双蒽衍生物以及使用其的有机电致发光元件的制作方法

专利名称：：双蒽衍生物以及使用其的有机电致发光元件的制作方法
技术领域：
：本发明涉及双蒽衍生物以及使用该衍生物的有机电致发光(EL)元件，更为详细地说，是涉及即便在高亮度区域发光效率也高、寿命长的有机EL元件以及实现该有机电致发光元件的双蒽衍生物。
背景技术：
：有机EL元件是通过施加电场，借助从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子的复合能量，荧光性物质发光的原理的自发光元件。自依斯特曼柯达公司的C.W.Tang等报告了基于层叠型元件的低电压驱动有机EL元件(C.W,Tang，S.A.Vanslyke，AppliedPhysicsLetters,51巻，913页，1987年等)以来，对于有关将有机材料作为构成材料的有机EL元件的研究正在不断兴起。Tang等将三(8—羟基喹啉铝)用于发光层，将三苯二胺衍生物用于空穴输送层。作为层叠结构的优点，可以举出能提高空穴向发光层中的注入效率；阻挡由阴极注入的电子而使由复合生成的激子的生成效率提高；以及封入发光层内生成的激子等。正如本例所示，作为有机EL元件的元件结构，公知的有空穴输送(注入)层和电子输送发光层的两层型，或者空穴输送(注入)层、发光层和电子输送(注入)层的三层型等。这种层叠型构造的元件中由于能够提高被注入空穴与电子的复合效率，所以人们对元件结构和形成方法进行了详细研究。作为有机EL元件的发光材料，已知有三(8-羟基喹啉)铝配位化合物等螯合物、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、瞎二唑衍生物等发光材料，根据报导用这些物质可以获得从蓝色至红色的可见光区域的发光，可以期待实现彩色显示(例如参见专利文献1、专利文献2、专利文献3等)。另外，近年来，在专利文献47中公开有使用双蒽衍生物作为发光材料。这样的双蒽衍生物被用作蓝色发光材料，但存在元件寿命不够的问题，进而还存在发光效率在高亮度区域降低的问题。特别是在有源矩阵驱动元件中，为了在高亮度区域进行驱动，寻求长寿命化和在高亮度区域的效率提高。专利文献l:特开平8—239655号公报专利文献2:特开平7—138561号公报专利文献3:特开平3—200289号公报专利文献4:特开平8—12600号公报专利文献5:特开2000—344691号公报专利文献6:特开2004—2351号公报专利文献7:特幵2005—15420号公报
发明内容本发明正是为了解决上述问题的发明，其目的在于，提供即便在高亮度区域发光效率也高且寿命长的有机EL元件以及实现该有机EL元件的双蒽衍生物。本发明人等为了实现上述目的进行潜心研究，结果发现，利用用下述通式(1)表示的特定结构的双蒽衍生物作为有机EL元件中的有机薄膜层的材料，可以得到即便在高亮度区域发光效率也高且寿命长的有机EL元件，以致于完成了本发明。艮口，本发明提供用下述通式(1)表示的双蒽衍生物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>(1)(式中，A—和A相互独立，是取代或未取代的环碳原子数为650的芳香族烃基，Ar3是取代或未取代的亚苯基、亚萘基、亚窟基、亚联苯基或亚芴基。R11118相互独立，是氢原子、取代或未取代的环碳原子数为650的芳香族烃基、取代或未取代的环原子数为550的芳香族杂环基、取代或未取代的碳原子数为150的烷基、取代或未取代的环碳原子数为350的环垸基、取代或未取代的碳原子数为150的垸氧基、取代或未取代的环碳原子数为550且碳原子数为650的芳垸基、取代或未取代的环碳原子数为550的芳氧基、取代或未取代的环碳原子数为550的芳硫基、取代或未取代的碳原子数为150的垸氧基羰基、取代或未取代的甲硅烷基、羧基、卤原子、氰基、硝基或羟基。m和n分别是04的整数，当m和n分别为多个时，R"和R"可以分别相同，也可以不同，可以相互连结形成环状结构。q为l3的整数，p为02的整数。)另外，本发明提供一种有机EL元件，其是在阴极和阳极之间夹持有至少含有发光层的由一层或多层形成的有机薄膜层的有机EL元件，上述有机薄膜层单独或者作为混合物的成分含有从上述双蒽衍生物中选择的至少一种。含有本发明的双蒽衍生物的有机EL元件，即便在高亮度区域发光效率也高且具有长寿命。具体实施方式本发明的双蒽衍生物，是用下述通式(1)表示的化合物。[化2](1)在通式(1)中，A—和A一相互独立，是取代或未取代的环碳原子数为650的芳香族烃基。作为A一和A^的芳香族烃基，可以举出苯基、l一萘基、2—萘基、1一蒽基、2—蒽基、9—蒽基、9一(10—苯基)蒽基、9—(10—萘基一1一基)蒽基、9一(10—萘基一2—基)蒽基、1_菲基、2_菲基、3_菲基、4一菲基、9一菲基、6—窟基、l一并四苯基、2—并四苯基、9一并四苯基、1—芘基、2—芘基、4一芘基、2—联苯基、3—联苯基、4一联苯基、对联三苯一4一基、对联三苯一3—基、对联三苯一2—基、间联三苯一4一基、间联三苯一3—基、间联三苯一2—基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、对叔丁基苯基、3—甲基一2—萘基、4一甲基一1一萘基、4一甲基一1一蒽基等。其中，优选苯基、l一萘基、2—萘基、9一(IO—苯基)蒽基、9一(10一萘—1_基)蒽基、9一(10—萘一2—基)蒽基、9一菲基、l一芘基、2一芘基、4一芘基、2—联苯基、3—联苯基、4一联苯基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、对叔丁基苯基等。在通式(1)中，A—是取代或未取代的亚苯基、亚萘基、亚窟基、亚联苯基、亚芴基。优选取代或未取代的间亚苯基、亚萘基。另夕卜，作为上述A—A一的取代基，例如可以举出烷基(甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羟甲基、l一羟乙基、2—羟乙基、2—羟基异丁基、1，2一二羟基乙基、1，3—二羟基异丙基、2，3—二羟基叔丁基、1，2，3—三羟基丙基、氯甲基、l一氯乙基、2—氯乙基、2—氯异丁基、1，2—二氯乙基、1，3—二氯异丙基、2，3—二氯叔丁基、1，2，3—三氯丙基、溴甲基、l一溴乙基、2—溴乙基、2—溴异丁基、1，2—二溴乙基、1，3一二溴异丙基、2，3—二溴叔丁基、1，2，3—三溴丙基、碘甲基、l一碘乙基、2—碘乙基、2—碘异丁基、1，2—二碘乙基、1，3—二碘异丙基、2，3—二碘叔丁基、1，2,3—三碘丙基、氨基甲基、l一氨基乙基、2—氨基乙基、2—氨基异丁基、1，2—二氨基乙基、1，3—二氨基异丙基、2，3—二氨基叔丁基、1，2，3—三氨基丙基、氰基甲基、l一氰基乙基、2—氰基乙基、2—氰基异丁基、1，2—二氰基乙基、1，3—二氰基异丙基、2，3—二氰基叔丁基、1，2，3—三氰基丙基、硝基甲基、1一硝基乙基、2—硝基乙基、2—硝基异丁基、1，2—二硝基乙基、1，3—二硝基异丙基、2，3—二硝基叔丁基、1，2，3—三硝基丙基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4一甲基环己基、l一金刚垸基、2—金刚烷基、l一降冰片基、2—降冰片基等)、碳原子数为16的烷氧基(乙氧基、甲氧基、异丙氧基、正丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环戊氧基、环己氧基等)、环原子数为540的芳基、被环原子数为540的芳基取代的氨基、具有环原子数为540的芳基的酯基、具有碳原子数为16的烷基的酯基、氰基、硝基、卤素原子等。在通式(1)中，R'R"相互独立，是氢原子、取代或未取代的环碳原子数为650的芳香族烃基、取代或未取代的环原子数为550的芳香族杂环基、取代或未取代的碳原子数为150的烷基、取代或未取代的环碳原子数为350的环垸基、取代或未取代的碳原子数为150的垸氧基、取代或未取代的碳原子数为650的芳垸基、取代或未取代的环碳原子数为550的芳氧基、取代或未取代的环碳原子数为550的芳硫基、取代或未取代的碳原子数为150的烷氧基羰基、取代或未取代的甲硅烷基、羧基、卤原子、氰基、硝基或羟基。