专利名称：浅沟槽隔离结构的形成方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种浅沟槽隔离结构的形成方法。
背景技术：
集成电路制造工艺是一种平面制作工艺，其结合光刻、刻蚀、沉积、离子注入等多 种工艺，在同一衬底上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子 功能。其中，任何一步工艺出现偏差，都可能会导致电路的性能参数偏离设计值。目前，随 着超大规模集成电路的器件特征尺寸不断地等比例縮小，集成度不断地提高，对各步工艺 的控制及其工艺结果的精确度提出了更高的要求。 以在衬底内形成的浅沟槽隔离结构为例。早期在衬底内进行器件间的隔离是采 用局部场氧化隔离技术(L0C0S，Local Oxidation of Silicon)，但因该技术存在会在有源 区边界形成"鸟嘴"(BIRD' S BEAK)区，使得分离区扩大等问题，已逐渐被浅沟槽隔离技术 (STI， Shallow Trenchlsolation)所取代。随着半导体器件特征尺寸不断縮小，器件之间 的隔离区域也随之相应縮小，对器件隔离的要求也越来越高，不仅要形成高深宽比的浅沟 槽隔离结构，而且还对该浅沟槽隔离结构的形状提出了更具体的要求，以达到更好的填充 效果。 图1为利用现有的一种浅沟槽隔离结构形成方法形成的沟槽剖面示意图，结合图 1说明现有的浅沟槽隔离结构的形成方法，如图1所示，现有浅沟槽隔离形成方法包括步 骤 A、在硅衬底101上沉积薄层的垫氧化层102和停止层103(其通常为氮化硅材 料)。 B、在该停止层103上利用光刻定义出浅沟槽隔离图案。 C、对停止层103、垫氧化层102进行预刻蚀，形成STI沟槽开口。 D、利用氯气和氧气对STI沟槽顶部进行圆弧化处理，以释放应力，避免在硅衬底
内形成寄生导电通道，减小漏电流。 E、进行主刻蚀，形成STI沟槽。 F、利用氧化硅填充沟槽，并进行平坦化处理，形成浅沟槽隔离结构。 如图1所示，利用上述现有的浅沟槽隔离结构的形成方法形成的STI沟槽104顶
部(硅衬底101与垫氧化层102交界处)出现了凹陷110。 图2为利用现有的浅沟槽隔离结构形成方法形成的沟槽图，如图2中圆圈201所 示，形成的沟槽侧壁不平滑，其顶部侧壁处(垫氧化层与硅衬底交界处)出现了凹陷，这将 导致器件漏电流增大，对器件电性能不利。 于2008年4月16日公开的公开号为CN101162692A的中国专利申请详细介绍了 一种硅片的刻蚀方法，对沟槽的刻蚀工艺进行了具体的调整，形成了顶部和底部均具有圆 角的沟槽结构，但由其效果图来看，其形成的沟槽形状较差，对于对形状、尺寸要求较高的 小尺寸器件并不适用。
发明内容
本发明提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法，以改善利用现有的形成方法形成的 沟槽顶部侧壁易出现凹陷的现象。 为达到上述目的，本发明提供的一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括步骤 在衬底上形成垫氧化层； 在所述垫氧化层上形成停止层； 在所述停止层上形成浅沟槽隔离结构图形； 以所述浅沟槽隔离结构图形为掩膜对所述停止层和所述垫氧化层进行预刻蚀处 理，形成沟槽开口 ； 至少分两步对所述沟槽开口进行圆弧化处理，且各步所用气体产生的聚合物依次 减少； 对已进行所述圆弧化处理后的所述沟槽开口进行主刻蚀，形成沟槽； 对所述沟槽进行填充； 进行平坦化处理，形成浅沟槽隔离结构。 可选地，所述至少分两步对所述沟槽开口进行圆弧化处理，且各步所用气体产生 的聚合物依次减少，包括步骤 利用第一气体对所述沟槽开口进行第一圆弧化处理； 利用第二气体对所述沟槽开口进行第二圆弧化处理，且所述第二气体产生的聚合 物比所述第一气体少。 与现有技术相比，本发明具有以下优点 本发明的浅沟槽隔离结构的形成方法，对主刻蚀形成沟槽之前进行的沟槽顶部圆 弧化处理步骤进行了优化，至少分两步对所述沟槽开口进行圆弧化处理，且各步所用气体 产生的聚合物依次减少。如可以先利用能产生较多聚合物的第一气体对沟槽顶部进行第一 圆弧化处理，以保护刻蚀速率相差较多的垫氧化层与硅衬底之间的交界面；再利用产生聚 合物较少的第二气体对沟槽顶部进行第二圆弧化处理，以定义出沟槽开口的初始尺寸。采 用本发明的上述浅沟槽隔离结构形成方法，可以确保圆弧化处理后，位于垫氧化层与硅衬 底交界处的沟槽顶部的侧壁保持平滑，不会出现凹陷问题，从而有效改善了器件的漏电流 等电性能。
