专利名称：形成电子器件的方法
技术领域：
本申请在35U. S. C§ 119(e)下要求2009年6月26日提交的号为61/269，600和 2009年11月19日提交的号为61/281，681的U. S.临时申请的优先权，这些申请的整个内 容在此并入作为参考。本发明一般地涉及电子器件的制造。更具体地，本发明涉及形成光刻图形的方法， 其中光刻胶图形用可有效地使该光刻胶图形的表面碱性化(alkaline)的材料处理。本发 明在用于形成高密度光刻图形和功能元件(feature)的半导体器件制造中有特别的用处。
背景技术：
在半导体制造工业中，光刻胶材料用于将图像转印到一个或更多的下层，例如沉 积在半导体衬底上的金属、半导体或介电层，以及衬底本身。为提高半导体器件的集成密度 和容许具有纳米级尺寸的结构的形成，具有高分辨率的光刻胶和光刻工艺工具已经且继续 发展。在半导体器件中实现纳米级功能元件尺寸的一个方法是在化学增强光刻胶曝光 时使用短波长的光，例如，193nm或更小。浸没式光刻有效地增大成像器件例如具有KrF或 ArF光源的扫描器的透镜的数值孔径。这通过在成像器件的最底部(last)的表面和半导体 晶片的上表面之间使用相对高折射率的流体(fluid) (S卩，浸没液)来实现。相比于空气或 惰性气体媒介，浸没液允许更多量的光被聚焦进入光刻胶层。根据下示的雷利(Rayleigh)公式定义理论上的分辨限制
AR = k\ ——
NA其中Ic1是工艺因子，λ是成像工具的波长以及NA是成像透镜的数值孔径。当使 用水作为浸没液，可提高最大数值孔径，例如从1. 2到1. 35。对于印刷线和间隙图形的情 况，Ic1为0. 25，193nm的浸没扫描器将只能分辨36nm的半间距线和间隙图形。由于具有暗 场掩模的低虚像对比，印刷接触孔或任意2D图形的分辨率进一步被限制，其中理论上Ic1的 限制是0.35。接触孔的最小半间距因此而限制为大约50nm。标准的浸没光刻工艺一般不 适合于制造要求更高的分辨率的器件。为了克服理论分辨率的限制，实现更高的分辨率和扩展现有制造工具的能力，发 展出了各种双重图形工艺(double patterning process)，例如，自对准双重图形(SADP)、 版_刻-版-刻(LELE)和版-版-刻(LLE)技术。虽然这些技术通常改善了缺点，但是， 总有一个或更多的缺陷。SADP工艺通常包括相对大数目的工艺步骤，从而对产出产生不利 影响。LELE技术中，晶片在曝光和刻蚀工艺模块之间的来回输送以及蚀刻版画和光刻胶的 去除工艺自身会产生产品污染和缺陷。LLE工序包括第一平版(Li)光刻胶图形的形成和 稳定化，紧接着第二平版(L2)图形的形成。提出了各种光刻胶稳定化技术，例如，离子注入 (implantation)、UV固化、热硬化、热固化和化学固化。Brzozowy等人的美国专利申请公开 号US2008/0199814A1公开了一种外涂(overcoat)化学固化技术，其中光刻胶图形用定影剂溶液涂覆，所述定影剂溶液包括溶剂、具有至少两个与光刻胶聚合物中的锚基团(anchor group)反应的官能团的定影化合物和可选的添加剂例如催化剂、表面活性剂和聚合物。虽 然LLE工艺比SADP和LELE包括更少的工艺步骤，但是其难以避免在光刻胶稳定化过程中 的图形变形；在L2光刻胶涂覆/软烘烤工艺中Ll和L2光刻胶层之间的混杂；以及在L2曝 光/显影工艺中Ll图形的显影。人们不断地需要用于多重图形工艺的处理与该描述的技术有关的一个或更多的 问题的技术。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供形成电子器件的方法。所述方法包括(a)提供包括 要被图形化的一层或更多层的半导体衬底；(b)在该一层或更多层上形成光刻胶图形，该 光刻胶图形包括第一多个开口 ；(c)采用可有效使该光刻胶图形的表面碱性化的材料处理 该光刻胶图形；(d)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；(e)在该光刻胶图形的第一多个 开口中施加组合物层，该组合物包括树脂成分和酸产生剂；(e)将该层暴露于使该酸产生 剂产生酸的环境；以及(f)使该光刻胶图形和该层接触显影剂溶液。