Dram子阵列级自动刷新存储器控制器优化的制作方法_3

文档序号:9621065阅读:来源:国知局
参数可以包括来自模式寄存器534的信息。例如,框602和608的操作可以取决于条中的子阵列的数目,其可以由设备模式寄存器534提供。在框604,DRAM存储器控制器502重置了局部先列后行(CBR)计数器532。在框606,DRAM存储器控制器502确定tREFI定时器(其对应于刷新周期)是否期满。在框608,当tREFI定时器期满时,DRAM存储器控制器502确定打开子阵列是否与先列后行(CBR)计数器532所指示的目标刷新行冲突。在该配置中,框602和608确定当前打开行与待刷新行是否位于相同子阵列中。
[0052]当没有打开子阵列与先列后行(CBR)计数器532所指示的目标刷新行冲突时(例如,正在被刷新的子阵列中没有行被打开时),在框620中,DRAM存储器控制器502发送刷新命令并且递增先列后行(CBR)计数器532。当打开子阵列与先列后行(CBR)计数器532冲突时(例如,待刷新子阵列中有行被打开时),在框610,DRAM存储器控制器502跳过刷新命令并且更新待决刷新计数器。在刷新命令被发送(框620)或者刷新命令被跳过(框610)之后,DRAM存储器控制器502在框612重置tREFI定时器,在此后控制流返回框606。在一个示例中,例如,如图7中所示,可以推迟最多为八个刷新命令。
[0053]图7是解说图5的DRAM存储器控制器的根据本公开另一方面的功能的功能性框图700。在框702,DRAM存储器控制器502加载设备子阵列参数(例如,来自模式寄存器534)。例如,框702和708的操作可以取决于条中的子阵列的数目,其可以由设备模式寄存器534提供。在框704,DRAM存储器控制器502重置了先列后行(CBR)计数器532。在框706,DRAM存储器控制器502确定tREFI定时器(其对应于刷新周期)是否期满。当tREFI定时器期满时,在框706,框708被执行以确定是否存在子阵列冲突。
[0054]在该配置中,框702和708确定当前打开行与待刷新行是否位于相同子阵列中。特别地,在框708,当tREFI定时器期满时,DRAM存储器控制器502确定打开子阵列是否与先列后行(CBR)计数器532所指示的目标刷新行冲突。当没有打开子阵列与先列后行(CBR)计数器532所指示的目标刷新行冲突时(例如,正在被刷新的子阵列中没有行被打开时),在框720中,DRAM存储器控制器502发送定向刷新命令。当打开子阵列与局部CBR计数器冲突时(例如,待刷新子阵列中有行被打开时),在框710,DRAM存储器控制器502存储被跳过的刷新命令并且更新先列后行(CBR)计数器532。
[0055]如图7中所示,在框712,DRAM存储器控制器502确定打开子阵列是否与先列后行(CBR)计数器532所指示的下一目标刷新行冲突。在框720中,当没有子阵列行与先列后行(CBR)计数器532所指示的下一目标刷新行冲突时,DRAM存储器控制器502发送定向刷新命令。否则,控制流回到框710。在定向刷新命令被发送之后,在框722,针对所存储的CBR计数器值所指示的被跳过的目标刷新行发布刷新命令。在(诸)被跳过的刷新命令被发布之后,在框724,DRAM存储器控制器502重置tREFI定时器并且递增先列后行(CBR)计数器532,在此后控制流返回框706。在操作中,例如,如图8中所示,针对被跳过的刷新操作发布刷新命令可以在更为方便的时间执行。
[0056]图8是解说图5的DRAM存储器控制器的根据本公开进一步方面的功能的功能性框图800。在框822,DRAM存储器控制器502加载设备子阵列参数(例如,来自模式寄存器534)。例如,框822和830的操作可以取决于条中的子阵列的数目,其可以由设备模式寄存器534提供。在框824,DRAM存储器控制器502重置先列后行(CBR)计数器532。在框826,DRAM存储器控制器502确定tREFI定时器(其对应于刷新周期)是否期满。当tREFI定时器期满时,在框828,确定是否可针对被跳过的目标刷新行发布刷新命令。
