用于纵向记录的铁酸钡薄膜的制作方法

专利名称：用于纵向记录的铁酸钡薄膜的制作方法
技术领域：
本发明概括地说涉及磁记录介质，更具体地说，涉及用于纵向磁记录的铁酸钡薄膜。
铁酸钡化合物(钡、铁、和氧的化合物)由于其磁性能而得到广泛的研究。有一种这样的化合物是磁铅石型铁氧体(magnetoplumbite phase)，(BaFe12O19)其经常被称作M或M-Ba相。磁铅石型铁氧体是六方对称的并且由多层密堆积的氧平面组成，铁原子占据几个不同的间隙位置，并且在每个第五层钡原子取代了氧。晶胞由二类BaFe12O19单元组成。在间隙位置上的铁原子的磁矩平行于C晶轴并且部分地相互抵消，导致最大为450℃的居里温度下的铁磁态。室温时，材料具有大的单晶轴各向异性并且易磁化轴平行于C晶轴。由于外加磁场平行于易磁化轴，曾有报道，对于小的单个晶粒，矫顽力大于6000 Oe，对于M相薄膜，矫顽力接近5000 Oe。
铁酸钡曾以单个晶粒弥散于粘合材料中的形式用作磁记录介质。这些介质中的粒子在粘合材料固化过程中由于对结构施加磁场而被定向。铁酸钡粒子介质的磁性能与传统的薄膜钴合金磁盘非常接近。这种粒子介质的优异性能归结于其大的各向异性场和粒子的磁退耦性。然而在驱动高密度记录盘方面，由于钴基合金介质可以比粒子介质做得更薄，因此它已优先用作记录介质。
铁酸钡也曾被研究用作薄膜垂直记录介质。垂直记录介质以区域磁化的形式存储信息，每个区域的磁化基本垂直于介质平面。这与使磁化区的磁场基本位于介质平面的传统的纵向记录技术正好相反。因为铁酸钡的易磁化轴平行于C轴，现有技术还研究开发了具有高度的C轴垂直定向的薄膜。除高的矫顽力外，这种膜因为其好的耐磨性和抗腐蚀性而具有优势。
为人们所接受的垂直铁酸钡膜的制备技术是在具有两个正面相对的靶子的系统中，把来自化学计量的陶瓷靶的铁酸钡，溅射和沉积在位于靶子之间的等离子区周缘的热的基质上。这样的安排使在膜的形成过程中高能离子或电子对薄膜的轰击减至最小，因而阻止了由于钡的优先再溅射而引起的膜化学计量变化。
沉积时，基质的温度范围在550℃至700℃之间，并且溅射气体通常是总压力为2-8微米汞柱的含有少量氧气的氩。
尽管这种膜具有所希望的性能，但它在纵向记录应用中受到限制，而纵向记录通常是一种优选的磁记录模式。由于高性能的读/写头能很容易地与纵向介质一道配置工作，在很多场合下，纵向记录是优选的。然而，由于传统的铁酸钡薄膜具有垂直于膜平面的强烈的结晶和磁定向，因此它并不适合用于此应用。这样导致平面矫顽力和平面矫顽感应强度太低以致于不能用在高性能记录应用上。
由于以上原因，人们需要一种薄膜记录介质，它能利用薄膜铁酸钡优良的磁、结构、和化学性能，而不受强烈地垂直于膜平面定向的限制。
本发明涉及一种磁记录介质，它通过使铁酸钡薄膜形成随意定向和细颗粒多晶结构而满足这种需要。通过室温溅射沉积无定形氧化物，接着在空气或氧气中中进行高温退火获得随意定向的铁酸钡膜。沉积后的膜是非磁性的和无定形的，在退火后变为磁性和结晶的。形成的铁酸钡晶体的随意定向导致使介质可用于纵向记录的足够的平面矫顽力和矫顽感应强度。
具有本发明特征的磁介质包括在环境温度用BaFe12O19靶溅射沉积，然后进行高温退火以形成随意结晶的磁结构的铁酸钡膜。该膜的组合物基本是BaFe12O19，一种六方M-Ba铁氧体化合物。
