用于oled显示器的芳胺和芴的聚合物的制作方法

专利名称：：用于oled显示器的芳胺和芴的聚合物的制作方法
技术领域：
：本发明涉及显示器，尤其通过脉冲驱动条件驱动的无源矩阵显示器。本发明进一步涉及可在这种显示器中使用的新的半导体聚合物。本发明仍进一步涉及半导体聚合物的寿命性能，和尤其增加半导体聚合物在通过脉冲驱动条件驱动的显示器内的寿命。
背景技术：
：许多显示器由在基底上沉积的行与列的交叉点处形成的像素矩阵组成。每一像素是一个发光二极管(LED)，例如聚合物LED(PLED)。参考图1，LED的结构包括透明玻璃或塑料基底1，阳极2和阴极4。在阳极2和阴极4之间提供电致发光层3。通过一起非常紧密地布置红色、绿色和蓝色像素的矩阵，形成彩色显示器。为了控制像素，并因此形成所要求的图像，使用或者“无源”或者“有源”矩阵驱动器方法。有源矩阵显示器掺入串联的晶体管(TFT)，其中每一像素对电流提供控制和因此单独的像素的亮度。较低的电流可流下(flowdown)控制线，这是因为这些仅仅给TFT驱动器设计程序，结果布线可能较细。此外，晶体管能保持电流设定值，从而保持像素在所要求的亮度下，直到它接收另一控制信号。DC驱动条件典型地用于有源矩阵显示器。在无源矩阵体系中，显示器的每一行和每一列具有它自己的驱动器，和为了产生图像，快速地扫描矩阵，以便每一像素能视需要开或关。当像素要求点亮的任何时候，必须存在控制电流。正如在Proc.OfSPIEVol2800(2003)"0rganicLight-EmittingMaterialsandDevices”中所述，无源矩阵寻址的原理是相当简单的，它利用眼睛对发出光线的快速再定位的不敏感。在无源矩阵方法中，不同像素在彼此借助逐行滚动(scrolling)之后寻址，而不是显示图像画面的更新速度足够高，则人眼观察到具有平均亮度的直立图像形式的滚动图像。无源矩阵驱动的优点是简单的基底结构，从而便于容易商业化和低的基底成本。脉冲驱动的条件典型地用于无源矩阵显示器。SyntheticMetals91(1997)3-7和SyntheticMetals113(2000)155-159提供了关于无源矩阵有机LED的结构的信息，其内容在此通过参考引入。尤其参考SyntheticMetals91(1997)3-7的图11(c)，它示出了通过蒸发，沉积有机发射器层，紧跟着蒸发阴极。发射剂层的溶液沉积(例如喷墨印刷)同样可应用于这一结构。SyntheticMetals113(2000)155-159文章的背景部分详细地提供了使用光致抗蚀剂材料，阴极如何构图成条纹。重要的参数是显示器的寿命。不足的寿命是蓝光发射聚合物的特殊问题。WO02/092723和WO04/083277均涉及在光学器件中使用的蓝光发射聚合物。二者的公开内容均提到含下式的任选取代的重复单元的蓝光发射重复单元其中每一IT独立地选自氢或增溶基团。尤其优选的增溶基团是任选取代的烷基或烷氧基。最优选IT是正丁基。二者的公开内容还均提到下式的任选取代的重复单元其中优选地，每一Ar独立地选自含下式的任选取代的残基的基团其中η=1、2或3，和R是增溶基团或氢。尤其优选的基团R是氢和任选取代的烷基或烷氧基。最优选R是氢或丁基。认为丁基是指正丁基、仲丁基或叔丁基。在W002/092723和W004/083277的实施例中，仅仅制造了含有9，9-二苯基芴重复单元的聚合物Ρ1-Ρ4，并与其中9，9_二苯基芴重复单元被9，9_二正辛基芴重复单元替代的对比聚合物进行了比较。