专利名称：半导体装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及具有音压传感器芯片或压力传感器芯片等半导体芯片的半导体装置。
本申请基于2005年12月6日在日本申请的特愿2005-351653号及特愿2005-351654号、2005年12月27日在日本申请的特愿2005-376393号以及2006年10月31日在日本申请的特愿2006-296013号主张优先权，并在本申请中援引其内容。
背景技术：
现有的硅麦克风或压力传感器等半导体装置，如特公表2004-537182号公报以及美国特许第6781231号所记载，将音压传感器芯片或压力传感器芯片那样具有可动部分的半导体芯片安装在基板的表面。在这种半导体装置中，在搭载有半导体芯片的电路基板的表面被覆金属制的盖(盖体)而形成含有上述半导体芯片的中空空间。在该盖上形成有用于来连通上述中空空间和外部空间的开口部。该盖经由具有导电性的粘结剂等将盖的端部粘结到基板的表面，由此固定在电路基板上。
但是，在上述现有的半导体装置中，由于在制造该装置时必须将盖粘结固定在电路基板上，所以盖相对于电路基板的定位困难。
另外，在这种半导体装置中，为了提高其制造效率，谋求半导体装置的制造成本的削减。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而研发的，其目的在于提供一种可以使盖体相对于基板的定位容易进行的半导体装置，以及该半导体装置所使用的盖体。
另外，本发明的另一目的在于，谋求半导体装置的制造效率提高并且削减半导体装置制造成本。
为了解决上述问题，本发明的半导体装置，包括表面具有中空的空洞部的基板；搭载在所述基板的空洞部上的半导体芯片；盖体，所述盖体具有与所述基板相对并覆盖所述空洞部的大致板状的顶板部和从所述顶板部的周缘向所述基板突出并卡合在所述基板的侧面上的至少一对的侧壁部。
另外，本发明提供半导体装置的制造方法，该制造方法制造的半导体装置经由中空的空洞部利用具有导电性的盖体覆盖基板厚度方向的一面上搭载的半导体芯片，该制造方法具有以下工序基板用板材准备工序，其在基板用板材上形成用于将其划分成各个所述基板的区段基准线，所述基板用板材在所述厚度方向的所述一面上并列配置多个所述半导体芯片；盖体准备工序，其形成分别覆盖在所述基板用板材的一面上配置的所述多个半导体芯片的多个所述盖体；重合工序，其将所述多个的盖体分别与所述基板用板材的所述一面侧重合固定，以使所述多个盖体分别覆盖所述多个的半导体芯片；分割工序，其由所述区段基准线将所述基板用板材剖断开，分割出各个所述半导体装置。
根据本发明的半导体装置，通过使一对侧壁部与基板的侧面卡合，可以容易地使顶板部相对于基板定位。即，可以使盖体相对于基板的定位容易进行。
另外，在本发明的半导体装置的制造方法中，在基板用板材准备工序中形成了切口，所以在分割工序中，只需弯曲基板用板材或在切口的残留部产生剪切应力，就可以容易地断裂切口的残留部。另外，因为在重合工序中将多个盖体分别重合固定在基板用板材的一端面侧，所以在将基板用板材分割成各个基板时可以同时得到各个半导体装置。在分割工序中，无须通过用水冷却断裂部分的切割来进行分割，因此即使在各盖体上形成开口部并使配置有半导体芯片的空洞部与外侧连通，也不会发生上述水从该开口部侵入到空洞部内的不良情况。
图1是表示从盖体侧观察本发明第一实施例的半导体装置所看到的状态的立体图；图2是表示从陶瓷基板侧观察图1的半导体装置所看到的状态的立体图；
图3是表示图1的半导体装置的剖面图；图4是表示本发明第一实施例的半导体装置的制造方法所使用的基板用板材的立体图；图5是放大表示图4所示的基板用板材的一部分的立体图；图6是表示本发明第一实施例的半导体装置的第一制造方法所使用的盖体的立体图；图7是表示本发明第一实施例的半导体装置的第一制造方法的侧剖面图；图8是表示本发明第一实施例的半导体装置的第一制造方法的侧剖面图；图9是表示本发明的半导体装置的制造方法的侧剖面图；图10是表示本发明的半导体装置的制造方法的分割工序的侧剖面图；图11是表示本发明的半导体装置的制造方法的分割工序的另一例的剖面图；图12是表示从盖体侧观察本发明第二实施例的半导体装置所看到的状态的立体图；图13是表示从陶瓷基板侧观察图12的半导体装置所看到的状态的立体图；图14是放大表示制造图12的半导体装置所使用的基板用板材的立体图；图15是表示制造图12的半导体装置所使用的盖体的立体图；图16是表示制造图12的半导体装置所使用的盖体的另一例的立体图；图17是表示本发明第一实施例的半导体装置的第二制造方法所使用的盖体用板材的概略立体图；图18是表示本发明第一实施例的半导体装置的第二制造方法的侧剖面图；图19A及19B是表示图17所示的盖体用板材的放大立体图及放大侧剖面图；图20是表示本发明第一实施例的半导体装置的第二制造方法的剖面图；图21A、21B、21C是放大表示图17所示的盖体用板材的弯曲部的变形例的立体图；图22是放大表示本发明第二实施例的半导体装置的第二制造方法所使用的盖体用板材的立体图；图23是表示本发明的半导体装置的制造方法的盖体准备工序的一例的侧剖面图；图24A及24B是表示本发明的半导体装置的制造方法的盖体准备工序的另一例的侧剖面图；图25是表示本发明第三实施例的半导体装置的侧剖面图；图26是表示制造图25的半导体装置时使用的盖体的立体图；图27是表示本发明第三实施例的半导体装置的制造方法的侧剖面图；图28是表示本发明第三实施例的半导体装置的制造方法的侧剖面图；图29是表示本发明第三实施例的半导体装置的变形例的侧剖面图；图30是表示本发明第四实施例的半导体装置的侧剖面图。
具体实施例方式
下面，参照
本发明的半导体装置的第一实施例。
如图1～3所示，本发明实施方式的半导体装置1具有大致形成为板状的陶瓷基板3、在陶瓷基板3的表面3a侧重叠配置的半导体芯片5及盖体7。