在本发明的一个实施方案中，使膜在氧气氛下处于850℃并停留十分钟进行退火。如果在更高的温度下退火，有可能使退火时间更短。例如，在本发明的另一个实施方案中，950℃退火在10秒钟就会发生。另一方面，膜还可用激光辐射退火以避免基质受高温影响而受损。其中一个实施方案是用10.6微米波长、110W的功率的CO2激光对膜进行辐射80秒。
按照本发明所制备的膜的典型磁性能是Hc＝2500-5000 Oe，Mrt＝1 memu/cm2，t＝70 nm Ms＝375 emu/cc.S＝.55～.65和S＊＝.8。材料的大的各向异性(Hk＝17，000 Oe)归结于膜的大的矫顽力，并且甚至在10，000 Oe的施加磁场下使它们饱和都是困难的。另外，形成的膜用于盘存贮应用时，具有固有的优良的表面结构。
本发明的另一个实施方案，在溅射沉积铁酸钡薄膜中，同时膜还可用较少量的Cr2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，Y2O3ZeO2(YSZ)，Al2O3，CoO.TiO2或其它+3或+4介阳离子氧化物进行掺杂。以这种方式掺杂的膜具有较小的颗粒尺寸并且因此而有较高的信噪比。
因此本发明提供了一种铁酸钡膜，这种膜具有优良的磁性能，抗腐蚀性能，耐久性能，和内在结构并且不受强烈垂直于膜平面定向的限制。本发明的其它特征和优点可从以下说明和附图中明显地看出。


图1是基质上的铁酸钡膜的截面图;
图.2A是中等矫顽力的850 铁酸钡薄膜在施加于膜平面的磁场下磁滞回线;
图.2B是强矫顽力的850 铁酸钡薄膜在施加于膜平面的磁场下磁滞回线;
图.3A是沉积后的1，000 的铁酸钡薄膜的外形仪扫描图;
图.3B是退火后的1，000 的铁酸钡薄膜的外形义扫描图;
图.4是在SiO2基质上的用氧化铬掺杂的铁酸钡薄膜的磁滞回线;
图.5说明了不同掺杂的和未掺杂的铁酸钡薄膜的矫顽力与颗粒尺寸的关系;
图.6说明了沉积在SiO2基质上的铁酸钡薄膜颗粒尺寸与Cr2O3掺杂浓度的关系;
图.7A是用CO2激光辐射退火的铁酸钡膜的磁滞回线;
图.7B是用CO2激光辐射退火的高矫顽力铁酸钡膜的磁滞回线;
图，8A说明了在激光功率为300W时的激光辐射时间和矫顽力之间的关系;
图，8B说明在激光功率为100W时的激光辐射时间和矫顽力的关系;
图.9是应用本发明的盘驱动系统示意图;
图.10是应用本发明的盘驱动系统俯视图。
参照图.1，说明沉积在基质70上的铁酸钡膜60的截面。膜60有上表面65和与基质70形成界面的下表面67。通过反应磁控管(reactive magnetron)溅射位于轴线溅射系统上的铁酸钡靶以沉积成膜60，溅射系统比如是Santa Barbara，California溅射膜公司生产的用以研究用的24英寸S-枪。把溅射靶定位于轴线溅射系统以便平行和面对基质。这种构成导致比起把基质安排成垂直于等离子区周缘的靶的溅射系统有更高的沉积率。铁酸钡溅射靶是化学计量的或接近化学计量的热压陶瓷，在溅射前，它是绝缘的和非磁极化的。在各种不同的条件下，都可能成功地溅射成这种膜，包括表1中所指明的条件。在沉积过程中，基质保持环境温度(典型的是50℃)并且相对于四个不同的溅射枪，做连续的“行星”式运动。因而，只有在基质经过铁酸钡靶的一段时间内产生膜沉积。
