显示基板、有机发光二极管显示器件及其制造方法

专利名称：显示基板、有机发光二极管显示器件及其制造方法
显示基板、有机发光二极管显示器件及其制造方法技术背景本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器件，尤其涉及一种具有 安全稳定性能的顶发射型OLED显示器件背景技术OLED显示器件是一种自发光型显示器件，因此不像液晶显示(LCD)器 件一样需要背光单元。而且，OLED显示器件可通过简单的过程制造成重量轻、 厚度薄的外形。并且，OLED由于具有驱动电压低、发光效率高和视角宽的优 点，已经成为下一代显示器件的注目焦点。OLED显示器件包括设置在基板上的薄膜晶体管(TFT)， OLED电连接到 TFT以进行发光，和用于覆盖OLED器件的密封基板。这里，OLED显示器件可根据发光方向分为底发射型显示器件和顶发射型 显示器件。由于顶发射型显示器件通过密封基板发射光线，其相对于底发射型显示器 件可获得大的孔径比。并且，在顶发射型显示器件中，孔径比不受驱动器件的 影响，从而可设计多种驱动器件。然而，在顶发射型显示器件中，采用具有可腐蚀特性的导电材料为每个像 素形成图案化的阴极，之后在阴极上形成有机发光层和阳极，因此阴极容易收 到腐蚀。因此，由于阴极容易收到腐蚀，顶发射型OLED显示器件具有较低 稳定性的缺点。发明内容实施例提供了一种用于制造有机发光二极管显示器件的显示基板，可防止 由于阴极的腐蚀而导致的有机发光二极管显示器件的稳定性的降低。 实施例还提供了一种制造显示基板的方法。实施例还提供了一种采用包括显示基板的有机发光二极管显示器件。实施例还提供了一种制造有机发光二极管显示器件的方法。 在一个实施例中， 一种显示基板包括在基板上的像素部分，该像素部分 包括用于产生光的光产生区域，以及光产生区域周围的像素分离区域；在光产 生区域中的薄膜晶体管；在基板上的绝缘图案，该绝缘图案覆盖薄膜晶体管并 暴露薄膜晶体管的一部分；和像素分离图案，包括第一像素分离部分和第二像 素分离部分，其中第一像素分离部分从绝缘图案的上表面分离并设置在像素分 离区域上，而第二像素分离部分从第一像素分离部分延伸并设置在对应于像素 部分的边缘的绝缘图案的上表面上。在另一实施例中， 一种制造显示基板的方法包括提供限定了包括用于产 生光线的光产生区域的像素部分的基板，且像素分离区域围绕在光产生区域设 置；在光产生区域中形成薄膜晶体管；在基板上形成绝缘图案以覆盖薄膜晶体 管并暴露薄膜晶体管的一部分；形成包括第一像素分离部分和第二像素分离部 分的像素分离图案，其中第一像素分离部分从绝缘图案的上表面分离并设置在 像素分离区域上，而第二像素分离部分从第一像素分离部分延伸并设置在对应 于像素部分的边缘的绝缘图案的上表面上。在再一实施例中， 一种有机发光二极管显示器件包括在基板上的像素部 分，该像素部分包括用于产生光的光产生区域，光产生区域周围的像素分离区 域；在光产生区域中的薄膜晶体管；在基板上的绝缘图案，该绝缘图案覆盖薄 膜晶体管并暴露薄膜晶体管的一部分；像素分离图案，包括第一像素分离部分 和第二像素分离部分，其中第一像素分离部分从绝缘图案的上表面分离并设置 在像素分离区域上，而第二像素分离部分从第一像素分离部分延伸并设置在对 应于像素部分的边缘的绝缘图案的上表面上；第一电极电连接到薄膜晶体管， 利用像素分离部将第一电极设置在光产生区域；在第一电极上的有机发光层； 和在有机发光层上的第二电极。在再一实施例中， 一种有机发光二极管显示器件的制造方法包括提供限 定了包括用于产生光线的光产生区域的像素部分的基板，且像素分离区域围绕 在光产生区域设置；在光产生区域中形成薄膜晶体管；在绝缘图案上形成绝缘 图案以覆盖薄膜晶体管并暴露薄膜晶体管的一部分；形成包括第一像素分离部 分和第二像素分离部分的像素分离图案，其中第一像素分离部分从绝缘图案的 上表面分离并设置在像素分离区域上，而第二像素分离部分从第一像素分离部分延伸并设置在对应于像素部分的边缘的绝缘图案的上表面上；在绝缘图案上 形成对应于光产生区域的第一电极电连接到薄膜晶体管，利用像素分离图案自 然图案化第一电极并形成第一电极；在第一电极上形成有机发光层；并在有机 发光层上形成第二电极。在附图和以下的描述中将对一个或多个实施例进行具体描述。其他特征将 在以下描述和附图以及所附权利要求中明显看出。


