基板加热装置、具备该装置的液体材料涂布装置以及基板加热方法

专利名称：基板加热装置、具备该装置的液体材料涂布装置以及基板加热方法
技术领域：
本发明涉及一种对涂布有液体材料的基板进行加热的基板加热装置、具备该装置 的涂布装置以及基板加热方法。尤其涉及一种在半导体封装的底部填充步骤中，直至底部 填充步骤结束为止对于基板以及载置于其上的芯片不会造成损伤的基板加热装置、具备该 装置的涂布装置以及基板加热方法。并且，在本说明书中，有时将载置有半导体芯片等工件的基板仅称为基板。
背景技术：
在半导体芯片的安装技术中，有被称作倒装芯片(flip chip)方式的技术。在倒 装芯片方式中，在半导体芯片1的表面形成突起状电极，将其相对于基板2上的电极垫而直 接连接。在倒装芯片封装中，为了防止由半导体芯片1与基板2的热膨胀系数的差所产生 的应力集中于连接部3，致使连接部3破损，从而向半导体芯片1与基板2的间隙中填充树 脂4以加强连接部3。该步骤即称为底部填充(参照图1)。底部填充步骤通过下述方式而进行沿着半导体芯片1的外周涂布液状树脂4，并 在利用毛细管现象向半导体芯片1与基板2的间隙中填充树脂4后，用烘箱等进行加热，而 使树脂4硬化。近年来，制品的小型化、薄型化得到进一步发展，伴随此发展，倒装芯片方式的半 导体芯片1以及基板2本身也在向小型化、薄型化发展。如果变为小型、薄型，则由于容易 向半导体芯片1以及基板2传递热，从而容易受周围温度的影响，在由此而产生的上述应力 的作用下，连接部3容易破损。因此，为了确实地进行底部填充步骤中的加强而降低树脂的 粘度，并且为了容易进行填充而加热基板。例如，在专利文献1中，揭示有一种基板加热装置，其通过喷射经加热的气体而加 热基板，该基板加热装置的特征在于包括加热单元，其具有朝向基板的底面并向上方突 出而设置的突出部，并且形成有气体流路，该气体流路的一端连通于突出部的上面所开口 的喷出孔，另一端连通于气体供给部；气体加热部件，其对流动于气体流路内的气体进行加 热；开闭阀，其打开或者关闭气体向气体流路中的流入；以及阀控制部，其通过控制开闭阀 的开闭动作而将基板加热至目标温度。并且，在专利文献2中，揭示有一种电子零件的安装方法，其在底部填充步骤中， 在向IC芯片与基板间注入树脂时，对IC芯片中通电，使经加热的热板仅接触IC芯片，或者 仅对IC芯片施加振动，由此使IC芯片与基板的对向间的树脂的粘性低于其它部位的树脂 的粘性。在专利文献3中，揭示有一种半导体装置的制造装置，其具有载置已搭载有半导 体芯片的卷带式自动接合(TAB，Tape Automated Bonding)卷带的涂布台(stage)，并向半 导体芯片与TAB卷带之间供给树脂，该半导体装置的制造装置的特征在于具有在涂布台上对半导体芯片与TAB卷带进行加热的加热部件。现有技术文献专利文献专利文献1 日本专利特开2006-314861号公报专利文献2 日本专利特开2005-45284号公报专利文献3 日本专利特开2007-227558号公报

发明内容
(发明要解决的问题)如上述各专利文献中所记载，仅在涂布时进行基板加热的基板加热装置在先前已 存在。然而，在申请人所了解的范围内，不存在贯穿涂布的前后而进行基板加热的装置。即， 先前的基板加热装置存在下述问题由于涂布前后的搬送时为非加热样态，因此涂布时与 搬送时的温度变化变大，上述因热膨胀系数的差所产生的应力的变化变大，因而连接部容 易破损。因此，本发明的目的在于提供一种可贯穿涂布作业的前后而减小载置有半导体芯 片的基板的温度变化，并防止连接部的破损的基板加热装置、具备该装置的涂布装置以及 基板加热方法。(解决技术问题的技术方案)本发明第1方面基板加热装置，用于从下方对朝着一个方向被搬送、并且在搬送 途中对配置于其上的工件进行涂布作业的基板进行加热，所述基板加热装置的特征在于包 括加热构件，具备抵接于所述基板的底面来加热基板的平坦的上面、以及形成于该上面并 且向所述基板的底面喷出加热用气体的喷出用开口 ；以及升降机构，使加热构件升降。