蒸镀用衬底及发光装置的制造方法

专利名称：：蒸镀用衬底及发光装置的制造方法
技术领域：
：本发明涉及用来形成可通过蒸镀法进行成膜的材料的膜的蒸镀用村底及使用该蒸镀用衬底的发光装置的制造方法。
背景技术：
：将具有薄型轻量、高速响应、直流低电压驱动等的特性的以有机化合物用作发光体的发光元件被期待应用于下一代平板显示器。尤其是，一般认为将发光元件配置为矩阵状的显示装置与现有的液晶显示装置相比具有视角广且可见度好的优点。发光元件的发光机构一般被认为如下通过将EL层夹在一对电极之间并施加电压，来使从阴极注入的电子及从阳极注入的空穴在EL层的发光中心复合而形成分子激子，当该分子激子緩和到基底态之际释放能量而发光。作为激发状态，有单态激发及三重态激发。通过任何激发状态都可以发光。构成发光元件的EL层至少具有发光层。另外，EL层也可以由叠层结构构成，其中除了发光层以外还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、以及电子注入层等。另外，形成EL层的EL材料大致分类为低分子(单体)材料和高分子(聚合物)材料。在一般情况下，使用蒸镀法形成低分子材料的膜，使用喷墨法等形成高分子材料的膜。在采用蒸镀法时使用的蒸镀装置具有设置村底的村底支架、封入EL材料即蒸镀材料的坩埚(或蒸镀舟)、加热坩埚内的EL材料的加热器、以及防止升华的EL材料扩散的挡板，其中，由加热器加热的EL材料升华并在衬底上成膜。然而，实际上，为了均匀地形成膜，需要使被成膜衬底旋转或将衬底和坩埚之间的距离以一定程度离开。另外，在^f吏用多个EL材料通过金属掩模等的掩^^莫分色涂敷时，需要将不同像素之间的间隔设计为广，并且将由设置在像素之间的绝缘物构成的分隔壁(堤岸)的宽度设计为广。在推进随着包括发光元件的发光装置的高精细化(像素数量的增加)及小型化的各个显示像素的栅距的微细化时，该需求成为很大的课题。由此，为了作为平板显示器实现更高的细致化和可靠性，被要求解决上述问题并且实现生产性的提高和低成本化。另一方面，提出了通过激光转写(Laser-InducedThermalImaging)形成发光元件的EL层的方法(参照专利文献l)。专利文献1记载在支撑村底上具有由低反射层和高反射层构成的光热转换层、以及具有转写层的转写用衬底。通过对这种转写用衬底照射激光，可以将转写层转写到元件制造用衬底上。然而，对专利文献l的转写用衬底而言，在衬底的一方面上层叠形成有高反射层及低反射层。西此，即使使用高反射层，也产生一定程度的热吸收，从而有可能在激光的热量大时，除了低反射层上的转写层以外，高反射层上的转写层也被转写。另外，在专利文献l的图3所记载的结构中，如喹啉)合铱(III)乙酰丙酮盐(简称:Ir(bzq)2(acac))等。另外，作为黄色发光材料，可以举出双(2，4-二苯基-l,3-噁唑-N，c2')合铱(III)乙酰丙酮盐(简称:Ir(dpo)2(acac))、双口-[〖-(全氟苯基苯基)吡啶醇-N，C"合铱(m)乙酰丙酮盐(简称:Ir(p-PF-ph)2(acac))、双(2-苯基苯并噻唑-1\，(:2')合铱(111)乙酰丙酮盐(简称:Ir(bt)2(acac))等。另外，作为橙色发光材料，可以举出三(2-苯基喹啉-N，C"合铱(in)(简称:Ir(pq)3)、双(2-苯基喹啉-N，(5)合铱(m)乙酰丙酮盐(简称:Ir(pq)3(acac))等。另外，作为红色发光材料，可以举出双[2-(2'-苯并[4，5-a]噻吩基)吡啶醇-N，C5]合铱(m)乙酰丙酮盐(简称Ir(btp)2(acac))、双(l-笨基异喹啉-N，C2，)合铱(III)乙酰丙酮盐(简称:Ir(piq)2(acac))、(乙酰基丙酮)双[2，3-双(4-氟苯基)喹喔啉I合铱(m)(简称Ir(Fdpq)2(acac))、2，3，7，8，12，13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉合铂(II)(简称PtOEP)等的有机金属配合物。此外，诸如三(乙酰基丙酮)(一菲咯啉)合铽(III)(简称Tb(acac)3(Phen))、三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮)(一菲咯啉)合铕(III)(简称Eu(DBM)3(Phen))、三[l-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮(一菲咯啉)合铕(ni)(简称Eu(TTA)3(Phen))等的稀土金属配合物由于利用稀土金属离子而发光(在不同多重性之间的电子迁移)，所以可以用作磷光化合物。作为可用于发光层813的荧光化合物有如下材料。例如，作为蓝色发光材料，可以举出N，N'-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N，-二苯基芪一4，4'-二胺(简称YGA2S)、4國(9H-^"唑-9-基)-4'-(10國苯基-9-蒽基)三苯胺(简称YGAPA)等。另外，作为绿色发光材料，可以举出34N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-^唑-3-胺(简称2PCAPA)、N画[9,10-双(l，l'-联苯画2國基)-2-蒽基-N，9-二苯基画9H-呻唑誦3-胺(简称2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N，N，，N'-三苯-l，4-苯二胺(简称2DPAPA)、]\-9，10-双(1，1'-联苯-2誦基)-2-蒽基-1^，]\'，1^-三苯-1，4-苯二胺(简称2DPABPhA)、N-[9，10-双(l，l'-联苯國2-基)-N-[4画(9H-呻唑-9-基)苯基-N-苯基蒽-2-胺(简称2YGABPhA)、N，N，9-三苯蒽-9-胺(简称DPhAPhA)等。