根据本发明的一个更进一步的方面，提供一种涂覆的衬底。该涂覆的衬底包括 (a)包括要被图形化的一层或更多层的半导体衬底；(b)在该要被图形化的一层或更多层 上的光刻胶图形，该光刻胶图形包括第一多个开口且具有碱性表面；以及(C)在该光刻胶 图形的第一多个开口中的组合物层，该组合物包括树脂成分和酸产生剂。
本发明将参考下面的图讨论，其中相同的参考标记表示相同的特征，以及其中图IA-H示出根据本发明的一种接触孔收缩工艺的工艺流程；图2A-E示出根据本发明的一种接触孔形成工艺的工艺流程；图3A-E示出根据本发明的一种进一步的接触孔形成工艺的工艺流程；图4A-E示出根据本发明的一种形成圆环形图形的工艺流程；图5A-E示出根据本发明的一种形成柱形图形的工艺流程。
具体实施例方式本发明满足改进的光刻图形技术，例如，在接触孔和沟槽形成中有用的收缩工艺， 以及用于形成具有各种形状如圆环或柱几何形状的光刻胶图形的工艺。本发明的举例方面将参考示出用于根据本发明的光刻收缩工艺流程的图IA-H描 述。虽然示例性工艺是用于接触孔收缩工艺的，应清楚，该工艺可用于在电子器件制造中的 其它收缩应用。如此处使用的，术语“接触孔”包括通孔。典型地，接触孔形成在一层或更多 的介电材料层中，如一层或更多层的氧化物层，例如，掺杂的或不掺杂的氧化硅层，其中形 成接触孔底部的下面的功能元件是导电的或半导电的，如金属或半导体层或区域。接触孔 可例如将两个金属层连接起来，或将一个金属层与半导体衬底的有源区(active region) 连接起来。图IA描述了衬底100，其可包括形成在其表面上的各种层和功能元件。该衬底可由例如半导体、玻璃、石英、陶瓷、铜等的的材料制成，所述半导体例如硅或化合物半导体 (例如，III-V或II-VI)。典型地，该衬底是半导体晶片，例如单晶硅或化合物半导体晶片， 以及可具有形成在其表面上的一层或更多层和图形化的功能元件。要被图形化的一层或更 多层102可提供在衬底100上。可选地，下面的基底衬底(base substrate)材料自身可被 图形化，例如，当需要在衬底材料中形成沟槽时。在图形化基底衬底材料自身的情况下，图 形应被认为是形成在衬底的一层中。该些层可包括例如一层或更多层导电层，如铝、铜、钼、钽、钛、钨、这些金属的合 金、氮化物或硅化物、掺杂非晶硅或掺杂多晶硅的层，一层或更多层介电层，如氧化硅、氮化 硅、氮氧化硅或金属氧化物层，半导体层，如单晶硅，及其组合。要被刻蚀的这些层可通过各 种技术形成，例如化学气相沉积(CVD)如等离子体增强CVD、低压CVD或外延生长；物理气 相沉积(PVD)如溅射或蒸镀(evaporation)；或电镀。要被刻蚀的一层或更多层102的具 体厚度将根据材料和将形成的具体器件而变化。根据要被刻蚀的具体的层，要采用的膜厚度和照相平版印刷材料和工艺，可能需 要在层102上设置硬掩模层103和/或底部抗反射涂层(BARC) 104，光刻胶层涂覆在所述硬 掩模层103和/或底部抗反射涂层(BARC) 104上。可能需要使用硬掩模层，例如，具有非常 薄的光刻胶层，其中要被刻蚀的这些层需要明显的刻蚀深度，和/或其中具体的刻蚀剂具 有差的光刻胶选择性。当使用硬掩模层时，要形成的该光刻胶图形可被转印到该硬掩模层 上，接着，可被用作刻蚀这些底层102的掩模。合适的硬掩模材料和形成方法是本领域众所 周知的。典型的材料包括例如钨、钛、氮化钛、氧化钛、氧化锆、氧化铝、氮氧化铝、氧化铪、无 定形碳、氮氧化硅和氮化硅。硬掩模层103可包括单层或不同材料的多层。硬掩模层可例 如通过化学或物理气相沉积技术形成。在光刻胶曝光时衬底和/或底层将反射大量入射辐射以至于形成的图形 质量受到不利影响的情况下，可能需要底部抗反射层104。