专利名称：半导体结构化工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及到用来对半导体表面结构化(texturing)的工艺以及具有结构化表面以便降低其反射率和/或提高半导体捕获光的能力的半导体材料。
背景技术：
为了使硅太阳电池、探测器、或光电二极管的效率尽可能高，使硅中吸收的波长小于1100nm的光量尽可能大是重要的。有二种机制能够降低吸收的光量。光可能从硅表面被反射，或可以进入硅且稍后再次从硅出射而不被吸收。借助于对硅表面进行粗糙化或结构化，能够降低这二种损耗机制。借助于提高光线多次冲击硅表面的几率，降低了反射损耗，而借助于将光约束在硅中(称为光捕获)，降低了吸收损耗。
能够用于(100)取向单晶硅的一种结构化技术是在氢氧化钾(KOH)和异丙醇(IPA)溶液中对硅进行腐蚀。这导致一种覆盖在许多正方形底面棱锥体中的表面。但此方法不能用于硅表面晶体取向不是(100)的情况。目前正在开发几种不依赖于特殊晶体取向的其它结构化技术，例如采用反应离子刻蚀(RIE)。但这些技术可能很昂贵或引起其它一些缺点，例如在硅表面处载流子复合增大。而且，这些技术仅仅适合于结构化平坦的晶片，而无法用来例如结构化诸如国际专利申请no.WO 02/45143所公开那样产生的条形之类的夹持在晶片框架中的硅条的未被暴露的表面，国际专利申请no.WO 02/45143的整个内容此处被列为参考。
因此，对于改进了的用来降低半导体表面反射率的工艺存在着需求。
本发明的目的是提供这样一种工艺。
发明内容
根据本发明的第一实施方案，提供了一种用来对半导体材料表面进行结构化的工艺，此工艺包含在所述表面上涂敷一个保护物质层，其中，所述层足够薄，致使具有多个穿过其中的窗口；以及用能够对所述半导体材料比对所述保护物质腐蚀得更快的腐蚀剂，与所述层和所述半导体材料接触，在所述半导体材料被所述窗口附近的所述腐蚀剂腐蚀，从而在所述半导体材料上产生结构化表面，但所述保护物质基本上未被腐蚀的条件下，所述腐蚀剂至少通过所述窗口与所述半导体材料形成一定时间的接触。
涂敷保护物质层的步骤可以是单个步骤，或可以涉及首先产生其中具有比较少或没有窗口的保护物质层，然后局部减薄其整个表面上的保护物质层，直至足够薄，以致在其中形成多个窗口。一开始产生的保护物质层不是完全平滑的，而是在某些地方比其它地方更薄。结果，当此层的表面被腐蚀保护物质的腐蚀剂接触时，或被减薄时，层的某些部分将比其它部分更快速地被减薄，在层中造成多个窗口。
因此，在本发明的第二实施方案中，提供了一种用来对半导体材料表面进行结构化的工艺，此工艺包含在所述表面上产生一个保护物质层；基本上均匀地减薄所述保护物质层，直至至少某些窗口穿过所述层形成；以及用能够对所述半导体材料比对所述保护物质腐蚀得更快的腐蚀剂，与所述层和所述半导体材料接触，在所述半导体材料被所述窗口附近的所述腐蚀剂腐蚀，从而在所述半导体材料上产生结构化表面，但所述保护物质基本上未被腐蚀的条件下，所述腐蚀剂至少通过所述窗口与所述半导体材料形成一定时间的接触。
根据本发明的第三实施方案，提供了一种半导体材料，其至少一个表面的至少一部分中具有多个坑，其中，所述坑基本上随机地排列在所述至少一个表面的所述部分上，并具有至少被局部倒圆的内部表面。