另外，作为黄色发光材料，可以举出红荧烯、5,12-双(1，1'-联苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(简称BPT)等。另外，作为红色发光材料，可以举出N，N，N'，N，-四(4-甲基苯基)并四苯-5，ll-二胺(简称p画mPhTD)、7，13-二苯基-^'，,""，^"-四(4-曱基苯基)荒并[l，2-a荧蒽-3，10-二胺(筒称p-mPhAFD)等。另外，作为发光层813，也可以使用将发光性高的物质(掺杂剂材料)分散在其他物质(主体材料)中的结构。通过使用将发光性高的物质(掺杂剂材料)分散在其他物质(主体材料)中的结构，可以抑制发光层的结晶化。另外，可以抑制因为发光性高的物质的浓度高而导致的浓缩猝灭。作为分散发光物质的物质，在发光物质为荧光化合物的情况下，优选使用其单重激发能(基态和单重激发态之间的能量差)大于荧光化合物的物质。另外，在发光物质为磷光化合物的情况下，优选使用其三重激发能(基态和三重激发态之间的能量差)大于磷光化合物的物质。作为用于发光层的主体材料，例如除了4，4'-双[N-(l-萘基)-N-苯胺联苯(简称:NPB)、三(8-喹啉醇合)铝(111)(简称:Alq)、4，4'誦双[N國(9，9-二甲基芴-2-某基)-N-苯胺联苯(简称:DFLDPBi)、双(2-曱基-8-喹啉醇)(4-苯基苯酚)铝(m)(简称:BAlq)等之外，还可以举出^f-二(N-咔唑基)联苯(简称:CBP)、2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称:t-B"DNA)、9-[4-(9-吵唑基)苯基卜10-苯基蒽(简称:CzPA)等。另外，作为掺杂剂材料，可以使用上述磷光化合物或荧光化合物。在使用将发光性高的物质(掺杂剂材料)分散在其他物质(主体材料)中的结构作为发光层813的情况下，作为蒸镀用衬底上的材料层，形成主体材料和客体材料混合的层即可。或者，作为蒸镀用衬底上的材料，也可以采用主体材料的层和包含客体材料的层层叠的结构。通过使用具有这种结构的材料层的蒸镀用衬底形成发光层813，获得发光层813包含分散发光材料的物质(主体材料)和发光性高的物质(掺杂剂材料)，并且在分散发光材料的物质(主体材料)中分散有发光性高的物质(掺杂剂材料)的结构。另外，作为发光层813，即可以使用两种以上的主体材料和掺杂剂材料，又可以使用两种以上的掺杂剂材料和主体材料。另外，也可以使用两种以上的主体材料及两种以上的掺杂剂材料。另外，在形成图8B所示的发光元件的情况下，以每个层准备具有由形成EL层803(空穴注入层811、空穴传输层812、电子传输层814、以及电子注入层815)的各个层的材料形成的材料层的实施方式1所示的蒸镀用衬底，分别使用不同的蒸镀用村底形成各个层，并且通过实施方式1所示的方法在衬底801的第一电才及802上形成EL层803。之后，通过在EL层803上形成第二电极804，可以获得图8B所示的发光元件。另外，在此情况下，也可以将实施方式1所示的方法应用到EL层803中的所有的层，但是也可以使用将实施方式1所示的方法之应用到一部分层。例如，作为空穴注入层811，可以使用钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、鴒氧化物、锰氧化物等。除此之外，也可以使用酞著化合物如酞菁(H2Pc)和铜酞菁(CuPC)等、或高分子如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(简称PEDOT/PSS)等来形成空穴注入层811。另外，作为空穴注入层811，可以使用包含具有高空穴传输性的物质和呈现电子接受性的物质的层。包含具有高空穴传输性的物质和呈现电子接受性的物质的层具有高栽流子密度且优越的空穴注入性。另外，通过使用包含具有高空穴传输性的物质和呈现电子接受性的物质的层作为与用作阳极的电极接触的空穴注入层，可以使用各种金属、合金、导电化合物、以及这些的混合物等，而与用作阳极的电极材料的功函数的大小无关。例如可以使用具有层叠具有高空穴传输性的物质的层和呈现电子接受性的物质的层而形成的材料层的蒸镀用衬底来形成包含具有高空穴传输性的物质和呈现电子接受性的物质的层。作为用于空穴注入层811的呈现电子接受性的物质，可以举出7，7，8，8-四氰基-2,3，5，6-四氟醌二甲烷(简称:F4-TCNQ)、氯醌等。另外，可以举出过渡金属氧化物。另外，可以举出属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物。具体地，氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化鴒、氧化锰和氧化铼是优选的，因为其电子接受性高。其中，氧化钼尤其是优选的，因为它在大气中稳定并且其吸湿性低，从而容易处理。作为用于空穴注入层811的具有高空穴传输性的物质，可以使用各种化合物诸如芳香胺化合物、呻唑衍生物、芳烃和高分子化合物(低聚物、树状聚合物、聚合体等)。另外，作为用于空穴注入层的具有高空穴传输性的物质，优选使用具有l(T6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。然而，只要是其空穴传输性高于其电子传输性的物质，就还可以使用这些以外的物质。下面具体地列举可用于空穴注入层的具有高空穴传输性的物质。作为可用于空穴注入层811的芳香胺化合物，例如可以使用芳胺化合物，诸如4，4'-双[N-(l-萘基)-N-苯基氨基联苯(简称NPB)、N，N，-双(3-甲基苯基)-N，N，-二苯基-[l，l，-联苯]-4，4，-二胺(简称TPD)、4，4'，4，，-三(N，N-二苯基氨基)三苯基胺(简称TDATA)、4，4'，4，，-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基三苯基胺(简称MTDATA)、4，4'-双[N-(螺环-9，9'-二芴-2-基)-N-苯基氨基-l，l'-联苯(简称BSPB)等。