W002/092723主要涉及增加聚合物的热稳定性(Tg)。W004/083277涉及改进器件寿命，但教导从聚合物中省去TFB，以实现器件寿命。W002/092723和W004/083277任何一个均没有特别地涉及脉冲驱动的器件，其公开内容甚至也没有提及脉冲驱动的器件。ΕΡ1394188涉及改进含以下重复单元的聚合物化合物的寿命。然而，EP1394188在EP1394188的第4页中教导使用含式(1)或⑵所示的重复单元的聚合物化合物以便改进寿命。在这些化学式中，端芳基^。‘&和仏)各自具有三个或更多个取代基。根据Proc.OfSPIEVol2800(2003)"OrganicLight-EmittingMaterialsandDevices”，主要在dc驱动下进行寿命测量。然而，认为还应当使用在全色显示器中遇到的脉冲驱动的条件，测试用于无源矩阵应用的发光材料的寿命。尽管最近在有机发光二极管中使用的聚合物的寿命具有进展，但仍需要在含有机发光二极管的脉冲驱动和dc驱动的显示器中使用的替代的聚合物，优选具有改进的寿命的聚合物。关于这一点，本发明特殊的问题是改进半导体聚合物的脉冲驱动显示器的寿命，所述聚合物包括下述重复单元之一根据本发明第一方面，通过提供含有机发光二极管的脉冲驱动的显示器，发明人解决了这一问题，所述器件包括含半导体聚合物的有机层，所述聚合物包括芴或三芳胺重复单元，所述芴或三芳胺重复单元具有侧挂于聚合物主链上的基团R，其中R具有通式I其中Ar1表示苯基或含萘基的基团；Ar2表示苯基或含萘基的基团；R、表示取代基；R…=H或取代基；η=0、1、2或3;m=0或1；和ιΓ=1或2，条件是若η=0，则m=O0在其中m为1的情况下，Arl和Ar2优选为苯基；优选为取代基，更优选下式的取代基-Ar2-OOn其中Ar2、lT和ιΓ如上所定义。在这一情况下，在式I的基团R中Ar2、lT和ιΓ的每一次出现可以相同或不同。在半导体聚合物内的以上定义的三芳胺重复单元在下文将被称为Τ1。在半导体聚合物内的以上定义的芴重复单元在下文将被称为F1。已发现，与含有DPF或PFB重复单元的相应聚合物相比，以上定义的半导体聚合物在脉冲驱动的显示器内具有预料不到的优异寿命。本发明的第二方面提供适合于在有机发光器件中使用的半导体聚合物，所述聚合物包括三芳胺重复单元，该三芳胺重复单元具有侧挂于聚合物主链上的基团R，其中R具有通式I其中Ar1表示苯基或含萘基的基团；Ar2表示苯基或含萘基的基团；R、表示取代基；R…表示H或取代基；n=0、l、2或3;m=0或1;和ιΓ=1或2，条件是若η=0，则m=0和IT表示含叔碳原子的支链C4-C20烷基或烷氧基。本发明的第三方面提供制造具有通式II的半导体聚合物用的单体反应性基团一Ai^fN—Al^r反应性基团----、其中Ar^Ar2、!^、!…、m、n和ιΓ与第二方面中的相关定义相同；a=1或2;Ar表示芳基或杂芳基；和“反应性基团”表示能参与聚合的反应性基团；条件是若η=0，则IT表示含叔碳原子的支链C4-C20烷基或烷氧基。在根据第二方面的聚合物内优选的三芳胺重复单元如第一方面中对T1所定义。在根据第二方面的聚合物内优选的进一步的重复单元如第一方面在含T1的聚合物内进一步的重复单元所定义。根据第二方面的聚合物的优选官能团或者任何其他特征如第一方面含T1的聚合物所定义。在根据第三方面的单体内优选的三芳胺如第一方面中对T1所定义。以下进一步描述本发明的第一方面。Ar1可表示萘基。