作为WR"的取代或未取代的芳香族烃基的例子，可以举出苯基、1一萘基、2_萘基、l一蒽基、2—蒽基、9一蒽基、l一菲基、2—菲基、3一菲基、4一菲基、9一菲基、l一并四苯基、2—并四苯基、9一并四苯基、l一芘基、2_芘基、4一芘基、2—联苯基、3—联苯基、4一联苯基、对联三苯—4一基、对联三苯一3—基、对联三苯一2—基、间联三苯一4一基、间联三苯一3—基、间联三苯一2—基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、对叔丁基苯基、对(2—苯基丙基)苯基、3—甲基一2—萘基、4一甲基一1—萘基、4一甲基一1一蒽基、4'一甲基联苯基、4"一叔丁基一对三联苯—4一基等。作为R'R18的取代或未取代的芳香族杂环基的例子，可以举出1_吡咯基、2—吡咯基、3—吡咯基、吡嗪基、2—吡嗪基、3—吡嗪基、4一吡嗪基、l一吲哚基、2—吲哚基、3—吲哚基、4一吲哚基、5—吲哚基、6一吲哚基、7—吲哚基、l一异吲哚基、2—异吲哚基、3—异吲哚基、4_异吲哚基、5—异吲哚基、6—异吲哚基、7—异吲哚基、2—呋喃基、3_呋喃基、2—苯并呋喃基、3—苯并呋喃基、4一苯并呋喃基、5—苯并呋喃基、6—苯并呋喃基、7—苯并呋喃基、l一异苯并呋喃基、3—异苯并呋喃基、4一异苯并呋喃基、5—异苯并呋喃基、6—异苯并呋喃基、7—异苯并呋喃基、喹啉基、3—喹啉基、4一喹啉基、5—喹啉基、6—喹啉基、7—喹啉基、8—喹啉基、l一异喹啉基、3—异喹啉基、4一异喹啉基、5—异喹啉基、6—异喹啉基、7—异喹啉基、8—异喹啉基、2—喹喔啉基、5—喹喔啉基、6—喹喔啉基、l一咔唑基、2—咔唑基、3—咔唑基、4_咔唑基、9一咔唑基、l一菲啶基、2—菲啶基、3—菲啶基、4一菲啶基、6—菲啶基、7—菲啶基、8—菲啶基、9一菲啶基、IO—菲啶基、l一吖啶基、2一吖啶基、3—吖啶基、4一吖啶基、9一吖啶基、1，7—菲咯啉一2—基、1，7—菲咯啉一3—基、1，7—菲咯啉—4一基、1，7—菲咯啉一5—基、1，7—菲咯啉一6—基、1，7—菲咯啉一8—基、1，7—菲咯啉—9一基、1，7一菲咯啉一10—基、1，8—菲咯啉一2—基、1，8—菲咯啉一3—基、1，8—菲咯啉一4一基、1，8—菲咯啉一5—基、1，8—菲咯啉一6—基、1，8—菲咯啉一7—基、1，8—菲咯啉一9一基、1，8—菲咯啉一10—基、1，9—菲咯啉_2—基、1，9一菲咯啉一3—基、1，9—菲咯啉一4一基、1，9一菲咯啉一5—基、1，9一菲咯啉一6—基、1，9一菲咯啉一7—基、1，9一菲咯啉一8—基、1，9一菲咯啉一10—基、1，10—菲咯啉一2—基、1，10—菲咯啉一3—基、1，10—菲咯啉一4一基、1，10—菲咯啉一5—基、2，9一菲咯啉一1一基、2，9一菲咯啉一3—基、2，9一菲咯啉一4一基、2，9一菲咯啉一5—基、2，9一菲咯啉一6—基、2，9一菲咯啉一7—基、2，9一菲咯啉一8—基、2，9一菲咯啉一10—基、2，8—菲咯啉一1一基、2，8一菲咯啉一3—基、2，8—菲咯啉一4一基、2，8—菲咯啉一5—基、2，8一菲咯啉一6—基、2，8—菲咯啉一7—基、2，8—菲咯啉一9一基、2，8一菲咯啉一10—基、2，7—菲咯啉一l一基、2，7—菲咯啉一3—基、2，7—菲咯啉一4一基、2，7—菲咯啉一5—基、2，7—菲咯啉一6—基、2，7一菲咯啉一8—基、2，7—菲咯啉一9一基、2，7—菲咯啉一10—基、l一吩嗪基、2—吩嗪基、l一吩噻嗪基、2—吩噻嗪基、3—吩噻嗪基、4—吩噻嗪基、IO—吩噻嗪基、l一吩噁嗪基、2—吩隨嗪基、3—吩聰、嗪基、4一吩嗯嗪基、10—吩瞎、嗪基、2—聰唑基、4—嗯唑基、5—瞎、唑基、2—卩恶二唑基、5—隨二唑基、3—呋咱基、2—噻嗯基、3—噻嗯基、2—甲基吡咯一1一基、2—甲基吡咯一3—基、2—甲基吡咯一4一基、2—甲基吡咯一5—基、3—甲基吡咯一l一基、3—甲基吡咯一2—基、3—甲基吡咯一4一基、3—甲基吡咯一5_基、2—叔丁基吡咯一4一基、3—(2—苯基丙基)吡咯一1_基、2—甲基一1一吲哚基、4一甲基一1一吲哚基、2—甲基一3—吲哚基、4一甲基一3—吲哚基、2—叔丁基一1一吲哚基、4—叔丁基一l一吲哚基、2—叔丁基一3—吲哚基、4一叔丁基一3—吲哚基等。作为RiR"的取代或未取代的垸基的例子，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羟甲基、l一羟乙基、2—羟乙基、2—羟基异丁基、1，2一二羟基乙基、1，3—二羟基异丙基、2，3—二羟基叔丁基、1，2，3—三羟基丙基、氯甲基、l一氯乙基、2—氯乙基、2—氯异丁基、1，2—二氯乙基、1，3—二氯异丙基、2，3—二氯叔丁基、1，2，3—三氯丙基、溴甲基、l一溴乙基、2—溴乙基、2—溴异丁基、1，2_二溴乙基、1，3一二溴异丙基、2，3—二溴叔丁基、1，2，3—三溴丙基、碘甲基、l一碘乙基、2—碘乙基、2—碘异丁基、1，2—二碘乙基、1，3—二碘异丙基、2，3—二碘叔丁基、1，2，3—三碘丙基、氨基甲基、l一氨基乙基、2—氨基乙基、2—氨基异丁基、1，2—二氨基乙基、1，3—二氨基异丙基、2，3—二氨基叔丁基、1，2，3—三氨基丙基、氰基甲基、l一氰基乙基、2_氰基乙基、2—氰基异丁基、1，2—二氰基乙基、1，3—二氰基异丙基、2，3—二氰基叔丁基、1，2，3—三氰基丙基、硝基甲基、l一硝基乙基、2—硝基乙基、2—硝基异丁基、1，2—二硝基乙基、1，3—二硝基异丙基、2，3—二硝基叔丁基、1，2，3—三硝基丙基等。作为WR"的取代或未取代的环垸基的例子，可以举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4一甲基环己基、l一金刚烷基、2—金刚垸基、1一降冰片基、2—降冰片基等。R"R"的取代或未取代的烷氧基是用一OY表示的基团，作为Y的例子，可以举出与上述烷基相同的例子。作为R'R"的取代或未取代的芳垸基的例子，例如可以举出苄基、1一苯基乙基、2—苯基乙基、l一苯基异丙基、2—苯基异丙基、苯基一叔丁基、a—萘基甲基、l一a—萘基乙基、2—a—萘基乙基、l一d—萘基异丙基、2—a—萘基异丙基、e—萘基甲基、l一e—萘基乙基、2_e—萘基乙基、1一P—萘基异丙基、2—e—萘基异丙基、1—吡咯基甲基、2—(l一吡咯基)乙基、对一甲基苄基、间一甲基苄基、邻一甲基苄基、对一氯苄基、间一氯苄基、邻一氯苄基、对一溴苄基、间一溴苄基、邻一溴苄基、对一碘苄基、间一碘苄基、邻一碘苄基、对一羟基苄基、间一羟基节基、邻一羟基节基、对一氨基苄基、间一氨基苄基、邻一氨基苄基、对一硝基苄基、间一硝基苄基、邻一硝基苄基、对一氰基苄基、间一氰基节基、邻一氰基苄基、l一羟基一2—苯基异丙基、l一氯一2—苯基异丙基等。作为R'R"的取代或未取代的芳氧基的例子，用一OY'表示，作为Y，的例子，可以举出苯基、l一萘基、2—萘基、l一蒽基、2_蒽基、9_蒽基、l一菲基、2—菲基、3—菲基、4一菲基、9一菲基、l一并四苯基、2—并四苯基、9一并四苯基、l一芘基、2—芘基、4一芘基、2—联苯基、3—联苯基、4一联苯基、对联三苯一4一基、对联三苯一3—基、对联三苯一2—基、间联三苯一4一基、间联三苯一3—基、间联三苯一2—基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、对叔丁基苯基、对一(2—苯基丙基)苯基、3—甲基一2—萘基、4一甲基一1一萘基、4一甲基一1一蒽基、4，一甲基联苯基、4，，一叔丁基一对联三苯一4一基、2—吡咯基、3—吡咯基、吡嗪基、2—吡啶基、3—吡啶基、4一吡啶基、2—吲哚基、3—吲哚基、4一吲哚基、5—吲哚基、6—吲哚基、7—吲哚基、l一异吲哚基、3—异吲哚基、4一异吲哚基、5—异吲哚基、6—异吲哚基、7—异吲哚基、2—呋喃基、3—呋喃基、2—苯并呋喃基、3—苯并呋喃基、4一苯并呋喃基、5—苯并呋喃基、6—苯并呋喃基、7—苯并呋喃基、l一异苯并呋喃基、3—异苯并呋喃基、4一异苯并呋喃基、5—异苯并呋喃基、6—异苯并呋喃基、7一异苯并呋喃基、2—喹啉基、3—喹啉基、4一喹啉基、5—喹啉基、6—喹啉基、7—喹啉基、8—喹啉基、l一异喹啉基、3—异喹啉基、4一异喹啉基、5—异喹啉基、6—异喹啉基、7—异喹啉基、8—异喹啉基、2—喹喔啉基、5—喹喔啉基、6—喹喔啉基、l一咔唑基、2—咔唑基、3—咔唑基、4一咔唑基、l一菲啶基、2—菲啶基、3—菲啶基、4一菲啶基、6_菲啶基、7—菲啶基、8—菲啶基、9一菲啶基、IO—菲啶基、l一吖啶基、2一吖啶基、3—吖啶基、4一吖啶基、9—吖啶基、1，7—菲咯啉一2—基、1，7—菲咯啉一3—基、1，7—菲咯啉一4一基、1，7—菲咯啉一5—基、1，7—菲咯啉一6—基、1，7—菲咯啉一8—基、1，7—菲咯啉一9一基、1，7一菲咯啉一10—基、1，8—菲咯啉一2—基、1，8—菲咯啉一3—基、1，8一菲咯啉—4一基、1，8—菲咯啉一5—基、1，8—菲咯啉一6—基、1，8一菲咯啉一7—基、1，8—菲咯啉一9一基、