陶瓷基板3为俯视大致呈矩形的板状，其各侧面3b的中央部凹陷，形成有从陶瓷基板3的表面3a延伸到背面3c延伸的切口9。参照图3，在陶瓷基板3上形成有自其表面3a凹陷的凹部11。在该凹部11的底面11a的大致中央部形成有有底的孔13。在底面11a的周缘上层叠地形成有阶梯部15，通过该阶梯部15，陶瓷基板3的表面3a与凹部11的底面11a之间形成阶梯状。
在阶梯部15的表面15a形成有多个用于将半导体芯片5电连接的焊盘电极17。在陶瓷基板3的背面3c形成有多个外部连接端子19。这些焊盘电极17及外部连接端子19通过形成于陶瓷基板3内部的配线部21电连接。
在陶瓷基板3上设置有具有导电性的屏蔽部件23。该屏蔽部件23层叠在整个凹部11的底面11a上。在位于凹部11的开口部周缘的陶瓷基板3的表面3a上，形成有大致环状的连接焊盘25并且与屏蔽部件23电连接。另外，该屏蔽部件23的一部分成为凹部11的底面11a。
上述焊盘电极17、外部连接端子19、配线部21、屏蔽部件23及连接焊盘25利用银粉末、铜粉末或钨粉末为主要成分的膏(在银粉末、铜粉末、或钨粉末中混合了丙烯树脂等粘合剂)而形成。焊盘电极17、外部连接端子19及连接焊盘25在上述材料上例如镀敷厚度1微米以上的镍(Ni)及厚度0.3微米的金(Au)而形成。这些焊盘电极17、外部连接端子19及配线部21、屏蔽部件23及连接焊盘25电绝缘。
如图3所示，该陶瓷基板3将烧结陶瓷印刷电路基板得到的绝缘层27、28、29、30层叠多个而形成。在各绝缘层27、28、29、30上形成所述的焊盘电极17、外部连接端子19、配线部21、屏蔽部件23及连接焊盘25。即，陶瓷基板3上形成的凹部11或阶梯部15、孔13是在陶瓷印刷电路基板上冲压而形成的。
半导体芯片5是将声音转换成电信号的音压传感器芯片(麦克风)。即，该半导体芯片5具有根据来自半导体装置1外侧的外部空间的声音等压力变动而振动的振动膜5a。该振动膜5a在半导体芯片5的厚度方向振动。
该半导体芯片5经由绝缘材料构成的粘结膏B1而以覆盖孔13的方式粘结固定在凹部11的底面11a上。半导体芯片5通过电线31与焊盘电极17电连接。通过形成在陶瓷基板3上的凹部11，在半导体芯片5的振动膜5a与陶瓷基板3的孔13之间确保振动膜5a充分振动的大小的空洞部S1。
盖体7由例如铜镍锌合金(Cu-Ni-Zn系合金)、电镀的铜材、电镀的42合金(Fe-42质量％Ni合金)等具有导电性的材料形成。作为电镀例如利用镀镍、镀铬及镀金等。
盖体7具有顶板部35和多个侧壁部37。大致矩形形状的顶板部35覆盖陶瓷基板3的表面3a以及凹部11的开口，形成含有半导体芯片5的中空空间(空洞部S2)。侧壁部37从顶板部35的周缘突出并与陶瓷基板3的侧面3b的切口9卡合。
如图6所示，顶板部35在与陶瓷基板3的凹部11的周缘相对的位置形成有向陶瓷基板3的表面3a突出的大致环状的突出部39。该突出部39使顶板部35变形而形成，因此提高盖体7的刚性并防止顶板部35的弯曲。
该突出部39，在将顶板部35配置于陶瓷基板3的表面3a的状态下，与连接焊盘25电接触。具体地说，突出部39和连接焊盘25经由具有导电性的导电性膏B2而相互粘结固定，由此，盖体7固定在陶瓷基板3上。另外，盖体7和屏蔽部件23包围半导体芯片5，并且陶瓷基板3的屏蔽部件23与盖体7电连接。
在顶板部35上形成有贯通其厚度方向的开口部35a。通过该开口部35a，包含半导体芯片5的中空空间S2与半导体装置1外侧的外部空间连通。
盖体7的侧壁部37分别从顶板部35的四边突出。设置于顶板部35的相对两边的一对侧壁部37彼此相对。这多个侧壁部37分别与形成在陶瓷基板3的侧面3b上的多个切口9卡合。即，侧壁部37压接各切口9的侧面9a。
下面，说明如上构成的本发明第一实施例的半导体装置1的第一制造方法。
该制造方法中，首先如图4、5、7所示，准备可以配置多个半导体芯片5的基板用板材41(基板用板材准备工序)。该基板用板材41纵横地连接多个陶瓷基板3。
在该基板用板材准备工序中，首先，准备四片印刷电路基板，该印刷电路基板将含有陶瓷粉末的陶瓷膏形成为片状而构成。这些印刷电路基板构成陶瓷基板3的各绝缘层27、28、29、30。
然后，在各印刷电路基板上实施冲压加工以形成用于形成各陶瓷基板3的凹部11、孔13及阶梯部15的窗状孔、以及在形成配线部21或屏蔽部件23中使用的贯通孔43、45。然后，通过网格印刷，在各印刷电路基板的表面或背面适当地印刷以银粉末、铜粉末或钨粉末为主要成分的膏。进而，将上述膏填充到各印刷电路基板的贯通孔43、45中，形成焊盘电极17、外部连接端子19、配线部21、屏蔽部件23以及连接焊盘25。
然后，如图4及5所示，层叠这四片印刷电路基板构成印刷电路基板层叠体47。在该印刷电路基板层叠体47的表面及背面形成切槽49a、49b。该切槽49a、49b划分出各个陶瓷基板3，形成格子状。进而，在位于彼此相邻的各陶瓷基板3之间的切槽49a、49b的一部分上形成在印刷电路基板层叠体47的厚度方向上贯通的插入孔51。该插入孔51在格子状形成的切槽49a、49b相互交叉的各交叉点之间的大致中央形成。另外，这些切槽49a、49b及插入孔51可以同时形成，也可以分别单独地形成。
然后，以1000℃以上烧结该印刷电路基板层叠体51，通过在焊盘电极17、外部连接端子19及连接焊盘25上施以镀镍及镀金，完成基板用板材41的制造。
另外，图示了基板用板材41的切槽49a、49b形成在基板用板材41的表面3a及背面3c上的例子，但不限于此，也可以仅形成在基板用板材41的表面3a或背面3c的其中之一上。
另外，图示了构成半导体装置1或半导体组件65的陶瓷基板3或基板用板材41由含有陶瓷粉末的膏形成的例子，但不限于此，只要由至少可以容易地断裂切槽49a、49b的残留部的材料形成即可。即，陶瓷基板3或基板用板材41例如可以由含有玻璃纤维丝的有机基板形成。
在该第一的制造方法中，与上述基板用板材准备工序不同，形成多个盖体7(盖体准备工序)。