优选Ar1表示苯基。Ar2可表示萘基。优选Ar2表示苯基。优选R具有通式III:η优选为0或1或2。η优选1、2或3。η优选1或2。若rT=1，则可以是增溶基团。若rT=2，则IT之一或这两个可以是增溶基团。增溶基团可以是C1-C20烷基或烷氧基。优选支链C4-C20烷基或烷氧基。更优选支链C4-C20烷基。更优选含叔碳原子的支链C4-C20烷基或烷氧基。最优选叔丁基。在一个实施方案中，若η=0，则IT表示叔丁基。若η大于1，则每一Ar1可以相同或不同。若η大于1，则优选至少一个Ar1表示苯基。若rT=1和Ar2表示苯基，则R、优选位于对位。R可具有通式IV若rT=1，则IT优选叔丁基。若rT=2和Ar2表示苯基，则R、优选位于间位。R可具有通式V若rT=2，则两个IT优选是叔丁基。芴重复单元F1可具有通式VI其中每一R独立地如以上所定义。芴重复单元F1可具有化学式VII-XIIF1的浓度可以是5_95mol%。F1的浓度可以是20_80mol%。F1的浓度可以是25_55mol%。F1的浓度可以是3O-5Omol%。三芳胺重复单元T1可包括三苯基胺。三芳胺重复单元T1可具有通式XIII:其中Ar表示芳基或杂芳基；和Ai^Ar2、!^、n和ιΓ如相对于第一方面任何地方所定义。三芳胺重复单元T1可具有通式XIVa其中η和ιΓ如相对于第一方面任何地方所定义。三芳胺重复单元T1可具有通式XVa或XVb在聚合物主链中，三芳胺重复单元T1可直接键合到两个进一步的重复单元上。进一步的重复单元可如本发明任何地方所定义。在三芳胺重复单元T1中，一个三芳胺可直接键合到另一三芳胺上，从而得到化学式XVI其中每一Ar和R如上所定义。在三芳胺重复单元T1中，三芳胺可直接键合到-N(R)(Ar)上，从而得到化学式XVII其中每一Ar和R如上所定义。在化学式XVI和XVII中每一Ar可表示苯基。三芳胺重复单元T1可具有通式XIVb或XVIII-XXI其中η和ιΓ如相对于第一方面任何地方所定义。T1的浓度可以是0.5-50mol%。T1的浓度可以是2_15mol%。T1的浓度可以是5_10mol%。T1的浓度可以是约5mol%。典型地，半导体聚合物是共轭的。含T1和/或F1的半导体聚合物可提供一种或更多种下述功能空穴传输、电子传输和发射，这取决于它在器件的哪一层内使用和共聚重复单元的性质。半导体聚合物可以发射蓝光。“发射蓝光”是指电致发光发射波长范围为400-500nm，更优选430_500nm的辐射线的有机材料。含三芳胺重复单元T1的半导体聚合物可用于发射光，尤其发射蓝光，和/或用于空穴传输。含三芳胺重复单元T1和芴重复单元(F1或另一芴单元)的半导体聚合物可用于发射光，尤其发射蓝光，和/或用于空穴传输。含芴重复单元F1和三芳胺重复单元(T1或另一三芳胺单元)的半导体聚合物可用于发射光，尤其发射蓝光，和/或用于空穴传输。尤其优选的空穴传输聚合物是芴重复单元和三芳胺重复单元的AB共聚物。含芴重复单元F1和杂亚芳基重复单元的半导体聚合物可用于电荷传输或发射。可利用芴重复单元(单独的F1或结合其他芴单元)的半导体聚合物提供电子传输。半导体聚合物除了包括T1和/或F1以外，还可包括进一步的重复单元。进一步的重复单元可选自在J.Appl.Phys.1996,79,934中公开的亚芳基重复单元，尤其1，4_亚苯基重复单元，在EP0842208中公开的芴重复单元；在例如Macromolecules200033(6),2016-2020中公开的茚并芴重复单元；在例如EP0707020中公开的螺环芴重复单元。