本发明第2方面的基板加热装置的特征为，在本发明第1方面中，所述加热构件在 其上面具有使吸引力作用于所述基板的底面的吸引用开口，在所述升降机构的上升位置， 从所述吸引用开口而使吸引力发挥作用，使所述加热构件的上面接触于所述基板的底面来 加热所述基板，在所述升降机构的下降位置，从所述喷出用开口喷出经加热的气体来加热 所述基板。本发明第3方面的基板加热装置的特征为，在本发明第2方面中，所述喷出用开口 与所述吸引用开口由同一开口所构成，该开口经由切换阀而连接于负压源以及加压源。本发明第4方面的基板加热装置的特征为，在本发明第1至第3方面的任一方面 中，所述开口具有多个。本发明第5方面的基板加热装置的特征为，在本发明第1至第4方面的任一方面 中，多个加热构件在所述基板的搬送方向连续配设。本发明第6方面的基板加热装置的特征为，在本发明第5方面中，所述加热构件由 长度不同的多种的加热块所构成。本发明第7方面的液体材料涂布装置的特征为包括本发明第1至第6方面的任 一方面中所述的基板加热装置；吐出所述液体材料的吐出装置；使所述吐出装置相对于所 述基板进行相对移动的驱动机构；将所述基板朝着一个方向搬送的搬送机构；以及控制这 些部件的动作的控制部。
本发明第8方面的液体材料涂布装置的特征为，在本发明第7方面中，所述控制部 在对配置于基板上的工件进行涂布作业时，使所述升降机构处于上升位置而使加热构件的 上面接触于基板的底面，并在搬送基板时，使所述升降机构处于下降位置而从所述喷出口 喷出经加热的气体。本发明第9方面的基板加热方法，用于从下方对朝着一个方向被搬送、并且在搬 送途中对配置于其上的工件进行涂布作业的基板进行加热，所述基板加热方法的特征在于 包括接触加热步骤，通过升降机构而使加热构件的平坦的上面抵接于所述基板的底面，从 而加热基板；以及非接触加热步骤，通过升降机构而使所述基板的底面与加热构件的所述 上面分开，并从形成于所述加热构件的上面的喷出用开口而喷出加热用气体。本发明第10方面的基板加热方法的特征为，在本发明第9方面中，在所述接触加 热步骤中，从形成于所述加热构件的上面的吸引用开口而使吸引力发挥作用。本发明第11方面的基板加热方法的特征为，在本发明第10方面中，通过同一开口 而构成所述喷出用开口与所述吸引用开口，并将该开口经由切换阀而连接于负压源以及加 压源；在所述接触加热步骤中，使所述开口与负压源连通；在所述非接触加热步骤中，使所 述开口与加压源连通。本发明第12方面的基板加热方法的特征为，在本发明第9至第11方面的任一方 面中，在对配置于所述基板上的工件进行涂布作业时，实施所述接触加热步骤，在进行所述 基板的搬送时，实施所述非接触加热步骤。本发明第13方面的基板加热方法的特征为，在本发明第12方面中，在所述涂布作 业的前后实施所述非接触加热步骤。本发明第14方面的基板加热方法的特征为，在本发明第12或13方面中，所述涂 布作业为底部填充步骤。本发明第15方面的基板加热方法的特征为，在本发明第14方面中，在所述接触加 热步骤以及所述非接触加热步骤中，对所述基板的整个底面进行均勻加热。通过对基板的 整个底面进行均勻加热，可以更有效地保护连接部。当从其它观点来说明本发明的基板加热装置时，如下所述。本发明的基板加热装置配设于对涂布有液体材料的基板进行搬送的搬送机构的 下方，并且对所述基板进行加热，所述基板加热装置的特征在于包括流路，其一端连通于 流通口，另一端连通于对与负压源以及加压源的连通进行切换的切换阀；加热块，其在与所 述基板相对向的面上穿设有所述流通口，并且内设有所述流路；加热器，其内设于所述加热 块中，而对所述加热块进行加热，同时对所述流路内的气体进行加热；温度传感器，其内设 于所述加热块中，而检测所述加热块的温度；温度控制部，其根据来自所述温度传感器的信 号而控制所述加热器；以及升降机构，其在涂布液体材料时从底面接触并支持所述基板的 上升位置、以及搬送所述基板时所述加热块的与所述基板相对向的面与所述基板分开的下 降位置之间，使所述加热块进行升降移动。