在该盖体准备工序中，如图6及7所示，在铜材、42合金等具有导电性的板材上镀镍、铬、金等，或准备铜镍铬合金构成的板材。对该板材冲压加工而形成顶板部35以及从顶板部35的各边一体地延伸出的板状延伸部。
在顶板部35与各延伸部的边界处形成有切口孔57，相对于顶板部35可以容易地弯曲各延伸部。在该盖体准备工序中，各延伸部相对于顶板部35弯曲，形成在顶板部35的厚度方向突出的侧壁部37。在该弯曲加工时，也进行将各侧壁部37的前端从相对的侧壁部37向离开的方向弯曲的加工。
另外，图示了侧壁部37在顶板部35的四边上设置两对的例子，但不限于此，也可以至少只形成顶板部35的两对边中的一对。
在该盖体准备工序中，实施与上述相同的冲压加工，在顶板部35上形成开口部35a。另外，在该盖体准备工序中，通过压印加工使顶板部35变形，形成向侧壁部37相同方向突出的大致环状的突出部39。
另外，在该盖体准备工序中，形成顶板部35或延出部、开口部35a的冲压加工或形成侧壁部37的弯曲加工及形成突出部39的压印加工可以同时进行，也可分别进行。
在上述的基板用板材准备工序结束后，进行在各凹部11的底面11a上涂敷绝缘材料构成的粘结膏B1，排列配置半导体芯片5的芯片配置工序。在该芯片配置工序中，在搭载各半导体芯片5后进行热硬化粘结膏B1的膏固化。在该膏固化中，加热到150℃的状态大约保持一小时。该芯片配置工序结束后，进行通过引线结合法由电线31电连接半导体芯片5和焊盘电极17的连接工序，进行电线31是否正确连接的目测检查。
另外，这些芯片配置工序及连接工序可以在后述的重合工序之前进行，也可以与上述的盖体准备工序并行进行。
上述工序结束后，如图8所示，导电性膏B2印刷在连接焊盘25上。之后，多个盖体7重合固定在基板用板材41的表面3a上，以覆盖对应的各个半导体芯片5(重合工序)。
此时，各盖体7的侧壁部37分别插入到对应的基板用板材41的插入孔51内。由此，各盖体7相对于多个半导体芯片5的定位可以容易地进行。侧壁部37的前端弯曲，以从相对的侧壁部37离开，因此，在该插入时可以容易地将侧壁部37导入到插入孔51内。另外，在该重合工序中，使各顶板部35的突出部39与上述导电性膏B2接触，因此盖体7和屏蔽部件23电连接。
将多个的盖体7重合在基板用板材41的表面3a，使突出部39与导电性膏B2接触，然后如图9所示，将多个盖体7及基板用板材41翻过来并且在基板用板材41的背面3c上载置金属制的重物M。该状态下，加热到150℃的状态保持约一小时进行导电膏固化，使导电性膏B2固化。由此，将多个盖体7固定在基板用板材41上，完成了重合工序。
通过该重合工序的完成，构成一体连结多个半导体装置1的半导体组件65。
然后，在该盖体7的表面印上识别半导体装置1的名称或序列号等识别记号N(参照图1)。接着，从切槽49a、49b断裂基板用板材41，分割成各个半导体装置1(分割工序)。
在该分割工序中，如图10所示，将大致圆筒状形成的滚筒L的周面L1从下侧向基板用板材41的表面3a侧按压，并且使滚筒L沿基板用板材41的表面3a方向移动。由此，基板用板材41沿着滚筒L的周面L1的形状弯曲，故切槽49a、49b的残留部同时断裂，基板用板材41被分割成各个陶瓷基板3。所以，得到被单个片化了的半导体装置1。
在该分割工序用，为了保护各盖体7，在滚筒L的周面L1和盖体7之间夹入具有可挠性的片状的保护部件P1为好。另外，在该分割工序中，为了使分割的半导体装置1不会弹跳，优选在基板用板材41的背面配置具有可挠性的片状的抑制部件P2。这些保护部件P1及抑制部件P2不会相对于基板用板材41及各盖体7移动。
在该分割工序中，不需要通过由水冷却断裂部分的切割来进行分割。因此，不会发生上述水从各盖体7侵入到中空空间S2内的不良情况。
另外，在上述分割工序中，使滚筒L相对于半导体组件65、保护部件P1及抑制部件P2移动，也可以相反地，使半导体组件65、保护部件P1及抑制部件P2相对于滚筒L移动。
另外，如图11所示，也可以从上侧将滚筒L的周面L1按压在基板用板材41的表面3a侧。另外，如上所述，在使用滚筒L进行分割工序的情况下，也可以使滚筒L在保护部件P1上旋转移动。
另外，分割工序中的切槽49a、49b的残留部的断裂方法不限于使用滚筒L使基板用板材41弯曲的方法。即，在分割工序中，也可以使基板用板材41中的位于切槽49a、49b两侧的一对陶瓷基板3在基板用板材41的厚度方向上相互反向移动而在切槽49a、49b的残留部产生剪切应力，断裂切槽49a、49b的残留部。
在以上的制造方法制造的半导体装置1中，如图3所示，切槽49a、49b的残留部作为陶瓷基板3的侧面3b的一部分而构成，因此，在陶瓷基板3的侧面3b的一部分上形成断裂面3d。另外，侧壁部37用的插入孔51由于通过切槽49a、49b的残留部的断裂而被分割成两半，故成为陶瓷基板3的切口9。即，插入孔51的侧面成为切口9的侧面9a。
根据上述的半导体装置1及盖体7，在重合工序中，只需将各盖体7的侧壁部37插入到基板用板材41上形成的插入孔51中，就可以同时且容易地将各盖体7相对于多个半导体芯片5定位。即，在由各盖体7覆盖各半导体芯片5时，由于各陶瓷基板3被盖体7的侧壁部37夹入，故可以容易地将顶板部35相对于各陶瓷称的3定位，可以容易地将盖体7相对于陶瓷基板3定位。
另外，具有导电性的盖体7和陶瓷基板3的屏蔽部件23包围各半导体芯片5，具体地说，盖体7的顶板部35覆盖半导体芯片5的上方，盖体7的侧壁37覆盖半导体芯片5的侧方，进而屏蔽部件23覆盖半导体芯片5的下方。这些盖体7和屏蔽部件23电连接，盖体7及屏蔽部件23的电位相同。
由上所述，通过这些具有导电性的盖体7及屏蔽部件23，可防止半导体装置1外侧产生的电气噪音侵入中空空间S2，可以防止噪音到达半导体芯片5，即，可以可靠地防止基于噪音的半导体芯片5的误动作。
