专利名称：有机发光二极管的制作方法
技术领域：
本发明的一个或一个以上的实施例涉及有机发光二极管(OLED)，更具体的讲，涉 及一种包括第一电极的0LED，所述第一电极包括铝(Al)基反射膜和透明导电膜。所述OLED 可具有优良的热稳定性、发光效率和耐久性。
背景技术：
作为自发射型的装置，有机发光二极管(OLED)具有宽的视角、优良的对比度、快 速的响应时间、优良的亮度、优良的驱动电压和高的响应速度，并且有机发光二极管可实现 多色彩的图像。普通的OLED可具有这样的结构，在所述结构中，阳极、空穴传输层(HTL)、发射层 (EML)、电子传输层(ETL)和阴极顺序形成在基底上。HTL、EML和ETL是由有机化合物形成 的有机薄膜。具有上述结构的OLED的操作原则如下。当将电压施加在阳极和阴极之间时，从阳 极注入的空穴穿过HTL并到达EML，从阴极注入的电子穿过ETL并到达EML。空穴和电子在 EML中彼此复合并产生激子。激子的状态从激发态变为基态，从而发光。
发明内容
本发明的一个或多个实施例包括一种有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极 管包括电极，所述电极包括铝(Al)基反射膜和透明导电膜，其中，OLED具有优良的热稳定 性、发光效率和耐久性。在下面的描述中将部分地阐述另外的方面，而且在某种程度上，从描述中另外的 方面将是清楚的，或者可通过实施提供的实施例来了解。根据本发明的一个或多个实施例，有机发光二极管(OLED)包括基底；第一电极， 形成在基底上；第二电极，设置在第一电极上；有机层，设置在第一电极和第二电极之间， 其中，第一电极包括铝(Al)基反射膜，包括第一元素和镍(Ni)；透明导电膜。Al基反射 膜被设置为比透明导电膜更靠近基底，Al基反射膜接触透明导电膜。第一元素包括从由 镧(La)、铺(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒 (Er)、铥(Tm)、镥(Lu)和它们的组合组成的组中选择的一种。Al基反射膜可包括AlxNi相，这里，χ在大约2. 5至大约3. 5的范围内。AlxNi相 可接触透明导电膜。“X”可以是3。Al基反射膜可包括在所述铝基反射膜的面对透明导电膜的表面上的富含M的氧 化物层。Al基反射膜中的Ni含量可以在大约0. 6wt%至大约5wt%的范围内。
第一元素可包括镧(La)。铝基反射膜中的第一元素的含量可以为大约0. 至大约3wt%。Al基反射膜的厚度可以为大约50nm或更大。透明导电膜可包括氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(ΙΖ0)、氧化锡(SnO2)或氧化锌 (ZnO)。透明导电膜的厚度可以为大约5nm至lOOnm。第一电极还可包括金属层。所述金属层可形成在Al基反射膜和基底之间。金属层可包括从由钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、钯(Pd)、钼(Pt)、金(Au)和它们的组 合组成的组中选择的一种。有机层可包括从由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、空穴阻挡 层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和它们的组合组成的组中选择的一种。
当结合附图来考虑时，通过参照下面的详细描述，本发明的更加完整的理解及本 发明带来的诸多优点将更加清楚并更好理解，在附图中相同的标号表示相同或相似的组 件，附图中图1是根据本发明实施例的有机发光二极管(OLED)的剖视图；图2A是根据本发明实施例的铝(Al)基反射膜的剖面透射电子显微镜(TEM)图 片；图2B示出在图2A中示出的铝(Al)基反射膜的扫描透射电镜(STEM)-高角度环 形暗场(HAADF)图片；图2C显示了示出图2A的铝(Al)基反射膜的异常生长的晶粒的成分分析结果的 图；图3是根据本发明另一实施例的第一电极的剖面的照片；图4A是用肉眼观察根据本发明实施例的OLED的图像的照片；图4B是用虚线矩形F指示的图4A中的图像的一部分的显微图像；图5是根据本发明另一实施例的OLED的剖视图。
