域中的任何技术人员均能够完全理解本公开的范围。对于本文所公开的各个方面的修改对于本领域技术人员会是显而易见的。相应地，权利要求的范围并不限于本文中所提供的各种示例性实施例。对于一元素的单数引述并不旨在意味着“有且仅有一个”，除非具体地如此陈述;替代地，对于一元素的单数引述将会意味着“一个或多个”。除非特别另外声明，否则术语“一些”指的是一个或多个。权利要求的任何要素都不应当在35U.S.C.§112(f)的规定下来解释，除非该要素是使用短语“用于……的装置”来明确叙述的或者在方法权利要求情形中该要素是使用短语“用于……的步骤”来叙述的。权利要求并非旨在被限定于本公开的各个方面，而是要被给予与权利要求的语言相一致的完全范围。本公开中通篇描述的示例性实施例的各个组件的所有结构和功能上为本领域普通技术人员所知的等效方案通过引用被明确纳入于此，且意在被权利要求书所涵盖。
【主权项】
1.一种存储器，包括: 被安排在行中的多个位单元； 连接到所述多个位单元的第一子集的第一读字线；以及 连接到所述多个位单元的第二子集的第二读字线， 其中所述第一和第二子集位于相同的位单元行中。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括: 第一充电电路，其配置成在断言所述第一读字线之前预充电所述第一子集的读位线；以及 第二充电电路，其配置成在断言所述第二读字线之前预充电所述第二子集的读位线。3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于: 所述第一充电电路被进一步配置成在断言所述第一读字线之后重新充电所述第一子集的读位线；以及 所述第二充电电路被进一步配置成在断言所述第二读字线之后重新充电所述第二子集的读位线。4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，进一步包括一个或多个感测放大器，其配置成: 当所述第一读字线被断言时感测所述第一子集的读位线中的值；以及 当所述第二读字线被断言时感测所述第二子集的读位线中的值。5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，进一步包括复用器，所述复用器被配置成: 复用感测到的所述第一子集的读位线的值和感测到的所述第二子集的读位线的值。6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，进一步包括连接到所述多个位单元的写字线，其中所述第一和第二读字线的组合表面积不超过所述写字线的表面积。7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，进一步包括连接到所述多个位单元的写字线，其中所述写字线、所述第一读字线以及所述第二读字线位于至少两个金属层中。8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于: 所述第一和第二读字线位于所述至少两个金属层的第一金属层中；以及 所述写字线位于所述至少两个金属层的第二金属层中。9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多个位单元中的每一个都具有写端口和读端口。10.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多个位单元中的每一个都具有八晶体管配置。11.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多个位单元中的每一个都是静态随机存取存储器(RAM)位单元。12.一种方法，包括: 在第一读操作期间，断言连接到安排在位单元行中的多个位单元的第一子集的第一读字线；以及 在第二读操作期间，断言连接到所述多个位单元的第二子集的第二读字线， 其中所述第一和第二子集位于相同的位单元行中。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，进一步包括: 在所述第一读操作期间，在断言所述第一读字线之前预充电所述第一子集的读位线；以及 在所述第二读操作期间，在断言所述第二读字线之前预充电所述第二子集的读位线。14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括: 在所述第一读操作期间，在断言所述第一读字线之后重新充电所述第一子集的读位线；以及 在所述第二读操作期间，在断言所述第二读字线之后重新充电所述第二子集的读位线。15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，进一步包括: 在所述第一读操作期间，在所述第一读字线被断言时感测所述第一子集的读位线中的值；以及 在所述第二读操作期间，在所述第二读字线被断言时感测所述第二子集的读位线中的值。16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括: 复用感测到的所述第一子集的读位线的值和感测到的所述第二子集的读位线的值。17.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一和第二读字线的组合表面积不超过连接到所述多个位单元的写字线的表面积。18.如权利要求12所述的方法，其特征在于，连接到所述多个位单元的写字线、所述第一读字线、以及所述第二读字线位于至少两个金属层中。19.如权利要求18所述的方法，其特征在于: 所述第一和第二读字线位于所述至少两个金属层的第一金属层中；以及 所述写字线位于所述至少两个金属层的第二金属层中。20.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述多个位单元中的每一个都具有写端口和读端口。21.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述多个位单元中的每一个都具有八晶体管配置。22.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述多个位单元中的每一个都是静态随机存取存储器(RAM)位单元。23.一种装备，包括: 用于在第一读操作期间，断言第一读字线的装置，所述第一读字线连接到安排在位单元行中的多个位单元的第一子集;以及 用于在第二读操作期间，断言第二读字线的装置，所述第二读字线连接到所述多个位单元的第二子集， 其中所述第一和第二子集位于相同的位单元行中。24.如权利要求23所述的设备，其特征在于，进一步包括: 用于在所述第一读操作期间，在断言所述第一读字线之前预充电所述第一子集的读位线的装置；以及 用于在所述第二读操作期间，在断言所述第二读字线之前预充电所述第二子集的读位线的装置。25.如权利要求24所述的设备，其特征在于，进一步包括: 用于在所述第一读操作期间，在断言所述第一读字线之后重新充电所述第一子集的读位线的装置；以及 用于在所述第二读操作期间，在断言所述第二读字线之后重新充电所述第二子集的读位线的装置。26.如权利要求23所述的设备，其特征在于，进一步包括: 用于在所述第一读操作期间，在断言所述第一读字线时感测所述第一子集的读位线中的值的装置；以及 用于在所述第二读操作期间，在断言所述第二读字线时感测所述第二子集的读位线中的值的装置。27.如权利要求26所述的设备，其特征在于，进一步包括: 用于复用感测到的所述第一子集的读位线的值和感测到的所述第二子集的读位线的值的装置。28.如权利要求23所述的设备，其特征在于，所述第一和第二读字线的组合表面积不超过连接到所述多个位单元的写字线的表面积。29.如权利要求23所述的设备，其特征在于，连接到所述多个位单元的写字线、所述第一读字线，以及所述第二读字线位于至少两个金属层中。30.如权利要求29所述的设备，其特征在于: 所述第一和第二读字线位于所述至少两个金属层的第一金属层中；以及 所述写字线位于所述至少两个金属层的第二金属层中。31.如权利要求23所述的设备，其特征在于，所述多个位单元中的每一个都具有写端口和读端口。32.如权利要求23所述的设备，其特征在于，所述多个位单元中的每一个都具有八晶体管配置。33.如权利要求23所述的设备，其特征在于，所述多个位单元中的每一个都是静态随机存取存储器(RAM)位单元。
【专利摘要】公开了用于具有多读字线设计的存储器的各种装置和方法。存储器可包括被安排在行中的多个位单元、连接到该多个位单元的第一子集的第一读字线、以及连接到该多个位单元的第二子集的第二读字线，其中该第一和第二子集位于相同的位单元行中。该方法可包括在第一读操作期间断言连接到安排在位单元行中的多个位单元的第一子集的第一读字线，以及在第二读操作期间断言连接到该多个位单元的第二子集的第二读字线，其中该第一和第二子集位于相同的位单元行中。
【IPC分类】G11C11/418, G11C11/412
【公开号】CN105474321
【申请号】CN201480046220
【发明人】C·古拉蒂, R·K·辛哈, R·查巴, S·S·尹
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2014年8月21日
【公告号】EP3036744A1, US8929153, WO2015027028A1