表1压力2.5-8毫米汞柱mTorrO2在氩中的% 1-10%流量40 sccm功率200-500W DC或RF负偏压0-80V DC厚度 500-1000 速率 8.5～11 /min最初用射频(RF)溅射靶;然后在RF溅射几小时后，靶变为导体并且DC溅射成为可能。在刚开始溅射新靶时，靶的电导性会增加。这可能是由于在靶的表面的择优溅射的结果。靶的经历对溅射成的铁酸钡膜的组成和性能有重大影响。例如，如果沉积条件变化了，形成的膜的组成也变化，直到再重新达到稳定状态。人们认为由于每种成份的溅射量不同，复合氧化物靶会随靶主体组成而改变其表面组成。当溅射条件变化时，必定产生新的表面组合物以便达到靶的组成稳定态迁移。
溅射沉积成的铁酸钡膜刚开始是非磁性，绝缘，无定形和在空气中极稳定的。通过对从溅射系统中取出的样品进行退火，可获得晶化的磁膜。用石英灯快速加热退火炉或用现有技术中为人们所熟知的相似技术都可以进行退火。典型的退火条件是在一大气压O2气氛下于850℃进行10分钟。退火温度为950℃时，退火时间可能会缩短到10秒。另外，如果退火时间增加到几小时，在低于800℃的温度下也能获得结晶膜，如果膜沉积在SiO2或其它相容的基质上，退火温度对形成的结晶铁酸钡膜的磁性能的影响非常小。
与在O2中退火的膜不同，在N2中退火的膜显示出其磁性能对退火时间和温度有很大的依赖性。于900℃在N2中退火超过20分钟的膜，其矫顽力急剧下降。用卢(瑟福)式反射分光镜(RBS)研究表明在N2气氛中长时间的高温度退火与在O2中相应退火的膜相比铁酸钡膜的氧含量减少了。
另外，无定形的铁酸钡膜也可以用激光辐射退火。激光辐射具有减少由于暴露于炉中退火高温下而导致的基质材料的受损的优点。另外铁酸钡膜的激光晶化可以使记录介质上形成磁区域，同时，留下介质非磁性的相邻部位。例如，可将磁记录盘的数据径迹晶化，而同时留下相邻的带未磁化。这样导致在相邻的数据径迹间的非常理想的磁绝缘。
在激光退火的一个实施方案中，将波长为10.6微米连续波操作的来自于Coherent General E7000 CO2激光器的激光穿过一系列ZnSe或其它合适的透镜，射向SiO2基质上的铁酸钡薄膜。来自于激光器的发散光束用来辐射园形金属孔，金属孔以垂直入射在试样上聚焦以便形成半径为6.4mm的园。以100到300W的激光功率在环境压力和温度下于空气中进行幅射5到80秒。
以上所说的方法可能有许多变通。例如，激光可以是Nd-YAG激发物，或脉冲红宝石激光，只要能够运载必需的能量并将能量偶合到膜上即可。例如，在上述过程可用激发物为XeCl的308nm的激光器，成功地对普通玻璃基质上的铁酸钡膜退火，并且对玻璃不产生热损坏。
现在参照图7A，沉积在SiO2基质上的并以300W的CO2激光器辐射退火5秒钟的800 的铁酸钡膜的磁滞回线表明矫顽力为3500 Oe，并且S＊为.75。同样，图7B是掺杂0.3原子百分数的铬并用CO2激光退火5秒钟的800 铁酸钡膜的磁滞回线。这种膜的平面矫顽力远大于5000 Oe。
激光辐射时间和膜的矫顽力之间的关系用图8A和8B说明。图8A是矫顽力相对于激光辐射时间的函数曲线，这是对110W的功率辐射的无定形800A的铁酸钡膜而言的。从曲线上很清楚地看到，在这种功率水平上，增加辐射时间导致高矫顽力的膜。图8B是对于300W的激光的相似曲线。在这种功率水平上，当辐射时间超过5秒钟时，矫顽力剧烈下降。人们认为这样的功率水平导致基质的局部加热并且因此而加速了基质和铁酸钡膜的反应，其结果是在界面上产生非磁性材料。