具体实施例方式现在，将详细地参照实施例，在附图中示出了所述实施例的示例，附图中，相同的 标号始终代表相同的元件。就此而言，当前实施例可具有不同的形式，并且不应被理解为限 制于这里所作出的描述。从而，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本发明的方面。图1是根据本发明实施例的有机发光二极管(OLED) 10的剖视图。参照图1，根据 本实施例的OLED 10具有这样的结构，在所述结构中，第一电极5、有机层7和第二电极9以 这样的次序顺序形成在基底1上。第一电极5包括铝(Al)基反射膜5a和透明导电膜5b， 所述铝(Al)基反射膜5a包括第一元素和镍(Ni)。Al基反射膜5a设置为比透明导电膜5b 更靠近基底1，且Al基反射膜5a与透明导电膜5b接触。基底1可以是用在普通OLED中的任何基底，并可以是具有优良的机械强度、热稳 定性、透明性、表面光滑度、易加工性和防水性的玻璃基底或透明塑料基底。
Al基反射膜5a包括铝(Al)、第一元素和镍(Ni)，并形成在基底1上。第一元素 还可包括镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬 (Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镥(Lu)或它们的组合。Al基反射膜5a具有高的反射率，因此OLED 10可具有优良的发光效率。此外，Al 基反射膜5a具有基于Al的性质的高的热稳定性，从而即使将Al基反射膜5a暴露到高温 制造工艺，Al基反射膜5a也具有优良的耐久性。另外，Al基反射膜5a具有优良的与无机 层或有机层粘合的性质。参照图1，透明导电膜5b设置在Al基反射膜5a上，并且与Al基反射膜5a接触。 然而，在Al基反射膜5a和透明导电膜5b之间不会发生因电极的电势差而产生的电偶腐 蚀。电偶腐蚀是电化学过程，其中，因在彼此电接触的两种不同的金属之间的电势差 产生电压，电流流动，产生电。如此，由于在两种金属之间的界面处的功函数的差异而具有 更大活性(低电势)的金属作为阳极，具有相对小的活性(高电势)的金属作为阴极。当 将两种金属暴露到腐蚀性溶液并且因这两种金属之间的电势差而在这两种金属中产生腐 蚀时，发生电偶腐蚀。具有更大的活性的阳极快速腐蚀，具有小的活性的阴极缓慢腐蚀。当 电偶腐蚀沿分别由不同的金属形成的两个电极层之间的界面蔓延时，电极层之间的接触电 阻(contact resistance)快速增加，且会导致不稳定的电阻分布。因此，当驱动具有这样 的电极层的OLED时，一些像素的色彩变得更亮，另一些像素的色彩变得较为不亮，导致对 像素来说亮度不均勻。因此，图像质量会变差。因此，电偶腐蚀可以成为降低OLED质量的 一个因素。然而，因为Al基反射膜5a包括第一元素，这将在下文描述，所以电偶腐蚀不会在 Al基反射膜5a和透明导电膜5b之间开始。从而，根据本实施例的OLED可随着时间的推移 保持高的图像质量。Al基反射膜5a包括Ni。因此，Al基反射膜5a可包括AlxNi相(这里，χ代表在 AlxNi相中的Al与Ni的原子个数比，并可以在大约2. 5至3. 5的范围内)。“X”可在上述 的大约2. 5至3. 5的范围内变化。图2Α是形成在Ti层(层B)上的包括大约2wt%的Ni和大约0. 35wt%的La的 Al基反射膜(层A)的剖面透射电子显微镜(TEM)图片，图2B是图2中的形成在Ti层上的 Al基反射膜的STEM-HAADF图片，图2C显示了示出使用能量色散谱仪(EDS)半定量分析呈 灰圆块的异常生长的晶粒(第一测量位置和第二测量位置)的分析结果的图。因此，由于 Al和Ni以大约Al (K) Ni (K) =73 27(基于原子百分比)的比率存在于图4A中的异 常生长的晶粒中，所以Al基反射膜可包括推定为AlxNi (χ大约是3)的材料。AlxNi相(这里，χ代表在AlxNi相中的Al与Ni的原子个数比，并可以在大约2. 5 至大约3. 5的范围内)可接触透明导电膜。此外，富含M的氧化物层可存在于Al基反射膜5a的面对透明导电膜5b的表面 上。例如，富含Ni的氧化物层可存在于图1中的Al基反射膜5a和透明导电膜5b之间。图3是由Al基反射膜和ITO透明导电膜形成的结构的剖面TEM图像。包括大约 2衬％的Ni和大约0. 35衬％的La的Al基反射膜C形成在普通的TFT基底上。ITO透明导 电膜D形成在Al基反射膜上。在图3中，表示为斜线并形成在Al基反射膜和ITO导电膜之间的白线的一部分(参照由E表示的线)为富含Ni的氧化物层。富含Ni的氧化物层的 厚度可在大约7nm至大约8nm的范围内。因上述的AlxNi相(这里，χ代表在AlxNi相中的Al与Ni的原子个数比，并可以 在大约2. 5至大约3. 5的范围内)和/或富含Ni的氧化物层，所以在Al基反射膜5a和透 明导电膜5b之间可形成欧姆接触。在Al基反射膜5a中的Ni的含量可以在大约0. 6wt %至大约5wt %的范围内，例 如，大约Iwt %至大约4wt%。