另外，可以举出1\,1^'-双(4-甲基苯基)(对-甲苯基)-]\,]^'-二苯基-对画苯二胺(简称DTDPPA)、4，4'-双[N-(4-二苯氨基苯)-N-苯基氨基联苯(简称DPAB)、4，4'-双(N-(4-[N'-(3-曱基苯基)-N'-苯基氨基苯基卜N-苯基氨基)联苯(简称DNTPD)、1，3，5-三[N-(4-二苯氨基苯)-N-苯基氨基苯(简称DPA3B)等。作为可以用于空穴注入层811的呼唑衍生物，可以具体地举出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基-9-笨基啼唑(简称PCzPCAl)、3,6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基卜9-苯基吵唑(筒称PCzPCA2)、3-[N-(l-萘基)-N-(9-苯基^唑-3-基)氨基-9-苯基呼唑(简称PCzPCNl)等。此外，作为可以用于空穴注入层811的呻唑衍生物，可以举出4，4，-二(N-呻唑基)联苯(简称CBP)、1，3，5-三[4-(N-呻唑基)苯基l苯(简称TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-^唑(简称CzPA)、1，4-双[4-(N-^唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。另外，作为可以用于空穴注入层811的芳烃，例如可以举出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称:t-BuDNA)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称DPPA)、2-#又丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(简称t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称DNA)、9,10-二苯基蒽(简称DPAnth)、2-叔丁基蒽(简称t-BuAnth)、9，10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称DMNA)、9，10-双[2-(l-萘基)苯基蒽、2，3，6，7-四曱基-9，10-二(1-萘基)-2-叔丁基-蒽、9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四曱基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9'-铋蒽基、lO，lO'-二苯基-9,9'-铋蒽基、10，10'-双(2-苯基苯基)-9，9，-铋蒽基、IO，IO，國双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基1-9，9'-铋蒽基、蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔-丁基)二萘嵌苯等。此外，也可以使用并五苯、晕苯(coronene)等。如此，更优选使用具有lxl(^cmVVs以上的空穴迁移率且碳数为14至42的芳烃。另外，可以用于空穴注入层811的芳烃也可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基的芳烃，例如可以举出4，4，-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(简称DPVBi)、9，10-双[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基蒽(简称:DPVPA)等。通过使用具有层叠包含这些具有高空穴传输性的物质的层和包含呈现电子接受性的物质的层而成的材料层的蒸镀用村底，可以形成空穴注入层811。在使用金属氧化物作为呈现电子接受性的物质的情况下，优选在第一衬底801上形成包含具有高空穴传输性的物质的层，然后形成包含金属氧化物的层。这是因为如下缘故，即在很多情况下，金属氧化物的蒸镀温度高于具有高空穴传输性的物质的蒸镀温度。通过采用具有这种结构的蒸镀源，可以高效率地使具有高空穴传输性的物质和金属氧化物升华。另外，可以抑制蒸镀而形成的膜中的浓度的局部不均匀性。另外，溶解或分散具有高空穴传输性的物质和金属氧化物双方的溶剂的种类很少，不容易形成混合溶液。因此，难以使用湿法直接形成混合层。然而，通过使用本发明的制造方法，可以容易形成包含具有高空穴传输性的物质和金属氧化物的混合层。另外，包含具有高空穴传输性的物质和呈现电子接受性的物质的层除了具有空穴注入性之外，还具有优越的空穴传输性，因此还可以将上述空穴注入层811用作空穴传输层。空穴传输层812是包含具有高空穴传输性的物质的层。作为具有高空穴传输性的物质，例如可以使用芳族胺化合物等，例如4，4'-双[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称NPB或a-NPD)、N，N'-双(3-曱基苯基)-N，N'-二苯基-[l，l'-联苯-4，4'-二胺(简称TPD)、4，4，，4〃-三(N，N-二苯基氨基)三苯基胺(简称TDATA)、4，4',4〃-三[]\-(3-甲基苯基)-]^-苯基氨基]三苯基胺(筒称MTDATA)、或4，4，-双[N-(螺-9,9'-联芴-2画基)-N-苯基氨基联苯(简称BSPB)等。上述物质主要是具有l(T6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。但也可以使用除此之外的其它材料，只要其空穴传输性高于电子传输性。此外，包含具有高空穴传输性的物质层不限于单层，也可以层叠两个或多个由前述物质制成的层。