根据本发明的第四实施方案，提供了一种半导体材料，其至少一个表面的至少一部分中具有多个坑，其中，所述坑基本上随机地排列在所述至少一个表面的所述部分上，并具有直至10微米的宽度。
根据第五实施方案，本发明提供了一种半导体，其表面的至少一部分已经被第一或第二实施方案的工艺结构化了。
根据第六实施方案，本发明提供了一种半导体，其表面的至少一部分已经借助于通过所述表面上保护物质层中的多个窗口对所述表面进行腐蚀而被结构化了，所述保护物质层由于所述层薄而具有所述窗口。
本发明还提供了一种半导体材料，它具有涂敷到其至少一个表面的至少一部分的保护物质层，其中，所述保护物质层由于所述层薄而具有穿过其中的多个窗口。
已经用本发明的工艺结构化过的半导体材料可用来制造太阳电池。因此，在本发明的第七实施方案中，提供了一种太阳电池，它包含第三至第六实施方案中任何一个的半导体材料。
在本发明的工艺中，“基本上未被腐蚀”意味着腐蚀是在保护物质窗口附近的半导体材料被腐蚀，但足够的保护物质在腐蚀结束时保留在半导体材料表面上，以防止窗口附近之外的半导体材料被腐蚀的条件下进行的。
“基本上均匀地”意味着减薄是在保护层在其整个表面上以基本上相同的速率被减薄，致使在给定的时间内，在表面的所有地方清除基本上相同的保护物质厚度的条件下进行的。
在本发明的工艺中，保护物质是抗至少一种能够腐蚀半导体材料的腐蚀剂的腐蚀的，或至少被至少一种比腐蚀半导体材料腐蚀更慢的腐蚀剂腐蚀，致使在本发明工艺所用的条件下基本上未被腐蚀的任何一种物质。
在第一实施方案的工艺中，保护物质层典型地仅仅几个原子层厚，并可以用诸如化学气相淀积或低压化学气相淀积之类的熟知技术来形成。用来涂敷保护物质的其它技术包括喷雾热解、蒸发、溅射、热氧化、以及热氮化。作为进一步的变通，保护物质层可以是聚合物层，并被涂敷到半导体表面作为具有多个通过其中的孔的足够薄的层。在第一实施方案的这一形式中，用等离子体腐蚀来适当地进行腐蚀步骤。可以用旋涂方法来适当地涂敷聚合物。适当聚合物的例子包括用于集成电路制造的聚合物光抗蚀剂。用来腐蚀硅的适当等离子体包括SF6、CF4、以及CF4和氧的混合物。
在本发明第一实施方案的工艺的一种形式中，用低压化学气相淀积方法来涂敷保护物质层，典型厚度约为2nm，是一种其中包含大量孔的不完全的层，保护层下方的半导体材料通过这些孔能够被腐蚀。
在第二实施方案的工艺中，可以用上面参照第一实施方案的工艺所述的任何一种方法来将保护物质层淀积在半导体材料上。在第二实施方案的工艺中，刚刚淀积的保护物质层通常比第一实施方案工艺中的更厚，致使当此层被涂敷到半导体时，没有通过其中的窗口。但涂敷到表面的保护物质层的厚度决不是完全均匀的，且当这种层被逐渐减薄时，在层中腐蚀之前最薄的位置处就最终形成多个窗口。亦即，随着此层被减薄，层的厚度在其整个范围内被减小基本上相同的量，直至层的至少某些部分被减薄穿通，于是产生穿过保护物质层的多个窗口。
在第二实施方案的工艺中，减薄保护物质层的步骤典型地是腐蚀步骤。腐蚀剂可以是能够均匀地腐蚀保护物质的任何一种腐蚀剂。本技术领域的一般熟练人员都熟知这种腐蚀剂，包括各种酸和酸的混合物以及等离子体。当保护物质是聚合物时，最好用典型采用氧等离子体的等离子体腐蚀方法来减薄。
