垂直磁记录介质、其制造方法及磁记录再现装置的制造方法
【专利说明】
[0001] 本申请基于日本专利申请No. 2014-7037号（申请日：2014年1月17日）并要求 其优先权。该在先申请的全部内容通过引用并入此处。
技术领域
[0002] 本发明涉及垂直磁记录介质、其制造方法及磁记录再现装置。
【背景技术】
[0003] 利用计算机为中心的进行信息记录、再现的磁记录装置（HDD)因其大容量、廉价 性、数据访问的快速、数据保存的可靠性等原因而在家庭用录像机、音响设备、车载导航系 统等各种领域使用。随着HDD的使用范围扩大，其存储容量的高密度化的要求也增加，近年 来HDD的高密度化开发越来越迅速。
[0004] 作为现在市场销售的HDD的磁记录方式，所谓垂直磁记录方式近年来成为主流。 垂直磁记录方式中，构成记录信息的磁记录层的磁性结晶微粒（晶粒）相对于基板在垂直 方向上具有其易磁化轴。因此，在高密度化时记录位（e'7卜）间的去磁场的影响也小， 且在高密度化中也能静磁稳定。垂直磁记录介质通常包括：基板；承担在记录时使从磁头 产生的磁通量集中的作用的软磁性基底层（SUL);使垂直磁记录层的磁性结晶微粒进行 (00. 1)面取向并减小其取向分散的非磁性种子层和/或非磁性基底层；包括硬质磁性材料 的垂直磁记录层；和保护垂直磁记录层的表面的保护层。
[0005] 具有磁性结晶微粒被由非磁性物质所构成的晶界区域包围的、所谓颗粒（^ 7 = =7 )结构的颗粒型记录层成为磁性结晶微粒彼此由非磁性晶界区域二维地、物理地孤立 化的结构，因此可减小磁性粒子间作用的磁交换作用。因此，能降低记录、再现特性的跃迁 噪声，且能降低边界位大小。反过来，由于在颗粒型记录层减小粒子间的交换作用，因此具 有与粒子的组成、粒径的分散相伴的反转磁场的分散增大的倾向，且具有导致记录、再现特 性的跃迁噪声和/或振动噪声的增大的倾向。
[0006] 此外，记录位大小的下限值很大程度依赖于颗粒型记录层的磁性结晶粒径，因此 在HDD的高记录密度化时需要进行颗粒型记录层的粒径微细化。作为颗粒型记录层的粒径 微细化法，有使用具有微细的结晶粒径的基底层来使在基底层上层叠的颗粒型记录层粒径 微细化的方法。为了使基底层的粒径微细化，可考虑例如研究非磁性种子层或使基底层颗 粒化等方法。
【发明内容】
[0007] 本发明的实施方式鉴于上述问题而研制，其目的是提供能得到磁性粒子的良好结 晶取向性和低粒径分散、且具有良好的记录再现特性、并能进行高密度记录的垂直磁记录 介质及使用其的磁记录再现装置。
[0008] 根据实施方式，提供一种垂直磁记录介质，其特征在于，具备：基板；SUL，其形成 于该基板上；取向控制层，其形成于该SUL上且以具有面心立方结构（fee结构）的镍为主 成分；形成于该取向控制层上的具有15%以下的间距分散的多个金属氧化物柱和包括在 由多个金属氧化物柱划分的区域内生长的、具有密排六方结构（hep结构）或fee结构的结 晶微粒的粒径控制层；及垂直磁记录层，其形成于该粒径控制层上。
【附图说明】
[0009] 图IA是示意地表示实施方式涉及的磁记录介质的制造工序的一例的剖视图。
[0010] 图IB是示意地表示实施方式涉及的磁记录介质的制造工序的一例的剖视图。
[0011] 图IC是示意地表示实施方式涉及的磁记录介质的制造工序的一例的剖视图。
[0012] 图ID是示意地表示实施方式涉及的磁记录介质的制造工序的一例的剖视图。
[0013] 图IE是从上方观察图IA的图。
[0014] 图IF是从上方观察图IB的图。
[0015] 图IG是从上方观察图IC的图。
[0016] 图IH是从上方观察图ID的图。
[0017] 图2是实施方式涉及的垂直磁记录介质的一例的概要剖视图。
[0018] 图3是表示作为比较的垂直磁记录介质的一例的概要剖视图。