可存在于含T1和/或F1的半导体聚合物内的进一步的重复单元包括进一步的芴重复单元，例如2，7-连接的芴，最优选化学式XXII的重复单元其中R2和R3独立地选自氢或任选取代的烷基、烷氧基、芳基、芳基烷基、杂芳基和杂芳基烷基。更优选R2和R3中的至少一个包括任选取代的C4-C2tl烷基或芳基。优选的进一步的芴重复单元选自任选取代的9，9-二烷基-或9，9-二烷氧基-2，7_芴基，更优选9，9-二(正辛基)芴。可存在于含T1和/或F1的半导体聚合物内的进一步的重复单元包括进一步的三芳胺重复单元，例如选自以下式1-6所示的重复单元其中X、Y、A、B、C和D独立地选自H或取代基。更优选X、Y、A、B、C和D中的一个或更多个独立地选自任选取代的支链或直链烷基、芳基、全氟烷基、硫代烷基、氰基、烷氧基、杂芳基、烷芳基和芳烷基。最优选X、Y、A和B是C1,烷基。可存在于含T1和/或F1的半导体聚合物内的进一步的重复单元包括杂亚芳基重复单元。优选的杂亚芳基重复单元选自式7-21:其中&和17相同或不同，且各自独立地为氢或取代基，优选烷基、芳基、全氟烷基、硫代烷基、氰基、烷氧基、杂芳基、烷芳基或芳烷基。为了容易制造，&和R7优选相同。更优选它们相同且各自为苯基。每一个进一步的重复单元任选地被取代。取代基的实例包括增溶基团，例如C1,烷基或烷氧基；吸电子基团，例如氟、硝基或氰基；和增加聚合物玻璃化转变温度(Tg)的取代基。电致发光共聚物可包括电致发光区域和至少一个空穴传输区域以及电子传输区域，正例如在W000/55927和US6353083中所公开的。若仅仅提供空穴传输区域和电子传输区域之一，则电致发光区域还可提供空穴传输和电子传输功能中的另一种。功能区域的合适重复单元如以上相对于适合于在具有相同功能的半导体聚合物中使用的重复单元所讨论。根据US6353083，可沿着聚合物主链提供在这一聚合物内不同的区域，或者根据W001/62869作为侧挂于聚合物主链的基团提供。当半导体聚合物包括T1时，在除了T1以外的重复单元主链上可不存在含氮原子的重复单元。参考本发明的第三方面，单体可具有通式XXIII其中R\n和ιΓ如相对于第二方面所定义。该单体可具有通式XXIV其中R\n和ιΓ与相对于第二方面定义的一样。该单体可具有化学式XXV-XXX在化学式II和ΧΧΙΙΙ-ΧΧΧ中的反应性基团可以是适合于参与聚合的任何反应性基团，例如以下任何地方所定义的反应性基团。这两个反应性基团可以是Br。任选地由根据第三方面的单体制备相对于本发明第一方面所定义的半导体聚合物的优选方法是例如W000/53656中所述的Suzuki聚合，和例如在T.Yamamoto，"ElectricallyConductingAndThermallyStablePConjugatedPoly(arylene)sPreparedbyOrganometallicProcesses，，，ProgressinPolymerSciencel993,17,1153-1205中所述的Yamamoto聚合。这些聚合技术均借助“金属插入”操作，其中金属络合物催化剂中的金属原子在芳基和单体的离去基之间插入。在Yamamoto聚合的情况下，使用镍络合物催化剂；在Suzuki聚合的情况下，使用钯络合物催化剂。例如，在通过Yamamoto聚合，合成直链聚合物中使用具有两个反应性卤素基团的单体。