图1为利用现有的一种浅沟槽隔离结构形成方法形成的沟槽剖面示意图； 图2为利用现有的浅沟槽隔离结构形成方法形成的沟槽图； 图3为本发明具体实施例中浅沟槽隔离结构形成方法的流程图； 图4至图8为说明本发明具体实施例中浅沟槽隔离结构形成方法的器件剖面示意图； 图9为采用本发明具体实施例中的方法形成的沟槽图。
具体实施例方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。 本发明的处理方法可以被广泛地应用于各个领域中，并且可利用许多适当的材料
制作，下面是通过具体的实施例来加以说明，当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域
内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑地涵盖在本发明的保护范围内。 其次，本发明利用示意图进行了详细描述，在详述本发明实施例时，为了便于说
明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，不应以此作为对本发明的限定，此
外，在实际的制作中，应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。 现有技术中，在刻蚀形成浅沟槽隔离结构中的沟槽时，为减小应力，改善器件的漏 电流特性，会在形成沟槽开口后，进行主刻蚀之前，对沟槽的顶部进行圆弧化处理。现有技 术中的圆弧化处理通常是利用氯气和氧气的混和气体来实现的。 然而，在利用氯气和氧气对沟槽顶部进行圆弧化处理时，常会因垫氧化层与硅衬 底间的刻蚀速率差而导致位于二者交界处的侧壁出现凹陷，这将导致器件漏电流增大，影 响器件的电性能。对于小尺寸器件，尤其是65nm以下工艺结点的小尺寸器件，该凹陷对器 件电性能的影响更为明显，利用该浅沟槽隔离结构的形成方法形成的沟槽已无法满足小尺 寸器件的要求。 为此，本发明提出了一种新的浅沟槽隔离结构的形成方法，将圆弧化处理至少分
两步，且各步所用气体产生的聚合物依次减少，以改善上述因垫氧化层与硅衬底间的刻蚀
速率差而导致的位于二者交界处的侧壁出现凹陷的问题。其具体实现步骤包括 在衬底上形成垫氧化层； 在所述垫氧化层上形成停止层； 在所述停止层上形成浅沟槽隔离结构图形； 以所述浅沟槽隔离结构图形为掩膜对所述停止层和所述垫氧化层进行预刻蚀处 理，形成沟槽开口 ； 至少分两步对所述沟槽开口进行圆弧化处理，且各步所用气体产生的聚合物依次 减少； 对已进行所述圆弧化处理后的所述沟槽开口进行主刻蚀，形成沟槽； 对所述沟槽进行填充； 进行平坦化处理，形成浅沟槽隔离结构。 可选地，所述至少分两步对所述沟槽开口进行圆弧化处理，且各步所用气体产生 的聚合物依次减少，包括步骤 利用第一气体对所述沟槽开口进行第一圆弧化处理； 利用第二气体对所述沟槽开口进行第二圆弧化处理，且所述第二气体产生的聚合 物比所述第一气体少。 其中，第一圆弧化处理过程采用能产生较多聚合物的第一气体实现对垫氧化层与 硅衬底间的交界处的保护；第二圆弧化处理过程采用另一种产生聚合物较少的第二气体以 定义沟槽开口的初始尺寸。 其中，所述第一气体可以包括CHF3气体，还可以包括CH2F2气体、含氧气体。
优选地，所述CHF3气体的流量在50至120sccm之间，所述CH2F2气体的流量在10 至30sccm之间，所述含氧气体的流量在10至30sccm之间。
6
可选地，所述第一圆弧化处理时的腔室压力在5至15mTorr之间，腔室温度在40 至8(TC之间，射频功率在750至1000W之间，处理的时间在10至60秒之间。