由于保护物质层中的窗口来自于保护物质层厚度的基本上随机变化，故通常基本上随机地排列在保护物质的表面上。因此，在进行第一和第二实施方案的工艺之后，腐蚀坑保留在半导体材料中，基本上随机地排列在半导体材料表面上。形成在半导体材料表面中的具有空洞外形的腐蚀坑的内部表面，通常但不一定是至少局部倒圆。亦即，虽然在腐蚀坑的内部表面上可以有一些小晶面，但由于腐蚀剂对半导体材料的作用，故至少部分内部表面通常不成平坦的小晶面，而是至少具有某些凹面区域。更典型的是，至少一半的腐蚀坑内部表面被倒圆。在腐蚀坑的内部表面上最好基本上没有小晶面。当从表面上方看时，除了它们相交处之外，腐蚀坑通常基本上是圆形的。但在某些情况下，依赖于半导体材料的晶体取向，当从上方看时，腐蚀坑可以不呈现基本圆形。无论其形状如何，腐蚀坑的典型尺寸范围直至大约10微米。更通常的是，腐蚀坑的直径尺寸为小于1微米到大约5微米。腐蚀坑被通常薄于坑宽度的间壁分隔开。通常，至少某些间壁基本上未被腐蚀。但大部分间壁通常被形成在各个重叠坑之间，因而在其顶部成为一点。
第一和第二实施方案工艺中的腐蚀剂可以是能够对半导体材料比对保护物质腐蚀得更快的任何一种腐蚀剂。对本技术领域一般熟练人员来说，这些腐蚀剂是众所周知的。在腐蚀剂被用来在第二实施方案的工艺中减薄保护物质层的情况下，此腐蚀剂可能与用来腐蚀半导体的腐蚀剂相同或不同。当保护物质层是聚合物层时，等离子体通常被用来腐蚀半导体。
与抛光表面相比，本发明的工艺导致半导体材料表面反射率降低和/或改善了半导体材料中的光约束(光捕获)。
在本发明的工艺中，能够用几种方法来确定半导体表面结构化的最佳程度已经达到和腐蚀应该停止的时刻。一种方法是例如用眼睛或用测量光从表面的反射率的装置来监视正被结构化的表面的出现。第二种方法是对于给定的条件组(亦即保护物质的性质、其厚度、腐蚀剂组成、以及温度)确定最佳结果的时间长度。借助于对各个样品进行各种时间长度的腐蚀，然后测量适当条件下被腐蚀的样品的反射率和/或光捕获行为，能够做到这一点。这种测量的结果则能够确定最佳腐蚀时间。但可以理解的是，若腐蚀溶液被用来结构化许多晶片或许多批次的晶片，则溶液的腐蚀特性会随时间而改变。于是需要调整腐蚀时间，以便继续得到最佳的结构化结果。
在本发明的工艺中，使半导体材料与腐蚀剂接触的步骤可以导致保护物质被腐蚀到一定程度，依赖于所用的腐蚀剂和腐蚀条件。若保护物质在此步骤中被腐蚀到某种程度，则与此步骤开始时保护物质中存在的窗口数目相比，可以导致更多的窗口被产生在保护物质中。
在就要开始使半导体材料与腐蚀剂接触的步骤之前，保护物质层中的窗口非常小，典型为直径小于100nm，更典型为直径小于10nm。随着腐蚀步骤的进行，窗口倾向于变大，且数目倾向于增加。在此腐蚀步骤结束时，窗口的数目因而也是半导体表面中腐蚀坑的数目典型为每100平方微米大约10个到每100平方微米大约1000个。
典型地说，在第一和第二实施方案的工艺中和在第三、第四、第五、第六实施方案的半导体材料中，半导体材料是硅。当半导体材料是硅时，在本发明的工艺中，保护物质典型为氮化硅，且腐蚀剂典型为氢氟酸和硝酸的混合物，例如1∶50体积比的49％重量含水HF(亦即100克含水溶液中49克HF)和70％重量含水硝酸的混合物。可以将其它化学试剂加入到此腐蚀溶液，以便提供所希望的腐蚀特性，例如改善半导体表面的浸润性。对于半导体腐蚀技术领域的一般熟练人员来说，这种添加剂是众所周知的。当半导体材料是硅时，可以是单晶硅、微晶硅、多晶硅。作为氮化硅的腐蚀剂的另一可能性是CF4和氧的等离子体。