下面参照附图12及13说明本发明的半导体装置的第二实施例。与第一实施例相同的要素被付与相同的符号，省略了对其的说明。在第二实施例的半导体装置101中，在盖体107的顶板部35的全部角部形成有侧壁部71。盖体107的材料与第一实施例相同。另外，该侧壁部71可以只形成在位于顶板部35中的对角的一对角部上。
如上所述，在顶板部35的四个角部形成侧壁部71的情况下，如图14所示，在基板用板材准备工序中，将插入各侧壁部71的各插入孔72形成在切槽49a、49b的交叉部分。插入孔72，在分割工序以后如图12及13所示，在陶瓷基板103的各角部上形成切口74。另外，如图15所示，在盖体准备工序中，在盖体107的顶板部35的各角部形成侧壁部71。
另外在将各插入孔72形成在切槽49a、49b的交叉部分的情况下，在基板用板材准备工序中，如图14所示，在切槽49a、49b中的从上述交叉部分分离的位置上形成与外部连接端子19同样数量的贯通孔73。各外部连接端子19形成在与各贯通孔73相接的位置上。
在该构成的情况下，在分割工序中通过断裂切槽49a、49b的残留部而断开贯通孔73，形成在陶瓷基板103的侧面103b露出的凹状切口75。该凹状切口75在通过焊锡将半导体装置1安装到安装基板(未图示)上时，具有提高焊锡相对于各外部连接端子19的湿润性的效果，即，能够可靠地将半导体装置1与安装基板电连接。
在上述的实施例中，在制造半导体装置1及101时利用了基板用板材41，但不限于此。即，也可以将盖体7重合在预先单个片化的各个陶瓷基板3上而制造半导体装置。
在该构成的情况下，在将盖体7或107重合在陶瓷基板3上时，使相对的一对侧壁部37、71分别与陶瓷基板3的切口9、74卡合，并且使其沿陶瓷基板3或103的侧面3b或103b移动，由此，可以通过这一对侧壁部37、71夹入陶瓷基板3或103。因此，可以容易地将顶板部35相对于陶瓷基板3或103定位，可以容易地将盖体7或107相对于陶瓷基板3或103定位。
另外，如图16所示，盖体7′也可以具有在顶板部35的整个周缘上形成的侧壁部83。
在该构成中，半导体芯片5的侧方被具有导电性的侧壁部83覆盖，由此，即使在半导体装置84的外侧产生噪音，也可以防止其在侧壁部81、83中侵入到半导体装置84的中空空间S2并防止其到达半导体芯片5。因此，能够可靠地防止基于噪音的半导体芯片5的误动作。
另外，作为防止上述噪音从半导体装置1及101的侧方侵入到中空空间S2的方法，例举在陶瓷基板3及103的侧面3b及103b或切口9、74上涂敷或喷涂铜或银等具有导电性的导电性膏。另外，该导电性膏的涂敷或喷涂只要至少在不被盖体7及107的侧壁部37、71、81、83覆盖的陶瓷基板3及103的侧面3b及103b或切口9、74上进行即可。
另外，图示了切口9、74形成在从陶瓷基板3及103的表面3a及103a到背面3c及103c的整个基板厚度方向上的例子，但不限于此。即，切口9及94可以至少只形成在陶瓷基板3及103的表面3a及103a侧。此时，用于切口9、74而形成的基板用板材41的插入孔51及72成为从基板用板材41的表面凹陷而形成的有底的凹部。
另外，在盖体7及107上形成多个侧壁部37、71、81时，也可以在陶瓷基板3及103的侧面3b及103b上不形成切口。
下面，说明上述的本发明第一实施例的半导体装置1(图2及图3)的第二制造方法。
第二制造方法中，利用图4及图5说明的基板用板材准备工序与第一制造方法相同。
在该第二制造方法中，在上述基板用板材工序的前后或并行地，利用与形成在上述基板用板材41上的凹部11相同的配置形成一体地连接多个盖体7的盖体用板材55(盖体准备工序)。
在该盖体准备工序中，如图17、18、19A及19B所示，准备在铜材、42合金等具有导电性的板材上实施了镀镍、镀铬、镀金等的板材，或由铜镍锌合金构成的板材。接着，对该板材上进行冲压加工，形成各盖体7的顶板部35或将彼此相邻的顶板部35连结的连结部。该连结部形成为板状。在顶板部35和各连结部的交界处形成有切口孔57(图19A)，使连结部相对于顶板部35可以容易地弯曲。另外，与上述同样地进行冲压加工，在各顶板部35上形成开口部35a。
另外，在该盖体准备工序中，将各连结部弯曲成大致U形并形成为向各盖体7的厚度方向突出的弯曲部59。在各弯曲部59的前端部分形成可容易地断裂的断裂部61。如图19B所示，在断裂部61上，在弯曲部59的外面侧通过压力加工或半蚀刻加工形成切口61a为好。也可以在弯曲部59的前端部分实施压力加工而较薄地形成。在该盖体准备工序中，通过压印加工使各顶板部35变形，形成向与上述弯曲部59相同的方向突出的大致环状的突出部39。
与第一制造方法相同，通过芯片配置工序及电连接工序，在基板用板材41上搭载多个半导体芯片，进行电连接。
上述的工序结束后，导电性膏B2印刷在连接焊盘25上，之后，如图20所示，将盖体用板材55重合固定在基板用板材41的表面3a上，以使多个盖体7分别覆盖多个半导体芯片5(重合工序)。
此时，将盖体用板材55的弯曲部59分别插入各基板用板材41的插入孔51。由此，可以同时并容易地将各盖体7相对于多个半导体芯片5定位。另外，此时，使各顶板部35的突出部39与上述导电性膏B2接触。由此，盖体7和屏蔽部件23电连接。
然后，与第一制造方法相同地，如图9所示，将盖体用板材55及基板用板材41倒过来，在基板用板材41的背面3c上载置金属制重物M。该状态下，加热到150℃的状态大约保持一小时，进行导电膏固化，使导电性膏B2固化。由此，盖体用板材55固定在基板用板材41上，完成重合工序。
通过该重合工序的完成，构成一体连结多个半导体装置1的半导体组件65。
然后，与第一制造方法相同地，在各盖体7的表面上印上识别半导体装置1的名称或序列号等识别记号N(参照图1)。接着，利用图10或图11所示的滚筒L进行分割工序。通过该分割工序，在切槽49a、49b及断裂部61将基板用板材41及盖体用板材55剖断，分割成各个半导体装置1。