1，8—菲咯啉一10—基、1，9一菲咯啉一2—基、1，9一菲咯啉一3—基、1，9一菲咯啉一4—基、1,9一菲咯啉一5—基、1，9一菲咯啉一6—基、1，9一菲咯啉一7—基、1,9一菲咯啉一8—基、1，9一菲咯啉一10—基、1，10—菲咯啉一2—基、1，10—菲咯啉一3—基、1，10—菲咯啉一4一基、1，10—菲咯啉一5—基、2，9—菲咯啉一l一基、2，9一菲咯啉一3—基、2，9一菲咯啉一4一基、2，9一菲咯啉一5—基、2，9一菲咯啉一6—基、2，9一菲咯啉—7—基、2，9一菲咯啉一8—基、2，9一菲咯啉一10—基、2，8—菲咯啉一l一基、2，8一菲咯啉一3—基、2，8—菲咯啉一4一基、2，8—菲咯啉一5—基、2，8一菲咯啉一6—基、2，8—菲咯啉一7—基、2，8—菲咯啉一9一基、2，8一菲咯啉一10—基、2，7—菲咯啉一1一基、2，7—菲咯啉一3—基、2，7一菲咯啉一4一基、2，7—菲咯啉一5—基、2，7—菲咯啉一6—基、2，7一菲咯啉一8—基、2，7—菲咯啉一9一基、2，7—菲咯啉一10—基、1—吩嗪基、2—吩嗪基、l一吩噻嗪基、2—吩噻嗪基、3—吩噻嗪基、4一吩噻嗪基、l一吩瞎嗪基、2—吩瞎嗪基、3—吩瞎嗪基、4一吩瞎嗪基、2—嗯唑基、4一瞎唑基、5—螺唑基、2—螺二唑基、5—瞎、二唑基、3—呋咱基、2—噻嗯基、3—噻嗯基、2—甲基吡咯一1一基、2—甲基吡咯一3_基、2一甲基吡咯一4一基、2—甲基吡咯一5—基、3—甲基吡咯一1一基、3—甲基吡咯一2—基、3—甲基吡咯一4一基、3—甲基吡咯一5—基、2—叔丁基吡咯一4一基、3—(2—苯基丙基)吡咯一1一基、2—甲基一1一吲哚基、4一甲基一1一B引哚基、2—甲基一3—吲哚基、4—甲基一3—吲哚基、2—叔丁基一l一吲哚基、4一叔丁基一1一吲哚基、2—叔丁基一3—吲哚基、4—叔丁基一3—吲哚基等。作为RiR"的取代或未取代的芳硫基的例子，用一SY'表示，作为Y'的例子，可以举出与上述芳氧基的Y'相同的例子。作为WR"的取代或未取代的烷氧基羰基，用一COOZ表示，作为Z的例子，可以举出与上述垸基相同的例子。作为R)R"的取代或未取代的甲硅烷基，例如可以举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅垸基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅垸基等。作为R'R"的卤原子，可以举出氟、氯、溴、碘等。另外，作为上述WR"的取代基，可以举出与上述Ar"Ar3的取代基相同的例子。在通式(1)中，m和n分别表示04的整数，优选02。另外，在m和n分别为多个时，1117和R"可以分别相同，也可以不同，可以相互结合形成为环状结构。作为该环状结构，例如可以举出环丁烷、环戊垸、环己烷、金刚垸、降冰片院等碳原子数为412的环垸烃，环丁烯、环戊烯、环己烯、环庚烯、环辛烯等碳原子数为412的环烯烃，环己二烯、环庚二烯、环辛二烯等碳原子数为612的环二烯，苯、萘、菲、蒽、芘、窟、苊烯等碳原子数为650的芳香族环，咪唑、吡咯、呋喃、噻吩、吡啶等碳原子数为550的杂环等。在通式(1)中，q为13的整数，优选为12。另外，p为02的整数，优选为01。另外，在通式(1)中，特别优选(i)q为l且A一为亚苯基、(ii)q为1且p为0或1且Ar3为亚苯基、(iii)q为1且Ar3为亚萘基的双蒽衍生物。其中，特别优选A一为间亚苯基或亚萘基。本发明的用通式(1)表示的双蒽衍生物的具体例子如下所示，但并不限于这些例示化合物。[化3]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>接着，对本发明的双蒽衍生物的制造方法进行说明。本发明的双蒽衍生物例如可以用以下的合成流程来制造。其中，在下述流程中，Ar1、Ar2、Ar3、r'r18、m、n、p禾Qq分别与上述相同，^和^分别为卤原子，rwr^相互独立，是羟基、或可以具有取代基的垸氧基，1119尺24可以是相邻的基团进行结合。Tf是三氟甲垸磺酰基，Ts是对甲苯磺酰基。[化7]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>是A—学Ar2(A—和A一不同)的双蒽衍生物，通过使用具有2点以上的不同反应性的反应点的卤素化合物进行阶段性合成，由此可以容易地得到高纯度的化合物。中间体A可以进行离析，也可以不进行离析，但通过在中间体的阶段临时进行离析精制，可以更容易地除去杂质。另外，中间体A还可以通过使由卤化蒽衍生物衍生的格利雅化合物与卤化芳基triflate或卤化芳基甲苯磺酸酯等具有2点以上的反应性不同的反应点的卤化物发生反应而得到。Ar'二Ar2(Ar'和A—相同)的双蒽衍生物也可以通过上述的阶段性方法得到，但相对于二卤化物，通过以One—Pot使2个当量以上的蒽硼酸衍生物发生反应，能够以更短的工序获得。铃木偶合反应存在于迄今为止的大量报告(Chem.Rev.，Vol.95，No，7,2457(1995)等)，可以在它们所述的反应条件下实施。反应通常在常压下、氮、氩、氦等惰性气氛下实施，但根据需要也可以在加压条件下实施。反应温度为1530(TC的范围，但特别优选为30200°C。作为反应溶剂，可以单独或混合使用水，苯、甲苯、二甲苯等芳香族烃类，1，2—二甲氧基乙垸、二乙基醚、甲基一叔丁基醚、四氢呋喃、二噁烷等醚类，戊垸、己烷、庚垸、辛烷、环己烷等饱和烃类，二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、1，2—二氯乙垸、1，1，l一三氯乙垸等卤类，乙腈、苄腈等腈类，醋酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸丁酯等酯类，N，N—二甲基甲酰胺、N，N—二乙基乙酰胺、N—甲基吡咯垸酮等酰胺类等。其中，优选甲苯、1，2—二甲氧基乙烷、二噁烷、水。溶剂的使用量相对于芳基硼酸及其衍生物通常为350倍，优选为420倍。用于反应的碱，有碳酸钠、碳酸钾、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸氢钠、碳酸氢钾、碳酸镁、碳酸锂、氟化钾、氟化铯、氯化铯、溴化铯、碳酸铯、磷酸钾、甲氧基钠、叔丁氧基钾、叔丁氧基钠、叔丁氧基锂等。其中，优选碳酸钠。这些碱的使用量相对于芳基硼酸及其衍生物通常为0.710摩尔当量，优选0.96摩尔当量。作为用于反应的催化剂，例如有四(三苯基膦)钯、二氯双(三苯基膦)钯、二氯[双(二苯基膦)乙烷]钯、二氯[双(二苯基膦)丙垸]钯、二氯[双(二苯基膦)丁烷]钯、二氯[双(二苯基膦)二茂合铁]钯等钯催化剂，四(三苯基膦)镍、二氯双(三苯基膦)镍、二氯[双(二苯基膦)乙垸]镍、二氯[双(二苯基膦)丙垸]镍、二氯[双(二苯基膦)丁烷]镍、二氯[双(二苯基膦)二茂合铁]镍等镍催化剂等。特别优选四(三苯基膦)钯。这些催化剂的使用量相对于卤化蒽衍生物通常为0.0011摩尔当量，优选0.010.1摩尔当量。作为卤素化合物的卤原子，例如可以举出碘原子、溴原子、氯原子等，优选碘原子、溴原子。硼酸化反应可以通过公知的方法(日本化学会编实验化学讲座第4版24巻6190页或J.Org.Chem.,Vol.60,7508(1995)等)来实施。例如，在是经由芳基卤化合物的锂化或格利雅反应的反应的情况下，通常在氮、氩、氦等惰性气体气氛下实施，使用不溶性溶剂作为反应溶剂。例如可以使用戊烷、己垸、辛垸、环己烷等饱和烃类，1，2—二甲氧基乙烷、二乙基醚、甲基一叔丁基醚、四氢呋喃、二噁烷等醚类，苯、甲苯、二甲苯等芳香族烃类作为单一或混合溶剂。其中，优选二乙基醚和甲苯。溶剂的使用量相对于芳基卤化合物通常为350倍重量，优选420倍重量。作为锂化剂，例如可以使用正丁基锂、叔丁基锂、苯基锂、甲基锂等烷基金属试剂，二异丙基酰胺锂、双(三甲基甲硅烷基)酰胺锂等酰胺盐。其中，优选正丁基锂。另外，格利雅试剂可以通过芳基卤化合物和金属镁的反应来制备。作为硼酸三烷基酯，例如可以使用硼酸三甲酯、硼酸三乙酯、硼酸三异丙酯、硼酸三丁酯等。特别优选硼酸三甲酯、硼酸三异丙酯。就锂化剂和金属镁的使用量而言，相对于芳基卤化合物，通常分别为110摩尔当量，优选12摩尔当量，硼酸三烷基酯的使用量相对于芳基卤化合物通常为110摩尔当量，优选为15摩尔当量。反应温度为一腦50。C，特别优选为一7510。C。本发明的双蒽衍生物，优选为有机EL元件用发光材料，另外特别优选有机EL元件用基质材料。本发明的有机EL元件，是在阳极和阴极之间夹持有至少含有发光层的由一层或多层构成的有机薄膜层的有机电致发光元件，上述有机薄膜层单独或作为混合物的成分含有从上述通式(1)所述的双蒽衍生物中选择的至少一种。