本发明的工艺通常包括在已经充分进行腐蚀半导体材料的步骤从而在表面上产生多个腐蚀坑之后，从表面清除保护物质的进一步步骤。利用腐蚀保护物质比腐蚀半导体材料更快得多的腐蚀剂，可以清除保护物质。例如，当半导体材料是硅且保护物质是氮化硅时，可以用反应离子刻蚀方法，或借助于在典型约为180℃的提高的温度下与磷酸接触，来清除保护物质。作为变通且更优选的是，借助于在氢氟酸的水溶液，典型为水中5％重量的氢氟酸溶液中进行腐蚀，可以从硅衬底清除氮化硅。
更典型的是，本发明的工艺包括在已经充分进行腐蚀半导体材料的步骤从而在表面上产生多个腐蚀坑之后，清除保护物质层，然后用常规方法在整个表面上涂敷抗反射层的额外步骤。已经发现，与仅仅涂敷抗反射涂层相比，以这种方式可得到明显更大的反射率降低。
第一实施方案或第二实施方案的工艺通常能够提供从中大约50％以下可见光被反射的表面。若抗反射涂层被涂敷到已经被本发明的工艺结构化的表面，则能够得到被表面反射的可见光量的甚至更大的降低。
当半导体材料是硅且保护物质层是厚度约为2nm的氮化硅层时，可以用借助于如上所述与1∶50(v/v)HF/硝酸混合物在一般室温下接触几分钟，典型为2-5分钟，来得到腐蚀半导体的步骤。
在某些情况下，在淀积氮化硅之前，在硅衬底上生长一个二氧化硅薄层(例如20-30nm)，可能是可取的。对于进行本发明的工艺，氧化物的生长不是必须的(已经观察到，除了完成工艺所用的时间少许增加之外，本发明的工艺不受氮化硅保护物质下方二氧化硅层的存在的影响)。但已经发现，这一氧化物层的存在有助于避免当氮化硅层下方不存在氧化物时有时观察到的硅衬底电子特性的退化。
对于辐射不可接近的结构化表面，例如夹持在硅框架中且如国际专利申请No.WO 02/45143所述产生的硅条来说，本发明的工艺是特别有利的。于是，在本发明的一个优选形式中，半导体材料是厚度小于100微米且宽度直至大约3mm的硅条，且其中至少一对相反的表面已经被根据本发明的工艺结构化。亦即，各个至少一对相反的表面中具有多个坑，其中各个坑基本上随机地分布在条的表面上，并具有至少局部被倒圆的内部表面和/或具有直至10微米的宽度。
以下参照附图，仅仅用举例的方法来描述本发明的优选实施方案，这些附图被简要描述如下。
图1是此处所述表面结构化之后的硅条示意图。
图2A-2D是示意图，示出了根据本发明的工艺。
图3是曲线示出了与双面抛光的硅晶片相比，被本发明的工艺处理的硅条吸收的光量(进入条的一部分光量)。
图4-6是已经用本发明的工艺结构化过的硅表面的电子显微图。
具体实施例方式
为便于理解本发明而提供了附图。可以理解的是，图1和2A-2D没有按比例，而仅仅是图解而已。