在根据本实施例的OLED中的Ni的含量可以是大约2wt%。当 Al基反射膜5a中的Ni的含量为大约0. 6wt%或更多时，在Al基反射膜5a和透明导电膜 5b之间的接触电阻稳定性可以是优良的。当Al基反射膜5a中的M的含量为大约5wt% 或更少时，Al基反射膜5a的反射性和耐化学性不会实质性降低。上述M的量仅是示例而 并非限制于此。Al基反射膜5a除了包括Ni，还包括第一元素。第一元素可包括La、Ce、Pr、Pm、 Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Lu 或它们的组合。由于Al基反射膜5a包括上述的第一元素，所以可改善热稳定性并抑制电偶腐蚀。 例如，第一元素可包括La，但不限于此。铝基反射膜中的第一元素的含量可以在大约0. 1衬％至3衬％的范围内，例如，大 约0. 至大约lwt%。当第一元素的含量为大约0. 或更多时，Al基反射膜5a中 的Al的热稳定性不会实质性降低。当第一元素的含量为大约3衬％或更少时，可实质上防 止反射性的降低。第一元素的上述含量仅是示例而并非限制于此。Al基反射膜5a的厚度可以是大约50nm或50nm以上，例如，在大约IOOnm至大约 500nm的范围内。当Al基反射膜5a的厚度为大约50nm或50nm以上时，从有机层7产生的 光进入Al基反射膜5a，因此，可实质上防止发光效率的降低。透明导电膜5b可以是透明并导电的金属氧化物。透明导电膜5b的示例可包括氧 化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)或氧化锌(ZnO)。然而，透明导电膜5b不限 于此。透明导电膜5b的厚度可以在大约5nm至大约IOOnm的范围内，例如，大约7nm至 大约80nm。当透明导电膜5b的厚度在上述范围内时，可使Al基反射膜5a的反射性的降低 最小化，并可实现具有高的效率的第一电极。有机层7形成在透明导电膜5b上。在本说明书中，“有机层”代表设置在第一电极 和第二电极之间的所有层，并包括金属络合物。因此，有机层并非总是由有机材料形成。有机层7可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、空穴阻挡层 (HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)或它们的组合。可通过使用诸如真空沉积法、旋转涂覆法、铸造法或LB(Langmuir-Blodgett)沉 积法的方法来将HIL形成在第一电极5上。如果使用真空沉积法形成HIL，则沉积条件可根据用作形成HIL的材料的化合物 以及HIL的结构和热特性而改变。例如，沉积温度可以在大约100°C至大约500°C的范围内， 真空度可以在大约10_8托至大约ιο_3托的范围内，沉积速度可以在大约0.0lA/sec至大约 100 A/sec的范围内。如果使用旋转涂覆形成HIL，则涂覆条件可根据用作形成HIL的材料的化合物以及HIL的结构和热特性而改变。涂覆速度可以在大约2000rpm至大约5000rpm的范围内， 涂覆后用于除去溶剂的热处理温度可以在大约80°C至大约200°C的范围内。用于形成HIL的材料可以是已知的空穴注入材料。所述材料的示例可包括酞菁 化合物(如铜酞菁)、4，4'，4〃 -三(3-甲基苯基苯氨基)三苯胺(4，4'，4〃 -tris(3-m ethylphenylphenylamino) triphenyIamine, m-MTDATA) > N, N' -二 (I-^S)-N, N' -二 苯基联苯胺(N，N' -di(l-naphthyl)-N, N' -diphenylbenzidine，NPB)、TDATA、2T_NATA、 聚苯胺 / 十二烧基苯磺酸(polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid, Pani/DBSA)、 聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(P0ly(3，4-ethylenedi0Xythi0phene)/ Poly (4-styrenesulfonate)，PED0T/PSS)、聚苯胺 / 樟脑磺酸(Polyaniline/Camphor sulfonicacid, Pani/CSA)或(聚苯胺)/ 聚(4_ 苯乙烯磺酸盐)((Polyaniline)/ Poly (4-styrenesulfonate)，PANI/PSS))。然而，用于形成 HIL 的材料不限于此。 m-MTDATATDATA2T-NATAHIL的厚度可以是从大约IOOA至大约IOOOOA,例如，大约IOOA至大约ιοοοΑ。当