电子传输层814是包含具有高电子传输性的物质的层。例如，可以使用包含具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属络合物等，如三(8-羟基喹啉)铝(简称Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(简称Almq3)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(简称BeBq2)、或双(2-曱基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(简称BAlq)等的层。另外，还可以使用以下具有恶唑类或噻唑类配体的金属配合物等，如双[2-(2-羟基苯基)苯并恶唑锌(简称:Zn(BOX)2)、双[2-(2-羟基苯基)苯并噻唑j锌(简称:Zn(BTZ)2)等。除了金属络合物以外，也可使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-l，3，4-噁二唑(简称PBD)、1，3-双[5-(对-叔丁基苯基)-1，3,4-噁二唑-2-基I苯(简称OXD-7)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-l，2，4-三喳(简称TAZ01)、红菲咯啉(简称BPhen)、浴铜灵(筒称BCP)等。这里所述的物质主要为具有l(T6cin2/Vs以上的电子迁移率的物质。另外，只要其具有高于空穴传输性的电子传输性，就可以使用除上述之外的其它物质作为电子传输层。另外，电子传输层不限于单层，也可以层叠两个以上的由前述物质制成的层。另外，作为电子注入层815,可以使用诸如氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)等的碱金属化合物或碱土金属化合物。而且，也可以使用具有电子传输性的物质与碱金属或碱土金属相组合而成的层。例如，可以使用将镁(Mg)包含在Alq中而成的层。另外，作为电子注入层，优选使用具有电子传输性的物质与碱金属或碱土金属相组合而成的层，因为可以有效地进行从第二电极804的电子注入。另外，至于EL层308，对于层的叠层结构没有特别的限制，适当地将包含具有高电子传输性的物质、具有高空穴传输性的物质、具有高电子注入性的物质、具有高空穴注入性的物质、具有双极性(具有高电子传输性及高空穴传输性)的物质等的层与发光层组合来构成，即可。在EL层803所获得的发光通过第一电极802和第二电极804中的任一方或双方被取出到外部。从而，第一电极802和第二电极804中的任一方或双方是具有透光性的电极。在只有第一电极802是具有透光性的电极的情况下，光通过第一电极802从衬底801—侧被取出。此外，在只有第二电极804是具有透光性的电极的情况下，光通过第二电极804从与衬底801相反一侧被取出。在第一电极802及第二电极804都是具有透光性的电极的情况下，光通过第一电极802及第二电极804从衬底801—侧以及与衬底801相反一侧被取出。另外，在图8A和8B中虽然示出了在衬底801—侧设置用作阳40极的第一电极802的结构，但是也可以在衬底801—侧设置用作阴极的第二电极804。另夕卜，作为EL层803的形成方法，使用实施方式l所示的成膜方法即可，还可以与其他成膜方法组合。另外，也可以对于各个电极或各个层分别使用不同的成膜方法来形成。作为千法，可以举出真空蒸镀法、电子束蒸镀法、溅射法等。另外，作为湿法，可以举出喷墨法或旋涂法等。根据本实施方式的发光元件由于可以形成应用本发明的EL层，所以高效地形成高精度的膜，因此，不仅可以提高发光元件的特性，还可以实现成品率的提高和成本的降低。另外，本实施方式4所示的结构可以适当地组合实施方式1至实施方式3所示的结构。实施方式5在本实施方式中，将说明使用实施方式4所说明的发光元件来形成的发光装置。首先，使用图9A至9C、图IO说明无源矩阵型发光装置。在无源矩阵型(单纯矩阵型)发光装置中，并列为条形(带形)的多个阳极和并列为条形的多个阴极互相正交，并且具有发光层被夹在其交叉部的结构。因此，相当于被选择(被施加电压)的阳极和被选择的阴极的交点的像素发光。图9A是密封之前的像素部的俯视图。图9A中的以虛线A-A'截断的截面图是图9B，而以点划线B-B'截断的截面图是图9C。在衬底901上形成绝缘膜904作为基底绝缘膜。另外，如果不需要基底绝缘膜，则也可以不形成。在绝缘膜904上，将多个第一电极913形成为具有等间距的条形。此外，在第一电极913上提供具有对应于各个像素的开口部的分隔壁914，并且具有开口部的分隔壁914由绝缘材料(感光性或非感光性的有机材料(聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、酰亚胺酰胺、抗蚀剂、或苯并环丁烯)或者SOG膜(例如，包含烷基的SiOx膜))构成。另外，对应于各个像素的开口部成为发光区域921。在具有开口部的分隔壁914上提供与第一电极913交叉的互相平行的多个反锥形的分隔壁922。按照光刻法使用负型感光树脂以其未曝光部分作为图形，并且通过调节曝光量或显影时间以使图形的下部蚀刻得更多，来形成反锥形的分隔壁922。将具有开口部的分隔壁914及反锥形的分隔壁922的高度的总和设定为比EL层及用作第二电极916的厚度大。由此，形成分离为多个区域的EL层，具体而言，由呈现红色发光的材料形成的EL层(R)(915R)、由呈现绿色发光的材料形成的EL层(G)(915G)、由呈现蓝色发光的材料形成的EL层(B)(915B)、以及第二电极916。另外，分离为多个的区域彼此电隔离。第二电极916是在与第一电极913交叉的方向上延伸的彼此平行的条形电极。另外，EL层及形成第二电极916的导电层的一部分还形成在反锥形的分隔壁922上，但其与EL层(R)(915R)、EL层(G)(915G)、EL层(B)(915B)以及第二电极916是分断的。