在通过以上的第二制造方法制造的半导体装置1中，如图1～3所示，在断裂部61将弯曲部59剖断，弯曲部59的一半成为盖体7的侧壁部37。在盖体7的侧壁部37的前端形成断裂面。
通过该半导体装置1的第二制造方法，在基板用板材准备工序及盖体准备工序中，预先形成具有切槽49a、49b或断裂部61的弯曲部59。因此，在分割工序中，使用滚筒L同时弯曲基板用板材41及盖体用板材55就可以容易地断裂切槽49a、49b的残留部或易断裂部61。因此，可以容易地将基板用板材41及盖体用板材55分割成各个陶瓷基板3或盖体7。即，可以容易地一次制造出大量的半导体装置1。
另外，通过该制造方法，在重合工序中，只通过将盖体用板材55的弯曲部59插入到基板用板材41上形成的插入孔51中，就可以同时并容易地使各盖体7相对于多个半导体芯片5定位。因此，可以进一步提高半导体装置1的制造效率。
另外，通过上述半导体组件65，在分割工序之前构成将多个半导体装置1一体固定的一个半导体组件65。通过以半导体组件65的状态进行搬运，与对分割成多个的半导体装置1进行搬运相比，可以简便地搬运多个半导体装置1。
另外，在上述盖体准备工序中，示出了形成在盖体用板体55上的各连结部的形状为平板状的例子，但是不限于此。即，如图21A所示，在冲压加工时，作为连结部也可以形成比其连接根部分宽的中间部91，并且也可以在含有该中间部91的断裂部61的位置形成贯通孔93。
另外，如图21B所示，也可以在各连结部上在其连接根部分与上述中间部91之间形成迂回的迂回部95。另外，例如，如图21C所示，也可以在连结部的连接根部分与中间部91之间形成宽的中途部97，并且在该中途部97上进一步地形成贯通孔99。在这些构成的情况下，通过在连结部上形成贯通孔93、99或迂回部95，可以比压力加工更容易地弯曲连结部而形成弯曲部591～593。
下面，说明图12及13所示的本发明第二实施例的半导体装置101的第二制造方法。
该制造方法中，如图15所示，在该盖体准备工序中，在顶板部35的各角部上形成各盖体107的侧壁部71。成为各盖体7的连结部分的弯曲部59形成在从上述角部离开并独立于侧壁部71的位置上。该构成的情况下，各顶板部35的侧壁部71配置在各陶瓷基板103的角部上，因此可以更容易地将盖体107相对于各陶瓷基板103定位。
在该盖体装置工序中，例如，为了使插入到插入孔51的盖体用板材55的弯曲部59中至少前端部硬且脆，而实施淬火为好。
另外，在盖体准备工序中，如图23所示，可以分别形成顶板部35及弯曲部59，并且利用模具A、B等压接这些顶板部35及弯曲部59而构成盖体用板材55。此时，弯曲部59通过比顶板部35硬且脆的金属材料形成。此时，可以更容易地将断裂部61剖断。
在上述的例子中，示出了在基板用板材41上形成插入孔51，在盖体用板材55上形成大致U形的弯曲部59的例子，但不限于此。只要至少在基板用板材41及盖体用板材55上形成各切槽49a、49b及断裂部61即可。在该构成的情况下，盖体7仅由顶板部35构成，断裂部61的断裂面也形成在顶板部35上。该构成中，在重合工序中，只通过将盖体用板材55重合定位在基板用板材41的表面就可以将多个盖体7同时配置在分别覆盖多个半导体芯片5的位置上。因此，可以实现半导体装置1的制造效率提高并且削减半导体装置1的制造成本。
如上所述，在盖体用板材55上不形成弯曲部59的情况下，如图24A所示，盖体用板材55通过在大致板状的陶瓷板材111的表面111a上形成金属制薄膜113而形成。在制造该构成的盖体用板材55时，如图24B所示，准备将含陶瓷粉末的膏形成片状的印刷电路基板115，接着，通过网格印刷等在印刷电路基板115的表面111a上形成金属制薄膜113。该印刷时，在金属制薄膜113中与基板用板材41的切槽49a、49b对应的位置上形成槽113a，即，在与上述切槽49a、49b对应的位置上通过未形成金属制薄膜113的图案而进行印刷。然后，如图24A所示，在印刷电路基板115的表面111a及背面111b中上述槽113a的形成位置上形成切槽(断裂部)117a、117b，然后，烧结印刷电路基板115而制成陶瓷板材111。
在该构成的情况下，在分割工序中，由切槽117a、117b可以容易地断裂盖体用板材55及陶瓷制基板用板材41。在重合工序中，上述构成的盖体用板材55将盖体用板材55重合固定在基板用板材41上，以使金属制薄膜113与基板用板材41相对。由此，可以将金属制薄膜113与基板用板材41上形成的连结焊盘25电连接。
下面，参照图25～28说明本发明的半导体装置的第三实施例。
如图25所示，该实施例的半导体装置201具有形成为大致板状的陶瓷基板203、在陶瓷基板203的表面203a侧重合配置的半导体芯片5及盖体207。
陶瓷基板203形成为大致矩形的板状，在其侧面203b上形成有从陶瓷基板203的表面203a到达背面203c的多个切口209。在该切口209上，在陶瓷基板203的表面203a侧形成有自其侧面209a进一步凹陷的导入阶梯部10a，在陶瓷基板203的背面3c侧形成有自侧面209a进一步凹陷的卡止阶梯部10b。
其他的构成与第一实施例的半导体装置1相同，相同的要素标注相同的符号，并省略说明。
盖体207具有与第一实施例的盖体7相同的顶板部35。侧壁部38在顶板部35的四边上分别形成一对，分别与陶瓷基板203的侧面203b形成的多个切口209卡合。即，压接在各切口209a的侧面209a上。
一对侧壁部38的各前端部38a卡止在陶瓷基板203的卡止阶梯部10b内。即，各前端部38a插入到卡止阶梯部10b中。
另外，一对侧壁部38的各中途部(卡止部)38b与切口209的侧面209a弹性接触。即，各卡止部38b通过侧壁部38的弹性变形被按压到切口209的卡止阶梯部10b上，并且通过其摩擦力卡止在切口209的侧面209a上。因此，通过这些一对侧壁部38夹持陶瓷基板203。
