专利名称：以堆叠方式混光的发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型是有关一种发光二极管，尤指一种藉由晶片堆叠的方式使混光效果均匀的发光二极管。
现有的发光二极管是以蓝色光激发萤光粉，使之发出白色的光，或以蓝色及黄色晶片并排发光，如图5、6所示，其利用发光二极管具单色性波长峰值的特性，而于发光二极管9的支架91上以导电胶92黏固蓝色及黄色的晶片93、94，藉由支架91导通电源使蓝色晶片93发出蓝光、黄色晶片94发出黄光，并经由电流电压的控制而使蓝光与黄光扩散混合呈现出白色的光。
然而，此种以二种晶片93、94并排混光的发光二极管9却有混光不均匀的情形，导致产生色斑，究其原因主要是该二并排晶片93、94间的距离D导致发光二极管9两侧发出不同色泽的光线，即蓝色晶片93侧偏向蓝色光，另一黄色晶片侧94则偏向黄色光，而造成发光颜色不均匀的情形，但，在制程上两晶片93、94的距离D却有无法放置极近的困难，再加上即使将两晶片93、94的距离移近后，却也会使短路、漏电的情形加剧，导致产品不良率大量提高，而有极待克服的问题存在。
本实用新型的主要目的，在于解决上述的问题而提供一种以堆叠方式混光的发光二极管，藉由堆叠的第一、二晶片被激发出不同波长的光线，令底侧的第二晶片被激发出甲种颜色波长的光线，而顶侧的第一晶片被激发出乙种颜色波长的光线，即该第一、二晶片发出的光线为全域可见光谱中的任两种波长的光(如黄光与蓝光等)，使不同波长的光线由激发时并经由电流电压的控制使之混合为他色光线，避免造成色差，而具有均匀混光的效果。
本实用新型的另一目的，在于藉由串连堆叠的第一、二晶片提供一种避免短路及漏电的以堆叠方式混光的发光二极管。
本实用新型一种以堆叠方式混光的发光二极管，该发光二极管包括一本体，其具有预定的形状，且该本体是可透光；一以上的连接件，由该本体向外延伸，其可供与电源导通，该连接件设有一容置部；一第一晶片与一第二晶片，其设于该连接件的容置部，该第一晶片与第二晶片分别可激发出不同波长的光线；其特征在于该第一晶片是叠置于第二晶片上方。
其中该连接件是为二支架，且其中一支架设有该容置部，而该容置部是为一凹槽。
其中该第一、二晶片可为以蓝宝石为基座的氮化铟镓、以碳化硅为基座的氮化铟镓或氮化铝铟镓的可透光四次元晶片。
其中该第一、第二晶片顶、底部具不同的外质半导性。
其中该第一晶片与第二晶片间以导电材料黏贴固定。
其中该第二晶片较第一晶片为大，而该第一晶片叠置于第二晶片的一侧。
本实用新型一种以堆叠方式混光的发光二极管，该发光二极管包括一第一晶片与一第二晶片，其可供与电源导通，该第一晶片与第二晶片分别可激发出不同波长的光线；其特征在于该第一晶片是叠置于第二晶片上方，且使该第一晶片与第二晶片叠置处分别具有单一的外质半导性。
其中该第一、二晶片可为以蓝宝石为基座的氮化铟镓、以碳化硅为基座的氮化铟镓或氮化铝铟镓的可透光四次元晶片。
其中该第一、第二晶片顶、底部具不同的外质半导性。
为进一步说明本实用新型的结构及其特征，
以下结合附图对本实用新型作进一步的详细描述，其中
图1是本实用新型第一实施例的平面示意图；图2是图1的局部详细示意图；图3是本实用新型第二实施例的示意图；图4是本实用新型第三实施例的示意图；图5是习用发光二极管的平面示意图6是图5的局部详细示意图。
请参阅图1至图4，图中所示者为本实用新型所选用的实施例的结构，此仅供说明之用，在专利申请上并不受此种结构的限制。
本实用新型是提供一种以堆叠方式混光的发光二极管，请同时参阅图1、图2，该发光二极管是包括一本体3，该本体3具有预定的形状，且该本体3是可透光；一以上的连接件5，由该本体3向外延伸，其可供与电源(图中未示)导通，该连接件5设有一容置部51，于本实施例中，该连接件5是为二支架，且其中一支架设有该容置部51，该容置部51是为一凹槽；一第一晶片1与一第二晶片2，其设于该连接件5的容置部51，该第一晶片1与第二晶片2分别可激发出不同波长的甲、乙颜色的光线，该第一晶片1是叠置于第二晶片2上方，且使该第一晶片1与第二晶片2叠置处分别具有单一的外质半导性(Extrinsic Semiconductin)，于本实施例中，该第一晶片1为氮化铝铟镓(AlInGaN)的可透光(TransparentType)四次元晶片，其可激发出乙种颜色即黄色波长的光线，即该第一、二晶片1、2发出的光线为全域可见光谱中的任两种波长的光(如黄光与蓝光等)，且该第一晶片1顶、底部具不同的外质半导性，顶部为n型、底部为p型，而第二晶片2可为以蓝宝石为基座的氮化铟镓(InGaN onSapphire Substrate)或以碳化硅为基座的氮化铟镓(InGaN on SiCSubstrate)，其可激发出甲种颜色即蓝色波长的光线，而该第二晶片2较第一晶片1为大，且第二晶片2其左、右两侧部具有不同的外质半导性，一侧为n型、另一侧为p型，而使该第一晶片1叠置于第二晶片2的左侧，其间以导电材料如导电胶6黏贴固定。