另外，在本实施方式中，EL层是至少包括发光层的层，并且除了该发光层以外，还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层等。这里示出了选择性地形成EL层(RX915R)、EL层(GX915G)、EL层(B)(915B)来形成可以获得三种发光(红(R)、绿(G)、蓝(B))的能够进^f亍全彩色显示的发光装置的例子。EL层(RX915R)、EL层(G)(915G)、EL层(B)(915B)分别被形成为互相平行的条形图形。应用上述实施方式l及实施方式2所示的成膜方法来形成这些EL层即可。另外，若有需要，使用密封罐或用来密封的玻璃衬底等的密封材料来密封。在此，作为密封衬底使用玻璃衬底，使用密封剂等的粘接剂将衬底和密封衬底贴合起来，使被密封剂等的粘接剂围绕的空间密封。对被密封的空间填充填充剂或干燥了的惰性气体。另外，还可以在衬底和密封材料之间封装干燥剂等，以便提高发光装置的可靠性。借助于千燥剂清除少量的水分，而充分干燥。另外，作为千燥剂，可以使用由化学吸附作用吸附水分的物质，诸如氧化钙和氧化钡等的碱土金属氧化物。另外，作为其他干燥剂，也可以使用诸如沸石和硅胶等的由物理吸附作用吸附水分的物质。然而，在设置有与发光元件接触并覆盖发光元件的密封材料，而可以充分地遮断外气的情况下，不必特意设置干燥剂。接下来，图IO示出在图9A至9C所示的无源矩阵型发光装置中安装FPC等时的俯碎见图。在图10中，形成在衬底1001上的构成图像显示的像素部具有彼此正交的扫描线组和数据线組。在此，图9A至9C中的第一电极913、第二电极916、以及反锥形的分隔壁922分别相当于图10中的扫描线1003、数据线1002、以及分隔壁1004。在数据线1002和扫描线1003之间夹有EL层，并且区域1005表示的交叉部分成为一个像素。另外，扫描线1003在布线端部与连接布线1008电连接，并且连接布线1008通过输入端子1007连接到FPC1009b。并且，数据线1002通过输入端子1006连接到FPC1009a。另外，若有需要，可以在射出面上适当地设置诸如偏振片、圆偏振片(包括椭圆偏振片)、相位差板(X/4片、X/2片)、以及彩色滤光片等的光学膜。另外，也可以在偏振片或圆偏振片上提供抗反射膜。例如，可以进行抗眩光处理，该处理是利用表面的凹凸来扩散反射光并降低眩光的。另外，在图10中虽然示出了在衬底上不设置驱动电路的例子，但是，本发明没有特别限制，也可以在衬底上安装具有驱动电路的IC芯片。在安装IC芯片的情况下，利用COG方式在像素部的周围(外侧)区域中分别安装数据线侧IC和扫描线侧IC，该数据线侧IC和扫描线侧IC形成有用来将各个信号传送到像素部的驱动电路。作为安装技术，除了COG方式以外，还可以采用TCP或引线键合方式。TCP是一种在TAB胶带上安装有IC的方式，通过将TAB胶带连接到元件形成衬底上的布线来安装IC。数据线侧IC及扫描线侧IC可以使用硅衬底，也可以使用在其上形成有由TFT形成的驱动电路的玻璃衬底、石英村底、或塑料村底。另外，虽然示出了一个IC提供在单侧上的例子，但也可以在单侧上提供被分成多个的IC。接着，使用图IIA和IIB说明有源矩阵型发光装置的例子。另外，图IIA是发光装置的俯视图，图IIB是以图IIA的虚线A-A'切割的截面图。根据本实施方式的有源矩阵型发光装置具有设置在元件衬底lllO上的像素部1102、驱动电路部(源极侧驱动电路)1101、以及驱动电路部(栅极侧驱动电路)1103。像素部1102、驱动电路部1101、以及驱动电路部1103,皮密封剂1105密封在元件一于底1110和密封衬底1104之间。另外，在元件衬底1110上设置用于连接外部输入端子的引导布线1108，所述外部输入端子将来自外部的信号(例如，视频信号、时钟信号、起始信号、或复位信号等)或电位传送到驱动电路部1101及驱动电路部1103。在此示出了作为外部输入端子提供FPC(柔性印刷线路)1109的例子。另外，虽然这里仅示出了FPC,但该FPC也可以安装有印刷线路板(PWB)。本说明书中的发光装置除了发光装置本身以外，还包括其上安装有FPC或PWB的状态。下面，参照图IIB说明截面结构。在元件衬底lllO上形成有驱动电路部以及像素部，这里示出作为源极侧驱动电路的驱动电路部1101和像素部1102。在此示出在驱动电路部1101中形成有组合n沟道型TFT1123和p沟道型TFT1124而形成的CMOS电路的例子。此外，形成驱动电路部的电路也可以由多种CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路形成。此外，在本实施方式中，虽然示出了将驱动电路形成在衬底上的驱动器一体型，但是并不一定要如此，驱动电路也可以不是形成在衬底上而是形成在外部。另外，像素部1102由多个像素形成，所述像素包括开关用TFT1111、电流控制用TFT1112、以及电连接到该电流控制用TFT1112的布线(源电极或漏电极)的第一电极1113。另外，以覆盖第一电极1113的端部的方式形成有绝缘物1114。在此，绝缘物1114采用正型光敏丙烯酸树脂形成。此外，为了改善层叠在上层的膜的覆盖性，优选在绝缘物1114的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，当将正型光敏丙烯酸树脂用作绝缘物1114的材料时，优选将绝缘物1114的上端部形成为具有曲率半径(0.2jLim至3^iin)的曲面。此外，作为绝缘物1114，可以使用通过照射光而变为不溶解于蚀刻剂的负型光敏材料、或者通过照射光而变为溶解于蚀刻剂的正型光敏材料中的任一种。而且，作为绝缘物1114，不仅可以使用有才几化合物，还可以使用无机化合物如氧化硅、氧氮化硅等。在第一电极1113上层叠形成有EL层1100及第二电极1116。