另外，本发明的有机EL元件优选上述发光层还含有芳基胺化合物和/或苯乙烯基胺化合物。作为苯乙烯基胺化合物，优选用下述通式(A)表示的化合物。[化8](式中，A—是从苯基、联苯基、联三苯基、芪基、二苯乙烯基芳基中选择的基团，A,和Ai"S分别是氢原子或碳原子数为620的芳香族烃基，Ar3、A/和A,可以被取代。p是14的整数。进而优选A一和Ar5的至少一方被苯乙烯基取代。)在这里，作为碳原子数为620的芳香族烃基，可以举出苯基、萘基、蒽基、菲基、联三苯基等。作为芳基胺化合物，优选用下述通式(B)表示的化合物。(B)(式中，A,ArS分别是取代或未取代的环碳原子数为540的芳基。q为14的整数。)在这里，作为环碳原子数为540的芳基，例如可以举出苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、晕苯基、联苯基、联三苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、噁二唑基、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、荧蒽基、苊并荧蒽基、1,2-二苯乙烯基、茈基、慮基、二萘品苯(匕。i二/W基、苯并[9,io]菲(卜y7工二i/二，)基、玉红省基、苯并蒽基、苯基蒽基、双蒽基、或用下述通式(C)、(D)表示的芳基等，优选萘基、蒽基、慮基、芘基、或者用通式(D)表示的芳基。[化io](C)(D)(在通式(C)中，r是l3的整数。)其中，作为上述芳基的优选取代基，可以举出碳原子数为16的垸基(乙基、甲基、异丙基、正丙基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、环戊基、环己基等)、碳原子数为16的垸氧基(乙氧基、甲氧基、异丙氧基、正丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环戊氧基、环己氧基等)、环碳原子数为540的芳基、被环碳原子数为540的芳基取代的氨基、具有环碳原子数为540的芳基的酯基、具有碳原子数为16的烷基的酯基、氰基、硝基、卤原子等。下面，对本发明的有机EL元件的元件构成进行说明。作为本发明的有机EL元件的代表性元件构成，可以举出(1)阳极/发光层/阴极(2)阳极/空穴输送层/发光层/阴极(3)阳极/发光层/电子注入层/阴极(4)阳极/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极(5)阳极/有机半导体层/发光层/阴极(6)阳极/有机半导体层/电子阻挡层/发光层/阴极(7)阳极/有机半导体层/发光层/附着改善层/阴极(8)阳极/空穴输送层/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极(9)阳极/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极(10)阳极/无机半导体层/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极(11)阳极/有机半导体层/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极(12)阳极/绝缘层/空穴输送层/空穴输送层/发光层/绝缘层/阴极(13)阳极/绝缘层/空穴输送层/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极等结构。这些结构中通常优选采用(8)的结构，但是并不限于此。在本发明的有机EL元件中，本发明的双蒽衍生物虽然可以用于上述的任何有机层，但是优选在这些构成要素中的发光带区域或空穴输送带区域中含有，其含量从30100摩尔％中选择。该有机EL元件通常在透光性基板上制造。这里所述的透光性基板是指支持有机EL元件的基板，关于其透光性，优选400700nm可见光区内光线的透过率为50%以上，更优选使用平滑的基板。作为这样的透光性基板，例如优选使用玻璃板、合成树脂板等。作为玻璃板，可以举出用钠钙玻璃、含有钡和锶的玻璃、铅玻璃、硅酸铝玻璃、硼硅酸玻璃、硼硅酸钡玻璃、石英等成型的板。作为合成树脂板，可以举出聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚醚砜树脂、聚砜树脂等的板。接着，阳极是具有向空穴输送层或发光层注入空穴的功能的电极，其功函数为4.5eV以上是有效的。作为本发明使用的阳极材料的具体实例，可以举出氧化铟锡合金(ITO)、氧化锡(NESA)、金、银、铂、铜等。另外，作为阴极，为了向电子输送层或发光层中注入电子，优选功函数小的材料。阳极能够采用蒸镀法或溅射法等方法使这些电极物质形成薄膜的方式审!j备。像这样当将发光层的发光从阳极中取出的情况下，阳极对发光的透过率优选大于10%。而且阳极的片阻抗优选处于数百Q/口以下。阳极的膜厚因材料而异，通常为10nmlum，优选在10200nm的范围内进行选择。本发明有机EL元件的发光层是具有以下(1)(3)功能的发光层。(1)注入功能；施加电场时能够从阳极或空穴注入层注入空穴、从阴极或电子注入层注入电子的功能(2)输送功能；借助于电场力使注入的电荷(电子和空穴)移动的功能(3)发光功能；提供电子与空穴的复合场所，使其维持发光的功能作为这种发光层的形成方法，例如可以采用蒸镀法、旋涂法、LB法等公知方法。发光层特别优选分子堆积膜。这里所述的分子堆积膜，是指由气相状态的材料化合物沉积形成的薄膜，以及由溶液状态或液相状态的材料化合物固化形成的膜，通常这种分子堆积膜与利用LB法形成的薄膜(分子累积膜)能由凝聚结构、高次结构的不同、以及由此而带来的功能的不同加以区分。而且，正如特开昭57—51781号公报所公开的那样，将树脂等粘结剂和材料化合物溶解在溶剂中制成溶液后，用旋涂法等将其薄膜化的方式，也能够形成发光层。在无损于本发明目的的范围内，既可以根据需要使发光层含有由本发明的双蒽衍生物组成的发光材料以外的其他公知的发光材料，而且也可以在含有本发明的发光材料的发光层上层叠含有其他公知的发光材料的发光层。接着，空穴注入，输送层是有助于空穴在发光层中的注入，输送到发光区域的层，空穴迁移率大，离子化能量通常小到5.5eV以下。作为这种空穴注入.输送层，优选在更低的电场强度下能将空穴输送到发光层的材料，更优选空穴的迁移率，例如当施加104106V/cm电场时至少达到10^cm"V秒。作为这样的材料，可以从在过去在光导材料中作为空穴的电荷输送材料而惯用的那些材料，以及在有机EL元件的空穴注入层中使用的公知的材料中选择任意的材料而使用。作为具体例子，例如可以举出三唑衍生物(参考美国专利3112197号说明书等)、嗯二唑衍生物(参考美国专利3189447号说明书等)、咪唑衍生物(参考特公昭37—16096号公报等)、聚芳基垸烃衍生物(参考美国专利3615402号说明书、美国专利第3820989号说明书、美国专利第3542544号说明书、特公昭45_555号公报、特公昭51—10983号公报、特开昭51—93224号公报、特开昭55—17105号公报、特开昭56—4148号公报、特开昭55—108667号公报、特开昭55—156953号公报、特开昭56—36656号公报等)、吡唑啉衍生物以及吡唑啉酮衍生物(参考美国专利第3180729号说明书、美国专利第4278746号说明书、特开昭55—88064号公报、特开昭55—88065号公报、特开昭49一105537号公报、特开昭55—51086号公报、特开昭56—80051号公报、特开昭56—88141号公报、特开昭57—45545号公报、特开昭54—112637号公报、特开昭55—74546号公报等)、苯二胺衍生物(参考美国专利第3615404号说明书、特公昭51—10105号公报、特公昭46—3712号公报、特公昭47—25336号公报、特开昭54—53435号公报、特开昭54—110536号公报、特开昭54—119925号公报等)、芳基胺衍生物(参考美国专利第3567450号说明书、美国专利第3180703号说明书、美国专利第3240597号说明书、美国专利第3658520号说明书、美国专利第4232103号说明书、美国专利第4175961号说明书、美国专利第4012376号说明书、特公昭49—35702号公报、特公昭39—27577号公报、特开昭55—144250号公报、特开昭56—119132号公报、