优选地，所述第二气体包括HBr和He，还可以包括含氧气体。 优选地，所述HBr气体的流量在300至400sccm之间，所述氦气和含氧气体的流量 和在30至50sccm之间。 可选地，所述第二圆弧化处理时的腔室压力在10至20mTorr之间，腔室温度在40 至8(TC之间，射频功率在1000至1500W之间，处理的时间在10至60秒之间。
可选地，所述第二气体包括Cl2和02。 可选地，在所述形成沟槽之后，进行填充之前，还包括步骤
对所述沟槽进行过刻蚀处理，以平整化所述沟槽底部 采用本发明的方法形成的浅沟槽隔离结构，实现了位于垫氧化层与硅衬底交界处 的沟槽顶部的侧壁的平滑，不会再出现沟槽侧壁顶部凹陷的问题。 图3为本发明具体实施例中浅沟槽隔离结构形成方法的流程图，图4至图8为说 明本发明具体实施例中浅沟槽隔离结构形成方法的器件剖面示意图，下面结合图3至图8 对本发明的具体实施例进行详细介绍。
步骤301:提供衬底。 本实施例中，该衬底为已经过清洁处理的硅衬底。
步骤302 :在所述衬底上形成垫氧化层。 该垫氧化层通常利用热氧化法生长形成，也可以利用化学气相沉积(Chemical V即or D印osition)的方法沉积形成。其厚度与器件的性能密切相关，不同的器件对该层 厚度的具体要求不同。通常会在50A至500A之间，如为50A、 IOOA、 200A、 350A或 500A等。
步骤303 :在所述垫氧化层上形成停止层。 图4为本发明具体实施例中形成停止层后的器件剖面示意图，如图4所示，在硅衬 底401上生长了一层垫氧化层402，在垫氧化层402上又沉积了一层停止层403。
本实施例中，该停止层利用化学气相沉积方法形成，其通常可以为氮化硅或氮氧 化硅材料。该层可以作为研磨停止层使用形成浅沟槽隔离结构的沟槽后，会利用化学气相 沉积方法沉积介质材料(通常为氧化硅材料)以填充沟槽，该步沉积工艺后需要再利用化 学机械研磨方法对该介质材料进行平坦化处理，以去除硅衬底以上的介质材料，仅保留位 于沟槽内的介质材料。在进行化学机械研磨时，为确保硅衬底表面的介质材料去除得较干 净，且沟槽内的介质材料保持得较完整，可以利用停止层403与填充的介质材料间的研磨 速率差来判断研磨终点，一旦检测到研磨速率发生较大变化，就表明研磨已到达硅衬底101 之上的停止层403，可以停止研磨，有效防止了过研磨的发生。
步骤304 :在所述停止层上形成浅沟槽隔离结构图形。 利用光刻胶对衬底上不需要形成浅沟槽隔离结构的区域进行保护，在衬底上形成 了浅沟槽隔离结构图形。 在本发明的其它实施例中，为了防止因沟槽的刻蚀深度较深，仅依靠光刻胶作掩 膜已无法很好地保护沟槽以外结构，还可以将停止层403的厚度沉积得较厚，或在停止层 403上再形成一层硬掩膜层(图中未示出)。刻蚀沟槽前，先将光刻形成的沟槽图形转移至
7该停止层403内或硬掩膜内，再利用光刻胶、停止层403或硬掩膜层共同作为掩膜，进行沟 槽的刻蚀。这样，即使光刻胶在刻蚀过程中被刻蚀得较薄，无法很好地保护沟槽外的结构 了，还有停止层403或硬掩膜层可以对其进行保护，确保了刻蚀形成的沟槽图形的完整性。
步骤305 :以所述浅沟槽隔离结构图形为掩膜对所述停止层和所述垫氧化层进行 预刻蚀处理，形成沟槽开口。 图5为本发明具体实施例中形成沟槽开口后的器件剖面示意图，如图5所示，利用 光刻胶404形成的浅沟槽隔离结构图形为掩膜进行预刻蚀处理，形成了沟槽开口 405。
接着，为了令沟槽顶部圆弧化，以释放应力，改善沟槽的形成质量。还需要对本步 形成的沟槽开口进行圆弧化处理。 虽然现有技术中在形成浅沟槽隔离结构时也加入了该圆弧化的处理步骤，但其最 终形成的沟槽顶部侧壁出现了凹陷，对器件性能的改善不利。为此，本发明对该圆弧化处理 步骤进行了优化，具体可分为两步进行。 步骤306 :利用产生聚合物较多的第一气体对所述沟槽开口进行第一圆弧化处理。 图6为本发明具体实施例中进行第一圆弧化处理后的器件剖面示意图，如图6所 示，本实施例中，本步处理所用的第一气体包括含碳氟比较高的气体及含氧气体，其中，含 氧气体可以为02、03、冊丄0等中的任一种或任意组合。