另外，当使用ITO膜形成第一电极1113,并且使用氮化钛膜和以铝为主要成分的膜的叠层膜；或氮化钛膜、以铝为主要成分的膜、以及氮化钛膜的叠层膜作为与第一电极1113连接的电流控制用TFT1112的布线时，作为布线的电阻小，而可以与ITO膜获得良好的欧姆接触。另外，虽然这里未图示，但第二电极1116电连接到作为外部输入端子的FPC1109。EL层1100至少设置有发光层，并且具有除了发光层以外，适当地设置空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层的结构。发光元件1115由第一电极1113、EL层llOO、以及第二电极1116的叠层结构形成。另外，虽然在图IIB所示的截面图中仅示出一个发光元件1115，但在像素部1102中，以矩阵形状设置有多个发光元件。在像素部1102中选择性地分别形成可获得三种(R、G、B)发光的发光元件，来形成能够进行全彩色显示的发光装置。另外，也可以通过组合彩色滤光片来做出能够进行全彩色显示的发光装置。另外，通过用密封剂1105将密封衬底1104和元件衬底1110贴合起来，而获得在由元件衬底1110、密封衬底1104、以及密封剂1105围绕的空间1107中具有发光元件1115的结构。另外，空间1107除了有填充惰性气体(氮或氩等)的情况以外，还有填充密封剂1105的情况。另外，密封剂1105优选使用环氧类树脂。此外，这些材料优选为尽可能地不透过水分、氧的材料。此外，作为用于密封衬底1104的材料，除了玻璃衬底、石英衬底以外，还可以使用由FRP(玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸等构成的塑料衬底。以上述方式，可以通过应用本发明获得发光装置。有源矩阵型的发光装置由于要制造TFT，所以每一张衬底的制造成本容易提高，然而，通过应用本发明可以大幅度地减少形成发光元件时的材料的浪费。由此，可以降低成本。另外，通过应用本发明，可以容易形成构成发光元件的EL层，并且可以容易形成具有发光元件的发光装置。另外，由于可以形成具有平坦性且均匀的膜和微细的图形，所以可以获得高精细的发光装置。而且，由于当进行利用激光的蒸镀时可以将激光选择性地照射到所希望的位置，所以可以提高蒸镀材料的利用效率，而可以降低发光装置的制造成本。另外，本实施方式5所示的结构可以适当地组合实施方式1至实施方式4所示的结构来实施。实施方式6在本实施方式中，使用图12A至12E说明使用利用本发明制造的发光装置来完成的各种各样的电子设备。作为使用根据本发明的发光装置的电子设备，可以举出电视机、影像拍摄装置如摄像机和数码相机等、护目镜型显示器(头盔显示器)、导航系统、音响再生装置(汽车音响、音响组件等)、笔记本个人计算机、游戏机、携带式信息终端(便携式计算机、移动电话、携带式游戏机、电子书籍等)、具有记录介质的图像再现装置(具体地说，具备用于再现记录介质如数字通用光盘(DVD)等并可以显示该图像的显示器的装置)、照明设备等。图12A至12E示出这些电子设备的具体例子。所述图12A示出了显示装置，其包括框体8001、支撑台8002、显示部8003、扬声器部8004、视频输入端子8005等。该显示装置是通过将使用本发明形成的发光装置用于其显示部8003来制造的。另外，显示装置包括用于个人计算机、TV播放接收、广告显示等的所有信息显示用装置。由于通过应用本发明可以主要提高发光装置的成膜工序中的材料的利用效率、以及制造效率，所以可以实现制造显示装置时的制造成本的降低及生产性的提高，而可以提供廉价的显示装图IIB示出了计算机，其包括主体8101、框体8102、显示部8103、键盘8104、外部连接口8105、鼠标8106等。该计算机是通过将具有使用本发明形成的发光装置用于其显示部8103来制造的。由于通过应用本发明可以主要提高发光装置的成膜工序中的材料的利用效率、以及制造效率，所以可以实现制造计算机时的制造成本的降低及生产性的提高，而可以提供廉价的计算机。图12C示出了摄像机，其包括主体8201、显示部8202、框体8203、外部连接口8204、遥控器接受部8205、图像接收部8206、电池8207、音频输入部8208、操作键8209、接眼部8210等。该摄像机是通过将具有使用本发明形成的发光装置用于其显示部8202来制造的。由于通过应用本发明主要提高发光装置的成膜工序中的材料的利用效率、以及制造效率，所以可以实现制造摄^象机时的制造成本的降低及生产性的提高，而可以提供廉价的摄像机。图12D示出了台式照明设备，其包括照明部8301、灯罩8302、可调支架(adjustablearm)8303、支柱8304、底台8305、电源8306等。该台式照明设备是通过将使用本发明形成的发光装置用于其照明部8301来制造的。另外，照明设备还包括固定在天花板上的照明设备或挂在墙上的照明设备等。由于通过应用本发明可以主要提高发光装置的成膜工序中的材料的利用效率、以及制造效率，所以可以实现47造成本的降低及生产性的提高，而可以提供廉价的台式照明设备。图12E是移动电话，其包括主体8401、框体8402、显示部8403、音频输入部8404、音频输出部8405、操作键8406、外部连接端口8407、天线8408等。该移动电话是通过将具有使用本发明形成的发光装置用于其显示部8403来制造的。由于通过应用本发明主要提高发光装置的成膜工序中的材料的利用效率、以及制造效率，所以可以实现制造移动电话时的制造成本的降低及生产性的提高，而可以提供廉价的移动电话。另外，图13A至13C也是移动电话，图13A为正视图，图13B为后视图，图13C为展开图。主体1301具有电话和便携式信息终端双方的功能并且安装有计算机，它为除了进行声音通话以外还可以进行各种各样的数据处理的所谓的智能电话。主体1301由框体1302及1303的两个框体构成。框体1302具备显示部1304、扬声器1305、麦克风1306、操作键1307、定位设备1308、照相用透镜1309、外部连接端子1310、耳机端子1311等，框体1303具备键盘1312、外部存储槽1313、照相用透镜1314、灯1315等。