特开昭56—22437号公报、西德专利第1110518号说明书等)、氨基取代查耳酮衍生物(参考美国专利第3526501号说明书等)、嗨唑衍生物(公开于美国专利第3257203号说明书等中的化合物)、苯乙烯蒽衍生物(参考特开昭56—46234号公报等)、芴酮衍生物(参考特开昭54—110837号公报等)、腙衍生物(参考美国专利第3717462号说明书、特开昭54—59143号公报、特开昭55—52063号公报、特开昭55—52064号公报、特开昭55—46760号公报、特开昭55—85495号公报、特开昭57—11350号公报、特开昭57—148749号公报、特幵平2—311591号公报等)、芪衍生物(参考特开昭61—210363号公报、特开昭第61—228451号公报、特开昭61—14642号公报、特开昭61—72255号公报、特开昭62—47646号公报、特开昭62—36674号公报、特开昭62—10652号公报、特开昭62—30255号公报、特开昭60—93455号公报、特开昭60—94462号公报、特开昭60—174749号公报、特开昭60—175052号公报等)、硅氨垸(silazane)衍生物(美国专利第4950950号说明书)、聚硅垸系(特开平2—204996号公报)、苯胺系共聚物(特开平2—282263号公报)、公开于特开平1一211399号公报的导电性高分子低聚物(特别是噻吩低聚物)等。作为空穴注入层的材料，除了上述的物质，还可以使用卟啉(求》7Vli>0化合物(公开于特开昭63—2956965号公报等中的化合物)、芳香族叔胺化合物和苯乙烯胺化合物(参考美国专利第4127412号说明书、特开昭53—27033号公报、特开昭54—58445号公报、特开昭54—149634号公报、特开昭54—64299号公报、特开昭55—79450号公报、特开昭55一144250号公报、特开昭56—119132号公报、特开昭61—295558号公报、特开昭61—98353号公报、特开昭63—295695号公报等)，特别优选使用芳香族叔胺化合物。另外，还可以举出在美国专利第5061569号中记载的在分子内具有两个縮合芳香族环的化合物、例如4，4'一双(N—(1一萘基)一N—苯基胺基)联苯(NPD)，还可以举出在特开平4一30868S号公报中记载的三苯胺单元被连接成三个星爆(starburst)型的4，4，，4"一三(N—(3—甲基苯基)一N—苯基胺基)三苯胺(以下简写为MTDATA)等。此外，除了上述双蒽衍生物之外，p型Si、p型SiC等无机化合物也可以用作空穴注入层的材料。空穴注入、输送层，例如可以利用真空蒸镀法、旋涂法、浇铸法、LB法等公知方法将上述的化合物薄膜化来形成。作为空穴注入、输送层的膜厚没有特别限制，通常为5nm5微米。另外，有机半导体层是有助于向发光层注入空穴或注入电子的层，而具有10—1()S/Cm以上导电率的层是适用的。作为这种有机半导体层的材料，可以使用含有噻吩的低聚物，以及在特开平8-193191号公报中公开的含有芳基胺低聚物等的导电性低聚物、含有芳基胺的树枝状聚合物(dendrimers)等导电性树枝状聚合物。接着，电子注入层，输送层，是有助于电子在发光层中的注入并输送到发光区域的层，电子迁移率大，而且附着改善层，是在此电子注入层中特别由与阴极的附着良好的材料组成的层。而且，有机EL元件中由于发出的光线被电极(此情况下是阴极)反射，所以已知直接从阳极取出的光线，与经由电极反射取出的光线会产生干涉。为了有效利用这种干涉效果，电子输送层虽然可以在数nm至数pm的膜厚范围内适当选择，但是当膜厚厚时，为了避免电压上升，当施加104106V电场时，电子迁移率优选至少处于10—5cm2/Vs以上。作为电子注入层用材料，适用8-羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物、瞎二唑衍生物。作为上述8-羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物的具体实例，可以使用含有8—羟基喹啉(一般是指8-喹啉酚或8-喹啉酮)的螯合物的金属螯合类8—羟基喹啉化合物，例如可以使用三(8-羟基喹啉)铝作为电子注入材料。另一方面，作为瞎、二唑衍生物，可以举出用下述通式表示的电子传导性化合物。[化11]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>(式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar5、Ar6、Ar9分别表示取代或未取代的芳基，分别可以互相相同或不同。而且Ar4、Ar7、Ar8表示取代或未取代的亚芳基，可以分别互相相同或不同。)这里作为芳基，可以举出苯基、联苯基、蒽基、茈基、芘基等。而且作为亚芳基，可以举出亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚蒽基、亚茈基、亚芘基等。此外取代基可以举出碳原子数为110的垸基、碳原子数为l10的烷氧基或氰基等。这种电子传导性化合物优选薄膜形成性的化合物。作为上述电子传导性化合物的具体实例，可以举出下述的物质。[化12]此外，作为电子注入层和电子输送层用的材料，可以使用下述通式(E)(J)表示的物质。[化13]表示的含氮杂环衍生物。(在通式(E)和(F)中，A^^各自独立，表示氮原子或碳原子。Ar1是环碳原子数为660的取代或未取代的芳基、或者是环碳原子数为360的取代或未取代的杂芳基；A是氢原子、环碳原子数为660的取代或未取代的芳基、环碳原子数为360的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为120的取代或未取代的烷基、或碳原子数为120的取代或未取代的烷氧基、或它们的二价基团。其中AP和A一之一，是环碳原子数为1060的取代或未取代的稠环基、或者是环碳原子数为360的取(E)代或未取代的单杂稠环基。L1、17及L各自独立，为单键、环碳原子数为660的取代或未取代的亚芳基、环碳原子数为360的取代或未取代的杂亚芳基、或取代或未取代的亚銜基。R是氢原子、环碳原子数为660的取代或未取代的芳基、环碳原子数为360的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为120的取代或未取代的垸基、或碳原子数为120的取代或未取代的垸氧基，n为05的整数，当n为2以上的情况下，多个R可以相同或不同，而且相邻的多个R之间可以结合形成碳环式脂肪族环或碳环式芳香族环。)。通式(G)表示的含氮杂环衍生物，HAr-L一Ar1—Ar2(G)(式中，HAr表示可以有取代基的碳原子数为340的含氮杂环，L表示单键、可以有取代基的碳原子数为660的亚芳基、可以有取代基的碳原子数为360的杂亚芳基或可以有取代基的亚芴基。A—是可以有取代基的碳原子数为660的二价芳香族烃基，A一是可以有取代基的碳原子数为660的芳基或可以有取代基的碳原子数为360的杂芳基)。[化14](H)表示的硅杂环戊二烯衍生物，(式中，X和Y各自独立，表示碳原子数为16的饱和或不饱和烃基、烷氧基、链烯氧基、炔氧基、羟基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基团、或者X与Y结合形成饱和或不饱和环的结构；RtR4各自独立，表示氢原子、卤原子、取代或未取代的碳原子数为16的垸基、垸氧基、芳氧基、全氟烷基、全氟烷氧基、氨基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧羰基、芳氧羰基、偶氮基、烷基羰氧基、芳基羰氧基、垸氧羰氧基、芳氧羰氧基、亚磺酰基、磺酰基、对氨基苯磺酰基、甲硅烷基、氨基甲酰基、芳基、杂环基团、链烯基、炔基、硝基、甲酰基、亚硝基、甲酸基、异氰基、氰酸酯基、异氰酸酯基、硫代氰酸酯基、异硫代氰酸酯基或者氰基或相邻的情况下取代或未取代的环稠合的结构)。通式(I)表示的硼烷衍生物，[化15](I)(式中，R,Rs及Z2各自独立，表示氢原子、饱和或不饱和的烃基、芳香族烃基、杂环基、取代氨基、取代硼烷基、烷氧基或芳氧基；X、Y及Zj各自独立，表示饱和或不饱和的烃基、芳香族烃基、杂环基、取代氨基、烷氧基或芳氧基；Zi与Z2的取代基也可以互相结合形成稠环，n表示l3的整数，当n处于2以上的情况下，Zi也可以不同。但是不包括当n为1，X、Y及R2是甲基，Rs是氢原子或取代硼垸基的情况；以及n为3、Z,为甲基的情况。)。