优选的是，所述加热块在位于所述上升位置时，通过所述切换阀与负压源连通，而 从所述流通口吸引气体，在所述加热块上吸附从底面受到支持的所述基板，使所述加热块 接触于所述基板，从而加热所述基板，在位于所述下降位置时，通过切换阀与加压源连通， 使经所述加热器所加热的流路内的气体从所述流通口朝向存在于与所述加热块分开的位置的所述基板底面喷出，由此加热所述基板。此处更优选的是，在所述加热块中穿设有多个 所述流通口，并且内设有多个所述流路。并且，优选的是，所述流路分为第一流路以及第二流路，其中，第一流路的一端连 通于第一流通口，另一端连通于对与负压源的连通进行切换的第一阀，第二流路的一端连 通于第二流通口，另一端连通于对与加压源的连通进行切换的第二阀，所述加热块在与基 板相对向的面上穿设有所述第一流通口以及所述第二流通口，并且内设有所述第一流路以 及所述第二流路。此处，更优选的是，所述加热块在位于所述上升位置时，通过所述第一阀 与负压源连通，而从所述第一流通口吸引气体，在所述加热块上吸附从底面受到支持的所 述基板，使所述加热块接触于所述基板，从而加热所述基板，在位于所述下降位置时，通过 所述第二阀与加压源连通，使经所述加热器所加热的第二流路内的气体从所述第二流通口 朝向存在于与所述加热块分开的位置的所述基板底面喷出，由此加热所述基板。此处，进一 步更优选的是，在所述加热块中穿设有多个所述第一流通口以及所述第二流通口，并且内 设有多个所述第一流路以及所述第二流路。当从其它观点来说明本发明的涂布装置时，如下所述。本发明的涂布装置的特征在于包括所述任一基板加热装置；吐出液体材料的吐 出装置；使所述吐出装置相对于基板进行相对移动的驱动机构；延设于涂布装置内并搬送 所述基板的搬送机构；以及控制这些部件的动作的控制部。此处，优选的是，所述搬送机构 分为多个部分，对应所述搬送机构的多个部分而分别设置多个所述基板加热装置。(发明的效果)根据本发明，由于不仅在涂布时、而且在其前后的搬送时也进行加热，因此例如在 底部填充步骤中，载置有半导体芯片的基板的温度变化极小，从而可以防止连接部的破损。并且，由于在涂布作业期间可以使基板的温度变化变得极小，因此液体材料的状 态稳定，可以稳定地进行涂布。此外，由于可以利用一个加热机构而实施两种不同的加热方式，因此涂布时以及 非涂布时(搬送时)的任一加热均可以利用一个加热机构来应对。因此，可以实现装置的 小型化。


图1是说明底部填充步骤的说明图。 图2是本发明的加热机构的概略立体图。 图3是本发明的加热机构的主要部分剖面图。 图4是本发明的加热机构的框线图。
图5是说明本发明的加热块上升位置处的加热样态的说明图。 图6是说明本发明的加热块下降位置处的加热样态的说明图。 图7是实施例1的涂布装置的概略立体图。 图8是说明实施例1的涂布装置的搬送机构的说明图。 图9是表示实施例1的涂布装置的动作流程的流程图。 图10是表示实施例1的涂布装置的动作流程的流程图。 图11是表示实施例1的涂布装置的动作流程的流程图。
图12是表示实施例1的涂布装置的动作流程的流程
图13是实施例2的加热机构的主要部分剖面图。
图14是实施例2的加热机构的框线图。
符号说明
1工件(半导体芯片)
2基板
3连接部(突起状电极、电极垫)
4液状树脂、液体材料
11加热块
12与基板相对向的面(上面)
13第一流通口(吸引用开口)
14第二流通口(喷出用开口)
15第一流路
16第二流路
17第一阀
18第二阀
19负压源
20加压源
21加热器
22温度传感器
23温度控制部
24升降机构
25配管接头
26吸入的气体流
27喷出的气体流
101涂布装置
102吐出装置
103XYZ驱动机构
104搬送机构
105基板加热机构
106基板按压构件
107储存容器
108喷嘴
109轨道状构件
110辊
111传送带
112基板搬送方向
113驱动方向
114左侧搬送单元
115中央搬送单元
116右侧搬送单元
118左侧辅助加热单元(搬入口台)
119中央辅助加热单元(中间台)
120右侧辅助加热单元(搬出口台)
121左侧加热单元(前台)
122中央加热单元(涂布台)
123右侧加热单元(后台)
124控制部
201加热块
202与基板相对向的面(上面)
203流通口