类似地，根据Suzuki聚合的方法，至少一个反应性基团是硼衍生物基团，例如硼酸或硼酸酯，和其他反应性基团是卤素。优选的卤素是氯、溴和碘，最优选溴。因此要理解，本申请中所述的含芳基的重复单元和端基可衍生于携带一个或多个合适的反应性离去基的单体。重复单元典型地衍生于携带两个合适的反应性离去基的单体。可利用Suzuki聚合制备区域规则的嵌段和无规共聚物。特别地，当一个反应性基团是卤素和另一反应性基团是硼衍生基团时，可制备均聚物或无规共聚物。或者，当第一单体中两个反应性基团均为硼和第二单体中两个反应性基团均为卤素时，可制备嵌段或区域规则，尤其AB型共聚物。作为卤化物的替代，能参与金属插入的其他离去基包括含甲苯磺酸盐、甲磺酸盐(mesylate)和三氟甲磺酸盐的基团。参考附图，将更详细地描述本发明，其中图1示出了发光器件的结构。图2示出了无源矩阵器件。图3示出了有源矩阵器件。图4示出了“PFB”、“N10”、“DPF”、“P11”和“P15”的结构。根据本发明，在室温(295°K)下，通过在恒定的电流下测量光度降低一半花费的时间，从而获得寿命的测量结果。第一方面的脉冲驱动的显示器可包括无源矩阵显示器。参考图1，在本发明脉冲驱动的显示器内包括的LED包括透明玻璃或塑料基底1，氧化铟锡阳极2和阴极4。在阳极2和阴极4之间提供电致发光层3。进一步的层，例如电荷传输、电荷注入或电荷阻挡层可位于阳极2和阴极3之间。特别地，希望在阳极2和电致发光层3之间提供由掺杂的有机材料组成的导电的空穴注入层，以辅助从阳极注入空穴到一层或多层半导体聚合物内。掺杂的有机空穴注入材料的实例包括聚(亚乙基二氧基噻吩)(PEDT)，尤其如在EP0901176和EP0947123中公开的用聚苯乙烯磺酸盐(PSS)掺杂的PEDT，或者如在US5723873和US5798170中公开的用聚苯胺掺杂的PEDT。若存在的话，位于阳极2和电致发光层3之间的空穴传输层的HOMO能级优选小于或等于5.5eV,更优选约4.8-5.5eV。含重复单元T1和/或F1的半导体聚合物可在空穴传输层内(或者甚至在电致发光层3内)用作空穴传输材料。若存在的话，位于电致发光层3和阴极4之间的电子传输层的LUMO能级优选为约3-3.5eV。含重复单元F1的半导体聚合物可在电子传输层内(或者甚至在电致发光层3内)用作电子传输材料。电致发光层3可由单独的电致发光材料组成或者可包括电致发光材料结合一种或更多种进一步的材料。电致发光材料可与空穴和/或电子传输材料共混，例如在W099/48160中所公开的。或者，电致发光材料可共价键合到电荷传输材料上。在层3中使用的合适的电致发光聚合物包括聚(亚芳基亚乙烯基)，例如聚(对亚苯基亚乙烯基)和聚亚芳基，例如聚芴，尤其2，7_连接的9，9_二烷基聚芴，或者2，7-连接的9，9_二芳基聚芴，聚螺芴，尤其2，7-连接的聚9，9_螺芴；聚茚并芴，尤其2，7-连接的聚茚并芴；聚亚苯基，尤其烷基或烷氧基取代的聚-1，4-亚苯基。在例如Adv.Mater.200012(23)1737-1750和其中的参考文献中公开了这种聚合物。含重复单元T1和/或F1的半导体聚合物可在层3中用作电致发光材料。阴极4选自功函允许将电子注入到电致发光层内的材料。其他因素影响阴极的选择，例如阴极和电致发光材料之间可能的不利相互作用。阴极可由单一的材料，例如铝层组成。