HIL的厚度在上述范围内时，可在不增加OLED的驱动电压的情况下，得到令人满意的空穴 注入特性。然后，可通过使用诸如真空沉积法、旋转涂覆法、铸造法或LB沉积法的方法将空 穴传输层(HTL)形成在空穴注入层(HIL)上。如果使用真空沉积法或旋转涂覆法来形成 HTL，则沉积条件或涂覆条件可根据所使用的化合物而改变。然而，通常，所述条件可以与用 来形成HIL的条件类似。用于形成HTL的材料可以是已知的空穴传输材料。所述材料的示例可包括咔唑 衍生物，如N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)；具有 芳香稠环(aromatic fused ring)的胺衍生物，如N，N' - 二(3-甲基苯基)-N，N' - 二 苯基-[1，1-联苯]-4，4' -二胺(N，N' -bis(3-methylphenyl)-N, N' -diphenyl-[l, l-biphenyl]-4,4' -diamine，TPD)或 N，N ‘ -二(萘 基)-N，N ‘ - 二苯基联苯胺 (N, N' -di (naphthalene-1-yl) -N, N' -diphenylbenzidine, α -NPD)；三苯胺类材料(如 4,4'，4〃 -三(N-咔唑基)三苯胺(4，4'，4〃 -tris (N-carbazolyl) triphenylamine, TCTA))。这里，TCTA除了具有传输空穴的功能之外，还可防止来自EML的激子的扩散。 α -NPDTPDHTL的厚度可以在大约50A至大约1OOOA的范围内，例如，大约100A至大约 800人。当HTL的厚度在上述范围内时，可在不增加OLED的驱动电压的情况下，得到令人满 意的空穴传输特性。可通过使用诸如真空沉积法、旋转涂覆法、铸造法或LB沉积法的方法将发射层 (EML)形成在空穴传输层(HTL)上。当使用真空沉积法或旋转涂覆法来形成EML时，沉积条 件或涂覆条件可根据所使用的化合物而改变。然而，通常，这些条件可以与形成空穴注入层 (HIL)所使用的那些条件相似。EML可包括一种化合物或者基质和掺杂剂的组合。基质的示例可包括Alq3、4， 4' -N,N' - 二咔唑-联苯(4，4' -N,N' -dicarbazole-biphenyl，CBP)、聚(η-乙烯基咔 唑)(poly(n-vinylcarbazole)，PVK)、9，10-二 (萘 _2_基)蒽(9，10-di (naphthalen-2-yl) anthracene，ADN)、TCTA、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(1, 3, 5-tris (N-phenylbe nzimidazole-2-yl)benzene，TPBI)、3_叔丁基-9，10-二(萘 _2_基)蒽(3-tert-butyl-9, 10-di (naphth-2-yl) anthracene, TBADN)、Ε3、·$乙 (distyrylarylene, DSA) 。 M胃，·
质不限于此。 TPBITBADN E3 PVKADN红色掺杂剂可以是公知的红色掺杂剂，诸如PtOEP、Ir(piq)3、Btp2Ir (acac)或 DCJTB。然而，红色掺杂剂不限于此。 PtOEPIr(Piq)3 Btp2Ir (acac)绿色掺杂剂可以是公知的绿色掺杂剂，诸如Ir (ppy) 3 (ppy为苯基吡啶)、 Ir (ppy) 2 (acac)、Ir (mpyp) 3或C545T。然而，绿色掺杂剂不限于此。 Ir(ppy)3Ir (ppy) 2 (acac)Ir (mpyp) 3蓝色掺杂剂可以是公知的蓝色掺杂剂，诸如F2Irpic, (F2ppy)2Ir (tmd)、 Ir (dfppz) 3、三芴(ter-f luorene) ,4,4 ‘ -二 4-二-苯基氨基苯乙烯基联苯(4， 4' -bis(4-diphenylaminostyryl)biphenyl, DPAVBi)或 2，5，8，11_ 四叔丁基茈(2,5,8, 11-tetra-t-butyl perylene，TBPe)。然而，蓝色掺杂剂不限于此。 F2Irpic(F2PPy) 2 Ir (tmd)Ir(dfppz)3 DPAVBiTBPe当掺杂剂和基质一起使用时，不限制掺杂剂的掺杂浓度。然而，通常，基于重量为 100份的基质，掺杂剂的量可在重量大约0. 01份至重量大约15份的范围内。发射层(EML)的厚度可以在大约100人至大约IOOOA的范围内，例如，大约200A 至大约600A。