[0057]在该配置中,若没有对子阵列中的待刷新行的正常命令待决,则框822和830发布刷新命令。特别地,当tREFI定时器期满时,在框828,DRAM存储器控制器502确定贷记刷新计数器是否小于最大指定限制。若贷记刷新计数器小于最大指定限制,则在框830,DRAM存储器控制器502确定针对CBR计数器532的命令队列是否是空的。若CBR计数器532的命令队列是空的,则在框832,DRAM存储器控制器502发布了针对由存储的CBR计数器值所指示的被跳过的目标刷新行的刷新命令。此外,存储器控制器502在框832递增贷记刷新计数器。此外,存储器控制器502也在框834递增局部CBR计数器532。在该配置中,刷新控制逻辑530维持有关被跳过的刷新命令的信息。刷新命令可以被跳过或者推迟直到更为方便的时间,例如,当忙于正常话务(例如,存储器总线512忙)时可以这样做。
[0058]图9是解说根据本公开的一方面的用于延迟向DRAM条的打开子阵列内的目标刷新行发布刷新操作的方法的流程图900。在框910,在DRAM条的行处检测到动态随机存取存储器(DRAM)的位于该DRAM条的打开子阵列内的打开页。例如,如图1中所示,打开页116位于条102-7的打开子阵列104-7中。因为刷新行114不在打开子阵列104-7内,所以打开页116能够在刷新操作期间维持打开。在该情况中,没有任何条102应当在刷新操作期间被关闭。
[0059]再次参见图9,在框912,确定DRAM条的目标刷新行是否在该DRAM条的打开子阵列内。例如,如图1中所示,刷新行114(例如,目标刷新行)并不位于条102-7的打开子阵列104-7中。相应地,在框914,刷新命令被发布到该目标刷新行。然而,目标刷新行可以位于图1的条102-7的包括打开页116的打开子阵列104-7之中。在这种情形中,在框920,当DRAM条的目标刷新行在DRAM条的打开子阵列内时,延迟向DRAM条的目标刷新行发布刷新命令。
[0060]在一个配置中,存储器控制器(包括刷新控制器)被用存储器总线耦合到动态随机存取存储器(DRAM)。该刷新控制器包括局部先列后行(CBR)计数器。刷新控制器包括用于检测DRAM的处在DRAM条的行处的打开页位于该DRAM条的打开子阵列内的装置。在本公开的一个方面,该检查装置可以是被配置成执行由检查装置所述的功能的刷新控制逻辑530和/或刷新控制器520。在该配置中,刷新控制器还包括用于延迟向DRAM条的目标刷新行发布刷新命令的装置。在本公开的一个方面,该延迟装置可以是被配置成执行由延迟装置所述的功能的刷新控制器520和/或刷新控制逻辑530。在另一方面,前述装置可以是被配置成执行由前述装置所述的功能的任何模块或任何设备。
[0061]图10示出其中可有利地采用本公开的一方面的示例性无线通信系统1000。出于解说目的,图10示出了三个远程单元1020、1030和1050以及两个基站1040。将认识到,典型的无线通信系统可具有远多于此的远程单元和基站。远程单元1020、1030和1050分别包括存储器控制器电路系统1025A、1025B和1025C,其为如以上所讨论的本公开的方面。图10示出了从基站1040到远程单元1020、1030、和1050的前向链路信号1080,以及从远程单元1020、1030、和1050到基站1040的反向链路信号1090。
[0062]在图10中,远程单元1020被示为移动电话,远程单元1030被示为便携式计算机,而远程单元1050被示为无线本地环路系统中的固定位置远程单元。例如,远程单元可以是蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元(诸如个人数据助理)、或者固定位置数据单元(诸如仪表读数装备)。尽管图10解说了根据本公开的教导的存储器控制器电路系统,但本公开并不限于所解说的这些示例性单元。例如,根据本公开的诸方面的存储器控制器电路系统可被合适地用在任何设备中。
[0063]尽管已详细描述了本公开及其优势,但是应当理解,可在本文中作出各种改变、替代和变更而不会脱离如由所附权利要求所定义的本公开的技术。例如,诸如“上方”和“下方”之类的关系术语是关于基板或电子器件使用的。当然,如果该基板或电子器件被颠倒,则上方
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