这样的涂覆可改善焦深 (depth-of-focus)、曝光幅度、线宽不均勻和CD控制。抗反射涂层通常在光刻胶暴露于深 紫外光(300nm或更小)，例如KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)、电子束或 软χ-射线的情况中使用。抗反射涂层104可包括单层或多个不同的层。合适的抗反射材 料和形成方法是本领域众所周知的。抗反射材料可商业性地获得，例如，由罗门哈斯电子材 料有限公司(美国马萨诸塞州莫尔伯勒市)以AR商标出售的物品，例如，AR 40A和AR 124 抗反射物。在该抗反射层104(如果存在的话)上方，在衬底上施加第一光敏组合物以形成一 第一光敏层106。如此处所用，术语“光敏材料”、“光敏组合物”和“光刻胶”可交互使用。 合适的光刻胶材料在本领域是公知的且包括例如基于丙烯酸酯、酚醛树脂清漆和硅化学的 材料。例如在美国申请公开号 US20090117489A1、US20080193872A1、US20060246373A1、 US20090117489AUUS20090123869A1和美国专利号7，332，616中描述了合适的光刻胶。在 本发明方法中所用的光刻胶材料包括正性作用和负性作用材料。合适的正性作用光刻胶 材料包括正性作用化学增强光刻胶，其通过组合物的一种或更多种成分的酸不稳定基团 (acid labilegroups)的光酸-催化(promote)脱保护(cbprotection)反应使光刻胶涂 层的曝光区域比未曝光区域在水性显影剂中更可溶。光刻胶树脂的典型的光酸不稳定基团 包括酯基团，所述酯基团具有共价链接到酯的羧基氧上的叔-非环烷基碳(即，叔丁基)或叔_脂环族碳(即，甲基金刚烷基)。缩醛光酸不稳定基团也是典型的。光敏组合物包括树脂成分和光敏成分。树脂优选地具有功能团，所述功能团使所 述光刻胶组合物具有水性碱显影能力。例如，典型的是包括极性功能团例如羟基或羧酸酯 的树脂粘合剂。所述树脂成分在组合物中的用量足以使组合物的曝光层在显影溶液例如碱 水溶液中可显影。树脂成分通常占光刻胶全部固体的大约70至大约97wt%。光敏组合物进一步包括足够量的光敏成分以在暴露于激活辐射时在组合物涂层 中产生潜像(latent image)。例如，光敏成分优选占光刻胶的全部固体的大约1至20wt%。 在光刻胶组合物中，典型的光敏成分是光酸产生剂。合适的PAG在化学增强光刻胶领域是 公知的且包括例如餘〖.盐，例如，三苯基锍盐、硝基苄基衍生物、磺酸酯、重氮(diazo)甲烷衍 生物、乙二肟衍生物、N-羟基酰亚胺化合物的磺酸酯衍生物和含卤素三嗪化合物。可使用 一种或更多种的这样的PAG。光刻胶的典型的可选的添加物是额外的碱(added base)，特别地，氢氧化四丁铵 (TBAH)或乳酸四丁铵，其可提高被显影的光刻胶浮雕图像的分辨率。对于在193nm成像的 光刻胶，典型的额外的碱是受阻胺，例如偶氮二环十一碳烯或偶氮二环壬烯。适当使用相对 少量的额外的碱，例如占全部固体的大约0. 03至5wt%。根据本发明使用的光刻胶也可包括其它可选的材料。例如，其它可选的添加剂包 括抗条纹剂、增塑剂和加速剂。这些可选添加剂典型地将在光刻胶合成物中以微量出现，除 了填充剂和染料，其可以相对大的含量出现，例如，基于光刻胶的干组分的总重的大约0.1 至IOwt %的量。合适的负性作用光刻胶通常包括交联(crosslinking)成分。交联成分典型地以 单独的光刻胶成分出现。典型的是胺-基交联剂如三聚氰胺(melamine)，例如，聚氰胺树脂 (Cymel)三聚氰胺。在本发明中有效的负性作用光刻胶组合物包括暴露于酸时能固化、交 联或硬化的材料和本发明的光敏成分的混合物。特别有用的负性作用组合物包括树脂粘合 剂例如酚醛树脂、交联成分和光敏成分。在欧洲专利号EP0164248B1和EP0232972B1以及 美国专利号US5，128，232中公开了这样的组合物及其使用。用作树脂粘合剂成分的典型的 酚醛树脂包括如上所描述的酚醛树脂清漆和聚(乙烯基苯酚)。