含碳氟比高的气体可以为(:冊3、(^2& 中的任一种或二者的组合，其能产生较多的聚合物410。该聚合物410会附着在垫氧化层 402与硅衬底401的交界处，对其起到保护作用，防止圆弧化处理过程中在该交界处形成凹 陷。 本步第一圆弧化处理的工艺条件需谨慎选择，如果选择不当，要不就导致聚合物 过多，影响最终形成的沟槽尺寸；要不就产生的聚合物量过少，虽然与现有技术相比会有改 善，但仍会在沟槽顶部侧壁处形成一定的凹陷。 该第一圆弧化处理利用等离子体刻蚀设备进行，本实施例对其工艺条件进行了具 体的优化，以达到较佳的实施效果。其中，本实施例中实现较佳实施效果的一例工艺条件 组合为将腔室压力设置在5至15mTorr之间，如为5mTorr、8mTorr、 10mTorr、 12mTorr或 15mTorr等;将腔室温度设置在40至80°C之间，如为40°C 、50°C 、60°C 、65°C 、70°C 、75°C或 8(TC等。将处理时的射频功率设置在750至1000W之间，如为750W、800W、850W、900W或 1000W等；将用于加速定向的偏置电压设置在50至100V，如为50V、70V、90V或100V等。
本实施例中，第一气体包括CHF3、CH2F2和氧气。具体地，可将CHF3气体的流量设置 在50至120sccm之间，如为50sccm、60sccm、70sccm、80sccm、90sccm、 100sccm、 110sccm或 120sccm等；将CH2F2气体的流量设置在10至30sccm之间，如为10sccm、 15sccm、20sccm、 25sccm或30sccm等；将氧气的流量设置在10至30sccm之间，如为10sccm、 15sccm、20sccm、 25sccm或30sccm等。 此外，还可以加入一些惰性气体，如氮气、氩气或氦气等中的任一种或任意组合， 以调节刻蚀速率(或说刻蚀气体浓度)及腔室压力。 经过大量实验优化，发现采用上述工艺条件时，本步第一圆弧化处理所用的时间 在10至60秒之间时，即可得到较为理想的沟槽顶部形状，如为10秒、15秒、20秒、25秒、30 秒、40秒或60秒等。
步骤307 :利用第二气体对所述沟槽开口进行第二圆弧化处理。
图7为本发明具体实施例中进行第二圆弧化处理后的器件剖面示意图，如图7所 示，因第一圆弧化处理时会在侧壁处覆盖一层聚合物，影响到沟槽开口的尺寸，在该第二圆 弧化处理时需重新定义出沟槽开口的初始尺寸，将第一圆弧化处理时产生的较多的聚合物 去除，以防止最终形成的沟槽尺寸过小。为此，本实施例中，本步处理所用的第二气体产生 的聚合物比第一气体产生的少，甚至不产生聚合物。如可以选择包括溴化氢(HBr)、氦气 (He)及含氧气体的第二气体。其中，含氧气体可以为为02、03、冊、0)等中的任一种或任意 组合。 本实施例对本步第二圆弧化处理的工艺条件也进行了具体的优化，其可实现较佳 工艺效果的一种工艺条件组合为将腔室压力设置在10至20mTorr之间，如为10mTorr、 12mTorr、15mTorr、18mTorr或20mTorr等；将腔室温度设置在40至80。C之间，如为40°C、 50°C 、60°C 、65°C 、70°C 、75°C或80°C等。将处理时的射频功率设置在1000至1500W之间，如 为1000W、 1100W、 1200W、 1300W或1500W等；将用于加速定向的偏置电压设置在100至200V， 如为100V、 120V、 150V、 180V或200V等。 本实施例中，第二气体包括HBr、 He和02。具体地，可将HBr气体的流量设置在 300至400sccm之间，如为300sccm、320sccm、330sccm、340sccm、350sccm、360sccm、380sccm 或400sccm等；将He和02气体的流量和设置在30至50sccm之间，如为30sccm、35sccm、 40sccm、45sccm或50sccm等；其中，He和02的比例可以在5 : l至l : l之间，如为5 : 1、
4 : 1、3 : 1、2 : i或i : i等。 此外，该第二圆弧化处理过程中还可以加入一些惰性气体，如氮气、氩气或氦气等