图1A所示的是根据一个实施例的显示基板的平面图。 图1B所示的是沿着图1A中的线I-I'的截面图。图2A到2G所示的是根据另一实施例的显示基板的制造方法的截面图。 图3所示的是根据再一实施例的一种有机发光二极管显示器件的截面图。 图4A到4B所示的是根据再一实施例的一种有机发光二极管显示器件的 制造方法的截面图。
具体实施方式
这里将参考附图具体描述一种有机发光二极管显示器件。图1A和1B所示的根据一个实施例的显示基板。这里，图1A所示的是根据一个实施例的显示基板的平面图，而图1B所示的是沿着图1A中的线I-I'的截面图。参考图1A和1B，在基板100上设置多个像素部分P以进行图像显示。 尽管没有在附图中显示，在基板100上的栅极线和数据线彼此交叉可限定像素 部分P。在这点上，栅极绝缘层110夹置在栅极线和数据线之间，使得栅极线 和数据线彼此绝缘。每个像素部分P包括光产生区域Pl和沿着光产生区域Pl设置的光产生 区域P2。光产生区域P1是产生用于显示图像的光线的区域。这里，当将显示 基板应用到有机发光二极管显示器件中时，用于发光的有机发光二极管器件 (未示出)可设置在光产生区域P1。为每个像素部分P设计用于分离有机发 光二极管器件的像素分离区域P2。至少一个薄膜晶体管设置在光产生区域Pl 。这里TFT Tr可为设置在光产生区域Pl中与有机发光二极管电连接以驱动有机发光二极管器件的驱动TFT。TFTTr可包括栅极102、覆盖栅极102的栅极绝缘层110、设置在对应于 栅极102的栅极绝缘层110的一部分上的半导体图案104、设置在半导体图案 104的一部分上的源极106和设置在半导体图案104的一部分上并与源极106 彼此分离设置的漏极108。这里半导体图案104可包括有非晶硅图案形成的活 性层，和由掺杂非晶硅图案形成的欧姆接触层。欧姆接触层设置在半导体图案 104和源极106之间，并位于半导体图案104和漏极108之间。在一个实施例中，TFT Tr并不限于底栅型TFT。例如TFT Tr可为顶栅型 TFT。覆盖TFT Tr的绝缘图案A设置在基板100上。绝缘图案A具有暴露TFT Tr一部分的接触孔。绝缘图案A包括覆盖TFTTr的钝化图案120以保护TFTTr。这里，钝化 图案120可由无机绝缘材料形成。例如，钝化图案120可由氧化硅或氮化硅形 成。绝缘图案A可进一步包括设置在钝化图案120上的平面图案130。平面图 案130防止在设置在钝化图案120之下的TFT Tr和导电图案142或以下将要 描述的有机发光二极管器件E之间产生寄生电容。因此，当将显示基板应用 到显示器件中时，有机发光二极管器件E可设置在TFTTr上，因此可提高显 示器件的孔径比。可采用具有小介电常数的绝缘材料形成平面图案130。形成 平面图案130的材料的例子包括BCB (苯环丁烯)树脂和丙烯酸基树脂。并且，平面图案130的上表面可为平面状。也就是说，平面图案130设置 在钝化图案120上以克服由TFT和线(例如栅极线和数据线)引起的形成在 钝化图案120上的高度差异。因此，导电图案和以下将描述的第一电极可形成 为平面状。绝缘图案A还可包括设置在平面图案130上的缓冲图案140。缓冲图案 140增强了平面图案130和导电图案142之间的粘力。并且，当将显示基板应 用到显示器件中时，缓冲图案140可防止有害气体侵害平面图案130以破坏有 机发光二极管器件E。在这点上，缓冲图案140可由无机绝缘材料形成。例如， 缓冲图案140可由氧化硅或氮化硅形成。尽管上述根据一个实施例的绝缘图案A包括钝化图案120、平面图案130 和缓冲图案140，但是绝缘图案A不局限于此。也就是说，可通过堆叠钝化图 案120和平面图案130形成绝缘图案A。并且，可通过堆叠平面图案130和缓 冲图案140形成绝缘图案A。为每个像素部分P图案化的导电图案142设置在绝缘图案A上。也就是 说，导电图案142设置在光产生区域Pl和像素分离区域P2上。在这点上， 导电图案142电连接到TFT Tr的漏极108上。导电图案142防止漏极通过接 触孔暴露从而被外部环境腐蚀。并且，尽管未示出，导电图案142可由与覆盖 用于向TFT Tr提供电信号的衬垫电极(例如栅极衬垫电极和数据衬垫电极) 的衬垫接触电极采用相同的材料形成。