204流路
205切换阀
206负压源
207加压源
208温度控制部
209气体流。
具体实施例方式以对配置有半导体芯片的基板实施底部填充步骤的情况为例，说明用于实施本发 明的一方式。[加热机构本体]将本发明的基板加热机构105的概略立体图表示于图2中。并且，将主要部分剖 面图、框线图分别表示于图3、图4中。作为本实施方式的加热机构105的主要部分的加热块11大致为长方体形状，与基 板相对向的上面12成为与基板2的大小大致相同宽窄的面。在上面12上，以一定的间隔均勻地配置有多个第一流通口 13以及多个第二流通 口 14。此处，图2所示的流通口 13以及14的配置仅为一例，该配置可适当变更，但在本实 施例的方式中，从保护连接部的观点而言，为了使基板2的整个底面无温度差而采用均勻配置。多个第一流通口 13为吸引用开口，其连通于加热块11中所内设的多个第一流路 15。并且，多个第二流通口 14为喷出用开口，其分别连通于加热块11中所内设的多个第二 流路16。多个第一流路15经由第一阀17而与负压源19连通，多个第二流路16经由第二 阀18而与加压源20连通。通过开闭该第一阀17以及第二阀18，从而可以吸入流路(15、 16)内的气体、或者向流路内喷出气体。此处，优选的是，第一阀17以及第二阀18设置在与 加热块11不同的部位。并且，第一阀17以及第二阀18可以根据负压源19以及加压源20 的强度而设置多个。在流路(15、16)中流动有空气作为动作气体，但并不限定于此，例如在 惰性气体为优选的情况下，也可以使用氮气等。
加热器21设置于加热块11内部，对加热块11以及第二流路16内的气体进行加 热。在本实施方式中，在加热器21中使用电热加热器，但不限定于此，例如也可以使用珀尔 帖组件(Peltier device)等。并且，对所设置的加热器的数量没有限制，其配置也可以适 当变更，但是从保护连接部的观点而言，优选为采用使基板2的整个底面不产生温度差的 数量以及配置。并且，与加热器21相配合，在加热块11内部设置有温度传感器22。并且，加热器 21以及温度传感器22连接于温度控制部23，温度控制部23根据来自温度传感器22的信 号而控制加热器21，以使其温度一定。作为控制方法，并无特别限定，可使用温度控制中常 使用的PIDO^roportional Integral Derivative，比例、积分、微分)控制、一般的反馈控 制、以及简便的接通/断开控制等。并且，温度传感器22的配置以及数量可以适当变更而 应用。基板2通过搬送机构104而朝着一个方向被搬送。搬送机构104包括两根轨道状 构件109，在其间配设有加热机构105。作为加热机构105的主要部分的加热块11载置于 升降机构M上(参照图2)。升降机构M具有从底面支持位于加热块11的上方的基板2 的上升位置、以及使加热块11离开基板2的下降位置。在上升位置，基板2通过钩状基板 按压构件106与加热块的上面12而被夹持固定。作为驱动升降机构M的装置，可以使用例如通过压缩气体而使活塞驱动的气缸、 或者将马达与滚珠螺杆组合而成的装置等。在涂布液体材料4时，通过加热块11向上升位 置移动而从底面支持基板2，由此发挥作为涂布台的作用。另一方面，在基板搬送时，加热块 11向离开基板2的下降位置移动，以便顺利地进行基板搬送。为了有效地进行加热气体对 基板温度的维持，加热块的上面12与基板2的底面的距离优选为不要分开太远，例如为数 mm。关于搬送机构104的详细情况，将在实施例中说明。[加热样态]本发明的加热机构105的加热样态，根据加热块11的位置大致分为两种。[1]上升位置处的加热(图5)当加热块11位于上升位置时，第一阀17连通加热块11内的第一流路15与负压 源19。由此，从加热块11内的第一流路15与在另一端连通的第一流通口 13吸入气体(参 照组件符号26的箭头)。在第一流通口 13的正上方紧邻处存在有基板2，在来自第一流通 口 13的吸引作用下吸附基板2，从而加热块的上面12与基板2的底面紧密抵接。如此，基 板2的底面会与加热块上面12接触，从而来自加热器21的热经由加热块11而直接并且迅 速地传导。