用于沉积铁酸钡薄膜的基质必须能抵抗退火过程所需的高温，或至少，能抵抗激光辐射过程中所经历的温度。另外，人们希望基质与铁酸钡膜之间有相当的反应惰性。满足这些标准的基质包括氧化硅(oxidized silicon);SiO2(熔融二氧化硅或熔融石英玻璃)和康宁玻璃＃7913(维克96%二氧化硅平板玻璃)。其它基质也能用在本发明上，但可能要求在膜与基质之间有一个缓冲层以防止在界面67上发生反应。然而基质膜反应经常还会发生并且可能促使膜与基质的粘接。这些结果总结于表Ⅱ中。基质的反应活性是由高温退火后的膜-基质间的相互扩散所决定。明显的相互扩散典型地导致膜的磁性差和结晶度低。“小”的反应活性意味着铁酸钡晶体有良好的磁性能，而“大”的反应活性则相对磁性差，结晶度低，和基质和1000A厚的膜之间明显的相互扩散。粘接性由定量刮痕试验测定，此试验是用不锈钢镊子进行的。
表Ⅱ铁酸钡薄膜基质基质种类反应活性粘接性熔融二氧化硅 SiO2玻璃小 好熔融石英 SiO2玻璃小 好7913玻璃 96%SiO2玻璃小 好7059玻璃无碱玻璃中等好0317玻璃钠玻璃中等好氧化硅(oxidized Si) SiO2玻璃小 极好UDACC玻璃很大很差Si立方,(100)(111)大好Al2O3六方,A,R,C,平面小 好MgO立方,(100)大好Y2O3-ZrO2立方,(100) 很小差LaAlO3立方,(100) 很小差SrTiO3立方,(100) 很小很差图2A和2B是在平行和垂直于基质表面的外加磁场下，矫顽(磁)力分别为中等和大的二种铁铁酸钡膜的磁滞回线。铁酸钡M-相大的晶体各向异性阻止基至在14KOe的磁场下的这些膜的饱和。二种定向的相对矫顽(磁)矩说明在膜中并没有强烈的优先晶体定向。图2B中样品的饱和磁化强度(H＝20 KOe)(Ms＝265 emu/cm3)是铁酸钡典型的总值(375 emu/cm3)的71%。据推测矫顽矩的损失是由基质界面67上的非磁性反应层所致。在.45和.60之间的平面磁滞回线的适当的磁化矩形一般是缺乏晶体定向的结果。典型的是在.75到.85的范围的矫顽(磁)的矩形是非常大的，其意味着狭窄的开关场分布。狭窄的开关场分布是成功的记录介质的关键要求，也是本发明的重要优点。
扫描电镜(SEM)显微图表明铁酸钡膜的表面由约8∶1片状晶粒和针状8∶1的晶粒的聚集体组成。截面透射电镜(TEM)研究表明这些晶粒是柱状的并且总是延伸到基质上。从边缘看该针状晶粒基本上是平板状的。与在大多数粒形介质中发现的针状晶粒相反，铁酸钡针状晶粒的易磁化轴平行于短尺寸方向，这是由于材料大的晶体各向异性所致。
在铁酸钡膜的表面上针状晶粒提供了在很多记录应用上有优势的内在结构。因为表面形成这种构造，换能头和它们附带的气载滑块几乎不受表面约束。介质的这种内在结构在图3A和3B中可看到，它们分别是沉积和退火后的1000A的铁酸钡膜的外形仪扫描图。从图中可明显看出，退火膜的表面比无定形膜的表面粗糙的多，这是由于膜随意的晶体定向和针状粒晶延伸出膜的不同高度所致。应该提到的是，以上所用的随意定向一词意味着晶体结构在一宽广的范围内变化，其从完全三维随意定向到这些膜优先在表面定向和在膜表面内的随意定向。