另外，在框体1302中安装有天线。另外，除了上述结构以外，还可以安装有非接触IC芯片、小型记录装置等。上述实施方式所示的发光装置可以被结合到显示部1304中，并且显示取向可以根据应用模式适当地改变。由于在与显示部1304相同的平面中提供了照相用透镜1314,该智能手机可用作可视电话。此外，通过使用显示部1304作为取景器，可以用照相用透镜1314和灯1315获取静止图像和活动图像。扬声器1305和麦克风1306可用于可视电话、记录和重放等，而不限于语音通话。使用操作键1307，可以拨打和接听电话、输入电子邮件等的简单信息、滚动屏幕、移动光标等。此外，彼此叠置的框体1302和框体1303(图13A)滑动，如图13C所示那样展开，并可用作便携式信息终端。此时，使用键盘1312和定位设备1308可以进行顺利的操作。外部连接端子1310可以连接到AC适配器和各种类型的电缆如USB电缆上，并可以充电及与个人计算机等进行数据通信。此外，通过将记录介质插入外部存储槽1313中可以存储和移动大量数据。除上述功能外，该智能手机可以具有红外通讯功能、电视接收功能等。另外，上述移动电话通过将使用本发明形成的发光装置用于显示部1304来制造。通过应用本发明，由于可以实现主要在发光装置的成膜工序中的材料的利用效率及制造效率的提高，所以可以实现当制造移动电话时的制造成本的降低及生产性的提高，因而可以提供廉价的移动电话。通过上述方式，可以应用根据本发明的发光装置来获得电子设备或照明器材。根据本发明的发光装置的应用范围极大，可以应用到所有领域的电子设备。另外，本实施方式6所示的结构可以适当的与实施方式1至实施方式5所示的结构来实施。实施例1在本实施例中，示出对用于本发明的蒸镀用衬底的光吸收层的金属氮化物的反射率进行测定的结果。另外，当测定反射率时，使用在玻璃衬底上以200nm的厚度形成的金属氮化物(氮化钛、氮化钽、氮化钨)膜，并且测定对于波长为300nm至800nm的光的反射率。图14示出其测定结果。从图14可知，金属氮化物对于波长为400nm至600nm的光呈现大致55%以下的低反射率。据此，在使用具有由金属氮化物形成的光吸收层的本发明的蒸镀用衬底并利用波长为400nm以上且600nm以下的光进行蒸镀时，与由金属氮化物以外的物质形成光吸收层的情况相比，可以提高光吸收层中的光的吸收率，而可以提高蒸镀时的效率。权利要求1.一种蒸镀用衬底，包括形成在衬底上的第一功能膜；形成在所述第一功能膜上的具有开口部的反射层；形成在所述反射层上的绝热层；形成在所述第一功能膜及所述绝热层上的第二功能膜；形成在所述第二功能膜上的光吸收层；以及形成在所述光吸收层上的材料层，其中，位于与所述反射层重叠的位置的所述第一功能膜为反射膜，并且，位于所述反射层的开口位置的所述第一功能膜和所述第二功能膜的叠层膜为抗反射膜。2.根据权利要求1所述的蒸镀用衬底，其中，当光的波长为入，所述衬底的折射率为I!。(入)，所述第一功能膜及所述第二功能膜的折射率为ni(X)，所述反射层的折射率为n2(X)，并且所述反射层的折射率U2(i))大于上述其它折射率时，所述第一功能膜的厚度定义为如下3,根据权利要求1所述的蒸镀用衬底，其中，当光的波长为X，所述衬底的折射率为n。(人)，所述第一功能膜及所述第二功能膜的折射率为ni(AJ，所述光吸收层的折射率为n3(AJ时，所述第一功能膜和所述第二功能膜的叠层膜的厚度定义为如下<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>4.根据权利要求l所述的蒸镀用衬底，其中，所述光吸收层包含金属氮化物。5.根据权利要求4所述的蒸镀用衬底，其中，所述金属氮化物包括氮化钛、氮化钽、氮化鵠、氮化钼中的任一种。6.根据权利要求1所述的蒸镀用衬底，其中，所述第一功能膜及所述第二功能膜分别使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅中的任一种形成。7.根据权利要求1所述的蒸镀用衬底，其中，所述反射层对于光具有85%以上的反射率。8.根据权利要求1所述的蒸镀用衬底，其中，所述反射层包含铝、银、金、铂、铜、包含铝的合金、包含银的合金、氧化铟锡中的任一种。9.根据权利要求1所述的蒸镀用衬底，其中，所述绝热层包含氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氫化硅、氮氧化硅、氧化锆中的任一种。10.根据权利要求1所述的蒸镀用衬底，其中，所述材料层包含有机化合物。11.根据权利要求1所述的蒸镀用衬底，其中，所述材料层包含发光材料及栽流子传输材料中的一方或双方。12.—种蒸镀用衬底，包括形成在衬底上的具有开口部的第一功能膜；形成在所述第一功能膜上的反射层；形成在所述反射层上的绝热层；形成在所述衬底及所述绝热层上的第二功能膜；形成在所述第二功能膜上的光吸收层；以及形成在所述光吸收层上的材料层，其中，所述第一功能膜为反射膜，并且，所述第二功能膜为抗反射膜。13.根据权利要求12所述的蒸镀用衬底，其中，当光的波长为入，所述衬底的折射率为n。(人)，所述第一功能膜的折射率为n(X),所述反射层的折射率为n2，(i)，并且所述反射层的折射率(n2(U)大于上述其它折射率时，所述第一功能膜的厚度定义为如下:14.根据权利要求12所述的蒸镀用衬底，其中，当光的波长为X，所述衬底的折射率为n。(X)，所述第二功能膜的折射率为n,"(X),并且所述光吸收层的折射率为n3(X)时，所述第二功能膜的厚度定义为如下15.根据权利要求12所述的蒸镀用村底，其中，所述光吸收层包含金属氮化物。16.根据权利要求15所述的蒸镀用衬底，其中，所述金属氮化物包括氮化钛、氮化钽、氮化钨、氮化钼中的任一种。17.根据权利要求12所述的蒸镀用衬底，其中，所述第一功能膜及所述第二功能膜分别使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅中的任一种形成。