图1示出了硅条在根据本发明第一实施方案的工艺结构化之后的剖面图。结构化工艺如下。用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，在硅条衬底1上淀积氮化硅薄层2。此技术在衬底表面上导致均匀而共形的氮化硅层2。重要的是，氮化硅2还被LPCVD向下淀积到窄沟道或缝隙，并淀积到用国际专利申请No.WO 02/45143所述的工艺产生的硅条的侧壁上。仅仅淀积了大约几个原子层厚的非常薄的氮化硅层2。这种层薄得足以包含某些硅衬底穿过其中被暴露的孔5。然后，条1在诸如1∶50氢氟酸∶硝酸溶液之类的适当腐蚀剂中被腐蚀。在室温下，此溶液对氮化硅的腐蚀比对硅的腐蚀慢大约3000倍。结果，在硅条1中孔5的位置处将形成腐蚀坑6。在几分钟之后，大部分表面将被覆盖在尺寸直至几微米的腐蚀坑6中。腐蚀现在被终止。借助于改变可以影响层2中孔5的密度的氮化硅淀积参数，以及借助于改变腐蚀时间和温度，能够达到腐蚀工艺的控制。若采用较低的腐蚀温度，则与硅1相比能够得到氮化硅2的较低的腐蚀速率。例如在0℃下，腐蚀溶液对氮化硅2的腐蚀比对硅的腐蚀慢大约6000倍。也可以进行2次上述结构化工艺，以便得到结构化特性的进一步改善。
图2A-2D以图解的形式示出了硅表面在根据本发明第二实施方案的各个阶段中的剖面图。用LPCVD方法在硅衬底1的表面上淀积厚度约为2-4nm的氮化硅薄层2。图2A示出了氮化物淀积之后的硅衬底1。刚刚涂敷到硅1表面的氮化物层2不是完全平滑的膜，而是包含某些厚度变化。图2A中由凹陷3和4示意地示出了这一点。依赖于涂敷的氮化物层的厚度，这些凹陷可以一直延伸到硅衬底的表面，在氮化物层中产生多个窗口，或如图2A所示可能仅仅通过氮化物层延伸部分路程。也如图2A所示，各个凹陷具有不同的深度。
在氮化物层中的凹陷不一直延伸通过氮化物层的情况下，硅衬底被浸入腐蚀氮化硅的溶液中。此溶液可以是例如用10倍体积的水稀释49％重量含水氢氟酸的溶液，或49％重量含水氢氟酸与70％重量硝酸的例如1∶50体积的氢氟酸与硝酸的混合物。氮化硅层以均匀的方式被逐渐减薄。氮化物层最终变得足够薄，以至于最深的凹陷3将硅衬底1的表面暴露，在氮化物层2中产生多个窗口5。图2B示出了这一情况。在此阶段中，氮化物层2中深度较小的凹陷4不一直渗透通过到达硅衬底1。
硅衬底现在被浸入49％重量含水氢氟酸与70％重量硝酸的例如1∶50体积的腐蚀硅比腐蚀氮化硅更快得多的溶液中。这导致在硅衬底1中已经形成了窗口5的位置处形成腐蚀坑6，如图2C所示。悬挂在腐蚀坑6上的氮化硅薄层2非常易碎而断裂，使新鲜腐蚀剂能够进入到腐蚀坑6。随着腐蚀工艺继续进行，腐蚀坑6变得更大。
随着腐蚀的进行，氮化硅层2也被稍许减薄。这可能导致在其中产生更多的窗口7。这些窗口7也将随后倾向于在硅衬底中形成腐蚀坑8，如图2D所示。当已经达到最佳程度的结构化时，就终止腐蚀。这就是硅1的大部分表面已经被结构化但少部分表面仍然未被结构化的情况。
可以在一定的温度范围内进行腐蚀。确切地说，较低的温度通常导致氮化硅的腐蚀速率比硅的腐蚀速率更低，致使在某些情况下，例如在0℃下而不是在室温下腐蚀，可能是可取的。也可以对氮化硅层进行处理，以便降低其在硅腐蚀剂中的腐蚀速率。例如，氮化硅在高温(1000-1100℃)下的退火通常导致其在硅腐蚀剂中的腐蚀速率降低。
对于薄膜硅电池，由于在结构化工艺中仅仅消耗少量的硅(各个被结构化的表面上大约2-3微米)，故上述结构化工艺是特别有利的。此结构化技术能够被由于硅晶片或任何晶粒尺寸的薄膜。
实施例在所有下列实施例中，用低压化学气相淀积方法，在750℃下，以每分钟30标准立方厘米(sccm)的二氯硅烷流速、120sccm的氨流速、以及70Pa的压力，来进行氮化硅的淀积。典型淀积时间为75秒钟。
