另一实施例，一种半导体器件包括:锁存电路，其适于存储对应于合格或故障的测试结果；非易失性存储电路；以及控制单元，其适于当合格/故障编程命令对应于存储在所述锁存电路中的所述测试结果时，在所述非易失性存储电路中对信息进行选择性地编程。
[0022]当合格编程命令被激活并且对应于合格的所述测试结果存储在所述锁存电路中时，所述控制单元对所述非易失性存储电路中的所述信息进行编程，并且当故障命令被激活并且故障的信息存储在所述锁存电路中时，所述控制单元对所述非易失性存储电路中的所述信息进行编程。
[0023]根据本发明的又一实施例，一种用于操作半导体器件的方法包括:执行测试以产生测试结果；临时存储所述测试结果；接收编程命令和对应于所述编程命令的信息；以及基于临时存储的测试结果对非易失性存储电路中的所述信息进行编程。
[0024]在基于临时存储的测试结果对非易失性存储电路中的所述信息进行编程中，当所述编程命令是合格编程命令且临时存储的测试结果是合格信息时，所述信息在所述非易失性存储电路中被编程，并且当所述编程命令是合格编程命令而临时存储的测试结果是故障信息时，在所述非易失性存储电路中不对所述信息进行编程。在基于临时存储的测试结果在非易失性存储电路中对所述信息进行编程中，当所述编程命令是故障编程命令并且所述临时存储的测试结果是故障信息时，在所述非易失性存储电路中对所述信息进行编程，并且当所述编程命令是故障编程命令并且临时存储的测试结果是合格信息时，在所述非易失性存储电路中不对所述信息进行编程。
[0025]根据本发明的又一实施例，一种半导体器件包括:锁存电路，其适于存储测试结果；非易失性存储电路，其适于存储用于所述半导体器件的操作的信息；解码单元，其适于通过使用从所述半导体器件的外部输入的一个或更多个控制信号而生成一个或更多个内部编程命令；以及控制单元，其适于根据测试结果而对从半导体器件的外部输入到非易失性存储电路中的信息进行编程。
[0026]测试结果可以不通信至半导体器件的外部。测试结果可以是合格或故障信息。测试结果可以是频率或对应于频率的信息。
[0027]根据本发明的又一个实施例，一种用于测试半导体器件的方法包括:执行测试以产生测试结果；临时存储所述测试结果；应用编程命令和对应于所述编程命令的信息；基于临时存储的测试结果对非易失性存储电路中的所述信息进行编程；以及从不将测试结果通信至半导体器件之外。
【附图说明】
[0028]图1是说明典型的存储器件的修复操作的框图。
[0029]图2是说明在存储器件中使用的存储修复信息的非易失性存储电路的框图。
[0030]图3是描述根据本发明的实施例的半导体器件的操作的流程图。
[0031]图4是说明测试装置和由测试装置测试的半导体器件的框图。
[0032]图5是说明根据本发明的实施例的半导体器件410的框图。
[0033]图6说明将非易失性存储电路530中所要使用的地址ARE_ADD和数据ARE_DATA传送至数据接收单元503的过程。
【具体实施方式】
[0034]下文将参照附图更详细地描述各实施例。但是，本发明可以以不同的形式实现，不应被理解为限制于本文所提出的实施例。而是，提供这些实施例来使本文全面和完整，并且向本领域技术人员完全表达本发明的范围。贯穿全文，相同的附图标记表示本发明各个附图和实施例的相同部件。
[0035]图3是描述根据本发明的实施例的半导体器件的操作的流程图。图4是说明测试装置和由测试装置测试的半导体器件的框图。
[0036]参照图3，在步骤S310中测试可以对半导体器件410_0至410_3执行操作。测试操作可以通过应用用于使测试装置400对半导体器件410_0至410_3执行测试的一系列控制信号TEST_CTRLS来执行。例如，当半导体器件410_0至410_3是存储器件时，测试装置400可以应用用于使半导体器件410_0至410_3执行写入操作或读取操作的控制信号来检查半导体器件410_0至410_3是否正常操作。由测试操作产生的合格或故障的决定可以由设置在半导体器件410_0至410_3内的测试电路(未示出)给出。
[0037]在测试操作之后，测试结果可以在步骤320中临时地存储在半导体器件410_0至410_3内的锁存电路(未示出)中。测试结果可以以合格或故障的形式出现。图4示出了测试结果“合格”临时存储在半导体器件410_0和410_3中并且测试结果“故障”临时存储在半导体器件410_1和410_2中的情况。
[0038]在步骤S330中，合格编程命令PASS_PGM和对应于合格编程命令PASS_PGM的数据DATA1可以从测试装置400被传送至半导体器件410_0至410_3。合格编程命令PASS_PGM是用于在测试结果为“合格”的半导体器件410_0和410_3的非易失性存储电路中对数据DATA1进行编程的命令。因此，在步骤S340中，数据DATA1可以在测试结果为“合格”的半导体器件410_0和410_3的非易失性存储电路中被编程。在测试结果为“故障”的半导体器件410_1和410_2中，合格编程命令PASS_PGM和数据DATA1可以被忽视。
[0039]在步骤S350中，可以将故障编程命令FAIL_PGM和对应于故障编程命令FAIL_PGM的数据DATA2从测试装置400传送至半导体器件410_0至410_3。故障编程命令FAIL_PGM是在测试结果为“故障”的半导体器件410_1和410_2中的非易失性存储电路中对数据DATA2进行编程的命令。因此，在步骤S360中，数据DATA2可以在测试结果为“故障”的半导体器件410_1和410_2的非易失性存储电路中被编程。在测试结果为“合格”的半导体器件410_0和410_3中，故障编程命令FAIL_PGM和数据DATA2可以被忽视。
[0040]步骤S330和S340以及步骤S350和S360可以都被执行；或者可以执行步骤S330和S340或可以执行步骤S350和S360。当执行所有步骤S330、S340、S350和S360时，可以在步骤S350和S360之前执行步骤S330和S340，或可以在步骤S330和S340之前执行步骤S350和S360。可以将用于指定在步骤S330和S350中编程数据的位置(在非易失性存储电路内的位置)的地址从测试装置400传送至半导体器件410_0至410_3。
[0041]图3的方法允许在半导体器件410_0至410_3的非易失性存储电路中，将反应测试结果的信息进行编程，而不分析每一个半导体器件410_0至410_3的测试结果。此外，根据图3的方法，可以从不将合格/故障结果通信至半导体器件外。例如，在半导体器件410_0至410_3被测试以查看半导体器件410_0至410_3是否以例如lGhz的高速操作之后，用于设置测试已经合格的半导体器件410_0至410_3以在例如lGhz的高速操作的信息在半导体器件410_0和410_3的非易失性存储电路中被编程，并且用于设置测试故障且以例如700Mhz的低速操作的半导体器件410_1和410_2的信息在半导体器件410_1和410_2的非易失性存储电路中被编程，而没有历史管理。
[0042]图5是说明根据本发明的实施例的半导体器件410的框图。在图5中，假定半导体器件410是存储器件。
[0043]参照图5，半导体器件410可以包括命令接收单元5