专利名称：反射式大功率led封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种LED封装结构，尤其是一种反射式LED封装结构。
背景技术：
LED是一种能够将电能转化为可见光的半导体。LED照明是最近几年发展起来的
新兴产业，堪称19世纪白炽灯问世以来的又一次照明革命，被称为是继第一代白炽灯、第
二代气体放电光源(包括荧光灯、节能灯、钠灯等)后的第三代照明光源。 由于半导体照明具有高效、节能、环保、使用寿命长、响应速度快、耐振动、易维护
等显著优点，在国际上被公认为是最有可能进入通用照明领域的新型固态冷光源。如同晶
体管替代电子管一样，半导体取代传统的白炽灯和荧光灯也是大势所趋。 目前，尽管LED已经广泛应用于指示、LCD背光源、交通指示灯、建筑照明灯领域，
但用LED实现大规模的半导体照明还有很多问题有待于解决。LED发光照明时，LED光源发
出的光线会向四周发散，会有部分LED发出的光线被基板所吸收，降低了 LED发光的利用率
低，减弱了LED照明的亮度。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种反射式大功率LED封装结
构，其结构简单、安全可靠、能够提高LED光源的亮度及LED发光的利用率。 按照本发明提供的技术方案，所述反射式大功率LED封装结构，包括反射基板及
位于反射基板上的LED发光芯片；所述反射基板对应于放置LED发光芯片另一端凹设有反
射槽，所述反射基板利用端部的反射槽及所述反射槽两侧的侧壁将射入反射基板内的光线
全反射到放置LED发光芯片的表面；所述反射基板周面上环绕有固定支架，所述固定支架
与反射基板固定连接；固定支架内设有固定连接的导电电极，所述导电电极与LED发光芯
片电性连接；所述固定支架上设有导电引脚，所述导电引脚与导电电极电性连接。 所述LED发光芯片上压盖有聚焦透镜，所述聚焦透镜与反射基板间依次填充有荧
光粉、硅胶。所述反射基板由透明的二氧化硅晶体制成。所述反射基板为半球形结构。所
述反射基板对应于放置LED发光芯片的其余周面上设置若干散热块。 本发明的优点 1、通过在反射基板上设置反射槽，使反射基板成为全反射的基板；射入反射基板内的光线，通过反射槽及连接反射槽的侧壁，全反射到放置LED发光芯片的表面，增加了LED发光芯片发光的亮度，提高了 LED发光芯片的利用率。
2、结构简单，可以适用多种固定支架，安装及使用方便。 3、反射基板采用二氧化硅晶体制成，具有高导热性，能够快速地将LED发光芯片的热量导出，极大的提高LED发光芯片的使用寿命。 4、反射基板的外周面上设置若干曲面连接凸块或凹槽的散热块，能够增大反射基板的散热面积。
图1为本发明的结构示意图。
具体实施例方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。 如图1所示本发明包括反射基板1、反射槽2、 LED发光芯片3、聚焦透镜4、硅胶5、固定支架6、导电电极7及导电引脚8。 如图1所示所述LED发光芯片3放置在反射基板1上，反射基板1外周面上环绕有固定支架6，固定支架6与反射基板1相固定连接。所述固定支架6内设有固定连接的导电电极7，导电电极7利用导线与LED发光芯片3电性连接，用于对所述LED发光芯片3提供电源。固定支架6上设有固定连接的导电引脚8，导电引脚8与导电电极7电性连接；所述导电引脚8的端部与电源相连，通过导电电极7为LED发光芯片3提供电源，点亮LED发光芯片3。
所述反射基板1对应于放置LED发光芯片3的另一端凹设有反射槽2，反射基板1利用反射槽2的内凹曲面及反射槽2两侧的侧壁，使反射基板1能够反射射入反射基板1内光线；LED发光芯片3向后发散的光线，射入反射基板1时，所述反射基板1以全反射的方式将射入的光线全反射到放置LED发光芯片3的表面，增加了 LED发光芯片3发出光线的聚合，提高了 LED发光芯片3的亮度及利用率。 所述LED发光芯片3上压盖有聚焦透镜4，聚焦透镜4与反射基板1间依次填充有荧光粉、硅胶5 ;所述硅胶5能够使聚焦透镜4与反射基板1相粘结，同时能够保护LED发光芯片3与导电电极7间的线路。所述聚焦透镜4压盖在LED发光芯片3上，汇聚LED发光芯片3发出的光线，能够相应的增强LED发光芯片3作为光源的亮度。
