理解，并且示于图11中。表1示出了示例1至4以及比较例1和2的真空度和抖动的评估结果以及示例1至4以及比较例1和2的阻挡层中每个的构造。表112暴露面积未被阻挡层覆盖的暴露基板的后表面的面积覆盖率基板的后表面由阻挡层覆盖的面积基础真空度相变记录层形成期间真空室的真空度抖动重写1，000次后的抖动(limitEQjitter)如下可通过表1予以理解。从示例1和2以及比较例1的评估结果可以理解，通过在基板的表面上形成阻挡层，提高了相变记录层形成期间的基础真空度。由示例1和2以及比较例2的评估结果可见，随着基板后表面的暴露面积的减小，增加了相变记录层形成期间的基础真空度。具体地，应当理解的是，通过设定暴露面积不大于688mm2，并且优选不大于398.2mm2，可以提高相变记录层形成期间的基础真空度。由示例1至4的评估结果可见，通过调整从中间层形成步骤到第二信息信号层形成步骤的传送区间的露点优选为不高于_5°C，更优选为不高于-15°C，可以更加提高基础真空度。由示例1至4以及比较例1和2的评估结果可见，随着基础真空度的提高，重写1，000次后的抖动提高。就是说，可以提高对重复记录的耐久性。尽管已经参考实施例和工作示例具体描述了本发明，但是不应当解释为本发明限于前述实施例和工作示例，而是在本发明技术构思的基础上可以进行各种修改。例如，前述实施例和工作示例中提及的构造、方法、形状、材料和数值等最终仅为示例，如果需要，可以采用与其不同的构造、方法、形状、材料和数值等。而且，前述实施例的各构造可以彼此结合，只要不偏离本发明的主旨。而且，在前述实施例和工作示例中，尽管已经描述了其中本发明应用于具有单层或双层信息信号层的光学记录介质的示例，但是不应解释为本发明限于这些示例，而是本发明也可应用于具有三层或多层信息信号层的光学记录介质。在信息信号层由三层或多层组成的情况下，在各信息信号层之间形成中间层。而且，在第一信息信号层(L0层)、第二信息信号层(Li层)、第三信息信号层(L2层)，...，及第η信息信号层(Ln-I层)从近侧开始提供在基板上的情况下，优选在成型基板后而在形成第二信息信号层前在基板的后表面上形成阻挡层。而且，在前述实施例和工作示例中，尽管已经描述了其中本发明应用于光学记录介质的示例，在该光学记录介质中通过从盖层例在信息信号层上照射激光而进行信息信号的记录或再现，但是不应解释为本发明限于这些示例。例如，本发明也可应用于这样的光学记录介质，在该光学记录介质中信息信号层提供在基板上，并且通过从基板侧照射激光而进行信息信号的记录或再现。而且，本发明可应用于这样的光学记录方法，在该光学记录方法中两片基板彼此接合，并且通过从一个基板侧将激光照射在基板之间的信息信号层上而进行信息信号的记录或再现。而且，在前述实施例和工作示例中，尽管已经描述了其中在记录层和反射层之间形成由第一电介质层和第二电介质层组成的两层电介质层的示例，但是在记录层和反射层之间可以形成三层或多层电介质层。在采用这样构造的情况下，优选记录层和反射层之间形成的三层或多层电介质层的导热率制作为从记录层到反射层逐步增加。而且，在前述实施例中，考虑到诸如可靠性的特性，记录层和反射层之间还可以形成电介质层、界面层或其它层。而且，在前述实施例和工作示例中，尽管已经描述了这样的构造，其中在第二信息信号层中，设置在反射层侧的第二电介质层的导热率高于设置在记录层侧的第一电介质层的导热率，但是不应解释为本发明限于这样的构造。就是说，可以采用这样的构造，其中在第一信息信号层中，设置在反射层侧的第二电介质层的导热率高于设置在记录层侧的第一电介质层的导热率。而且，在前述实施例和工作示例中，尽管本发明应用于可重写光学记录介质，但是不应解释为本发明限于该示例，而是本发明也可应用于只再现型或一次写入型的光学记录介质。在前述实施例和工作示例中，尽管描述了其中形成阻挡层的步骤提供在形成第一信息信号层的步骤后而在形成中间层的步骤前，但是不应解释为形成阻挡层的步骤的位置限于该示例。就是说，只要形成阻挡层的步骤提供在成型基板的步骤后而在形成第二信息信号层的步骤前，便可以获得相同的效果。例如，形成阻挡层的步骤可以提供在成型基板的步骤后而在形成第一信息信号层的步骤前，或者在形成中间层的步骤后而在形成第二信息信号层的步骤前。