[化16][式中，Q'及(^各自独立，表示下述通式(K)表示的配位基，L是卤原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基、一OR1(W是氢原子、取代或未取代的垸基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基团)或者一O—Ga—Q3(Q4)(Q3及Q4与(^及Q2相同)表示的配位基。][化17]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>(K)[式中，环八1及八2分别是可以有取代基的互相稠合的六元芳环结构。]这种金属配位化合物，作为n型半导体的性质强，电子注入能力大。此外，由于配位化合物形成时的生成能量也低，所以形成的金属配位化合物中金属与配位基的结合性牢固，能使作为发光材料的荧光量子效率增若要列举形成通式(K)配位基的环A'及AZ中取代基的具体实例，则可以举出氯、溴、碘、氟等卤原子，甲基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂基、三氯甲基等取代或未取代的垸基，苯基、萘基、3-甲基苯基、3-甲氧基苯基、3-氟代苯基、3-三氯甲基苯基、3-三氟甲基苯基、3-硝基苯基等取代或未取代的芳基，甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2,2,3,3-四氟丙氧基、1,1,1,3,3，3-六氟-2-丙氧基、6-(全氟乙基)己氧基等取代或未取代的烷氧基，苯氧基、对硝基苯氧基、对叔丁基苯氧基、3-氟代苯氧基、五氟苯基、3-三氟甲基苯氧基等取代或未取代的芳氧基，甲硫基、乙硫基、叔丁硫基、己硫基、辛硫基、三氟甲硫基等取代或未取代的烷硫基，苯硫基、对硝基苯硫基、对叔丁基苯硫基、3-氟代苯硫基、五氟苯硫基、3-三氟甲基苯硫基等取代或未取代的芳基硫基，氰基、硝基、氨基、甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基等一取代或二取代的氨基，双(乙酰氧基甲基)氨基、双(乙酰氧基乙基)氨基、双(乙酰氧基丙基)氨基、双(乙酰氧基丁基)氨基等酰基氨基，羟基、甲硅焼氧基、酰基、甲基氨基甲酰基、二甲基氨基甲酰基、乙基氨基甲酰基、二乙基氨基甲酰基、丙基氨基甲酰基、丁基氨基甲酰基、苯基氨基甲酰基等氨基甲酰基，羧基、磺酸基、亚胺基，环戊基、环己基等环烷基，苯基、萘基、联苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等芳基，吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三唑基、吲哚满基、喹啉基、吖啶基、吡咯垸基、二瞎烷基、哌啶基、吗啉基、哌嗪基、三嗪基、咔唑基、呋喃基、噻吩基、嚼唑基、瞎二唑基、苯并瞎唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、pranyl等杂环基团。而且，以上取代基之间也可以结合进一步形成六元芳环或杂环。在本发明的有机EL元件的优选实施方式中，有在输送电子的区域或者阴极与有机层的界面区域含有还原性掺杂剂的元件。这里所述的还原性掺杂剂，被定义为能将电子输送性化合物还原的物质。因此，若是具有一定的还原性的物质，则可以使用各种物质，例如优选使用从碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属氧化物、碱金属卤化物、碱土金属氧化物、碱土金属卤化物、稀土金属氧化物或稀土金属卤化物、碱金属的有机配位化合物、碱土金属的有机配位化合物和稀土金属的有机金属配位化合物中选出的至少一种物质。而且更具体讲，作为优选的还原性掺杂剂，特别优选功函数处于2.9eV以下的物质，即从Na(功函数2.36eV)、K(功函数2.28eV)、Rb(功函数2.16eV)和Cs(功函数1,95eV)中选出的至少一种碱金属，以及从Ca(功函数2.9eV)、Sr(功函数2,02.5eV)和Ba(功函数2.52eV)中选出的至少一种碱土金属等。在这些物质中，更优选的还原性掺杂剂是从K、Rb和Cs中选出的至少一种碱金属，尤其优选Rb或Cs，最好是Cs。这些碱金属还原能力特别高，通过向电子注入区域添加少量就能使有机EL元件中的发光亮度提高、寿命延长。而且，作为功函数处于2.9eV以下的还原性掺杂剂，也优选将这些碱金属中两种以上碱金属组合，特别优选包含Cs的组合，例如Cs与Na、Cs与K、Cs与Rs、或者Cs与Na和K的组合。通过组合含有Cs，能够有效地发挥还原能力，在电子注入区域添加之后，可以使有机EL元件的发光亮度提高，寿命延长。本发明中，也可以在阴极与有机层之间进一步设置由绝缘体或半导体构成的电子注入层。此时，能够有效地防止电流的泄漏，提高电子注入性。作为这种绝缘体，优选使用从碱金属硫属元素化合物、碱土金属硫属元素化合物、碱金属卤化物、碱土金属卤化物中选出的至少一种金属化合物。电子注入层若由这些碱金属硫属元素化合物等构成，则从能够进一步提高电子注入性的观点来看优选。具体讲，作为优选的碱金属硫属元素化合物，例如可以举出Li20、LiO、Na2S、Na2Se和Na20，作为优选的碱土金属硫属元素化合物，例如可以举出CaO、BaO、SrO、BeO、BaS和CaSe。而且作为优选的碱金属卤化物，例如可以举出LiF、NaF、KF、LiCl、KC1和NaCl等。此外，作为优选的碱土类金属卣化物，例如可以举出CaF2、BaF2、SrF2、MgF2和BeF2等氟化物，以及氟化物以外的卤化物。而且作为构成电子输送层的半导体，可以举出其中包含Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb禾nZn中至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物等一种物质或两种以上物质的组合。此外，构成电子输送层的无机化合物，优选微晶或非晶型的绝缘性薄膜。电子输送层若由这些绝缘性薄膜构成，则由于能够形成更均匀的薄膜，所以能够减少黑点等像素缺陷。其中，作为这种无机化合物，可以举出上述的碱金属硫属元素化合物、碱土金属硫属元素化合物、碱金属卤化物和碱土金属卤化物等。作为阴极，可以使用以功函数小(4eV以下)的金属、合金、电导性化合物及其混合物作为电极物质。作为这种电极物质的具体实例，可以举出钠、钠一钾合金、镁、锂、镁—银合金、铝/氧化铝、Al/Li20、Al/Li20、Al/LiF、铝一锂合金、铟、稀土金属等。该阴极能够通过利用蒸镀法或溅射法等方法将这些电极物质形成薄膜的方式制作。在这里，当从阴极取出发光层发光的情况下，阴极对发光的透过率优选大于10%。而且，作为阴极的片阻抗优选处于数百Q/口以下，膜厚通常为10nml(mi，优选50200nm。另外，因为通常要对超薄膜施加电场，因此有机EL元件容易产生因漏电或短路而出现的像素缺陷。为了杜绝此缺陷，优选在一对电极之间插入绝缘性薄膜层。作为绝缘层用材料，例如可以举出氧化铝、氟化锂、氧化锂、氟化铈、氧化钸、氧化镁、氟化镁、氧化钙、氟化钙、氮化铝、氧化钛、氧化硅、氧化锗、氮化硅、氮化硼、氧化钼、氧化钌、氧化钒等，也可以使用这些物质的混合物或层叠物。接着，关于本发明的有机EL元件的制造方法，例如采用上述的材料和方法，形成阳极、发光层、必要时的空穴注入、以及必要时的电子注入，最后形成阴极即可。而且也可以从阴极至阳极，采用与上述顺序相反的顺序制作有机EL元件。以下说明依次在透光性基板上设置阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极所构成的有机EL元件的制作实例。首先，采用蒸镀法或溅射法在适当的透光性基板上形成由阳极材料构成的薄膜，使其膜厚达到1微米以下，优选使膜厚处于10200nm的范围内，制成阳极。进而在此阳极上设置空穴注入层。空穴注入层的形成，虽然像上述那样可以采用真空蒸镀法、旋涂法、浇铸法、LB法等方法进行，但是从容易得到均匀的膜而且难于产生针孔等观点来看，优选采用真空蒸镀法形成。在采用真空蒸镀法形成空穴注入层的情况下，其蒸镀条件因使用的化合物(空穴注入层的材料)、目的空穴注入层的结晶结构、复合结构等而异，一般情况下优选在蒸镀源温度为50450°C、真空度为1(T710—3乇、蒸镀速度为0.0150nm/秒、基板温度为一5030(TC、膜厚为5nm5|im范围内适当选择。其次，在该空穴注入层上设置发光层。该发光层的形成，虽然也能采用本发明的发光材料，利用真空蒸镀法、溅射法、旋涂法、浇铸法等方法将发光材料薄膜化而形成，但是从容易得到均质的薄膜，而且难于产生针孔等观点来看，优选采用真空蒸镀法形成。