专利名称：一种高出光率的led封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及LED，特别是涉及一种具有高出光率的LED封装结构。
背景技术：
LED从二十世纪六十年代研制出来并逐步走向市场化，其封装技术也在不断 改进和发展，由最早用玻璃管封装发展至支架式环氧封装和表面贴装式封装， 使得小功率LED获得广泛的应用。目前单芯片1W、 3W、 5W甚至更高功率LED已 产业化并推向市场，这使得超高亮度LED的应用面不断扩大，由特种照明的市场 领域，逐步向普通照明市场迈进，但是LED要在照明领域发展,关键要将其发光 效率、光通量提高到现有照明光源的水平。除了目前在芯片上所做的提高取光 效率、降低热阻等各种努力来提高器件的光电转换效率，从而获得较高的光通 量外，器件的封装技术也是举足轻重的。影响LED被广泛应用于照明领域的解 决方法主要有提高整体封装的出光效率，降低整体热阻来提高产品的可靠性等。
目前LED的封装的主要结构有直插、贴片、表面灌注、侧发光、模组等； 以及在后续应用中所需要添加二次光学设计、防水要求等，都面临着出光效率 的问题，因为LED芯片被封装在环氧树脂(或硅胶等其他材料等)中，这些材 料的折射率在1. 3-1. 6之间，空气的折射率约为1，芯片发出的光线从高折射率 的材料入射到低折射率的空气(或其他二次光学设计，然后入射到空气)中， 都将会有全反射的现象发生。如图3所示，其包括一 LED芯片la和一LED封装 体，将LED简化为点光源，当光线从折射率大的环氧树脂介质22a中射到封装 体的表面21a再射入折射率小的空气介质中时，将有一部分光被全反射，其全
反射角为0，当超过全反射角e的出射光线将会被反射到产品内部，或经过多 次反射后再射出，或被吸收，这样形成一部分光的损耗，从而影响到产品的出 光效率，因此整体的产品出光效率较低，不利于普通照明的使用。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有LED封装结构出光率低的问 题，提供一种出光率高的LED封装结构。
为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是 一种LED的封装结构， 其包括一 LED封装体及一设置于LED封装体内的LED芯片，所述的封装体表面 形成有至少一凹陷部或至少一凸出部。
更具体地，所述凹陷部及凸出呈锥状或棱柱状。
更具体地，所述的凹陷部的顶部及凸出部的底部是由至少三条边围成的多 边形或圆形。
更具体地，所述的凹陷部或凸出部与封装体一体形成。 更具体地，所述的凹陷部或凸出部是通过刻蚀或激光处理在封装体的表面。 与现有技术相比较，本实用新型具有以下有益效果本实用新型提供一种 在LED封装体的表面设置凹陷部或凸出部使封体表面粗化，当光线通过封装体 内部的环氧树脂介质到达封装体表面时，凹陷部或凸出部给正常超过全反射角 的光线提供直接出射的机会，这样可以降低光线在封装体内的环氧树脂介质中 的反射的次数，也减少了被吸收的可能，因而可以提高产品的整体出光效率， 在正常的SMD LED的模具上进行处理后，其出光会比正常封装高15%左右。
图1为本实用新型LED封装结构第一实施例的结构示意图； 图2是本实用新型LED封装结构第一实施例中芯片光线射出示意图； 图3为本实用新型LED封装结构第二实施例的结构示意图； 图4是本实用新型LED封装结构第二实施例中芯片光线射出示意图； 图5为现有技术中LED封装结构中芯片光线射出示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型涉及一种高出光率的LED封装结构，其包括一封 装体2及一设置于LED封装体2内的LED芯片1 ，所述的封装体2表面21形成 有若干凸出部3，每一凸出部3呈锥状，在本实施例中，每一凸出部3的底部是 由至少三条边围成的多边形。
如图2所示，将LED简化为点光源，当光线从折射率大的环氧树脂介质22 中射到LED封装体2的表面21再射入折射率小的空气介质中时，将有一部分光 被全反射，其全反射角为e，但是，当一部分光射入到封装体2的表面21设置
的凸出部3时，入射角为ei，反射角ei小于正常全反射角e，光线就会直
接折射到空气介质中，这样可以降低光线在封装体内的环氧树脂介质22中反射
的次数，也减少了被吸收的可能，因而可以提高产品的整体出光效率，在正常
的表面贴装元件(SMD) LED的模具上进行处理后，其出光率会比正常封装高
15%左右。
请参阅图3，是本实用新型的第二实施例，其与第一实施例的不同之处在于， 本实施中封装体表面21形成有若干凹陷部4，每一凹陷部4呈锥状，在本实施 例中，凹陷部4的顶部是由至少三条边围成的多边形。如图4所示，当一部分 光射入到封装体2的表面21设置的凹陷部4时，其入射角为8 2，入射角9 2 小于全反射角e，光线就会直接折射到空气介质中，这样同样可以降低光线在 封装体内的环氧树脂介质22中反射的次数，也减少了被吸收的可能，因而可以 提高产品的整体出光效率。
可以理解，作为本实用新型的其他实施方式，还可同时于封装体2表面21 形成若干凸出部3及凹陷部4。上述各实施例中的凸出部3及凹陷部4可通过封 装模具与封装体2的表面21 —体形成，也可以将成品通过再处理方式形成。
本实用新型所述的在技术方案还可用于其它LED下游产品的表面处理来达 到出光率高的效果。
权利要求1、一种LED的封装结构，其包括一LED封装体及一设置于LED封装体内的LED芯片，其特征在于所述的封装体表面形成有至少一凹陷部或至少一凸出部。
2 、如权利要求1所述的LED的封装结构，其特征在于所述凹陷部及凸 出呈锥状或棱柱状。
3 、根据权利要求2所述的LED的封装结构，其特征在于所述的凹陷部 及凸出部为多面体，所述凹陷部的顶部及凸出部的底部是由至少三条边围成的 多边形或圆形。
4、根据权利要求l、 2或3所述的LED的封装结构，其特征在于所述 的凹陷部或凸出部与封装体一体形成。
5 、根据权利要求3所述的LED的封装结构，其特征在于所述的凹多面 体或凸多面体是通过刻蚀或激光处理在封装体的表面。
专利摘要本实用新型涉及一种LED的封装结构，其包括一LED封装体及一设置于LED封装体内的LED芯片，所述的封装体表面形成有至少一凹陷部或至少一凸出部而使封装体表面达到粗化的效果，其给正常超过全反射角的光线直接出射的机会，这样可以降低光线在封装体内的环氧树脂介质中的反射的次数，也减少了被吸收的可能，因而可以提高产品的整体出光效率，在正常的SMD LED的模具上进行处理后，其出光会比正常封装高15％左右。
文档编号H01L23/28GK201004466SQ200620015489
公开日2008年1月9日 申请日期2006年10月27日 优先权日2006年10月27日
发明者胡建华, 龚伟斌 申请人:深圳市瑞丰光电子有限公司