晶粒尺寸和沉积在SiO2基质上的膜的铁酸钡组成的比率间存在着强烈的相互关系。晶粒尺寸由扫描电子显微镜研究确定并且钡与铁的比率用RBS数据所确定。Ba-Fe比率大的膜其中晶粒较小。在细晶粒膜中的针状晶粒的典型尺寸是约300-1500 ，接近在钴基合金介质中所发现的晶粒尺寸。薄于500 的膜磁矩小并且表现出小的或没有磁滞现象。据推测，这是由于与基质的反应所致。
可典型地观察到铁酸钡材料的矫顽力随晶粒尺寸的减少而增加，直到晶粒尺寸太小以致于热活化的磁反转作用变得显著起来。在铁酸钡颗粒和陶瓷中的磁反转一般认为是由于位于晶粒或颗粒边缘的晶体和微结构缺陷处的，在反转磁化区域的成核作用所致，紧接着反转区域快速传播到整个颗粒。观察不到晶粒之间的畴壁运动。矫顽力随晶粒尺寸的减小而增加被认为是当颗粒尺寸减小时每个颗粒的缺陷数量减小的结果。如果颗粒尺寸非常小，相干转动就可能变为磁反转的主要机理。如图5所示，在铁酸钡薄膜中，在矫顽力和晶粒尺寸之间存在着强烈的相互关系。矩形值，S和S＊对晶粒尺寸相对不敏感。
铁酸钡薄膜的晶粒尺寸能通过用比如Cr2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，Y2O3，Y2O3;ZrO2(YSZ)，Al2O3，CoO TiO2或其它+3或+4价的金属离子的简单氧化物的化合物对膜进行掺杂而得到控制。对于制备低噪音，高面密度的记录介质，小颗粒膜是必要的。图6说明了用Cr2O3靶掺杂的铁酸钡薄膜的颗粒尺寸和掺杂浓度的关系。膜是用如前所述的溅射仪器沉积的，其基质对着静止的Cr2O3靶和静止的BaFe12O19靶旋转。在形成的膜中的铬浓度可通过调节应用于靶上的溅射功率控制。当铬浓度在0.1%至1%(体积)之间时，样品中的晶颗粒尺寸最小。
除了改变膜的晶粒尺寸小，掺杂也能调节膜内部单个晶体的矫顽力，并有可能影响膜内部的晶体的优先定向。掺杂剂和掺杂浓度的合适选择能导致薄膜具有优异的磁性能。如图5和图6所示，小于200A的晶粒尺寸和大于4250 Oe的平面矫顽力可通过用0.1%到1%浓度的Cr2O3掺杂达到。
按本发明所制备的膜表现出优异的接触-启动-制动耐久性。对没有涂层的被润滑的铁酸钡盘进行接触-启动-制动测验，在多于30.000个循环后，表现出的平均静磨擦力约为5克。测试的结果，盘并没有表现出受磨损的迹象。另外按本发明所制备的膜没有表现出明显的腐蚀。这样就使人们在各种不同的环境中得到了公知的M-Ba的稳定性。最后通过用纳(米)级刻痕实验确定其硬度值为16GPa，证明其膜是极端耐久的。
本发明优选的一个实施方案把铁酸钡薄膜应用在磁记录盘驱动系统中的盘表面上。参照图9，说明磁记录盘驱动系统的示意图并用10标记。系统10包括盘心轴组件12和头部传动组件14。心轴组件12和头传动组件14位于密封罩16内以防止颗粒污染。心轴组件12包括许多安装在轴22上的磁记录盘20。轴22被在中心处的未指明的电动机驱转。头部驱动组件14包括带动驱动臂组件32相对于盘20运动的声感线圈电动机。组件32有多个驱动臂34，每一个都位于两个相邻的盘20的空间内。每一个驱动臂34有一对读/写头36。其中的一个识别位于驱动臂34上的盘，另一个识别位于驱动臂34下的盘。
