专利名称：半导体结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种电性接地均勻的半导体结构及其制造方法。
背景技术：
在传统的半导体封装技术中，是利用引线(wire bonding)工艺将焊线电性连接于芯片上的接地垫与外部接地元件之间。而且，在高频及高功率的芯片中，每一个接地垫均需与多条焊线连接，以应付高功率的电流传输。然而，由于各接地垫可容纳的焊线数量受限于接地垫的面积，因此在半导体元件日趋微小的今日，焊线的布局难度也随的升高。此外，若芯片上各接地垫与外部接地元件之间的距离不一致，则所使用的焊线长度亦不相同。若焊线的长度过长，将使电性有衰退之虞，并因而产生电性不匹配的现象。是以，如何缩短芯片的接地信号传输距离以提高传输效率，实已成为目前亟欲解决的课题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种半导体结构的制造方法，以提高接地信号的传输品质。本发明的再一目的是提供一种半导体结构，其具有均勻的接地性，并因而具有良好的运作效能。本发明提出一种半导体结构的制造方法，其是先提供具有彼此相对的有源表面与背面的半导体基底，且此半导体基底包括至少一个接地垫，配置于其有源表面上。接着，在半导体基底中形成至少一个硅通孔，此硅通孔自背面贯穿至有源表面，而暴露出接地垫。然后，在半导体基底的背面形成导电层，此导电层填入硅通孔内而同时与半导体基底及接地垫电性连接。在本发明的实施例中，在形成上述的硅通孔之前，还包括将半导体基底的有源表面粘着于承载板上。而且，在形成导电层之后，可将半导体基底与承载板分离。在本发明的实施例中，上述的半导体基底还包括至少一个电源/信号垫，其配置于有源表面上。而且，再将半导体基底与承载板分离之后，还包括在半导体基底的有源表面上进行引线工艺，以使电源/信号垫与外部电路电性连接。本发明还提出一种半导体结构，包括半导体基底以及导电层。其中，半导体基底具有彼此相对的有源表面与背面，并包括至少一个接地垫，配置于有源表面上。而且，半导体基底中具有至少一个硅通孔，自背面贯穿至有源表面而暴露出接地垫。导电层则是配置于半导体基底的背面而填入硅通孔内，以同时与接地垫及半导体基底电性连接。在本发明的实施例中，上述的半导体基底还包括至少一个电源/信号垫，配置于有源表面上。
在本发明的实施例中，上述的电源/信号垫相对接地垫邻近半导体基底的边缘。在本发明的实施例中，上述的导电层的材料例如是铜或铝。本发明是先在半导体基底中形成硅通孔而暴露出接地垫，再将导电层形成在半导体基底背面，并填入硅通孔内而与接地垫电性连接。也就是说，本发明是利用TSV技术来制作接地信号的传输路径，与已知的引线技术相较之下，本发明可增加单位面积的接地信号的传输密度。为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例， 并配合附图，作详细说明如下。
图IA至图IE为本发明的实施例中的半导体结构在工艺中的剖面示意图。
图2为本发明的另--实施例中的半导体结构在部分工艺中的剖面示意图。
图3为本发明的另--实施例中的半导体结构在部分工艺中的剖面示意图。
附图标记说明
100 半导体结构
110:半导体基底
112 有源表面
114 背面
115 材料层
116 接地垫
118:电源/信号垫
120 硅通孔
130 承载板
135 粘着层
140 导电层
具体实施例方式图IA至图IE为本发明的实施例中的半导体结构在工艺中的剖面示意图。请参照图1A，首先提供半导体基底110，其具有彼此相对的有源表面112与背面114。以本实施例来说，半导体基底110例如是晶片，但本发明不以此为限，在其他实施例中，半导体基底110 也可以是切割晶片而得的芯片。而且，半导体基底110包括至少一个接地垫116，配置于有源表面112上。具体来说，半导体基底110的有源表面112上形成有多层材料层115，且各层材料层中均可以配置有接地垫116。为方便说明，图IA仅绘示出单层材料层115及位于其中的多个接地垫116。此外，本实施例的半导体基底110还包括至少一个电源/信号垫 118，其与接地垫116同样均配置于有源表面112上。值得一提的是，由于本实施例在后续工艺中是利用焊线(图未示)将这些电源/ 信号垫118电性连接至外部电路，因此本实施例是将电源/信号垫118设置于相对接地垫 116而邻近半导体基底110的边缘之处，以便于后续引线工艺的进行。请参照图1B，为避免半导体基底110在使用机台设备进行后续工艺时因刚性不足而损坏，本实施例是先将半导体基底110粘着至承载板130上。举例来说，半导体基底110 例如是通过粘着层135而粘着至承载板130上，且半导体基底110是以其有源表面112与粘着层135接触。其中，粘着层135例如是具有暂时性粘着力的粘胶材料，例如紫外胶、热熔胶、或者可以溶剂将其溶解的可溶解胶，但不以此为限。承载板130则可以是透明的塑胶基板。需要注意的是，虽然本实施例是将粘着层135布满于承载板130与半导体基底110 之间，但在其他实施例中，如图2所示，粘着层135还可呈图案化地分布于承载板130与半导体基底110之间，而不与半导体基底110的有源表面112上的元件(图未示)接触，以避免在移除粘着层135时损坏这些元件。请参照图1C，在半导体基底110中形成至少一个硅通孔(through siliconvia, TSV)120,以暴露出配置在有源表面112的接地垫116。