中的任一种或任意组合，以调节刻蚀速率(或说刻蚀气体浓度)及腔室压力。 经过大量实验优化，发现采用上述工艺条件时，本步第二圆弧化处理所用的时间 在10至60秒之间时，可得到较为理想的沟槽顶部开口及侧壁形状，如为10秒、15秒、20秒、 25秒、30秒、40秒或60秒等。 在本发明的其它实施例中，该第二气体也可以为氯气(C12)和氧气(02)的组合气 体。 本实施例中，采用了两步圆弧化处理，在本发明的其它实施例中，还可以采用更多
步的圆弧化处理方式，如三步、四步......等，其中，第一圆弧化处理所用的气体产生的聚
合物最多，后面所用的气体产生的聚合物可以依次减少，以达到较为理想的圆弧化形状。
步骤308 :对已进行所述圆弧化处理后的所述沟槽开口进行主刻蚀，形成沟槽。
本实施例对本步主刻蚀对所用的工艺条件进行了优化刻蚀过程中，将腔室压力 设置在5至10mTorr之间，如为5mTorr、8mTorr或10mTorr等；将腔室温度设置在50至 IO(TC之间，如为50°C 、60°C 、75°C 、90°C或IO(TC等；将主刻蚀处理所用的功率设置在500至 1500W之间，如为500W、800W、1000W、1200W或1500W等。 本实施例中，本步主刻蚀所用的刻蚀气体包括含碳氟气体和含氧气体。其中含碳 氟气体可以为CH2F2、 CHF3、 CF4等中的任一种或任意组合，含氧气体可以为02、 03、 N0、 CO等 中的任一种或任意组合。此外，还可以加入一些惰性气体，如氮气、氩气或氦气等中的任一 种或任意组合，以调节刻蚀速率(或说刻蚀气体浓度)及腔室压力。 具体选用的气体与要求的沟槽侧壁形状有关，如，要求侧壁形状较为倾斜，则可以选用产生聚合物较多的碳氟比较高的刻蚀气体；要求侧壁形状较为垂直时，可以选用产生 聚合物较少的碳氟比较低的刻蚀气体。另外，还可以将主刻蚀过程再分为多个阶段，在不同 阶段选用不同的刻蚀气体(通常是分别选用产生聚合物量不同的刻蚀气体)，以得到需要 的侧壁形状。 另外，在主刻蚀完成后，还可以加入过刻蚀步骤，以平整化沟槽底部，并令其边角 更为圆滑，以提高后续进行的沟槽填充的质量。 图8为本发明具体实施例中形成沟槽后的器件剖面示意图，如图8所示，在硅衬底 401内形成了沟槽406。由于采用了两步优化的圆弧化处理步骤，在沟槽顶部侧壁处虽然形 成了圆弧形状411，释放了应力，但不会再出现凹陷，避免了器件漏电流的增大。
图9为采用本发明具体实施例中的方法形成的沟槽图，其第一圆弧化处理时具体 工艺条件设置为腔室压力为10mTor， RF功率为850W，偏置电压为70V， CH&气体流量为 90sccm，CH^气体流量为20sccm，氧气流量为20sccm ;第二圆弧化处理时具体工艺条件为 腔室压力为15mTor，RF功率为1200W，偏置电压为150V， HBr气体流量为350sccm，氦气与氧 气的流量和为40sccm。 在上述工艺条件下形成的沟槽如图9所示，其中圆圈901所示的沟槽顶部侧壁处 (垫氧化硅层与硅衬底交界处)变得平滑，不再出现凹陷问题。
步骤309 :对所述沟槽进行填充。 利用化学气相沉积方法沉积氧化硅材料，对沟槽进行填充。
步骤310 :进行平坦化处理，形成浅沟槽隔离结构。 利用化学机械研磨方法对步骤309中沉积的氧化硅材料进行平坦化处理，以去除
硅衬底以上的氧化硅材料，保留沟槽内的氧化硅材料，形成浅沟槽隔离结构。 采用本实施例中的上述方法形成的浅沟槽隔离结构，在位于介质层与硅衬底交界
处的沟槽顶部的侧壁处可以保持平滑，不会出现凹陷问题，有效提高了其在器件之间的隔
离作用，改善了器件的漏电流等电性能。 本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技 术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保 护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
权利要求