并且，利用温度控制部23进行加热器21的控制，以使其温度一定，由此可以使 基板2的温度保持一定。根据上述加热手法，由于使加热块的上面12抵接于基板2的底面，因此可以将来 自加热器21的热进行有效传导，并且可稳定地控制基板2的温度。稳定地控制温度不仅可 以防止连接部3的破损，也可以稳定液体材料4的状态而使涂布稳定。并且，由于通过遍及 基板面12所开设的多个第一流通口 13可以均勻地进行吸附，因此可以同样地接触于基板 2，并且可以保持基板2的平面度。[2]下降位置处的加热(图6)当加热块11位于下降位置时，第二阀18连通加热块11内的第二流路16与加压源20。由此，从加热块11内的第二流路16与在另一端连通的第二流通口 14喷出气体07)。 由于第二流通口 14与基板2分开，因此朝向基板2的底面喷出气体。所喷出的气体在加热 块11内通过加热器21被加热，在基板2上通过该经加热的气体而传导有热。并且，利用温 度控制部23进行加热器21的控制，以使其温度一定，由此可以使基板2的温度保持一定。根据上述加热手法，通过从离开的部位喷出经加热的气体，从而在移动中的基板2 上也传导有热。即，对于移动中的基板2也可以控制其温度，因此可以使底部填充步骤内的 温度变化极小。并且，由于从遍及基板面12而开设的多个第二流通口 14喷出经加热的气 体，因此可以加热整个基板2。通过将上述[1]与[2]适当组合，无论在使基板2停止而进行涂布时，还是使基板 2移动而进行搬送时，均可以使底部填充步骤内的基板2的温度保持一定，从而可以防止半 导体芯片1与基板2的连接部3的破损。对于上述[2]的下降位置处的加热，优选为在涂 布作业步骤的前后进行。涂布作业步骤前的加热是预备加热，涂布作业步骤后的加热是将 基板的温度变化抑制在规定范围内的温度保持加热。在上述中，对通过使吸引力作用于第一流通口 13而使基板2的底面与加热块的上 面12接触的构成进行了说明，但是也可以形成为不设置第一流通口 13，而以基板按压构件 106与升降机构M的组合，使基板2与加热块的上面12接触的构成。然而，在基板的底面 被高精度地加工的情况下，通过设置使吸引力发挥作用的流通口，可以取得以使加热块的 上面仿照基板底面的方式进行吸附的作用。因此，接触面积变多，可以取得有效地进行热传 导的效果。并且，在将加热块的上面12作为涂布台的情况下，也可以取得基板2的平面度 变好、涂布精度提高的效果。这些效果在基板2较薄的情况下尤其显著。另一方面，在不设 置使吸引力发挥作用的流通口，而以基板按压构件106进行夹持的构成中，会产生基板的 中央部翘曲的问题。根据以上理由，优选为采用在加热块11上设置有使吸引力发挥作用的流通口的 构成。以下，利用实施例来说明本发明的详细情况，但本发明并未因实施例而受到任何限定。实施例1[涂布装置]如图7所示，本实施例的涂布装置101包括吐出装置102、驱动机构103、搬送机 构104、加热机构105、以及控制这些部件的控制部124。吐出装置102包括储存液体材料4的储存容器107 (未图示)、以及用于吐出液 体材料4的喷嘴108(参照图1)。该吐出装置102以使喷嘴108与涂布对象基板2的涂布 面相对向的方式安装于CTZ驱动机构103上，能够向由搬送机构104所搬送的涂布对象基 板2上移动。搬送机构104横跨涂布装置101的宽度而设置，其是由三个搬送单元(114、115、 116)所构成，可分别独立地动作。由于搬送机构104是由三个搬送单元所构成，因而即使当 正在进行涂布动作时，也可以个别地进行搬入、搬出动作，从而可以缩短步骤处理时间。如 图8所示，本实施例的搬送机构104形成为平行设置有横跨所搬送的基板2的宽度的两根 轨道状构件109的构造，在轨道状构件109的上方设置有在辊110的作用下而旋转的传送带111。通过对辊110进行旋转驱动，传送带111旋转，载置于传送带111上的基板2被搬 送。两根轨道状构件109的宽度可以对照基板2的大小进行变更。此处，如图7中箭头所 图示，基板2从左侧搬送机构114被搬入至涂布装置101内，并经由中央搬送机构115而从 右侧搬送机构116被搬出至涂布装置101夕卜。