在操作中，轴22被中心处的电动机驱转，并且电动机30带动盘20之间的驱动臂34运动以便到达所希望的径迹位置。然后，读/写转换头36中的一个，在人们所希望的数据径迹上的读/写数据。
现在参照图10，说明应用本发明的数据记录盘驱动系统。盘储存器包括外壳40，在其中安装有旋转驱动器42，辅助盘44和用于驱动盘44的驱动器46。旋转驱动器42驱动在盘44上面的弧形轨道中的悬浮组件48。旋转驱动器42包括声感线圈电动机，电动机包括在固定的永久性磁组件52的磁场内运动的线圈50。驱动臂54连接在可运动的线圈50上。驱动臂54的另一头连接在换能器悬浮组件48上。
在一个优选的实施方案中，盘44包括其上形成按照本发明所制备的400 铁酸钡膜的SiO2基质，此膜用Cr2O3靶掺杂，Cr2O3的掺杂量为1%(体积)的Cr2O3，并在空气中858℃退火10分钟。
本发明的上述实施方案除了具有高平面顽(磁)感应强度和内在构造外，还有很多优点。如前所述，按本发明制备的膜包含小的，磁退偶晶粒。这可在记录介质导致将其用于高密度记录并具有高信噪比。另外，本发明与传统的钴基合金记录介质相比还有一些优点。首先，与钴合金靶相比，铁酸钡溅射靶较便宜，特别是与用铂来合成的钴合金比。第二，介质有很强的抗腐蚀性和耐磨性。因而，在介质表面或承载读/写头的滑块表面，不需要保护或润滑涂层。这就使得读/写头紧靠记录介质的磁有效部分而运动，并允许高记录密度。最后，不像钴基合金记录介质那样，经常要求有一涂层或层结构以便达到满意的磁性能，按本发明制备的铁酸钡膜只用单一的一层沉积就能达到满意的性能。因而，这种介质比起传统的钴基合金，较易生产和廉价。
尽管参照其中一些优选的各种方案已对本发明描述到了相当细致的程度，但其它的变化方案也是可能的。例如，尽管本发明已经描述了具体的基质材料，但本领域普通技术人员仍能在其它基质上实施本发明。同样的，本领域普通技术人员也能认识到可把本发明有关BaFe12O19的技术应用到几乎性能相同的SrFe12O19上。对于本领域普通专业技术人员来说，只要不脱离在以下权利要求书中所述的本发明的范围，对所述的技术方案进行其它改进应该是显而易见的。
权利要求
1.一种薄膜磁记录介质包括基质；和在基质上形成的平面矫顽力大于5000 Oe的铁酸钡膜。
2.权利要求1的薄膜磁记录介质，其中的铁酸钡膜具有随意定向的结晶结构。
3.权利要求1的薄膜磁记录介质，其中所说的铁酸钡膜含有BaFe12O19。
4.权利要求1的薄膜磁记录介质，其中所说的铁酸钡膜是用Cr2O3掺杂的BaFe12O19。
5.权利要求4的薄膜磁记录介质，其中的铬为所说的铁酸钡膜的体积的0.1%到1%。
6.权利要求1的薄膜磁记录介质，其中的铁酸钡膜用选自于这样的一组材料掺杂，这组材料包括ZrO2和Y2O3·ZrO2。
7.权利要求6的薄膜磁记录介质，其中所说的材料为所说的铁酸钡膜体积的1到10%。
8.权利要求1的薄膜磁记录介质，其中所说的铁酸钡膜用选自于这样的一组材料掺杂，这组材料包括Cr2O3，SiO2，TiO2，Y2O3，CoO·TiO2。
9.一种薄膜磁记录介质包括基质;和具有大于2000 Oe的平面矫顽力和小于300A的颗粒尺寸的在所说基质上的铁酸钡膜。
10.权利要求9的薄膜磁记录介质，其中所说的铁酸钡膜是用Cr2O3掺杂的BaFe12O19。
