专利名称：沟槽高压p型金属氧化物半导体管的制作方法
技术领域：
沟槽高压P型金属氧化物半导体管技术领域本发明是一种金属氧化物半导体管，尤其是沟槽髙压P型金属氧化物半导体管。
背景技术：
MOS (金属氧化物半导体)型高压器件具有开关特性好、功耗小等优点，更 为重要的是金属氧化物半导体型高压器件易于兼容标准低压余属氧化物半导体工 艺，降低芯片的生产成本。金属氧化物半导体型髙压器件向着两个方向发展横 向金属氧化物半导体型高压器件和垂直导电金属氧化物半导体型高压器件。其中 垂直导电金属氧化物半导体型高压器件将漏区、漂移区和沟道区从硅片表面分别 转移到硅片的底部和体内，与横向金属氧化物半导体型高压器件相比，单个管芯 占用的硅片面积大大减小，从而在相同的版图面积上可以得到大的工作电流。目 前常用的两种垂直导电金属氧化物半导体型高压器件结构是VDMOS和UMOS。 与VDMOS相比，UMOS采用纵向沟道且不存在JFET电阻，因此在导通电阻和 开关特性方面更有优势。技术内容本发明提供一种击穿电压在50V以上、工作电流在100mA以上且与标准外延 CMOS (互补型金属氧化物半导体)工艺相兼容的沟槽高压P型金属氧化物半导 体管。本发明采用如下技术方案一种沟槽髙压P型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的P型漏区，在P型 漏区上设有P型外延，在P型外延上设有N型阱，在N型阱上设有P型源区和N 型接触孔，在N型阱及P型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟槽 内还设有多品硅栅且多晶硅栅的位置高度与N型阱的高度相对应，在沟槽的周围 设有N型区，在多晶硅栅与N型阱之间设有栅氧化层，在多晶硅栅及P型源区的 上方覆有二氧化硅，在P型源区及N型接触孔上连接有铝引线。本发明的沟槽髙压P型金属氧化物半导体管是一种纵向沟道垂直导电金属氧 化物半导体型高压器件，它巧妙利用体内耗尽层分压的方法，大大改善了器件特 性。该器件的优势在更大工作电压领域将得到更大的体现。与现有技术相比，本发明具有如下优点(1)本发明在沟槽側壁上引入一个或多个N型区。关态时，这些N型区被 耗尽，有效分担了髙压，并在器件纵向方向上形成三个或更多个峰值电场，有效 缓解了器件沟槽底的大电场，大大提高了器件的击穿电压。(2)本发明在沟槽侧 壁上引入N型区，可使器件在相同的击穿电压下，外延浓度增加、外延厚度减小， 这将使导通电阻大大减小，从而显著改善器件的导通电流和开关特性。(3)本发 明通过在沟槽下引入厚氧化层，有效减小了器件的栅漏电容，从而减小了器件的 栅漏电荷，显著提高了器件的驱动能力和开关速度。(4)本发明在沟槽侧壁上的 N型区个数可根据实际情况灵活设计，这为设计者提供了一个在器件特性和制造 成本之间折中的选择，器件工作电压越髙，本发明优势越明显。(5)本发明所引 入的深槽刻蚀、体内注入N型区以及其它工艺歩骤都可以在标准低压外压CMOS 工艺线上实现，故本发明具有兼容性好、可靠性髙、制造成本低、易产业化等优 点。(6)在沟槽側壁引入N型区后，与沟槽底部的N型区形成一个完整的分压系 统，可以更好地降低沟槽底部及拐角处的电场，提高器件的耐压，同时降低器件 的导通电阻。
图1是本发明的结构示意图。图2是本发明的实施例结构示意图。
具体实施方式实施例1参照图l, 一种沟槽高压P型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的P型漏区l，在P型漏区1上设有P型外延2,在P型外延2上设有N型阱3，在N型 阱3上设有P型源区4和N型接触孔5，在N型阱3及P型外延2内设有沟槽6， 在沟槽6内填充有二氧化硅8,在沟槽6内还设有多晶硅栅9且多晶硅栅9的位置 髙度与N型阱3的高度相对应，在沟槽6的周围设有N型区，在多晶硅栅9与N 型阱3之间设有栅氧化层11 ，在多晶硅栅9及P型源区4的上方覆有二氧化硅10, 在P型源区4及N型接触孔5上连接有铝引线12,上述N型区可以采用多种更 为具体的技术措施，它可以是N型环72，也可以是N型底71,还可以在沟槽周 围同时设置N型底71及N型环72，在本实施例中，参照图2， N型区为N型环 72且该N型环72位于沟槽6的側壁上N型区为N型底71且该N型底71位于 沟槽6的端部，N型环72可以采用l个、2个或更多个，具体数量可为耐压每 增加100V,在沟槽侧壁上增加2个P型环。
权利要求1、 一种沟槽高压P型金属氧化物半导体管，其特征在于包括兼做衬底的P型漏区(1)，在P型漏区(1〉上设有P型外延(2),在P型外延(2)上设有N型 阱(3)，在N型阱(3)上设有P型源区(4)和N型接触孔(5),在N型阱(3) 及P型外延(2)内设有沟槽(6),在沟槽(6)内填充有二氧化硅(8),在沟槽 (6)内还设有多晶硅栅(9)且多晶硅栅(9)的位置髙度与N型阱(3)的高度 相对应，在沟槽(6)的周围设有N型区，在多晶硅栅(9)与N型阱(3)之间 设有栅氧化层(11)，在多晶硅栅(9)及P型源区(4)的上方覆有二氧化硅(10)， 在P型源区(4)及N型接触孔(5)上连接有铝引线(12)。
2、 根据权利要求1所述的沟槽髙压P型金属氧化物半导体管，其特征在于N 型区为N型环(72)且该N型环(72)位于沟槽(6)的侧壁上。
3、 根据权利要求1或2所述的沟槽髙压P型金属氧化物半导体管，其特征在 于N型区为N型底(71)且该N型底(71)位于沟槽(6)的端部。
专利摘要本实用新型公开了一种沟槽高压P型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的P型漏区，在P型漏区上设有P型外延，在P型外延上设有N型阱，在N型阱上设有P型源区和N型接触孔，在N型阱及P型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟槽内还设有多晶硅栅且多晶硅栅的位置高度与N型阱的高度相对应，在沟槽的周围设有N型区，在多晶硅栅与N型阱之间设有栅氧化层，在多晶硅栅及P型源区的上方覆有二氧化硅，在P型源区及N型接触孔上连接有铝引线。本发明的沟槽高压P型金属氧化物半导体管是一种纵向沟道垂直导电金属氧化物半导体型高压器件，它巧妙利用体内耗尽层分压的方法，改善了器件特性。该器件的优势在更大工作电压领域将得到更大的体现。
文档编号H01L29/66GK201038163SQ20072003552
公开日2008年3月19日 申请日期2007年3月30日 优先权日2007年3月30日
发明者侠 刘, 孙伟锋, 喆 戈, 时龙兴, 易扬波, 陆生礼 申请人:东南大学