1.一种存储器件，包括：
多个存储区块；
地址计数区块，适于产生计数地址，所述计数地址在所有的存储区块都被刷新时改变；
目标地址发生区块，适于产生目标地址，所述目标地址为所述存储区块中的需要额外刷新操作的字线的地址；以及
刷新控制区块，适于在刷新命令被输入第一次数时控制第一数目的存储区块被刷新，以及在所述刷新命令被输入第二次数时控制第二数目的存储区块被刷新，
其中，所述刷新控制区块控制与所述计数地址和所述目标地址中的一个或更多个相对应的字线。
2.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述刷新控制区块基于在第一周期期间对所述存储区块中的每个存储区块执行所述目标刷新操作的第一预定次数来设定所述第一次数和所述第二次数。
3.如权利要求1所述的存储器件，其中，当第一预定次数设定为1/N时，所述刷新控制区块在与第一周期的N倍一样长相对应的时间期间控制所述存储区块中的每个存储区块被目标刷新一次，其中N为自然数。
4.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述目标地址是数据保持时间短于其他字线的数据保持时间的字线的地址。
5.如权利要求4所述的存储器件，其中，所述目标地址是与激活次数超过参考次数、或激活频率超过参考频率、或激活时间超过参考时间的字线相邻的字线的地址。
6.如权利要求3所述的存储器件，其中，当所述第一预定次数设定为0时，所述刷新控制区块控制不执行所述目标刷新操作。
7.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述刷新控制区块包括：
刷新计数单元，适于对所述刷新命令被输入的次数进行计数，以及产生计数信息；
第一刷新控制单元，适于响应于所述刷新命令来控制与所述计数地址相对应的字线被刷新；以及
第二刷新控制单元，适于在所述计数信息对应于与所述第一次数或所述第二次数相 同的第三次数时产生对应于目标刷新区段的目标刷新信号，并且响应于所述刷新命令来控制与所述目标地址相对应的字线被刷新，
其中，所述第一刷新控制单元及所述第二刷新控制单元在所述计数信息对应于所述第一次数时控制所述第一数目的存储区块被刷新，以及在所述计数信息对应于所述第二次数时控制所述第二数目的存储区块被刷新。
8.如权利要求7所述的存储器件，其中，所述刷新计数单元在所述目标刷新信号被禁止时初始化。
9.一种存储器件，包括：
多个存储区块；
模式设定区块，适于在存储器控制器的控制下设定第一模式或第二模式，所述第一模式或所述第二模式分别用于一次刷新第一数目的存储区块或比所述第一数目的存储区块更少的第二数目的存储区块；以及
刷新控制区块，适于在由所述模式设定区块设定所述第二模式时，当刷新命令输入时控制所述第一数目的存储区块被刷新，
其中，所述刷新控制块控制与所述存储区块被刷新时改变的计数地址相对应的字线被刷新，以及在目标刷新操作期间控制与目标地址相对应的字线被刷新，所述目标地址是需要额外刷新操作的字线的地址。
10.一种存储系统，包括：
存储器件，包括多个存储区块，其中，所述存储器件基于输入的设定信息而被设定为第一模式或第二模式，所述第一模式或所述第二模式分别用于一次刷新第一数目的存储区块或比所述第一数目的存储区块更少的第二数目的存储区块，并且在设定所述第二模式时，当刷新命令被输入时刷新所述第一数目的存储区块，以及在目标刷新操作期间，刷新与所述存储区块被刷新时改变的计数地址相对应的字线，以及刷新与目标地址相对应的字线，所述目标地址是需要额外刷新操作的字线的地址；以及
存储器控制器，其输入所述设定信息至所述存储器件，并且当所述存储器件设定为所述第一模式时在第一周期输入所述刷新命令，以及当所述存储器件设定为所述第二模式时在比所述第一周期更短的第二周期输入所述刷新命令。