[0019] 图4是表示作为比较的垂直磁记录介质的一例的概要剖视图。
[0020] 图5是表示作为比较的垂直磁记录介质的一例的概要剖视图。
[0021] 图6是表示作为比较的垂直磁记录介质的一例的概要剖视图。
[0022] 图7是实施方式涉及的垂直磁记录介质的非磁性中间层的初期层部的平面TCM图 像的不意图。
[0023] 图8是表示作为比较的垂直磁记录介质的一例的概要剖视图。
[0024] 图9是表示作为比较的垂直磁记录介质的一例的概要剖视图。
[0025] 图10是表示作为比较的垂直磁记录介质的一例的概要剖视图。
[0026] 图11是表示作为比较的垂直磁记录介质的一例的概要剖视图。
[0027] 图12是表示作为比较的垂直磁记录介质的一例的概要剖视图。
[0028] 图13是表示作为比较的垂直磁记录介质的一例的概要剖视图。
[0029] 图14是表示作为比较的垂直磁记录介质的一例的概要剖视图。
[0030] 图15是将实施方式涉及的磁记录再现装置的一例部分分解的立体图。
【具体实施方式】
[0031] 实施方式涉及的垂直磁记录介质具备在基板上依次形成的SUL、取向控制层、金属 氧化物柱、粒径控制层及垂直磁记录层。
[0032] 取向控制层以具有fee结构的镍为主成分。
[0033] 取向控制层上，形成有：具有15%以下的间距分散的多个金属氧化物柱；和在由 金属氧化物柱划分的区域内比金属氧化物柱高地生长的、包括具有hep结构或fee结构的 结晶微粒的粒径控制层。
[0034] 磁记录层形成于金属氧化物柱及粒径控制层上。
[0035] 实施方式所使用的金属氧化物柱能以氧化铝为主成分。
[0036] 再有，氧化铝柱可通过在取向控制层上形成包括铝粒子和设置于铝粒子周围的硅 晶界的AlSi膜并进行蚀刻处理而形成。
[0037] 在取向控制层表面，可在形成有氧化铝柱的区域以外的区域设置凹陷。
[0038] 根据实施方式涉及的垂直磁记录介质，通过设置具有15%以下的间距分散的多个 金属氧化物柱，而能得到结晶取向性良好且粒径分散低的粒径控制层，从而，能改善在粒径 控制层上形成的磁性微粒的结晶取向性及粒径分散。
[0039] 实施方式涉及的垂直磁记录介质的制造方法具备：在基板上形成SUL的工序；在 SUL上形成以具有fee结构的镍为主成分的取向控制层的工序；在取向控制层上形成包括 铝粒子和设置于铝粒子周围的硅晶界的铝硅膜的工序；通过将铝硅膜在氧气环境下蚀刻而 使该硅晶界氧化并除去，并且使具有比硅晶界的蚀刻比率小的蚀刻比率的铝粒子氧化并进 行磨削来形成氧化铝柱的工序；在取向控制层上的由氧化铝柱划分的区域内使具有hep结 构或fee结构的结晶微粒生长来形成粒径控制层的工序；和在粒径控制层上形成垂直磁记 录层的工序。
[0040] 实施方式所使用的金属氧化物柱可为高度5nm以下、直径5nm以下。
[0041] 在金属氧化物柱的高度超过5nm时，飞散到金属氧化物柱上的溅射粒子不能扩散 到柱下，具有在金属氧化物柱上也形成结晶微粒的倾向。此外，在高度不满Inm时，金属氧 化物柱过低，因此不能作为柱发挥功能，且具有在金属氧化物柱上也形成结晶微粒的倾向。
[0042] 在金属氧化物柱的直径超过5nm时，形成于柱间的粒径控制层和/或垂直磁记录 层的结晶微粒的填充率下降，因此具有记录信号的信号强度减小而使SNR特性恶化的倾 向。此外，在直径不满Inm时，产生柱的强度不足而折断的柱，不能作为柱发挥功能，且具有 粒径控制层的结晶微粒的粒径分散恶化的倾向。
[0043] 铝硅膜可直接形成于取向控制层上。
[0044] 形成氧化铝柱的工序可包括使该硅晶界氧化并除去并且使所述取向控制层表面 的形成有氧化铝柱的区域以外的区域氧化来形成表面氧化层。在形成粒径控制层的工序前 还可包括将表面氧化层除去的工序。