当EML的厚度在上述范围内时，可在不增加OLED的驱动电压的情况下，得到 优良的发射特性。当将磷光掺杂剂用于EML中时，可通过使用诸如真空沉积法、旋转涂覆法、铸造法 或LB沉积法的方法将空穴阻挡层(HBL)形成在空穴传输层(HTL)和EML之间，以防止三 重态激子或空穴向HTL扩散。当使用真空沉积法或旋转涂覆法来形成HBL时，HBL的沉积 条件或涂覆条件可根据所使用的化合物而改变。然而，通常，这些条件可以与形成空穴注 入层(HIL)所使用的那些条件相似。用于形成HBL的材料可以是公知的空穴阻挡材料。 所述材料的示例可包括噁二唑衍生物(oxadiazole derivative)、三唑衍生物(triazole derivative)或菲P各H|木 ^ 生物(phenanthroline derivative) HBL的厚度可在大约50人至大约1000人的范围内，例如，大约IOOA至大约300A。 当HBL的厚度在上述范围内时，可在不增加OLED的驱动电压的情况下，得到优良的空穴阻 挡特性。然后，可利用诸如真空沉积法、旋转涂覆法或铸造法的方法将电子传输层(ETL) 形成在EML或HBL上。当使用真空沉积法或旋转涂覆法来形成ETL时，它们的沉积条件或 涂覆条件可根据所使用的化合物而改变。然而，通常，这些条件可以与形成HIL所使用的那 些条件相似。用于形成ETL的材料可稳定地传输从电子注入电极(阴极)注入的电子，并 且用于形成ETL的材料可包括电子传输材料。所述材料的示例可包括喹啉衍生物，例如，三 (8-羟基喹啉)铝(Alq3)、TAZ和BAlq0然而，形成ETL的材料不限于此。
TAZ
ETL的厚度可在大约1OOA至大约1OOOA的范围内，例如，大约150A至大约 500人。当ETL的厚度在上述范围内时，可在不增加OLED的驱动电压的情况下，得到令人满 意的电子传输特性。此外，用于促进来自阴极的电子的注入的电子注入层(EIL)可形成在ETL上，并且 不限制用于形成EIL的材料。用于形成EIL的材料可以是用作电子注入材料的任何材料，例如，LiF,NaCl,CsF, Li2O或BaO。可使用诸如真空沉积、旋转涂覆、铸造或LB沉积的方法来形成EIL。沉积条件 和涂覆条件可根据所使用的化合物而改变。然而，通常，这些条件可以与形成HIL所使用的 那些条件相似。EIL的厚度可在大约IA至大约IOOA的范围内，例如，大约5入至大约90A。当EIL 的厚度在上述范围内时，可在不增加OLED的驱动电压的情况下，得到优良的电子注入特性。第二电极9是透射电极，第二电极9形成在有机层7上。第二电极9可以是电子 注入电极，即，阴极。用于形成第二电极9的材料可包括具有低的功函数的金属、合金、导电 化合物或它们的混合物。用于形成第二电极9的材料的示例可包括由锂(Li)、镁(Mg)、铝 (Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)或镁-银(Mg-Ag)形成的薄膜。此外，为了 得到顶发射装置，可以使用ITO或IZO形成透射电极。图4A是用肉眼观察的OLED的照片，图4B是图4A中的图像的一部分的显微图像。 参照图4A，具有大约125nm的厚度并包括Ni和La (Ni的含量大约为2wt%，La的含量大约 为0. 35wt% )的Al基反射膜和具有大约70nm的厚度的ITO透明导电膜顺序形成在TFT基 底上。Al基反射膜和ITO透明导电膜一起组成第一电极。然后，普通的有机层和透明阴极 顺序形成在ITO透明导电膜上，以形成OLED，驱动OLED，并用肉眼观察OLED。在图4B中，使 用显微镜观察在图4A的图像中用虚线矩形F标出的部分。图4A和图4B示出包括上述组成的第一电极的OLED可提供均勻的亮度和清晰的 图像。图5是根据本发明另一实施例的OLED 20的剖视图。参照图5，根据本实施例的 OLED 20包括基底21、第一电极25、有机层27和第二电极29。第一电极25包括金属层25c、 包括镍(Ni)和第一元素的Al基反射膜25a和透明导电膜25b，金属层25c、包括镍(Ni)和 第一元素的Al基反射膜25a及透明导电膜25b按次序顺序形成在基底21上。这里，基底 21、有机层27、第二电极29、包括镍(Ni)和第一元素的Al基反射膜25a及透明导电膜25b 与参照图1所描述的实施例的那些相似。参照图5，在OLED 20中的第一电极25还包括金属层25c。金属层25c可设置在 包括Ni和第一元素的Al基反射层25a和基底21之间。例如，金属层25c可形成在Al基 反射膜25a的不与透明导电膜25b接触的表面上。金属层25c可以是用来防止包括在第一电极25中的Al基反射膜25a中的Al成 分扩散的阻挡层。金属层25c可包括诸如钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、钯(Pd)、钼(Pt)、金(Au)的金属 或它们的组合。然而，金属层25c不限于此。例如，图4A中的Al基反射膜可形成在Ti层 上。