如上所述，通过侧壁部38与卡止阶梯部10b间进行勾挂以及侧壁部38对陶瓷基板203间的夹持，盖体7固定在陶瓷基板3上。在该图定状态下，顶板部35的突出部39保持在与陶瓷基板203的连接焊盘25抵接的状态。
下面，说明如上构成的第三实施例的半导体装置201的制造方法。
在基板用板材准备工序中，同上述制造方法同样，首先，准备构成陶瓷基板203的各绝缘层27、28、29、30的印刷电路基板。
接着，对各印刷电路基板实施冲压加工，形成成为陶瓷基板3的切口9、导入阶梯部10a以及卡止阶梯部10b、凹部11、孔13及阶梯部15的部分。在该印刷电路基板上，与上述制造方法同样地，形成配线部21或屏蔽部件23的形成所使用的贯通孔43、45、焊盘电极17、外部连接端子19、配线部21、屏蔽部件23以及连接焊盘25。
这多个印刷电路基板层叠而构成印刷电路基板层叠体47。在该状态下，在切口209、导入阶梯部10a以及卡止阶梯部10b的形成部分上形成多个在印刷电路基板层叠体47的厚度方向上贯通的插入孔51。
另外，在该印刷电路层叠体47的表面及背面上形成格子状的切槽49a、49b。最后，通过以1000℃以上烧结该印刷电路基板层叠体47，在焊盘电极17、外部连接端子19及连接焊盘25上进行镀镍及镀金，完成基板用板材的制造。
在盖体准备工序中，与第一实施例的半导体装置的第一制造方法同样地准备板材，多个盖体207的顶板部35同样地形成。参照图26，盖体207形成从顶板部35的各边突出的突起部58。在顶板部35和各突起部58的交界处形成有切口孔57，可以容易地将突起部58相对于顶板部35弯曲。各突起部58弯曲而成为向各盖体297的厚度方向突出的侧壁部38。相对于各盖体207形成的一对侧壁部38，其前端彼此的间隔比夹入陶瓷基板203的一对插入孔51相互的间隔窄。
与第一制造方法相同地在基板用板材41上进行了芯片配置工序及电连接工序后，如图27及28所示，多个盖体207重合固定在基板用板材41的表面203a上而分别覆盖多个半导体芯片5(重合工序)。
在此，各盖体207的侧壁部38分别插入到基板用板材41的插入孔51中。在该插入时，使一对侧壁部38在导入阶梯部10a弹性变形的同时插入插入孔51，各侧壁部38的前端部38a位于卡止阶梯部10b内。此时，各顶板部35的突出部39与陶瓷基板3的连接焊盘25抵接。
如上所述，通过将侧壁部38分别插入到插入孔51，可以容易地将各盖体207相对于多个半导体芯片5定位。通过使侧壁部38的前端部38a位于卡止阶梯部10b，由一对卡止部38b夹入陶瓷基板203，将各盖体207固定在基板用板材41上。进而，由于各顶板部35的突出部39与陶瓷基板3的连接焊盘25抵接，故盖体207与屏蔽部件23电连接。由上所述，完成重合工序。
然后，通过图10或图11所示的滚筒进行分割工序，由切槽49a、49b断裂基板用板材41，将基板用板材41分割成各个半导体装置201。
如上所述，通过该制造方法，在重合工序中，由于上述一对侧壁部38的前端部38a勾挂在卡止阶梯部10b上，卡止部38b夹入各陶瓷基板3，故可以不使用粘合剂就将各盖体207可靠地固定在各陶瓷基板203上。因此，可以谋求半导体装置1的制造作业效率，容易地进行制造时的处理。
另外，只需通过将盖体207的侧壁部38插入到基板用板材41上形成的插入孔51就可以容易地将各盖体207相对于多个半导体芯片205定位。即，在通过各盖体207覆盖各半导体芯片5时，由于各陶瓷基板203被上述侧壁部38夹入，所以可以容易地将顶板部35相对于各陶瓷基板203地位。
另外，也可以在一对侧壁部38的前端部38a上设置插入并卡止在自陶瓷基板203的侧面203b侧凹陷形成的阶梯部上的卡止部。在该构成的情况下，可以防止盖体207自陶瓷基板203脱落，故能够可靠地将盖体207固定在陶瓷基板203上。
陶瓷基板3的屏蔽部件23与盖体207的电连接也可以使屏蔽部件23的一部分从陶瓷基板203的侧面203b侧向外露出，使侧壁部38与该露出部分连接。
即，例如图29所示，在形成陶瓷基板203的背面203c的第一绝缘层27和形成孔13的第二绝缘层28之间形成有与上述实施例相同的卡止阶梯部10c。在第二绝缘层28的背面形成有屏蔽部件23。该屏蔽部件23的一部分自卡止阶梯部10c向外露出而形成端子部65。该端子部65面向与陶瓷基板203的背面203c相同的方向。
一对侧壁部67的前端部(卡止部)67a分别卡合在卡止阶梯部10c上，与端子部65连接。另外，在将盖体207覆盖在陶瓷基板203上后，可以通过按压等使滚筒变形，使上述前端部67a卡合在卡止阶梯部10c上并且按压在端子部65上。
另外，与侧壁部67电连接的端子部65，例如可以从陶瓷基板203的侧面203侧向外方露出。此时，如第三实施例所示，通过使夹入陶瓷基板203的侧壁部38的卡止部38b压接在其端子部上，可以将侧壁部38与屏蔽部件23电连接。
即使在这些构成的情况下，由于盖体207与屏蔽部件23电连接，故盖体207及屏蔽部件23的电位相同。因此，通过这些具有导电性的盖体207及屏蔽部件23，可以防止在半导体装置201的外侧产生的电气噪音侵入到中空空间S2，并且防止其到达半导体芯片5，即，能够可靠地防止基于噪音的半导体芯片5的误操作。
另外，在图29的构成中，屏蔽部件23经由一个焊盘电极17及电线31与半导体芯片5连接，进而，与一个外部连接端子19连接。与安装该半导体装置71的安装基板(无图示)的Vss等电源电压连接。该屏蔽部件23与半导体芯片5及外部连接端子19的电连接的构成也适用于上述其他的实施例。
另外，在陶瓷基板203的切口209上形成有卡止阶梯部10b、10c，但不限于此，只要至少形成用于插入并勾挂在侧壁部38、67上形成的卡止部的阶梯部即可。即，在切口209上，凹部(阶梯部)可以在侧面209a上凹陷地形成。此时，在侧壁38、67的中途部形成有插入上述凹部的卡止部。