本实用新型是使串连的第一、二晶片1、2被激发出不同波长的光线，而不同波长的光线(蓝光与黄光)由激发时并经由电流电压的控制即混合成为他色光线(白光)，即该第一晶片1与第二晶片2是堆叠设置，二晶片1、2间没有造成色差的距离，而可以避免发光二极管两侧发出不同色泽光线的问题，以具有均匀混光的效果。
值得注意的是，本实用新型是使该第一、二晶片1、2串联堆叠，而非使该二晶片1、2并列设置，除可使发光颜色均匀之外，串联设置的二晶片1、2间的距离可以尽量贴近，没有因贴近造成短路、漏电的情形，而可以降低产品不良率，并解决在制程上两晶片并排设置的距离D无法放置极近的困难。
当然，本实用新型并不限于上述实施例，如图3、4所示，是分别为本实用新型的第二、三实施例，其中一实施例的晶片1、2较大，而两实施例中，该第一晶片1与第二晶片2大小相近，该第一、二晶片1、2顶、底部分别具不同的外质半导性而重叠黏置，此例同样具有混光均匀的优点。另外，该第一、二晶片1、2亦可调换实施，如该第一晶片1可为以蓝宝石为基座的氮化铟镓(InGaN on Sapphire Substrate)、以碳化硅为基座的氮化铟镓(InGaN on SiC Substrate)或其他材料…等，而第二晶片2为氮化铝铟镓(AlInCaN)的可透光(Transpare Type)四次元晶片或其他材料…等，且第一、二晶片1、2发出的光亦不限于上述颜色，亦可为绿光与红光等，而可藉由发出颜色相异的光混合为他种颜色的光。
综上所述，本实用新型藉由堆叠的第一、二晶片1、2被激发出不同波长的光线，令底侧的第二晶片2被激发出甲种颜色波长的光线，而顶侧的第一晶片1被激发出乙种颜色波长的光线，使不同波长的光线由激发时即混合为他种颜色光，而具有均匀混光的效果，并可以避免造成色差或短路漏电的情形，以降低产品不良率。
以上所述实施例的揭示是用以说明本实用新型，并非用以限制本实用新型，故举凡数值的变更或等效元件的置换仍应隶属本实用新型的范畴。
由以上详细说明，可使熟知本项技艺者明了本实用新型的确可达成前述目的，实已符合专利法的规定，爰提出专利申请。
权利要求1.一种以堆叠方式混光的发光二极管，该发光二极管包括一本体，其具有预定的形状，且该本体是可透光；一以上的连接件，由该本体向外延伸，其可供与电源导通，该连接件设有一容置部；一第一晶片与一第二晶片，其设于该连接件的容置部，该第一晶片与第二晶片分别可激发出不同波长的光线；其特征在于该第一晶片是叠置于第二晶片上方。
2.根据权利要求1所述的以堆叠方式混光的发光二极管，其特征在于，其中该连接件是为二支架，且其中一支架设有该容置部，而该容置部是为一凹槽。
3.根据权利要求1所述的以堆叠方式混光的发光二极管，其特征在于，其中该第一、二晶片可为以蓝宝石为基座的氮化铟镓、以碳化硅为基座的氮化铟镓或氮化铝铟镓的可透光四次元晶片。
4.根据权利要求1所述的以堆叠方式混光的发光二极管，其特征在于，其中该第一、第二晶片顶、底部具不同的外质半导性。
5.根据权利要求1所述的以堆叠方式混光的发光二极管，其特征在于，其中该第一晶片与第二晶片间以导电材料黏贴固定。
6.根据权利要求1所述的以堆叠方式混光的发光二极管，其特征在于，其中该第二晶片较第一晶片为大，而该第一晶片叠置于第二晶片的一侧。
专利摘要本实用新型是提供一种以堆叠方式混光的发光二极管,其包括一本体、一以上的连接件、一第一晶片与一第二晶片,而藉由串连堆叠的第一、二晶片被激发出不同波长的光线,即该第一、二晶片发出的光线为全域可见光谱中的任两种波长的光(如黄光与蓝光、绿光与红光等),使该二种波长的光线由激发并经由电流电压的控制而被混合为其他种颜色的光(如白光等),避免造成色差,以具有均匀混光的效果。
文档编号H01L33/00GK2454905SQ0025466
公开日2001年10月17日 申请日期2000年9月22日 优先权日2000年9月22日
发明者秦元正 申请人:东贝光电科技股份有限公司