在采用真空蒸镀法形成发光层的情况下，其蒸镀条件虽然因使用的化合物而异，但是一般可以从与空穴注入层的形成相同的条件范围内选择。膜厚优选为1040nm的范围。接着，在此发光层上设置电子注入层。此时，与空穴注入层、发光层同样，由于必须得到均质的膜，所以优选采用真空蒸镀法形成。蒸镀条件可以在与空穴注入层、发光层同样的条件范围内选择。此外，最后层叠阴极后可以得到有机EL元件。阴极是由金属构成，可以采用蒸镀法、溅射法。但是为了防止作为基底的有机物层在制膜时损伤，优选采用真空蒸镀法。这种有机EL元件的制作，优选采用一次抽真空从阳极至阴极一气呵成地制作。对本发明的有机EL元件各层的形成方法并无特别限制。可以采用过去已知的真空蒸镀法、旋涂法等形成方法。本发明的有机EL元件使用的含有上述通式(1)所示化合物的有机薄膜层，可以采用真空蒸镀法、分子线蒸镀法(MBE法)或者溶解在溶剂中的溶液的浸涂法、旋涂法、浇铸法、棒涂法、辊涂法等涂布法，利用公知的方法形成。对于本发明的有机EL元件各有机层的膜厚虽然并无特别限制，但是为了改善针孔等缺陷或提高效率，通常优选处于数nm至lpm范围内。其中，在对有机EL元件施加直流电压的情况下，若以阳极为+、阴极为一的极性，则一旦施加540V电压就能观测到发光。而且，在相反极性下施加电压，电流不会流过而完全不发光。进而在施加交流电的情况下，仅当阳极为+极性而且阴极为一极性时，才可以观测到均一发光。施加的交流的波形可以任意。实施例接着，利用实施例进一步详细说明本发明，但本发明并不被这些例子所限制。合成实施例1(化合物(AN—3)的合成)对市售的间溴碘苯28g、市售的3—溴苯基硼酸20g、和甲苯300ml进行混合。进而添加四(三苯基膦)钯5.7g和2M—碳酸钠水溶液200ml，进行氩置换。在加热回流6小时之后，自然冷却然后用甲苯萃取。在用水、饱和盐水洗涤有机层之后，用无水硫酸钠干燥。在用蒸发器蒸馏除去溶剂之后，通过用硅胶柱色谱法(展开溶剂己垸)精制残渣，得到3，3'—二溴联苯白色固体21.9g(收率71%)。对得到的3，3'—二溴联苯6.2g、利用公知的方法合成的IO—苯基蒽一9一硼酸14.3g、以及二甲氧基乙烷(DME)65ml进行混合。进而添加四(三甲基膦)钯1.2g和2M—碳酸钠水溶液40ml，进行氩置换。在加热回流8小时之后，自然冷却，过滤析出的结晶。用水、甲醇洗涤结晶之后，用加热甲苯进行洗涤，由此得到目的化合物(AN—3)白色固体9.3g(收率71%)。对得到的化合物的FD—MS(fielddisorptkmmass分析)进行测定，对于(2521134二658，得到m/z二658，所以鉴定该化合物为AN—3。合成实施例2(化合物(AN—4)的合成)对市售的对碘苯胺12.5g、市售的3—溴苯基硼酸12.6g、和甲苯180ml进行混合。进而添加四(三苯基膦)钯2.0g和2M—碳酸钠水溶液110ml，进行氩置换。在加热回流8小时之后，自然冷却、用甲苯萃取。在用水、饱和盐水洗涤有机层之后，用无水硫酸钠干燥。在用蒸发器蒸馏除去溶剂之后，通过用硅胶柱色谱法(展开溶剂醋酸乙酯/己垸二1/4)精制残渣，得到4一(3—溴苯基)苯胺褐色固体7.9g(收率56%)。混合水20ml、浓盐酸30ml，添加得到的4一(3—溴苯基)苯胺7.5g。用冰冷却后滴下亚硝酸钠水溶液(NaN022.3g，水lOml)。在搅拌1小时之后，室温下向碘化钾水溶液(KI45g，水120ml)中滴下反应液。室温下搅拌4小时之后，添加氯仿100ml、亚硫酸氢钠1.3g。用氯仿进行萃取，用10%亚硫酸氢钠水溶液、水、饱和盐水洗涤之后，用无水硫酸钠干燥有机层。在用蒸发器蒸馏除去溶剂之后，通过用硅胶柱色谱法(展开溶剂己垸)精制残渣，得到3—溴一4'一碘联苯白色固体7.5g(收率69%)。对得到的3—溴一4'一碘联苯5.2g、利用公知的方法合成的10—苯基蒽一9一硼酸10.4g、以及DME50ml进行混合。进而添加四(三甲基膦)钯0.84g和2M—碳酸钠水溶液30ml，进行氩置换。在加热回流8.5小时之后，自然冷却，过滤析出的结晶。用水、甲醇洗涤结晶之后，用二氯甲烷进行洗涤，由此得到目的化合物(AN—4)淡黄色固体4.2g(收率44%)。对得到的化合物的FD—MS进行测定，结果对于C52H34=658，得到m/z=658，所以鉴定该化合物为AN—4。合成实施例3(化合物(AN—6)的合成)在合成实施例1中，使用10—(萘一2—基)蒽一9一硼酸来代替10一苯基蒽一9一硼酸，除此之外进行同样的操作，得到目的化合物(AN—6)灰黄色固体(收率85%)。对得到的化合物的FD—MS进行测定，结果对于C6QH38=758，得到m/z=758，所以鉴定该化合物为AN—6。合成实施例4(化合物(AN—IO)的合成)将市售的1，3—二碘苯9.9g、市售的3—溴苯基硼酸14.5g、和甲苯100ml进行混合。进而添加四(三苯基膦)钯1.7g和2M—碳酸钠水溶液60ml，进行氩置换。在加热回流7.5小时之后，自然冷却然、用甲苯萃取。在用水、饱和盐水洗涤有机层之后，用无水硫酸钠干燥。在用蒸发器蒸馏除去溶剂之后，通过用硅胶柱色谱法(展开溶剂己烷/甲苯=19/1)精制残渣，得到3，3，，一二溴一l，1，，3，，1，，一联三苯无色油状体5.8g(收率50%)。对得到的3，3，，一二溴一l，1，，3，，T，一联三苯5.8g、利用公知的方法合成的10—苯基蒽一9一硼酸10.7g、以及DME100ml进行混合。进而添加四(三甲基膦)钯0.87g和2M—碳酸钠水溶液60ml，进行氩置换。在加热回流8小时之后，自然冷却，过滤析出的结晶。用水、甲醇洗漆结晶之后，用甲苯进行再结晶，由此得到目的化合物(AN—IO)淡黄色固体6.0g(收率54%)。对得到的化合物的FD—MS进行测定，结果对于C58H38=734，得到m/z=734，所以鉴定该化合物为AN—IO。合成实施例5(化合物(AN—15)的合成)对利用公知的方法合成的10—苯基蒽一9一硼酸4.6g、在合成实施例2中得到的3—溴一4'一碘联苯5.6g、和甲苯100ml进行混合。进而添加四(三苯基膦)钯0.54g和2M—碳酸钠水溶液27ml，进行氩置换。在加热回流8.5小时之后，自然冷却，过滤析出的结晶。用水、甲醇洗涤结晶之后，通过用硅胶柱色谱法(展开溶剂甲苯)精制残渣，得到9_(3，一溴联苯一4一基)一10—苯基蒽淡黄色固体4.9g(收率65%)。将得到的9一(3'—溴联苯一4一基)一10—苯基蒽4.9g、利用公知的方法合成的10—(萘一2—基)蒽一9一硼酸3.9g、以及DME80ml进行混合。进而添加四(三甲基膦)钯0.35g和2M—碳酸钠水溶液18ml，进行氩置换。在加热回流8小时之后，自然冷却，过滤析出的结晶。用水、甲醇洗涤结晶之后，用加热甲苯进行洗涤，由此得到目的化合物(AN—15)淡黄色固体5.1g(收率72%)。对得到的化合物的FD—MS进行测定，结果对于C56H36=708，得到m/z二708，所以鉴定该化合物为AN—15。合成实施例6(化合物(AN—28)的合成)将市售的2，6—二溴萘1.5g、利用公知的方法合成的3—(9一苯基蒽一10—基)苯基硼酸4.1g、甲苯35ml、以及DME40ml进行混合。进而添加四(三苯基膦)钯0.49g和2M—碳酸钠水溶液25ml，进行氩置换。在加热回流8小时之后，自然冷却，过滤析出的结晶。用水、甲醇洗涤结晶之后，用加热甲苯进行洗涤，由此得到目的化合物(AN—28)白色固体2.7g(收率65%)。对得到的化合物的FD—MS进行测定，结果对于C62H4Q=784，得到m/z=784，所以鉴定该化合物为AN—28。合成实施例7(化合物(AN—37)的合成)在合成实施例6中，使用4，4'一二碘联苯来代替2，6—二溴萘，除此之外进行同样的操作，得到目的化合物(AN—37)灰黄色固体(收率81%)。对得到的化合物的FD—MS进行测定，结果对于C64H42==810，得到m/z=810，所以鉴定该化合物为AN—37。合成实施例8(化合物(AN—39)的合成)在合成实施例6中，使用2，7—二碘一9，9一二甲基一9H—芴来代替2，6—二溴萘，除此之外进行同样的操作，得到目的化合物(AN—39)淡黄色固体(收率73%)。对得到的化合物的FD—MS进行测定，结果对于C67H46=850，得到m/z=850，所以鉴定该化合物为AN—39。实施例1(有机EL元件的制造)在异丙醇中对25mmX75mmXl.lmm厚的带有ITO透明电极的玻璃基板(-才7于—y夕公司制)进行5分钟的超声波洗涤，然后进行30分钟的UV臭氧洗涤。