另外，在上述第三实施例中，分别形成了多个盖体207，但也可以与第一实施例的半导体装置的第二制造方法同样地，利用以与基板用板材41上形成的凹部11相同的配置将盖体207一体地连结多个而构成的盖体用板材。即，在上述盖体用板材上形成连接彼此相邻的各盖体207的顶板部35的周缘的连结部。在该连结部上优选形成可以容易断裂的断裂部。通过该断裂部，在分割工序中，可以将基板用板材41上形成的切槽49a、49b的残留部和盖体用板材的易变形部同时断裂。
如上所述，在使用盖体用板材制造半导体装置的情况下，在重合工序中，可以同时将各盖体7相对于多个半导体芯片5定位，另外，在分割工序中，由于只要由切槽49a、49b以及断裂部将基板用板材41及盖体用板材同时断裂即可得到多个半导体装置，故可以谋求半导体装置的制造效率的提高，削减半导体装置的制造成本。
另外，在制造半导体装置201时，使用了基板用板材41，但不限于此，可以使盖体207分别重合在预先单个片化的各个陶瓷基板203上。
在该构成的情况下，在将盖体207重合在陶瓷基板203上时，通过利用相对的一对侧壁部38、67夹持陶瓷基板203，或将侧壁部38、67的一部分插入并勾挂在陶瓷基板203的卡止阶梯部10b、10c上，可以将盖体207固定在陶瓷基板203上。
另外，表示了在陶瓷基板203的侧面203b上形成与侧壁部38、67卡合的切口209的例子，但只要至少将侧壁部38、67邻接配置在陶瓷基板203的侧面203b侧即可。特别地，在不利用基板用板材41制造半导体装置201的情况下，即，在将盖体207覆盖在各个陶瓷基板203上的情况下可以不形成上述切口209。
下面，参照附图30说明本发明第四实施例的半导体装置301。与上述本发明的第一实施例的半导体装置相同的要素标注相同的参考符号，并省略了说明。
在本实施例中，与第一实施例的半导体装置相同地，通过基板用板材准备工序形成基板用板材41。
然后，在盖体准备工序中，如图30所示，分别形成多个仅由大致板状的顶板部35构成的盖体307。该盖体307与第一实施例的半导体装置的不同点在于在顶板部35上不形成大致环状的突出部39及侧壁部37。盖体307，例如通过铜镍锌合金(Cu-Ni-Zn合金)、电镀了的铜材、电镀了的42合金(Fe-42质量％Ni合金)等具有导电性的材料形成。作为电镀，可以进行例如镀镍、镀铬、镀金等。
在该构成的情况下，在重合工序中将各盖体307重合固定在基板用板材41的表面3a上，通过盖体307覆盖半导体芯片5。通过该重合工序，由多个盖体307构成分别覆盖多个半导体芯片5的半导体组件302。顶板部35经由导电性膏B2与连接焊盘25相互粘结固定，由此盖体307固定在陶瓷基板3上。另外，盖体307与屏蔽部件23包围半导体芯片5，并且陶瓷基板3的屏蔽部件23与盖体307电连接。
通过相对于该半导体组件302实施由切槽49a、49b断裂基板用板材41的分割工序，得到单个片化的半导体装置301。
即使在如上所述制造半导体装置301的情况下，也可以谋求半导体装置301的制造效率的提高，削减半导体装置301的制造成本。另外，在分割工序之前，多个半导体装置301作为半导体组件302一体形成，所以通过以该半导体组件302的状态进行搬运，可以简便地搬运多个半导体装置301。
另外，如上所述，在盖体准备工序中形成多个单独的盖体307时，不局限于在重合工序后使用滚筒L等实施分割工序，例如也可以在分割工序后实施重合工序。
在以上的第一～第四实施例的半导体装置中，作为半导体芯片5例举了音压传感器芯片(麦克风)，但不局限于此，半导体芯片5，例如也可以是测量半导体装置1的外部空间的压力或压力变化的压力传感器。
以上，参照附图详细叙述了本发明的实施方式，但具体的构成不局限于该实时方式，只要是不脱离本发明的主旨的范围的设计变更都可以。
权利要求
1.一种半导体装置，其特征在于，包括表面具有中空的空洞部的基板；搭载在所述基板的空洞部上的半导体芯片；盖体，所述盖体具有与所述基板相对并覆盖所述空洞部的大致板状的顶板部和从所述顶板部的周缘向所述基板突出并卡合在所述基板的侧面上的至少一对的侧壁部。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述顶板部上形成有沿所述基板的厚度方向贯通并将所述中空的空洞部与外侧连通的开口部。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述基板的侧面形成有在所述基板的厚度方向上延伸的至少一对的切口，所述一对的侧壁部与所述切口卡合。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一对的侧壁部具有卡止在所述基板的卡止部。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述卡止部与所述基板的侧面弹性接触，通过与所述侧面的摩擦力而卡止。
6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，在所述基板的所述侧面上形成有凹陷形成的阶梯部，所述卡止部与所述阶梯部卡合。
7.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述盖体具有导电性，在所述基板上形成有与所述盖体一起包围所述中空的空洞部的导电性的屏蔽部件，所述屏蔽部件的至少一部分具有从所述基板的侧面侧向外露出的端子部，所述卡止部与所述端子部连接。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片为音压传感器。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在沿所述基板厚度方向的所述基板的侧面的至少一部分上，形成有从所述侧面侧向外侧露出的剖断面。
10.一种盖体，其使用在经由中空的空洞部覆盖基板的厚度方向的表面上搭载的半导体芯片而构成的半导体装置上，其特征在于，包括与所述空洞部相对配置的大致板状的顶板部；从所述顶板部的周缘向所述基板突出并与所述基板的侧面卡合的至少一对的侧壁部。