导电图案142可采用具有比金属更强的 抗腐蚀的导电材料形成。例如，导电图案142可由氧化铟锡(ITO)或氧化铟 锌(IZO)形成。像素分离图案150设置在导电图案142和绝缘图案A的边缘，当将显示 基板应用倒显示器件中时，像素分离图案150为每个像素部分P自然图案化有 机发光二极管器件E的第一电极。像素分离图案150包括设置在对应于像素分离区域P2的导电图案的一部 分上的第一像素分离部分150a，和设置在绝缘图案A上的第二像素分离部分 150b。导电图案142的上表面与面对导电图案142的上表面的第一像素分离部 分150a的下表面分离设置。也就是说，第一像素分离部分150a在其与导电图 案142接触的横向侧面具有(undercut)状。在这点上，具有倒凹状的横向侧 面沿着光产生区域的外侧边缘设置。尽管所述第一像素分离部分150a在图中 具有倒凹状，第一像素分离部分150a并不限于这种形状，还可以具有反转锥 形(inverse taper)状的横向侧面。也就是说，第一像素分离部分150a可具有 相对导电图案142的上表面形成锐角的横向侧面。并且，像素分离图案150可由无机绝缘材料形成。例如，像素分离图案 150可由氮化硅或氧化硅形成。牺牲图案144还可设置在倒凹状B中。也就是说，牺牲图案144夹置在 导电图案142和面对导电图案142的上表面的第一像素分离部分150a的下表 面之间。这里，牺牲图案144形成了倒凹状B。牺牲图案144可由与导电图案 142所用材料相比具有高刻蚀选择性的材料形成。例如，牺牲图案144可由Mo形成。因此，当将显示基板应用到显示器件中时，特别是根据一个实施例中的有 机发光二极管显示器件中时，并不需要执行采用像素分离图案用于形成第一电 极的分离光刻过程。并且，在常用方法中，当采用光刻过程形成第一电极时， 第一电极、有机发光层和第二电极在各个真空腔内形成。因此，当第一电极暴 露在外时，在形成第一电极时或之后，第一电极容易被腐蚀。同时，由于在本 发明中有机发光层和第二电极在形成第一电极的真空腔中形成，可降低或去除 第一电极暴露在外的时间，从而防止第一电极被腐蚀。因此，可采用上述显示 基板制造具有高可靠性的显示器件。图2A到2G所示的是根据另一实施例的显示基板的制造方法的截面图。 根据另一实施例的制造方法用于制造根据上述实施例的显示基板。因此，省略 了相同部分的描述。相同的附图标记用于表达相同的部件。参考图2A，提供基板100用于制造显示基板。基板100限定了用于显示 图像的像素部分P。这里，将像素部分P分为产生用于图像显示的光线的光产 生区域P1，和沿光产生区域P1的边缘设置的像素分离区域P2。TFTTr形成在对应于光产生区域Pl的基板100的一部分上。具体的，在基板100上形成栅极102以形成TFT Tr。在这点上，与栅极 102 —体形成的栅极线通过形成栅极102的过程形成。在基板100上形成覆盖 栅极102的栅极绝缘层110。在这点上，可采用化学蒸汽沉积法(CVD)形成 栅极绝缘层110。在对应栅极102的栅极绝缘层110的一部分上形成半导体图 案104。通过顺次沉积非晶硅和掺杂非晶硅并进行图案化过程形成半导体图案 104。之后，在半导体图案104上形成彼此分离设置的源极106和漏极108。 尽管未示出，在形成源极106和漏极108的过程中还可形成与源极106 —体形 成的数据线。在这点上，数据线可形成为与栅极线交叉。这里，像素部分P 可由数据线和栅极线交叉限定。因此，可在基板100上形成TFTTr。之后，在基板100上形成覆盖TFTTr的钝化层120a。钝化层120a可由无 机绝缘材料构成。例如，钝化层120a可由氧化硅或氮化硅形成。在这点上， 可采用CVD形成钝化层120a。参考图2B，在形成钝化层120a后，在钝化层120a中形成包括暴露对应 于TFTTr的一部分的钝化层120a的一部分的第一接触孔Cl的平面图案130。在钝化层120a上形成平面层以形成平面图案130。可由具有小介电常数的绝 缘材料形成平面层以防止在TFT和图2G中的导电图案142之间产生寄生电 容。在这点上，形成平面层的方法的例子包括旋涂法、喷涂法、滴涂法和喷墨 打印法。之后，在平面层上设置掩模，之后从掩模向基板100照射光。