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金属层25c的厚度可在大约20nm至大约200nm的范围内，例如，大约50nm至大约 lOOnm。当金属层25c的厚度在上述范围内时，可防止Al成分的扩散。然而，金属层25c的 厚度不限于此。如上所述，根据本发明的上述实施例中的一个或多个实施例，包括上述第一电极 的OLED可具有优良的热稳定性、发光效率和耐久性。应该理解，应该仅将这里描述的示例性实施例视为描述性的，而并非出于限制的 目的。通常应该认为对每个实施例中的特征或方面的描述可用于其它实施例中的其它相似 的特征或方面。
权利要求
一种有机发光二极管，包括基底；第一电极，形成在基底上；第二电极，设置在第一电极上；有机层，设置在第一电极和第二电极之间，第一电极包括铝基反射膜和透明导电膜，铝基反射膜包括第一元素和镍，铝基反射膜被设置为比透明导电膜更靠近基底，铝基反射膜接触透明导电膜，第一元素包括从由镧、铈、镨、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镥和它们的组合组成的组中选择的一种。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，铝基反射膜包括AlxM相，χ在2.5至 3.5的范围内。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管，其中，AlxM相接触透明导电膜。
4.如权利要求2所述的有机发光二极管，其中，χ是3。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，铝基反射膜包括在所述铝基反射膜的 面对透明导电膜的表面上的富含M的氧化物层。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，铝基反射膜中的M含量在0.6衬％至 5wt%的范围内。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，第一元素包括镧。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，铝基反射膜中的第一元素的含量为 0.3wt%。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，铝基反射膜的厚度为50nm或更大。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，透明导电膜包括氧化铟锡、氧化铟锌、 氧化锡或氧化锌。
11.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，透明导电膜的厚度为5nm至lOOnm。
12.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，第一电极还包括金属层，所述金属层 形成在铝基反射膜和基底之间。
13.如权利要求12所述的有机发光二极管，其中，金属层包括从由钼、钨、钛、钯、钼、金 和它们的组合组成的组中选择的一种。
14.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，有机层包括从由空穴注入层、空穴传 输层、发射层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和它们的组合组成的组中选择的一种。
全文摘要
本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管包括基底、第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的有机层。第一电极包括铝(Al)基反射膜和与Al基反射膜接触的透明导电膜。Al基反射膜包括铝、第一元素和镍(Ni)。在此结构中，不会在Al基反射膜5a和透明导电膜5b之间发生因电极之间的电势差而产生的电偶腐蚀。因而，防止OLED质量的劣化。
文档编号H01L51/54GK101901878SQ201010193908
公开日2010年12月1日 申请日期2010年6月1日 优先权日2009年6月1日
发明者任忠烈, 俞庚辰, 刘喆浩 申请人:三星移动显示器株式会社