将洗涤后的带有透明电极线的玻璃基板安装在真空蒸镀装置的基板支架上，首先，在形成有透明电极线的一侧的面上，以覆盖上述透明电极的方式使膜厚60nm的下述N，N，—双(N，N，一二苯基一4一氨基苯基)一N，N—二苯基一4，4，一二氨基一l，T一联苯膜(以下称为"TPD232膜")成膜。该TPD232膜发挥空穴注入层的功能。接着，在该TPD232膜上使膜厚20nm的下述N，N，N，，N，一四(4_联苯基)—二氨基亚联苯基层(以下称为"TBDB层")成膜。该膜作为空穴输送层发挥功能。进而，以上述化合物(AN—3)为基质材料进行蒸镀并成膜使其膜厚为40nm。同时作为发光材料，以相对于AN—3的重量比为AN—3:BD1=40:2蒸镀下述的具有苯乙烯基的胺化合物BD1。该膜作为发光层发挥功能。在该膜上使Alq膜成膜且使膜厚为10nm。该膜作为电子注入层发挥功能。然后二维蒸镀作为还原性掺杂剂的Li(Li源廿工7歹:7夕一公司制)和下述Alq，形成Alq:Li膜(膜厚10nm)作为电子注入层(或阴极)。在该Alq:Li膜上蒸镀金属Al形成金属阴极，形成有机EL元件。对得到的元件进行通电试验，结果在电压6.8V、电流密度10mA/cm2下得到发光亮度670cd/r^的蓝色发光。另外，使初始亮度为1000cd/m2，测定该有机EL元件的半衰寿命，进而将测定高亮度区域(30000cd/m2)下的发光效率的结果显示于表1。[化1S]BD1A1q实施例28(有机EL元件的制造)在实施例1中，作为发光层的材料，使用表1所示的化合物来代替化合物(AN—3)，除此之外同样地制造有机EL元件。对得到的元件测定初始亮度为1000cdA^时的半衰寿命、以及高亮度区域G0000cd/m2)下的发光效率，结果显示于表l。实施例9在实施例1中，作为发光层的材料，使用化合物(AN—10)来代替化合物(AN—3)，使用下述胺化合物BD2来代替胺化合物BD1，除此之外同样地制造有机EL元件。对得到的元件测定初始亮度为1000cd/n^时的半衰寿命、以及高亮度区域(30000cd/m2)下的发光效率，结果显示于表l。[化19]Me表示甲基。比较例16在实施例1中，作为发光层的材料，使用下述化合物an—l(比较例1)、an—2(比较例2)、an—3(比较例3)、an—4(比较例4)、an—5(比较例一5)、an—6(比较例6)来代替化合物(AN—2)，除此之外同样地制造有机EL元件。对得到的元件测定初始亮度为1000cd/ri^时的半衰寿命、以及高亮度区域(30000cd/m2)下的发光效率，结果显示于表l。[化20]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>[表i]<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>如表1所示，使用了满足本发明的通式(1)所示的结构的化合物的实施例l9的有机EL元件，与使用了不满足该结构的化合物的比较例l6的有机EL元件相比，在高亮度区域的发光效率高，且寿命长。实施例10在异丙醇中对25mmX75mmXl.lmm尺寸的带有ITO透明电极的玻璃基板(夕才7亍Y、7夕公司制)进行5分钟的超声波洗涤，然后进行30分钟的UV臭氧洗涤。将洗涤后的带有透明电极线的玻璃基板安装在真空蒸镀装置的基板支架上，首先，在形成有透明电极线的一侧的面上，以覆盖上述透明电极的方式使膜厚60nm的TPD232膜成膜。该TPD232膜发挥空穴注入层的功能。接着，在该TPD232膜上使膜厚20nm的TBDB层成膜。该膜作为空穴输送层发挥功能。进而，以上述化合物(AN—4)为基质材料、以下述化合物GD1为掺杂材料，以重量比AN—4:GD1=40:3将它们同时蒸镀，使膜厚为40nm。该膜发挥发光层的功能。在该膜上使Alq膜成膜且使膜厚为20nm。该膜作为电子注入层发挥功能。然后蒸镀作为还原性掺杂剂的LiF(LiF源寸工7^、;/夕一公司制)并使其厚度为lnm，接着，蒸镀A1并使其厚度为150nm。该LiF/Al膜作为阴极发挥功能。由此形成有机EL元件。对得到的元件进行通电试验，结果在电压6.5V、电流密度10mA/cm2下得到发光效率24.7cd/A、发光亮度2437cd/n^的绿色发光(发光最大波长533nm)。另外，使初始亮度为3000cd/m2，进行直流通电试验，结果半衰寿命为7590小时。[化21]GD1实施例11在实施例10中，作为发光层的材料，使用化合物(AN—IO)来代替化合物(AN—4)，除此之外同样地制造有机EL元件。对得到的元件进行通电试验，结果在电压6.4V、电流密度10mA/cm2下得到发光效率25.5cd/A、发光亮度2485cd/n^的绿色发光(发光最大波长530nm)。另外，使初始亮度为3000cd/m2，进行直流通电试验，结果半衰寿命为8530小时。比较例7在实施例10中，作为发光层的材料，使用化合物(an—2)来代替化合物(AN—4)，除此之外同样地制造有机EL元件。对得到的元件进行通电试验，结果在电压7.0V、电流密度10mA/cm2下得到发光效率9.5cd/A、发光亮度1228cd/n^的绿色发光(发光最大波长535nm)。另外，使初始亮度为3000cd/m2，进行直流通电试验，结果半衰寿命为1930小时。如上所述，使用了满足本发明的通式(1)所示的结构的化合物的实施例1011的有机EL元件，与使用了不满足该结构的化合物的比较例7的有机EL元件相比，不仅低电压，而且发光亮度和发光效率高，且寿命长。工业上的可利用性综上所述，含有本发明的双蒽衍生物的有机EL元件，其即便在高亮度区域也具有高发光效率，寿命长。因此，作为打算长时间持续使用的有机EL元件是极其有用的。权利要求1.一种用下述通式(1)表示的双蒽衍生物，[化1]式中，Ar1和Ar2相互独立，是取代或未取代的环碳原子数为6～50的芳香族烃基，Ar3是取代或未取代的亚苯基、亚萘基、亚基、亚联苯基或亚芴基；R1～R18相互独立，是氢原子、取代或未取代的环碳原子数为6～50的芳香族烃基、取代或未取代的环原子数为5～50的芳香族杂环基、取代或未取代的碳原子数为1～50的烷基、取代或未取代的环碳原子数为3～50的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～50的烷氧基、取代或未取代的环碳原子数为5～50而碳原子数为6～50的芳烷基、取代或未取代的环碳原子数为5～50的芳氧基、取代或未取代的环碳原子数为5～50的芳硫基、取代或未取代的碳原子数为1～50的烷氧基羰基、取代或未取代的甲硅烷基、羧基、卤原子、氰基、硝基或羟基；m和n分别是0～4的整数，当m和n分别为多个时，R17和R18可以分别相同，也可以不同，可以相互连结形成环状结构；q为1～3的整数，p为0～2的整数。2.如权利要求1所述的双蒽衍生物，其中，在通式(1)中，q为l且ArS为亚苯基。3.如权利要求1所述的双蒽衍生物，其中，在通式(O中，q为l，p为0或l，且A一为亚苯基。4.如权利要求1所述的双蒽衍生物，其中，在通式(1)中，q为1且A^为亚萘基。5.如权利要求1所述的双蒽衍生物，其是有机电致发光元件用发光材料。6.如权利要求1所述的双蒽衍生物，其是有机电致发光元件用基质材料。7.—种有机电致发光元件，其是在阳极和阴极之间夹持有至少含有发光层的由一层或多层形成的有机薄膜层的有机电致发光元件，其中，所述有机薄膜层单独或者作为混合物的成分含有从权利要求1所述的双蒽衍生物选择的至少一种。8.如权利要求7所述的有机电致发光元件，其中，所述发光层将权利要求1所述的双蒽衍生物作为基质材料含有。9.如权利要求7所述的有机电致发光元件，其中，所述发光层还含有芳基胺化合物。10.如权利要求7所述的有机电致发光元件，其中，所述发光层还含有苯乙烯基胺化合物。全文摘要本发明是一种用右式(1)表示的特定结构的双蒽衍生物、以及在阴极和阳极之间夹持有至少含有发光层的由一层或多层形成的有机薄膜层的有机电致发光元件，所述有机薄膜层单独或者作为混合物的成分含有从所述双蒽衍生物选择的至少一种，由此提供在高亮度区域也具有高发光效率且寿命长的有机电致发光元件以及实现该元件的双蒽衍生物。式中，Ar¹和Ar²相互独立，是取代或未取代的环碳原子数为6～50的芳香族烃基，Ar³是取代或未取代的亚苯基等；R¹～R¹⁸相互独立，是氢原子等；m和n分别是0～4的整数，q为1～3的整数，p为0～2的整数。文档编号H01L27/32GK101115702SQ20068000430公开日2008年1月30日申请日期2006年1月18日优先权日2005年2月10日发明者洼田峰行,舟桥正和申请人:出光兴产株式会社