所述反射基板1为半球形结构，反射基板1的外周面上设置若干不规则排列的凸块或凹槽散热块，增大反射基板1的散热面积。反射基板1采用透明的二氧化硅晶体制成，二氧化硅晶体结构具有高透光性及高导热性，使LED发光芯片3发出的热量，能够及时传导出去，延长LED发光芯片3的使用寿命。所述聚焦透镜4采用透明的二氧化硅材料制成。
如图1所示使用时，将导电引脚8与电源相连接，导电引脚8通过导电电极7与LED发光芯片3电性连接，为LED发光芯片3提供发光所需的电源。接通电源后，所述LED发光芯片3向外发出光线。LED发光芯片3上压盖有聚焦透镜4， LED发光芯片3发出的光线经聚焦透镜4汇聚后射出，能够增强LED发光芯片3作为照明光源的亮度，同时能够保护LED发光芯片3，避免LED发光芯片3受到损伤。所述LED发光芯片3发出的光线会向四周发散，部分光线会进入反射基板1内；反射基板1利用反射槽2及所述反射槽2两侧的侧壁将射入反射基板1内的光线全反射到放置LED发光芯片3的表面，经聚焦透镜4汇聚光线后射出，从而再一次增强了 LED发光芯片3的亮度，提高了 LED发光芯片3发光的利用率。所述反射基板1采用透明的二氧化硅晶体制成，能够及时传导大功率LED发光芯片3发出的热量，延长LED发光芯片3的使用寿命。 本发明结构简单；通过在LED发光芯片3上压盖聚焦透镜4及硅胶5，确保LED发光芯片3与反射基板1的安全可靠；同时使用大功率LED发光芯片3作为照明光源，经济环保。
权利要求
一种反射式大功率LED封装结构，包括反射基板(1)及位于反射基板(1)上的LED发光芯片(3)，其特征是所述反射基板(1)对应于放置LED发光芯片(3)另一端凹设有反射槽(2)，所述反射基板(1)利用端部的反射槽(2)及所述反射槽(2)两侧的侧壁将射入反射基板(1)内的光线全反射到放置LED发光芯片(3)的表面；所述反射基板(1)周面上环绕有固定支架(6)，所述固定支架(6)与反射基板(1)固定连接；固定支架(6)内设有固定连接的导电电极(7)，所述导电电极(7)与LED发光芯片(3)电性连接；所述固定支架(6)上设有导电引脚(8)，所述导电引脚(8)与导电电极(7)电性连接。
2. 根据权利要求1所述的反射式大功率LED封装结构，其特征是所述LED发光芯片(3)上压盖有聚焦透镜(4)，所述聚焦透镜(4)与反射基板(1)间依次填充有荧光粉、硅胶(5)。
3. 根据权利要求1所述的反射式大功率LED封装结构，其特征是所述反射基板(1)由透明的二氧化硅晶体制成。
4. 根据权利要求1所述的反射式大功率LED封装结构，其特征是所述反射基板(1)为半球形结构。
5. 根据权利要求1所述的反射式大功率LED封装结构，其特征是所述反射基板(1)对应于放置LED发光芯片(3)的其余周面上设置若干散热块。
全文摘要
本发明涉及一种LED封装结构，尤其是一种反射式LED封装结构。其包括反射基板及位于反射基板上的LED发光芯片；所述反射基板对应于放置LED发光芯片的下端设置反射槽，所述反射基板利用端部的反射槽及所述反射槽两侧的侧壁将射入反射基板内的光学全反射到放置LED发光芯片的表面；所述反射基板的左右两端均设有固定支架，所述固定支架与反射基板固定连接；固定支架内设有固定连接的导电电极，所述导电电极与LED发光芯片电性连接；所述固定支架上设有导电引脚，所述导电引脚与导电电极电性连接。本发明结构简单、安全可靠、提高LED光源的亮度及LED发光的利用率。
文档编号H01L33/48GK101771129SQ201010115299
公开日2010年7月7日 申请日期2010年1月29日 优先权日2010年1月29日
发明者王海军 申请人:王海军