11.权利要求9的薄膜记录介质，其中铬为所说铁酸钡膜体积的0.1到1%。
12.权利要求9的薄膜磁记录介质，其中所说的铁酸钡膜用选自于这样的一种材料掺杂，这组材料包括SiO2，TiO2，ZrO2，Y2O3，Y2O3ZrO2，Al2O3和CoO TiO2。
13.权利要求9的薄膜磁记录介质，其中所说的铁酸钡膜的表面具有超过20A RMS.的粗糙度。
14.一种磁记录盘驱动系统包括记录盘，它包括基质;和具有大于2000 Oe的平面矫顽力和小于300A的晶粒尺寸的在基质上形成的铁酸钡膜;驱动换能器相对于所说的记录盘运动以便从所说的记录盘读出或对所说的记录盘写数据的装置。
15.权利要求14的磁记录盘驱动系统，其中所说的铁酸钡膜没有保护涂层。
16.一种制备用于纵向记录的铁酸钡薄膜的方法，它包括以下步骤用铁酸钡陶瓷靶在基质上溅射沉积无定形铁酸钡薄膜，在高于675℃的温度下对所说的铁酸钡薄膜退火以便形成结晶磁性膜。
17.根据权利要求16的用于纵向记录的铁酸钡薄膜的制造方法，其中所说的溅射沉积是在轴线溅射仪器上进行，同时所说的基质保持环境温度。
18.一种根据权利要求16的用于纵向记录的铁酸钡薄膜的制造方法，其中所说退火在快速热退火炉内在高于850℃进行。
19.一种根据权利要求16的用于纵向记录的铁酸钡薄膜的制备方法，其中所说的基质的选择要能促使所说的铁酸钡薄膜的水平晶化定向。
20.一种根据权利要求16的用于纵向记录的铁酸钡薄膜的制备方法，其中所说的基质选自于SiO2，氧化硅(oxidized Si)，高温玻璃和高温氧化物。
21.一种根据权利要求16的用于纵向记录的铁酸钡薄膜的制备方法，其中所说的铁酸钡陶瓷靶基本上是BaFe12O19。
22.一种用于纵向磁记录的铁酸钡薄膜的制备方法，它包括如下步骤用铁酸钡陶瓷在基质上溅射沉积无定形铁酸钡薄膜，通过使所说的膜受到激光辐射对所说的铁酸钡薄膜退火，以便形成结晶磁性膜。
23.一种根据权利要求22的用于纵向记录的铁酸钡薄膜的制造方法，其中所说的激光辐射是让所说的膜受到能量密度为200到500watts/cm2的激光辐射1至5秒。
24.一种根据权利要求22的用于纵向记录的铁酸钡薄膜的制备方法，其中所说的激光辐射在波长为248nm和10.6μm之间进行。
25.一种纵向磁记录的方法包括步骤(a)驱动靠近磁记录介质上的区域的换能器，该介质包括基质;和在基质上形成的平面矫顽力大于2000 Oe和晶粒尺寸小于300 的铁酸钡膜。(b)对换能器施加电流以便在所说的铁酸钡膜的平面产生大于6000 Oe的平面磁场，因此在所说的区域上产生的一个大于3500 Oe的平面剩余磁场。
全文摘要
由纵向定向的多晶态铁酸钡组成的高密度记录介质具有大的矫顽力，良好的抗腐蚀性，高的硬度及优良的耐久性。通过在环境温度下用化学计量的靶进行轴线溅射，接着对已形成的沉积物在约850℃的温度下退火以形成结晶来制备膜。结晶使磁性膜具有大的平面顽磁感应强度和形成大大改善铁酸钡盘损耗性能的精细结构。在盘上不加涂层就具有优异的耐久性。通过用少量Cr
文档编号G11B5/85GK1102006SQ94107739
公开日1995年4月26日 申请日期1994年5月26日 优先权日1993年5月28日
发明者R·H·阿勒特, J·K·霍瓦尔德, T·L·黑尔顿, M·A·帕克, M·I·犹拉 申请人:国际商业机器公司