加热机构105是由三个加热单元(121、122、123)所构成。各加热单元对应于搬送 单元(114、115、116)而配设于构成搬送机构104的两根轨道状构件109之间。通过利用三 个加热单元而构成加热机构105，从而可以对应于个别的搬送动作而进行基板2的加热。加热块11具有与基板2大致相同的大小，因此存在着在搬入侧以及搬出侧等的不 足基板2的大小的空间内无法设置加热单元的情况。因此，在本实施例中，形成为设置有比 加热单元更小型的辅助加热单元(118、119、120)的构成。与上述加热单元的不同之处在 于辅助加热单元是在不进行升降移动而离开基板2的下降位置被固定，以及不设置第一 流通口 13而仅从第二流通口 14喷出经加热的气体。辅助加热单元(118、119、120)的大 小只要为可埋入于三个加热单元(121、122、123)间的大小即可，并可以进行适当变更而配 设。在本实施例中，在搬入部的位置上设置有辅助加热单元118，在中央加热单元122与右 侧加热单元123之间的位置上设置有辅助加热单元119，在搬出部的位置上设置有辅助加 热单元120。加热机构105的设定温度会对应于基板2的尺寸以及半导体芯片1的数量等而变 化，但是大致设定于摄氏100度至150度的范围内。在该范围中，也可以控制为进行与预备 加热、涂布时的最适温度、以及温度保持加热的目的相对应的加热。[动作]一边参照图9至图12，一边对本实施例的涂布装置101的动作加以说明。在涂布装置101的左侧，具有供给未涂布的基板2的承载器或者前步骤的装置。在 涂布装置101的右侧，具有回收已完成涂布的基板2的卸载器或者后步骤的装置。以下，为 了方便说明，将加热单元以及辅助加热单元分别称作台。当开始动作时，在将基板2向涂布装置101内搬入之前，读取搬入口台118以及前 台121的温度(步骤101)，判定其是否处于设定温度的范围内(步骤102)。在未达到设定 温度的情况下，再次读取温度，反复进行该操作直至达到设定温度为止。在达到设定温度的 情况下，判定前台121上是否残留有基板2 (步骤10 。在残留有基板2的情况下，待机直 至基板2被去除为止。在未残留基板2的情况下，开始喷出来自搬入口台118以及前台121 的气体(步骤104)。并且，将基板2搬送至前台121位置(步骤105)。当基板2到达前台 121位置时，停止喷出来自前台121的气体，前台121上升而支持基板2，从而开始前台121 的吸引以吸附固定基板2 (步骤106)。当被固定于前台121时，读取涂布台122的温度(步骤107)，判定其是否处于设定 温度的范围内(步骤108)。在未达到设定温度的情况下，一边对固定于前台121上的基板 2进行控制以使其温度一定(步骤110)，一边再次读取温度，反复进行该操作直至达到设定 温度为止。在达到设定温度的情况下，判定涂布台122上是否残留有基板2 (步骤109)。在 残留有基板2的情况下，一边对固定于前台121上的基板2进行控制以使其温度一定(步 骤110)，一边待机直至基板2被去除为止。在未残留基板2的情况下，开始喷出来自涂布 台122的气体(步骤111)。并且，切断前台121的吸引，前台121下降，从而开始喷出来自前台121的气体(步骤11 。其后，将基板2搬送至涂布台122位置(步骤11 。当基板 2到达涂布台122位置时，停止喷出来自涂布台122的气体，涂布台122上升而支持基板2， 从而开始涂布台122的吸引以吸附固定基板2 (步骤114)。在涂布台122上，通过吐出装置102而涂布液体材料4(步骤11 。当涂布结束 时，读取中间台119以及后台123的温度(步骤116)，判定其是否处于设定温度的范围内 (步骤117)。在未达到设定温度的情况下，一边对固定于涂布台122上的基板2进行控制 以使其温度一定(步骤119)，一边再次读取温度，反复进行该操作直至达到设定温度为止。 在达到设定温度的情况下，判定在后台123上是否残留有基板2 (步骤118)。