随后， 在包括曝光平面层的基板上进行显影以形成平面图案130。参考图2C，形成平面图案130后，在平面图案130上形成缓冲层140a。 可由无机绝缘材料形成缓冲层140a。可用于形成缓冲层140a的材料的例子包 括氮化硅和氧化硅。在这点上，可采用CVD形成缓冲层140a。参考图2D，形成缓冲层140a后，刻蚀缓冲层140a和钝化层120a以形成 缓冲图案"O和钝化图案120。在这点上，缓冲图案140和钝化图案120包括 从形成在平面图案130中的第一接触孔C1延伸的第二接触孔C2。因此，包括 钝化图案120、平面图案130和缓冲图案140的绝缘图案A形成在基板100上。 在这点上，绝缘图案包括接触孔，也就是第一和第二接触孔C1和C2，用于暴 露TFTTr的一部分，也就是漏极108的一部分。参考图2E，形成绝缘图案A后，在绝缘图案A上形成导电图案142和初 步牺牲图案144a。具体的，在绝缘图案A上顺次形成导电层和牺牲层以形成导电图案142 和初步牺牲图案144a。导电层可由具有至少与金属相比更高的抗腐蚀性的导电材料形成。例如， 导电层可由ITO或IZO形成。在这点上，可采用真空沉积法形成导电层。例 如，可采用真空沉积的喷溅法形成导电层。在导电层上形成牺牲层。牺牲层可由具有与导电层的材料相比更高的刻蚀 选择性的材料形成。例如，可用Mo形成牺牲层。在对应于像素部分P的牺牲层的一部分上形成光刻图案。之后，利用光刻 图案作为掩模刻蚀导电层和牺牲层以形成导电图案142和初步牺牲图案144a。 随后，从初步牺牲图案144a上移除光刻图案。因此，可在绝缘图案A上为每 个像素部分P形成导电图案142和初步牺牲图案144a。参考图2F，形成初步牺牲图案144a后，在包括初步牺牲图案144a的绝 缘图案A上形成像素分离图案150。像素分离图案150形成在像素分离区域P2的上表面和像素分离区域P2的周边上。并且，像素分离图案150具有暴露光产生区域P1的开口。光产生 区域P1基本上是用于显示图像的区域。具体的，首先在绝缘图案A上形成无机层以形成像素分离图案150。之后，在无机层上形成光刻图案，之后利用光刻图案作为刻蚀掩模刻蚀无机层以形成像素分离图案150。这里，无机层可由氮化硅或氧化硅形成。参考图2C，利用像素分离图案作为刻蚀掩模湿刻蚀初步牺牲图案144a。 在这点上，与像素分离区域P2相比，过刻蚀初步牺牲图案144a。因此，具有 倒凹状B的横向侧面的第一像素分离图案形成在像素分离图案150上。也就 是说，像素分离图案150具有在像素分离区域P2中的第一像素分离部分150a， 和围绕像素部分P设置的第二像素分离部分150b。这里，由于第一像素分离 部分150a具有倒凹状B，当在包括第一像素分离部分150a的基板上沉积导电 材料时，可利用第一像素分离部分150a为每个像素区域自然图案化第-一电极， 以为每个像素区域形成图案化的第 一 电极。并且，由于采用具有抗腐蚀性的导电材料形成导电图案142，可防止由于 外部环境导致的TFT的腐蚀，从而可容易保存包括TFT的显示基板。图3所示的是根据再一实施例的一种有机发光二极管显示器件的截面图。 这里，再一实施例涉及利用上述实施例的显示基板制造的有机发光二极管显示 器件。因此，省略了与上述实施例相同部分的描述。相同的附图标记表达相同 的部件。参考图3，基板100限定了多个像素部分P以显示图像。这里，像素部分 P包括产生用于显示图像的光线的光产生区域P1，沿着光产生区域P1的边缘 基本限定像素部分P的像素分离区域P2。在像素部分中设置TFTTr，也就是光产生区域P1。覆盖TFTTr的绝缘图 案A设置在基板100上。绝缘图案A包括暴露TFT Tr —部分，也就是漏极108 的一部分的接触孔。在对应像素部分P的绝缘图案A的一部分上设置导电图案142。在这点上， 导电图案142通过接触孔电连接到TFT Tr。并且，导电图案142由具有与第 一电极160的材料相比更强的抗腐蚀性的导电材料形成。这里，还可在对应像 素分离区域P2的导电图案142的一部分上设置牺牲图案144。在这点上，牺 牲图案144用于在像素分离图案150中形成倒凹状。绝缘图案A包括覆盖TFT Tr的钝化图案120、设置在钝化图案120上的 平面图案130和设置在平面图案130上的缓冲图案140。