或者，它可包括多种金属，例如正如在W098/10621中公开的钙和铝的双层，在W098/57381,Appl.Phys.Lett.2002,81(4),634和W002/84759中公开的元素钡，或者介电材料的薄层，以辅助电子注入，例如在W000/48258中公开的氟化锂，或者在Appl.Phys.Lett.2001,79(5),2001中公开的氟化钡。为了提供电子有效地注入到器件内，阴极的功函优选小于3.5eV，更优选小于3.2eV，最优选小于3eV。发光器件倾向于对湿气和氧气敏感。因此，基底优选具有良好的阻挡性能以防止湿气和氧气进入到器件内。基底通常为玻璃，然而可使用替代的基底，尤其其中希望器件具有柔性的情况下。例如，基底可包括如US6268695中所述的塑料，该专利公开了交替(alternating)的塑料和阻挡层的基底，或如EP0949850中公开的薄玻璃和塑料的层压体。优选用封装剂(未示出)封装器件，以防止湿气和氧气进入。合适的封装剂包括玻璃片，具有合适的阻挡性能的薄膜，例如W001/81649中公开的聚合物和电介质的交替层叠件，或者例如W001/19142中公开的气密容器。可通过基底或封装剂渗透、吸收任何大气湿气和/或氧气的吸气剂材料可置于基底和封装剂之间。在实际的器件中，至少一个电极半透明，以便可发射光。在其中阳极透明的情况下，它典型地包括氧化铟锡。在例如GB2348316中公开了透明阴极的实例。图1的实施方案示出了一种器件，其中通过首先在基底上形成阳极，紧跟着沉积电致发光层和阴极，从而形成器件，然而要理解也可通过首先在基底上形成阴极，紧跟着沉积电致发光层和阳极，从而形成本发明的器件。在根据第一方面的显示器的制备中，可由溶液沉积半导体聚合物，形成层。用于聚亚芳基，尤其聚砜的合适溶剂包括单-或多-烷基苯，例如甲苯和二甲苯。尤其优选的溶液沉积技术是旋涂和喷墨印刷。喷墨印刷尤其适合于高信息含量的显示器，尤其全色显示器。在例如EP0880303中公开了OLED的喷墨印刷。若通过溶液加工形成器件中的多层，则本领域的技术人员会意识到防止掺混相邻层的技术，例如通过交联一层，之后沉积随后的层，或者选择相邻层的材料，以便这些层中的第一层由其形成的材料不溶于沉积第二层所使用的溶剂中。如下所述制造发光器件在承载于玻璃基底上的氧化铟锡阳极(获自AppliedFilms，Colorado,USA)上通过旋涂沉积聚(亚乙基二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDT/PSS，以BaytronP⑧品牌购自德国HCStarckofLeverkusen)。在PEDT/PSS层上通过从二甲苯溶液中旋涂到约IOnm的厚度，并在180°C下加热1小时，从而沉积(以下所示的)F8_TFB的空穴传输层。在F8-TFB层上通过从二甲苯溶液中旋涂到约65nm的厚度，从而沉积聚合物1、2、3、4、5或6。然后通过在半导体聚合物上蒸发钡的第一层到最多约IOnm的厚度，和蒸发铝钡的第二层到约IOOnm的厚度，从而在该聚合物上形成Ba/Al阴极。最后，使用置于器件上的含有吸气剂的金属密闭剂，密封该器件，并胶粘到基底上，以便形成气密的密封件。以下聚合物在发光器件中用作发光层。1(65%F8,30%DPF,5%PFB)2(65%F8,30%DPF,5%ΝΙΟ)3(50%F8,30%DPF,10%TFBlO%PFB)4(50%F8,30%DPF,10%TFBlO%ΝΙΟ)5(65%F8,30%DPF,5%PFB)6(65%F8,30%DPF,5%ΝΙΟ)在室温(295°K)下，通过在恒定电流下测量光度降低一半所花费的时间，从而获得dc和脉冲寿命。