在残留有基板 2的情况下，一边对固定于涂布台122上的基板2进行控制以使其温度一定(步骤119)，一 边待机直至基板2被去除为止。在未残留基板2的情况下，开始喷出来自中间台119以及 后台123的气体(步骤120)。并且，切断涂布台122的吸引，涂布台122下降，从而开始喷 出来自涂布台122的气体(步骤121)。其后，将基板2搬送至后台123位置(步骤122)。 当基板2到达后台123位置时，停止喷出来自后台123的气体，后台123上升而支持基板2， 从而开始后台123的吸引而吸附固定基板2 (步骤123)。当被固定于后台123时，读取搬出口台120的温度(步骤124)，判定其是否处于设 定温度的范围内(步骤125)。在未达到设定温度的情况下，一边对固定于后台123上的基 板2进行控制以使其温度一定(步骤127)，一边再次读取温度，反复进行该操作直至达到 设定温度为止。在达到设定温度的情况下，判定是否可以将基板2向装置101外搬出(步 骤126)。在不能搬出的情况下，一边对固定于后台123上的基板2进行控制以使其温度一 定(步骤127)，一边待机直至可搬出为止。在可以搬出的情况下，开始喷出来自搬出口台 120的气体(步骤128)。并且，切断后台123的吸引，后台123下降，从而开始喷出来自后 台123的气体(步骤129)。其后，将基板2搬送至装置101外(步骤130)。上述动作表示对一片基板2的流程，当然也可以连续地对多片基板2进行涂布。在 该情况下，由于从步骤101至步骤106、步骤107至步骤114、步骤115至步骤123、步骤IM 至步骤130的各动作可以独立地进行，因此可以同时进行各个动作，缩短步骤处理的时间。实施例2在实施例1中，加热块11内的流路分别分为负压系统15与加压系统16，但是也可 以将其设为一个流路。图13表示实施例2的加热机构的主要部分剖面图，图14中表示其 框线图。实施例2的加热块201大致成长方体形状，与基板相对向的上面202成为与基板 2的大小大致相同宽窄的面。在上面202上，以一定的间隔均勻地开设有多个流通口 203。 各流通口 203连通于加热块201中内设的流路204。流路204通向与加热块201不同的部 位上所设置的切换阀205，并经由切换阀205而连通于负压源206以及加压源207。通过切 换该切换阀205而使负压源206或者加压源207的任一方与流路204连通，从而吸入流路 204内的气体，或者向流路内喷出气体。根据负压源206以及加压源207的压力强度，也可 以设置多个切换阀205。此外的加热器21、温度传感器22、以及升降机构M等与实施例1 相同。当加热块201位于上升位置时，切换阀205连通加热块201内的流路204与负压 源206。由此，从加热块201内的流路204与在另一端连通的流通口 203吸入气体。在流通口 203的正上方紧邻处存在有基板2，在来自流通口 203的吸引作用下吸附基板2，从而 加热块的上面202与基板2的底面紧密抵接。如此，由于基板2的底面会与加热块的上面 202接触，从而来自加热器的热经由加热块201而直接并且迅速地传导。并且，利用温度控 制部208进行加热器的控制，以使其温度一定，由此可以使基板2的温度保持一定。当加热块201位于下降位置时，切换阀205连通加热块201内的流路204与加压 源207。由此，从加热块201内的流路204与在另一端连通的流通口 203喷出气体。由于流 通口 203会与基板2分开，因此会朝向基板2的底面喷出气体。所喷出的气体在加热块201 内通过加热器而被加热，并且，在基板2上通过该经加热的气体而传导有热。并且，利用温 度控制部208进行加热器的控制，以使其温度一定，由此可以使基板2的温度保持一定。并且，根据本实施例的加热块201，通过将流路设为一个系统，由此可以减少阀以 及通向阀的配管等，从而可以节省空间。
权利要求
1.一种基板加热装置，用于从下方对朝着一个方向被搬送、并且在搬送途中对配置于 其上的工件进行涂布作业的基板进行加热，所述基板加热装置的特征在于包括加热构件，具备抵接于所述基板的底面来加热基板的平坦的上面、以及形成于该上面 并且向所述基板的底面喷出加热用气体的喷出用开口 ；以及 升降机构，使加热构件升降。