尽管上述绝缘图案A 包括钝化图案120、平面图案130和缓冲图案140，绝缘图案A并不限于此。 也就是说，绝缘图案A可通过堆叠钝化图案120和平面图案130形成。并且， 绝缘图案A可通过堆叠平面图案130和缓冲图案140形成。在绝缘图案A上设置暴露光产生区域P1的像素分离图案150。这里，像 素分离图案150设置在对应于像素分离区域P2的导电图案112的-一部分上。 因此，像素分离图案150包括设置在对应于像素分离区域P2的导电图案142 的一部分上的第一像素分离部分150a，和从第一像素分离部分150a延伸并设 置在像素部分P的周围的第二像素分离部分150b。导电图案142的上表面从面对导电图案142的上表面的第一像素分离部分 150a的下表面分离。例如，与导电图案142接触的第一像素分离部分150a的 横向侧面具有倒凹状。这里，倒凹的高度具有比第一电极160的高度大的厚度。 在这点上，高度d和第一电极160厚度的差额在100-1500 A的范围内。这里， 当高度d和第一电极160的厚度的差额小于100 A时，第一电极160不是自然 图案化。同时，当高度d和第一电极160的厚度的差额大于1500A时，形成 在第一电极160上的第二电极180可能短路。第一电极160设置在对应于光产生区域P1的导电图案142的一部分上。 因此，第一电极160通过导电图案142电连接到TFT Tr。第一电极160分离 到每个像素部分P，也就是说，由像素分离图案150形成的光产生区域P1。 第一电极160为可反射光的导电图案。例如，第一电极160可由Al或AlNd 形成。第一电极160的残留层160a可设置在像素分离图案150的第二像素分 离部分150b上。用于产生光的有机发光层170设置在第一电极160上。在有机发光层170 中，由第一电极160提供的第一电荷和由第二电极180提供的第二电荷复合以 产生光。第二电极180设置在有机发光层上。第二电极180在全部像素部分P 上作为公共电极。在这点上，第二电极180可由能传输光线的透明导电材料形 成。例如，第二电极180由ITO或IZO形成。因此，由有机发光层170产生的光通过第二电极180传输以提供图像。 在根据实施例的有机发光二极管显示器件中，可由像素分离图案在一个真空腔内形成第一电极、有机发光层和第二电极，从而防止由外部环境导致的对 第一电极的腐蚀。图4A和4B所示的是根据再一实施例的一种有机发光二极管显示器件的制造方法的截面图。根据再一实施例的制造方法用于制造采用根据上述实施例 制造的显示基板的有机发光二极管显示器件。因此，省略了相同部分的描述。 相同的附图标记表达相同的部件。参考图4A，提供了--种包括像素分离图案150的基板。这里，基板100 限定多个像素部分P以显示图像。每个像素部分P包括产生光线的光产生区 域P1，和围绕光产生区域P1设置的像素分离区域P2。TFTTr、覆盖TFTTr的绝缘图案A和电连接到TFTTr并具有对应于像素 部分P的区域的导电图案142设置在像素分离图案150和基板100之间。像素分离图案150包括设置在对应于像素分离区域P2的导电图案142的 一部分上的第一像素分离部分150a，和从第一像素分离部分150a延伸并设置 在绝缘图案A上的第二像素分离部分150b。在这点上，第一像素分离部分150a 的横向侧面具有倒凹状。这里，倒凹状的高度大于第一电极160的厚度以利用 自然图案化过程形成第一电极。在包括像素分离图案150的第一基板100上沉积金属。在这点上，形成设 置在光产生区域Pl上的第一电极160，设置在像素分离区域P2上的残留层 160a和第二像素分离部分150b。由第一像素分离部分150a在像素分离区域 P2的边缘上为每个像素自然分离第一电极160和残留层160a。因此，为每个像素部分P图案化的第一电极，也就是每个光产生区域P2， 可不需要分离图案化过程而形成。参考图4B，形成第一电极160后，在第一电极160上形成有机发光层170。 这里，可在一个真空腔内形成第一电极160、有机发光层170和第二电极180。 因此，第一电极不会暴露在外部环境中，或者将减少第一电极暴露在外部环境 中的时间，从而防止第一电极160被腐蚀。因此，可制造具有高稳定性的有机 发光二极管显示器件。尽管参考多个实施例描述了实施方式，显然在不脱离本发明的精神和范围 的情况下，本领域的普通技术人员可以对本发明实施例做出各种改进和变型。 特别是，可进行在本发明说明书、附图和所附权利要求范围内对结合部分和/或主题的组合排列进行变化和调整。对本领域的普通技术人员来说另外的在组 成部分和/或排列、替代应用中的变化和调整也是显而易见的。