实施例1厚度约为2nm的氮化硅被淀积在(111)取向的抛光硅晶片上。从晶片切出样品，并在0℃下于氢氟酸∶硝酸＝1∶50的溶液中被腐蚀。用硅酮将样品包封在厚度为1mm的低铁玻璃后，并用具有集成球面的光谱仪测量其反射率。此样品在900nm下具有11％的反射率，而在同样的波长下，抛光的包封硅参考晶片具有24％的反射率，以倒棱锥体结构化的(100)取向的硅具有8％的反射率。这些结果表明，在降低硅表面的反射方面，此结构化工艺是非常有效的。
实施例2薄硅条的腐蚀采用直径为100mm和厚度为1mm的(110)取向硅晶片。遵照国际专利申请no.WO 02/45143所述的工艺，在晶片中产生间隔为105微米和厚度约为70微米的薄硅条。这样产生的薄硅条的侧壁被高度抛光。希望将侧壁结构化成可以在太阳电池中形成面向着太阳方向的表面。薄层氮化硅被淀积在晶片上。从晶片取出一个薄硅条，并将其安装在晶片表面上。以这种方式，在腐蚀过程中，一个硅条的侧壁表面可被清楚地看到。在用与实施例1所述相同的腐蚀剂在室温下腐蚀大约5分钟之后，这些条已经被最佳地结构化，即终止腐蚀。硅条厚度现在约为65微米。
进行测量以确定结构化硅中的光约束(光捕获)程度。图3示出了被结构化的厚度为65微米的条的吸收光量(进入硅的光量的一部分)与未被结构化的厚度为70微米的条的比较。显然，若结构化工艺被应用于硅太阳电池，则此结构化工艺在波长范围850-1100nm内导致了明显改善了的光捕获，从而能够得到明显改善了的能量转换效率。
实施例3表面钝化采用几个(111)取向的大于1000欧姆厘米的硼掺杂无坩埚区熔硅晶片。厚度约为30nm的氧化物被热生长在晶片上。然后，如实施例2所述，淀积氮化硅薄层，并对晶片进行结构化。在结构化之后，晶片被磷扩散，并热生长厚度为30nm的氧化物。然后，晶片在5％的氢和95％的氮的混合物中，于430℃下被退火30分钟。这些处理之后的发射极饱和电流密度被测量为每侧20-25fA/cm2。这一低的数值表明在结构化表面上能够得到优异的表面钝化。
本发明工艺的优点本发明的工艺提供了降低半导体材料表面反射率的比较简单而价廉的方法。而且，本发明的工艺使得这样的表面能够被结构化(因而具有降低了的反射率)，此表面未被暴露于辐照，因而无法用例如反应离子刻蚀方法来结构化。再者，本发明的工艺可应用于(111)晶体取向的表面，用诸如氢氧化钾之类的各向异性腐蚀剂无法对这种表面进行结构化。
对于本技术领域熟练人员来说，此处参照附图和实施例所述的工艺的许多不偏离本发明范围的修正是显而易见的。
权利要求
1.一种用来对半导体材料表面进行结构化的工艺，此工艺包含在所述表面上涂敷一个保护物质层，其中，所述层足够薄，并具有多个穿过其中的窗口；以及采用能够对所述半导体材料比对所述保护物质腐蚀得更快的腐蚀剂，接触所述层和所述半导体材料，在所述半导体材料在所述窗口附近被所述腐蚀剂腐蚀从而在所述半导体材料上产生结构化表面、但所述保护物质基本上未被腐蚀的条件下，所述腐蚀剂至少通过所述窗口与所述半导体材料进行一定时间的接触。
2.根据权利要求1的工艺，其中，所述半导体材料是硅，而所述保护物质是氮化硅。
3.根据权利要求1的工艺，其中，所述保护物质是聚合物。