2.根据权利要求1所述的基板加热装置，其特征在于，所述加热构件在其上面具有使 吸引力作用于所述基板的底面的吸引用开口，在所述升降机构的上升位置，从所述吸引用开口而使吸引力发挥作用，使所述加热构 件的上面接触于所述基板的底面来加热所述基板，在所述升降机构的下降位置，从所述喷 出用开口喷出经加热的气体来加热所述基板。
3.根据权利要求2所述的基板加热装置，其特征在于，所述喷出用开口与所述吸引用 开口由同一开口所构成，该开口经由切换阀而连接于负压源以及加压源。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板加热装置，其特征在于，所述开口具有多个。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板加热装置，其特征在于，多个加热构件在所 述基板的搬送方向连续配设。
6.根据权利要求5所述的基板加热装置，其特征在于，所述加热构件由长度不同的多 种的加热块所构成。
7.一种液体材料涂布装置，其特征在于包括权利要求1至6中任一项所述的基板 加热装置；吐出所述液体材料的吐出装置；使所述吐出装置相对于所述基板进行相对移动 的驱动机构；将所述基板朝着一个方向搬送的搬送机构；以及控制这些部件的动作的控制部。
8.根据权利要求7所述的液体材料涂布装置，其特征在于，所述控制部在对配置于基 板上的工件进行涂布作业时，使所述升降机构处于上升位置而使加热构件的上面接触于基 板的底面，并在搬送基板时，使所述升降机构处于下降位置而从所述喷出口喷出经加热的 气体。
9.一种基板加热方法，用于从下方对朝着一个方向被搬送、并且在搬送途中对配置于 其上的工件进行涂布作业的基板进行加热，所述基板加热方法的特征在于包括接触加热步骤，通过升降机构而使加热构件的平坦的上面抵接于所述基板的底面，从 而加热基板；以及非接触加热步骤，通过升降机构而使所述基板的底面与加热构件的所述上面分开，并 从形成于所述加热构件的上面的喷出用开口而喷出加热用气体。
10.根据权利要求9所述的基板加热方法，其特征在于，在所述接触加热步骤中，从形 成于所述加热构件的上面的吸引用开口而使吸引力发挥作用。
11.根据权利要求10所述的基板加热方法，其特征在于，通过同一开口而构成所述喷出用开口与所述吸引用开口，并将该开口经由切换阀而连 接于负压源以及加压源；在所述接触加热步骤中，使所述开口与负压源连通； 在所述非接触加热步骤中，使所述开口与加压源连通。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的基板加热方法，其特征在于，在对配置于所述 基板上的工件进行涂布作业时，实施所述接触加热步骤，在进行所述基板的搬送时，实施所 述非接触加热步骤。
13.根据权利要求12所述的基板加热方法，其特征在于，在所述涂布作业的前后实施 所述非接触加热步骤。
14.根据权利要求12或13所述的基板加热方法，其特征在于，所述涂布作业为底部填 充步骤。
15.根据权利要求14所述的基板加热方法，其特征在于，在所述接触加热步骤以及所 述非接触加热步骤中，对所述基板的整个底面进行均勻加热。
全文摘要
本发明提供一种可贯穿涂布作业的前后而减少载置有半导体芯片的基板的温度变化、防止连接部的破损的基板加热装置、具备该装置的涂布装置以及基板加热方法。在本发明的基板加热装置、具备该装置的液体材料涂布装置以及基板加热方法中，基板加热装置用于从下方对朝着一个方向被搬送、并且在搬送途中对配置于其上的工件进行涂布作业的基板进行加热，所述基板加热装置的特征在于包括加热构件，具备抵接于所述基板的底面来加热基板的平坦的上面、以及形成于该上面并且向所述基板的底面喷出加热用气体的喷出用开口；以及升降机构，使加热构件升降。
文档编号H01L21/56GK102077333SQ200980125100
公开日2011年5月25日 申请日期2009年7月2日 优先权日2008年7月4日
发明者生岛和正 申请人:武藏工业株式会社