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括步骤在衬底上形成垫氧化层；在所述垫氧化层上形成停止层；在所述停止层上形成浅沟槽隔离结构图形；以所述浅沟槽隔离结构图形为掩膜对所述停止层和所述垫氧化层进行预刻蚀处理，形成沟槽开口；至少分两步对所述沟槽开口进行圆弧化处理，且各步所用气体产生的聚合物依次减少；对已进行所述圆弧化处理后的所述沟槽开口进行主刻蚀，形成沟槽；对所述沟槽进行填充；进行平坦化处理，形成浅沟槽隔离结构。
2. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于所述至少分两步对所述沟槽开口进行 圆弧化处理，且各步所用气体产生的聚合物依次减少，包括步骤利用第一气体对所述沟槽开口进行第一圆弧化处理；利用第二气体对所述沟槽开口进行第二圆弧化处理，且所述第二气体产生的聚合物比 所述第一气体少。
3. 如权利要求2所述的形成方法，其特征在于所述第一气体包括CHF3气体。
4. 如权利要求3所述的形成方法，其特征在于所述第一气体还包括CH2F2气体。
5. 如权利要求4所述的形成方法，其特征在于所述第一气体还包括含氧气体。
6. 如权利要求5所述的形成方法，其特征在于所述CHF3气体的流量在50至120sccm 之间，所述CH2F2气体的流量在10至30sccm之间，所述含氧气体的流量在10至30sccm之 间。
7. 如权利要求6所述的形成方法，其特征在于所述第一圆弧化处理时的腔室压力在5 至15mTorr之间。
8. 如权利要求7所述的形成方法，其特征在于所述第一圆弧化处理时的腔室温度在 40至80。C之间。
9. 如权利要求8所述的形成方法，其特征在于所述第一圆弧化处理时的射频功率在 750至IOOOW之间。
10. 如权利要求9所述的形成方法，其特征在于所述第一圆弧化处理的时间在10至 60秒之间。
11. 如权利要求2所述的形成方法，其特征在于所述第二气体包括HBr和He。
12. 如权利要求11所述的形成方法，其特征在于所述第二气体还包括含氧气体。
13. 如权利要求12所述的形成方法，其特征在于所述HBr气体的流量在300至 400sccm之间，所述氦气和含氧气体的流量和在30至50sccm之间。
14. 如权利要求13所述的形成方法，其特征在于所述第二圆弧化处理时的腔室压力 在10至20mTorr之间。
15. 如权利要求14所述的形成方法，其特征在于所述第二圆弧化处理时的腔室温度 在40至80。C之间。
16. 如权利要求15所述的形成方法，其特征在于所述第二圆弧化处理时的射频功率在1000至1500W之间。
17. 如权利要求16所述的形成方法，其特征在于所述第二圆弧化处理的时间在10至 60秒之间。
18. 如权利要求2所述的形成方法，其特征在于所述第二气体包括Cl2和02。
19. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述形成沟槽之后，进行填充之前，还包括步骤对所述沟槽进行过刻蚀处理，以平整化所述沟槽底部。
全文摘要
本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括步骤在衬底上形成垫氧化层；在所述垫氧化层上形成停止层；在所述停止层上形成浅沟槽隔离结构图形；以所述浅沟槽隔离结构图形为掩膜对所述停止层和所述垫氧化层进行预刻蚀处理，形成沟槽开口；至少分两步对所述沟槽开口进行圆弧化处理，且各步所用气体产生的聚合物依次减少；对已进行所述圆弧化处理后的所述沟槽开口进行主刻蚀，形成沟槽；对所述沟槽进行填充；进行平坦化处理，形成浅沟槽隔离结构。采用本发明的浅沟槽隔离结构形成方法，可以确保位于介质层与硅衬底交界处的沟槽顶部的侧壁保持平滑，有效改善了器件的漏电流等电性能。
文档编号H01L21/70GK101752290SQ20081020415
公开日2010年6月23日 申请日期2008年12月3日 优先权日2008年12月3日
发明者张海洋, 沈满华, 陈海华, 韩宝东 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司