权利要求
1、一种显示基板，包括在一个基板上的像素部分，所述像素部分包括用于产生光的光产生区域，和光产生区域周围的像素分离区域；在光产生区域中的薄膜晶体管；在基板上的绝缘图案，所述绝缘图案覆盖薄膜晶体管并暴露薄膜晶体管的一部分；和像素分离图案，包括第一像素分离部分和第二像素分离部分，其中所述第一像素分离部分从所述绝缘图案的上表面分离并设置在所述像素分离区域上，并且所述第二像素分离部分从所述第一像素分离部分延伸并设置在对应于所述像素部分的边缘的绝缘图案的上表面上。
2、 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括位于所述绝缘 图案和像素分离图案之间的导电图案，所述导电图案电连接到所述薄膜晶体管 并位于所述像素部分上。
3、 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，还包括位于所述绝缘 图案和像素分离图案之间的牺牲图案，所述牺牲图案位于所述像素分离区域 中。
4、 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述导电图案具有对应于所述像素部分的区域。
5、 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素分离部分的横向侧面具有倒凹状。
6、 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘图案包括覆 盖所述薄膜晶体管的平面图案，和位于所述平面图案上的缓冲图案。
7、 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘图案包括覆 盖所述薄膜晶体管的钝化图案，和位于所述钝化图案上的平面图案。
8、 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘图案包括覆 盖所述薄膜晶体管的钝化图案，位于所述钝化图案上的平面图案和位于所述平 面图案上的缓冲图案。
9、 一种制造显示基板的方法，所述方法包括提供限定了包括用于产生光线的光产生区域的像素部分的基板，且围绕光 产生区域设置像素分离部分；在所述光产生区域中形成薄膜晶体管；在所述基板上形成绝缘图案以覆盖所述薄膜晶体管并暴露所述薄膜晶体 管的一部分；并形成包括第一像素分离部分和第二像素分离部分的像素分离图案，其中所 述第一像素分离部分从绝缘图案的上表面分离并设置在所述像素分离区域上， 并且所述第二像素分离部分从所述第一像素分离部分延伸并设置在对应于所 述像素部分的边缘的绝缘图案的上表面上。
10、 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述像素分离部分具有倒 凹状的横行侧面。
11、 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括，在形成所述绝缘 图案和形成所述像素分离图案之间，在所述绝缘图案上形成导电图案，所述导 电图案具有对应于所述像素部分的区域，并电连接到所述薄膜晶体管上。
12、 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述导电图案包括在所述导电图案上形成初步牺牲图案。
13、 根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述像素分离图案 包括在所述绝缘图案上形成覆盖所述初步牺牲图案的边缘的像素分离图案； 并采用所述像素分离图案作为掩模过刻蚀初步牺牲图案以形成所述像素分离 图案的第一像素。
14、 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述绝缘图案包括-. 形成覆盖所述薄膜晶体管的钝化层； 在所述钝化层上形成平面层；刻蚀所述平面层形成平面图案，所述平面图案包括暴露对应于所述薄膜晶 体管的钝化层的一部分的接触孔；在所述平面图案上形成缓冲层；并刻蚀部分所述缓冲层和对应于所述接触孔的钝化层以形成暴露所述薄膜 晶体管一部分的缓冲图案和钝化图案。