从在形成第一信息信号层的步骤和形成第二信息信号层的步骤的每个中保持良好真空度的角度看，优选形成阻挡层的步骤提供在成型基板的步骤后而在形成第一信息信号层的步骤前。从在形成第二信息信号层的步骤中保持良好真空度的角度看，优选形成阻挡层的步骤提供在形成第一信息信号层的步骤后而在形成中间层的步骤前，或者在形成中间层的步骤后而在形成第二信息信号层的步骤前。而且，在形成阻挡层的步骤提供在形成中间层的步骤后而在形成第二信息信号层的步骤前的情况下，例如，优选以下面的方式调节传送区间的露点。就是说，所希望的是，从形成中间层的步骤到形成阻挡层的步骤的传送区间和/或从形成阻挡层的步骤到形成第二信息信号层的步骤的传送区间的露点优选调整为不高于_5°C，且更优选为不高于-15°C。而且，在前述实施例和工作示例中，尽管作为示例已经描述了采用相变记录层作为记录层的情况，但是不应解释为记录层限于该示例。只要能够在照射激光时重复记录信息信号，则任何记录层都是有用的。本发明包含2009年5月18日提交到日本专利局的日本优先权专利申请JP2009-120427中公开的相关主题事项，其全部内容通过引用结合于此。本领域的技术人员应当理解的是，在所附权利要求或其等同方案的范围内，根据设计需要和其他因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。权利要求一种光学记录介质，包括基板，具有第一主表面和第二主表面；一个或多个信息信号层，形成在所述基板的所述第一主表面上，用于在被光照射时进行信息信号的记录或再现；以及阻挡层，形成在所述基板的所述第二主表面上，用于抑制气体从所述基板的所述第二主表面释放，其中所述基板的所述第二主表面由所述阻挡层暴露的区域的面积不大于688mm2。2.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中所述暴露的区域的面积不大于398.2mm2。3.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中所述阻挡层包括电介质材料。4.根据权利要求1所述的光学记录介质，包括第一信息信号层和第二信息信号层，在所述基板的所述第一主表面上依次形成，其中所述第二信息信号层包含铋、锗和碲。5.根据权利要求1所述的光学记录介质，包括多个信息信号层，在所述基板的所述第一主表面上形成；以及含有树脂材料的中间层，在所述多个信息信号层之间或中间。6.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中所述基板包含具有吸水特性的树脂材料。7.—种制造光学记录介质的方法，包括如下步骤成型具有第一主表面和第二主表面的基板；在所述基板的所述第一主表面上形成第一信息信号层；在所述第一信息信号层上形成中间层；在所述中间层上形成第二信息信号层；以及在成型所述基板的所述步骤之后并在形成所述第二信息信号层的所述步骤之前，在所述基板的所述第二主表面上形成阻挡层，所述阻挡层用于抑制气体从所述基板的所述第二主表面释放，其中在形成所述阻挡层的所述步骤中，所述基板的所述第二主表面由所述阻挡层暴露的区域的面积被设定为不大于688mm2。8.根据权利要求7所述的制造光学记录介质的方法，还包括在形成所述中间层的所述步骤之后并在形成所述第二信息信号层的所述步骤之前，传送其上形成有所述中间层的所述基板的步骤，其中传送区间的露点不高于_5°C。9.根据权利要求8所述的制造光学记录介质的方法，其中所述传送区间的所述露点不高于_15°C。全文摘要本发明提供一种光学记录介质及其制造方法。该光学记录介质包括基板，具有第一主表面和第二主表面；一个或多个信息信号层，形成在基板的第一主表面上，用于在照射光时进行信息信号的记录或再现；以及阻挡层，形成在基板的第二主表面上，用于抑制气体从基板的第二主表面释放，其中基板的第二主表面由阻挡层暴露的区域的面积不大于688mm2。文档编号G11B7/24GK101894569SQ20101017802公开日2010年11月24日申请日期2010年5月11日优先权日2009年5月18日发明者中山比吕史,太田辉之,猪狩孝洋,诹访部正次申请人:索尼公司