11.如权利要求10所述的盖体，其特征在于，在所述顶板部上形成有沿所述厚度方向贯通并使所述中空的空洞部与外侧连通的开口部。
12.如权利要求10所述的盖体，其特征在于，所述顶板部及所述侧壁部具有导电性，所述侧壁部至少在包围所述半导体芯片的侧方的位置形成有多个。
13.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述顶板部及所述侧壁部具有导电性，所述侧壁部形成在所述顶板部的整个周缘上。
14.一种半导体装置的制造方法，该制造方法制造的半导体装置经由中空的空洞部利用具有导电性的盖体覆盖基板厚度方向的一面上搭载的半导体芯片，其特征在于，具有以下工序基板用板材准备工序，其在基板用板材上形成用于将其划分成各个所述基板的区段基准线，所述基板用板材在所述厚度方向的所述一面上并列配置多个所述半导体芯片；盖体准备工序，其形成分别覆盖在所述基板用板材的一面上配置的所述多个半导体芯片的多个所述盖体；重合工序，其将所述多个的盖体分别与所述基板用板材的所述一面侧重合固定，以使所述多个盖体分别覆盖所述多个的半导体芯片；分割工序，其由所述区段基准线将所述基板用板材剖断开，分割出各个所述半导体装置。
15.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述盖体准备工序包括在所述盖体上形成使所述中空的空洞部与外侧连通的开口部的工序。
16.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述盖体准备工序包括如下的工序，即，以与配置于所述基板用板材的一面上的所述多个半导体芯片相同的配置形成连接所述多个盖体的盖体用板材，并且，在所述盖体用板材的彼此相邻的所述盖体的连接部分形成可剖断的剖断部，所述重合工序包括将所述盖体用板材与所述基板用板材的所述一端面侧重合固定，以使所述多个盖体分别覆盖所述多个半导体芯片的工序，所述分割工序包括在所述基板用板材剖断时也由所述剖断部将所述盖体用板材剖断的工序。
17.如权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述基板用板材准备工序包括在位于彼此相邻的所述基板之间的所述区段基准线的一部分上形成插入孔的工序，所述盖体准备工序包括如下工序，即，在所述盖体用板材中，在插入所述插入孔的彼此相邻的所述盖体的连接部分形成大致U形地弯曲并向所述盖体厚度方向突出的弯曲部，并且，在所述弯曲部的前端部分形成所述剖断部，所述重合工序包括将所述弯曲部插入所述插入孔的工序。
18.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述基板用板材准备工序包括在位于彼此相邻的所述基板之间的所述区段基准线的一部分上形成插入孔的工序，所述盖体准备工序包括在所述盖体上形成向其厚度方向突出的侧壁部的工序，所述重合工序包括将所述侧壁部插入所述插入孔的工序。
19.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述分割工序包括将所述基板用板材的所述一面侧按压在大致形成圆柱状的滚筒的周面上的工序。
20.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述基板用准备工序包括在所述基板用板材中的所述基板的构成部分形成导电性屏蔽部件的工序，该屏蔽部件与所述盖体一同包围分别配置有所述多个半导体芯片的所述中空的空洞部，所述重合工序包括将所述盖体和所述屏蔽部件电连接的工序。
21.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述基板用板材准备工序包括多层层叠印刷电路基板的工序，该印刷电路基板通过将含有陶瓷粉末的糊料形成薄板状并在表面上形成印刷电路而构成；在所述印刷电路基板层叠体上形成所述切槽的工序；通过烧制所述印刷电路基板层叠体而形成所述基板用板材的工序。
22.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述基板用板材准备工序包括在所述区段基准线中在各基板的边上的划分位置上形成插入孔的工序，所述盖体准备工序包括在所述各盖体上彼此相对地形成向其厚度方向突出的一对侧壁部的工序，所述重合工序包括将所述侧壁部插入所述插入孔，使所述一对的侧壁部的各一部分与各基板卡止的工序。
23.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述基板用板材准备工序包括在所述区段基准线上形成切槽的工序，所述分割工序包括由所述切槽剖断所述基板用板材的工序。
24.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体芯片为音压传感器。
25.一种半导体单元，其用于制造半导体装置，该半导体装置经由中空的空洞部利用具有导电性的盖体覆盖基板的厚度方向的一面上搭载的半导体芯片而构成，其特征在于，具有在所述厚度方向的一面上并列地配置有多个所述半导体芯片的基板用板材、以及重合固定在所述基板用板材的一面侧并分别覆盖所述多个半导体芯片的多个所述盖体，在所述基板用板材上形成有用于将所述基板用板材划分成各个所述基板的切槽。
全文摘要
一种半导体装置，其具有表面具有中空的空洞部的基板、搭载在所述基板的空洞部中的半导体芯片、具有与所述基板相对且覆盖所述空洞部的大致板状的顶板部和从所述顶板部的周缘向所述基板突出并卡合在所述基板的侧面上的至少一对侧壁部的盖体，基板和盖体准确地定位。
文档编号H01L21/70GK1983572SQ20061015313
公开日2007年6月20日 申请日期2006年12月5日 优先权日2005年12月6日
发明者齐藤博, 铃木利尚, 榊原慎吾 申请人:雅马哈株式会社