4.根据权利要求1的工艺，其中，采用低压化学气相淀积、化学气相淀积、喷雾热解、蒸发、溅射、热氧化、热氮化、或旋涂方法，将所述层涂敷到所述表面。
5.根据权利要求2的工艺，其中，采用低压化学气相淀积方法，将所述层涂敷到所述表面。
6.根据权利要求5的工艺，其中，所述层的厚度约为2nm。
7.根据权利要求2的工艺，其中，二氧化硅层被提供在所述硅与所述氮化硅之间。
8.根据权利要求3的工艺，其中，所述腐蚀剂是等离子体。
9.一种用来对半导体材料表面进行结构化的工艺，此工艺包含在所述表面上产生一个保护物质层；基本上均匀地减薄所述保护物质层，直至至少一些窗口穿过所述层形成；以及采用能够对所述半导体材料比对所述保护物质腐蚀得更快的腐蚀剂，接触所述层和所述半导体材料，在所述半导体材料在所述窗口附近被所述腐蚀剂腐蚀从而在所述半导体材料上产生结构化表面、但所述保护物质基本上未被腐蚀的条件下，所述腐蚀剂至少通过所述窗口与所述半导体材料进行一定时间的接触。
10.根据权利要求9的工艺，其中，所述半导体材料是硅，而所述保护物质是氮化硅。
11.根据权利要求9的工艺，其中，所述保护物质是聚合物。
12.根据权利要求9的工艺，其中，采用低压化学气相淀积、化学气相淀积、喷雾热解、蒸发、溅射、热氧化、热氮化、或旋涂方法，将所述层涂敷到所述表面。
13.根据权利要求10的工艺，其中，采用低压化学气相淀积方法，将所述层涂敷到所述表面。
14.根据权利要求10的工艺，其中，二氧化硅层被提供在所述硅与所述氮化硅之间。
15.根据权利要求11的工艺，其中，所述腐蚀剂是等离子体。
16.一种半导体材料，其至少一个表面的至少一部分中具有多个坑，其中，所述坑基本上随机地排列在所述至少一个表面的所述部分上，并具有至少被局部倒圆的内部表面。
17.一种半导体材料，其至少一个表面的至少一部分中具有多个坑，其中，所述坑基本上随机地排列在所述至少一个表面的所述部分上，并具有直至10微米的宽度。
18.根据权利要求17的半导体材料，其中，所述坑具有至少被局部倒圆的内部表面。
19.根据权利要求17的半导体材料，其中，所述坑具有直至5微米的宽度。
20.根据权利要求16或权利要求17的半导体材料，该半导体材料是硅。
21.根据权利要求20的半导体材料，具有被涂敷到所述至少一个表面的抗反射涂层。
22.一种硅条，其厚度小于100微米，宽度直至大约3mm，其中至少一对相反的表面中的每一个具有多个坑，其中，各个坑基本上随机地分布在所述表面上，并具有至少被局部倒圆的内部表面和/或直至10微米的宽度。
全文摘要
本发明提供了一种用来对半导体材料表面进行结构化的工艺，此工艺包含在所述表面上涂敷一个保护物质层，其中，所述层足够薄，具有多个穿过其中的窗口；以及采用能够对所述半导体材料比对所述保护物质腐蚀得更快的腐蚀剂，接触所述层和所述半导体材料，在所述半导体材料在所述窗口附近被所述腐蚀剂腐蚀从而在所述半导体材料上产生结构化表面、但所述保护物质基本上未被腐蚀的条件下，所述腐蚀剂至少通过所述窗口与所述半导体材料进行一定时间的接触。
文档编号H01L31/0236GK1613155SQ02826867
公开日2005年5月4日 申请日期2002年11月29日 优先权日2001年11月29日
发明者克劳斯·约翰尼斯·韦伯, 安德鲁·威廉姆·布莱克斯 申请人:源太阳能股份有限公司