从起始800cd/m2的光度起测量DC寿命。从起始14，000cd/m2的光度起测量脉冲寿命。对于脉冲寿命来说，倍增比(multiplexratio)(MUX)为64和重复频率为60Hz。表1-3示出了结果。结果清楚地表明，与分别含PFB或DPF的相应聚合物相比，当聚合物根据本发明包括三芳胺重复单元T1时，脉冲寿命增加。表1表2表3*从800cd/m2处外推(AF=2)。权利要求适合于在有机发光器件中使用的半导体聚合物，所述聚合物包括三芳胺重复单元，该三芳胺重复单元具有侧挂于聚合物主链的R基，其中R具有通式I其中Ar1表示苯基或含萘基的基团；Ar2表示苯基或含萘基的基团；R′表示取代基；R″表示氢或取代基；n＝0、1、2或3；m＝0或1；和n′＝1或2，条件是若n＝0，则m＝0和R′表示含叔碳原子的支链的C4-C20烷基或烷氧基。F2009102220310C00011.tif2.权利要求2的聚合物，其中R'表示叔丁基。3.权利要求1或2的聚合物，其中当η'=1和Ar2表示苯基时，R'位于对位。4.权利要求1或2的聚合物，其中当η'=2和Ar2表示苯基时，R'位于间位。5.权利要求1的聚合物，其中三芳胺重复单元包括三苯胺。6.权利要求5的聚合物，其中三芳胺重复单元具有通式XIVa其中R'、11和11'如权利要求1-4任何一项所定义。7.权利要求5的聚合物，其中三芳胺重复单元具有通式XIVb其中R'、11和11'如权利要求1-4任何一项所定义。8.权利要求1的聚合物，其中三芳胺重复单元如权利要求2-7任何一项所定义。9.权利要求1或8的聚合物，其中所述聚合物含有选自1，4_亚苯基重复单元、茚并芴重复单元；螺芴重复单元；2，7-连接的芴重复单元；三芳胺重复单元；和杂亚芳基重复单元中的一个或更多个进一步的重复单元。10.适合用于制备具有通式II的半导体聚合物的单体其中Ar^ArW、R〃、m、n和η'如权利要求1或8所定义；a=1或2；每一Ar独立地表示芳基或杂芳基；和“反应性基团”表示能参与聚合的反应性基团；条件是若η=0，则R'表示含叔碳原子的支链C4-C20烷基或烷氧基。11.权利要求10的单体，其中Ar表示苯基。12.权利要求11的单体，它具有通式XXIII其中“反应性基团”表示能参与聚合的反应性基团；R'、11和11'如权利要求10所定义。13.权利要求12的单体，它具有通式XXIV其中R'、11和11'如权利要求10所定义。14.权利要求11的单体，它具有化学式XXV-XXX之一反应性基团""“V^J反应性基团XXV111其中“反应性基团”表示能参与聚合的反应性基团。15.制备半导体聚合物的方法，该方法包括通过Suzuki聚合，聚合如权利要求10-14任何一项所定义单体的步骤。全文摘要一种脉冲驱动的显示器，它包括有机发光器件，所述器件包括含半导体聚合物的有机层，所述聚合物包括芴或三芳胺重复单元，该芴或三芳胺重复单元具有侧挂于聚合物主链上的基团R，其中R具有通式I，其中Ar1表示苯基或含萘基的基团；Ar2表示苯基或含萘基的基团；R`表示取代基；R``＝H或取代基；n＝0、1、2或3；m＝0或1；和n`＝1或2，条件是若n＝0，则m＝0。文档编号H01L27/32GK101845135SQ20091022203公开日2010年9月29日申请日期2006年4月13日优先权日2005年4月15日发明者I·格里齐,M·道林,M·麦基尔南,R·威尔逊,V·格兰德申请人:剑桥显示技术有限公司;Cdt牛津有限公司