18.根据权利要求12所述的蒸镀用衬底，其中，所述反射层对于光具有85°/。以上的反射率。19.根据权利要求12所述的蒸镀用衬底，其中，所述反射层包含铝、银、金、铂、铜、包含铝的合金、包含银的合金、氧化铟锡中的任一种。20.根据权利要求12所述的蒸镀用衬底，其中，所述绝热层包含氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氧化锆中的任一种。21.根据权利要求12所述的蒸镀用衬底，其中，所述材料层包含有机化合物。22，根据权利要求12所述的蒸镀用衬底，其中，所述材料层包含发光材料及载流子传输材料中的一方或双方。Ih、Ho时入'ma3/4iii，(nia尸偶数)n0<ni，，<ii3时ni，，<n0、n,《3时入.mb5/4ih，，(mb5-奇数)入.mb6/4Hi"(Hlb6-奇数)X.mb7/4i^"(mb7二偶数)人.mb8/细"(mb8=偶数)23.—种发光装置的制造方法，包括如下步骤将至少包括第一功能膜、与所述第一功能膜接触的具有开口部的反射层、与所述反射层接触的绝热层、与所述第一功能膜及所述绝热层接触的第二功能膜、与所述第二功能膜接触的光吸收层、以及与所述光吸收层接触的材料层的第一衬底和第二衬底配置为彼此相对且通过使波长为400nm以上且600nm以下的激光通过所述第一衬底，选择性地加热位于与所述反射层的所述开口部重叠的位置的所述材料层的一部分，以在所述第二衬底上蒸镀所述材料层的所述一部分。24.根据权利要求23所述的发光装置的制造方法，其中，位于与所述反射层重叠的位置的所述第一功能膜为反射膜，并且位于所述反射层的开口部的位置的所述第一功能膜及所述第二功能膜的叠层膜为抗反射膜。25.根据权利要求23所述的发光装置的制造方法，其中，所述激光的波长为488nm、514nm、527nm、532nm、561nm中的任一种。26.根据权利要求23所述的发光装置的制造方法，其中，所述第一功能膜及所述第二功能膜分别使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅中的任一种形成。27.根据权利要求23所述的发光装置的制造方法，其中，所述反射层对于光具有85%以上的反射率。28.根据权利要求23所述的发光装置的制造方法，其中，所述反射层包含铝、银、金、铂、铜、包含铝的合金、包含银的合金、氧化铟锡中的任一种。29.根据权利要求23所迷的发光装置的制造方法，其中，所述绝热层包含氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氧化锆中的任一种。30.根据权利要求23所述的发光装置的制造方法，其中，所述光吸收层包含金属氮化物。31.根据权利要求30所述的发光装置的制造方法，其中，所述金属氮化物包含氮化钛、氮化钽、氮化钨、氮化钼中的任一种。32.根据权利要求23所述的发光装置的制造方法，其中，所述材料层包含有机化合物。33.根据权利要求23所述的发光装置的制造方法，其中，所述材料层包含发光材料及载流子传输材料的一方或双方。34.—种发光装置的制造方法，包括如下步骤将至少包括具有开口部的第一功能膜、与所述第一功能膜接触的反射层、与所述反射层接触的绝热层、与所述第一衬底及所述绝热层接触的第二功能膜、与所述第二功能膜接触的光吸收层、以及与所述光吸收层接触的材料层的第一衬底和第二村底配置为彼此相对且彼此靠近；通过使波长为400nm以上且600nm以下的激光通过所述第一衬底，选择性地加热位于与所述第一功能膜的所述开口部重叠的位置的所述材料层的一部分，以在所述第二衬底上蒸镀所述材料层的所述一部分。35.根据权利要求34所述的发光装置的制造方法，其中，所述第一功能膜为反射膜，并且所述第二功能膜为抗反射膜。36.根据权利要求34所述的发光装置的制造方法，其中，所述激光的波长为488nm、514nm、527nm、532nm、561nm中的任一种。37.根据权利要求34所述的发光装置的制造方法，其中，所述第一功能膜及所述第二功能膜分别使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅中的任一种形成。38.根据权利要求34所述的发光装置的制造方法，其中，所述反射层对于光具有85%以上的反射率。39.根据权利要求34所述的发光装置的制造方法，其中，所述反射层包含铝、银、金、铂、铜、包含铝的合金、包含银的合金、氧化铟锡中的任一种。40.根据权利要求34所述的发光装置的制造方法，其中，所述绝热层包含氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氧化锆中的任一种。41.根据权利要求34所述的发光装置的制造方法，其中，所述光吸收层包含金属氮化物。42.根据权利要求41所述的发光装置的制造方法，其中，所述金属氮化物包括氮化钛、氮化钽、氮化钨、氮化钼中的任一种。43.根据权利要求34所述的发光装置的制造方法，其中，所述材料层包含有机化合物。44.根据权利要求34所述的发光装置的制造方法，其中，所述材料层包含发光材料及载流子传输材料的一方或双方。全文摘要本发明提供一种蒸镀用衬底，该蒸镀用衬底在通过蒸镀法进行成膜的情况下，可以只蒸镀所希望的蒸镀材料，提高蒸镀材料的利用效率，从而可以降低制造成本，并且可以形成均匀性高的膜。本发明为一种蒸镀用衬底，该蒸镀用衬底可以进行控制，以对应于进行蒸镀时照射到蒸镀用衬底上的激光的波长地将激光选择性地照射到同一个衬底上的所希望的位置。具体而言，本发明为一种蒸镀用衬底，该蒸镀用衬底形成有在进行蒸镀时照射波长为400nm以上且600nm以下的激光时反射激光的区域和吸收激光的区域。文档编号H01L51/00GK101471423SQ20081019068公开日2009年7月1日申请日期2008年12月26日优先权日2007年12月28日发明者井边隆广,横山浩平,田中幸一郎,鹤目卓也申请人:株式会社半导体能源研究所