15、 一种有机发光二极管显示器件，包括在基板上的像素部分，所述像素部分包括用于产生光的光产生区域，和光200710308355.7权利要求书第3/4页产生区域周围的像素分离区域；在所述光产生区域中的薄膜晶体管；在基板上的绝缘图案，所述绝缘图案覆盖薄膜晶体管并暴露薄膜晶体管的一部分；像素分离图案，包括第一像素分离部分和第二像素分离部分分，其中所述 第一像素分离部分从所述绝缘图案的上表面分离并设置在所述像素分离区域 上，而所述第二像素分离部分从所述第一像素分离部分延伸并设置在对应于所 述像素部分的边缘的所述绝缘图案的上表面上；第一电极电连接到所述薄膜晶体管，利用所述像素分离部分将所述第一电 极设置在光产生区域；在所述第一电极上的有机发光层；和在所述有机发光层上的第二电极。
16、 根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所 述第一像素分离部分的横向侧面具有倒凹状。
17、 根据权利要求16所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所 述倒凹状具有比第一电极的厚度大的高度。
18、 根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所 述倒凹的高度和第一电极的厚度之间的差额在100-1500 A的范围内。
19、 根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器件，还包括位于所述 绝缘图案和第一 电极之间的导电图案。
20、 根据权利要求19所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所 述导电图案由具有与所述第一电极所用材料相比更强的抗腐蚀性的导电材料 形成。
21、 根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所 述绝缘图案包括覆盖所述薄膜晶体管的钝化图案，位于所述钝化图案上的平面 图案和位于所述平面图案上的缓冲图案。
22、 根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所 述绝缘图案包括覆盖所述薄膜晶体管的平面图案和位于所述平面图案上的缓 冲图案。
23、 根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，第一电极包括可反射光的导电图案。
24、 一种有机发光二极管显示器件的制造方法，所述方法包括 提供限定了包括用于产生光线的光产生区域的像素部分的基板，且围绕光产生区域设置像素分离部分；在所述光产生区域中形成薄膜晶体管；形成绝缘图案以覆盖所述薄膜晶体管并暴露所述薄膜晶体管的一部分；形成包括第一像素分离部分和第二像素分离部分的像素分离图案，所述第 一像素分离部分从所述绝缘图案的上表面分离并设置在所述像素分离区域上， 并且所述第二像素分离部分从所述第一像素分离部分延伸并设置在对应于所 述像素部分的边缘的绝缘图案的上表面上；在所述绝缘图案上形成对应于所述光产生区域的第一电极电连接到所述 薄膜晶体管，利用所述像素分离图案自然图案化以形成所述第一电极-，在所述第一电极上形成有机发光层；并在所述有机发光层上形成第二电极。
25、 根据权利要求24所述的方法，其特征在于，形成所述第一电极包括 通过真空沉积可反射光的导电材料形成所述第一电极。
全文摘要
提供了一种显示基板、采用所述显示基板的有机发光二极管显示器件及其制造方法。显示基板包括第一像素分离部分和从第一像素分离部分延伸并围绕像素部分设置的第二像素分离部分。因此，形成可减少制造有机发光二极管显示器件的制造程序数量，并防止有机发光二极管显示器件的第一电极受到腐蚀。
文档编号H01L27/32GK101271919SQ20071030835
公开日2008年9月24日 申请日期2007年12月29日 优先权日2007年3月22日
发明者崔熙东 申请人:Lg.菲力浦Lcd株式会社