具体来说，硅通孔120的数量是与接地垫116的数量相符，以将有源表面112上的所有接地垫116暴露出来。本实施例例如自半导体基底110的背面114，使用激光穿孔或深反应式离子蚀刻(de印reactive ion etching, DRIE)的方式形成贯穿至有源表面112的硅通孔120，本发明但不以此为限。请参照图1D，在半导体基底110的背面114上形成导电层140，且导电层140填入硅通孔120内而与接地垫116电性连接。在后续工艺中，接地垫116即通过导电层140而与外部接地元件(图未示)电性连接。值得注意的是，导电层140直接填入硅通孔120内， 其与半导体基底110之间并未配置有任何绝缘材料。换言之，半导体基底110的有源表面 112上的所有接地垫116可通过导电层140及半导体基底110而彼此电性连接，进而具有均勻的接地性，并因而适用于高频或高功率的半导体装置。在本实施例中，导电层140的材料可以包括铜或铝，但不以此为限。而且，虽然本实施例的导电层140是共形地填入硅通孔120内，但在其他实施例中，如图3所示，所形成的导电层140也可以是将硅通孔120填满。本发明不在此做任何限定。请参照图ID及图1E，本实施例在形成导电层140之后，接着即是将半导体基底 110与承载基板130分离。具体来说，将半导体基底110与承载基板130分离的方法包括紫外线光照、热熔法、溶剂溶解或以机械力剥离，其可视粘着层135的材料而定。此时已大致完成半导体结构100的工艺，而后续还可以接着对半导体结构100进行切割及封装等工艺， 本领域一般技术人员应该了解其细节，此处不再赘述。值得一提的是，若初始所提供的半导体基底110为芯片，则可在将半导体基底110 与承载基板130分离之后，在半导体基底110的有源表面上进行引线工艺，以将电源/信号垫118电性连接至外部电路(图未示)。综上所述，本发明是先在半导体基底中形成硅通孔而暴露出接地垫，再将导电层形成在半导体基底背面，并填入硅通孔内而与接地垫电性连接。也就是说，本发明是利用 TSV技术来制作接地信号的传输路径，与已知的引线技术相较之下，本发明可增加单位面积的接地信号的传输密度。此外，导电层与半导体基底之间并无设置任何绝缘材料，因此半导体基底上的接地垫可以通过导电层均勻地传输接地信号至外部接地元件，进而提升本发明的半导体结构运作效能。虽然本发明已以优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域一般技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定为准。
权利要求
1.一种半导体结构的制造方法，包括提供半导体基底，该半导体基底具有有源表面与背面，其中该有源表面与该背面相对， 且该半导体基底包括至少一接地垫，该接地垫配置于该有源表面上；从该背面形成至少一硅通孔于该半导体基底中，以暴露出该接地垫；以及于该半导体基底的该背面形成导电层，其中该导电层填入该硅通孔内而同时与该半导体基底及该接地垫电性连接。
2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中在形成该硅通孔之前，还包括将该半导体基底的该有源表面粘着于承载板上。
3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其中在形成该导电层后，还包括将该半导体基底与该承载板分离。
4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其中该半导体基底还包括至少一电源 /信号垫，配置于该有源表面上，且在将该半导体基底与该承载板分离后，还包括对该电源 /信号垫进行引线工艺。
5.一种半导体结构，包括半导体基底，具有有源表面、背面以及至少一硅通孔，其中该有源表面与该背面相对， 且该半导体基底包括至少一接地垫，配置于该有源表面上，该硅通孔自该背面贯穿至该有源表面而暴露出该接地垫；以及导电层，配置于该半导体基底的该背面而填入该硅通孔内，以同时与该接地垫及该半导体基底电性连接。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该半导体基底还包括至少一电源/信号垫，配置于该有源表面上。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该电源/信号垫相对该接地垫邻近该半导体基底的边缘。
8.如权利要求5所述的半导体结构，其中该导电层的材料包括铜或铝。
全文摘要
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，此方法是先提供具有彼此相对的有源表面与背面的半导体基底，且此半导体基底包括至少一个接地垫，配置于其有源表面上。接着，在半导体基底中形成至少一个硅通孔，此硅通孔自背面贯穿至有源表面，而暴露出接地垫。然后，在半导体基底的背面形成导电层，此导电层是填入硅通孔内而同时与半导体基底及接地垫电性连接。与已知的引线技术相较之下，本发明可增加单位面积的接地信号的传输密度。此外，导电层与半导体基底之间并无设置任何绝缘材料，因此半导体基底上的接地垫可以通过导电层均匀地传输接地信号至外部接地元件，进而提升本发明的半导体结构运作效能。
文档编号H01L23/58GK102254840SQ201010182999
公开日2011年11月23日 申请日期2010年5月18日 优先权日2010年5月18日
发明者张文雄 申请人:宏宝科技股份有限公司