典型的交联剂包括胺_基 材料，包括三聚氰胺、甘脲、苯并胍-基材料和尿-基材料。三聚氰胺-甲醛树脂是基本上 最典型的。这样的交联剂是商业地可获得的，例如=Cytec Industries以商标名Cymel300、 301和303销售的三聚氰胺树脂；Cytec Industries以商标名Cymel 1170、1171、1172销售 的三聚氰胺树脂；TeknorApex Company以商标名Beetle60、65和80销售的尿-基树脂；和 Cytec Industries以商标名Cymel 1123和1125销售的苯并胍树脂。对于_200nm波长例 如193nm的成像，国际申请公开号W003077029中公开了典型的的负性光刻胶。在本发明中有效的光刻胶一般根据公知的程序准备。例如，光刻胶可如下制成为 涂料组合物将所述光刻胶的组分溶解在合适的溶剂例如二醇醚如2-甲氧基乙基醚(二 甘醇二甲醚)、乙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚醋酸酯；乳酸酯例如乳 酸乙酯或乳酸甲酯盐；丙酸酯，特别是丙酸甲酯、丙酸乙酯和乙基乙氧基丙酸酯；溶纤剂酯 (Cellosolve ester)例如溶纤剂乙酸甲酯；芳烃如甲苯或二甲苯；或酮如甲基乙基酮、环 己酮和2-庚酮。典型地，基于光刻胶合成物的总重计，光刻胶的固体量在大约2至25wt% 之间变化。所述溶剂的混合物也是合适的。
本发明的方法可采用各种成像波长，例如波长为亚-400nm、亚-300nm或亚-200nm 的曝光波长的辐射，其中I-线(365nm)、248nm和193nm为典型的曝光波长，以及EUV和 157nm的辐射。在一个示例方面，光刻胶适合用于在亚-200nm波长例如193nm成像。在此 波长下，使用浸没式光刻是典型的，虽然干工艺可使用。在浸没式光刻中，折射率在大约1 和大约2之间的流体(即浸没液)在曝光过程中维持在曝光工具和光刻胶层之间。顶覆层 通常设置在光刻胶层上以防止浸没液和光刻胶层之间的直接接触，从而避免光刻胶的成分 滤入浸没液。光敏组合物可通过旋涂、浸涂、滚涂或其它传统涂覆技术施加至衬底。其中，旋涂 是典型的。对于旋涂，涂料溶液中的固体成分可基于所用的特定涂覆设备、溶液粘度、涂覆 工具的速度以及允许的旋转时间进行调整以提供所需的膜厚。第一光敏层106的厚度通常 是从大约500至1500。该第一光敏层可接着软烘烤以使层中的溶剂含量最小化，从而形成 不粘(tack-free)涂层以及改善该层至衬底的粘附。该软烘烤可在热板上或烤炉中进行， 典型的是热板。软烘烤的温度和时间取决于，例如光敏层的具体材料和厚度。典型的软烘 烤执行温度为从大约90至150°C，且时间为从大约30至90秒。如果第一光敏层106是采用浸没式光刻工具例如193nm的浸没扫描器曝光的话， 顶覆层(未示出)可设置于光敏层106上。使用这样的顶覆层可作为浸没液和底下的光 敏层之间的阻挡。这样可最小化或避免光敏组合物的成分向浸没液的滤入，从而防止光学 透镜的污染和改变有效折射率和浸没液的传输性能。合适的顶覆层组合物可商业获得，例 如，0PTIC0AT 顶覆材料例如0C 2000(罗门哈斯电子材料有限公司)和其它本领域公知 的，例如，在美国申请公开号2006/0246373A1和2008年12月31日提交的美国临时申请号 61/204，007中公开的。这些组合物可通过任何合适的方法例如上面所描述的关于光敏组合 物的方法施加在光敏层上，典型的是旋涂。顶覆层的厚度典型的是λ/4n(或其的偶数倍)， 其中λ是曝光辐射的波长且η是顶覆层的折射率。如果存在顶覆层，该第一光敏层106可 在顶覆层组合物已经施加后而非在顶覆层的施加之前软烘烤。这样，两层的溶剂可在单个 热处理步骤中除去。该第一光敏层106然后通过第一光掩模110暴露于激活辐射108以在曝光和未曝 光区域形成溶解度差。在如图6Α所示的曝光工艺中使用的掩模110包括采用圆形图形(如 图所示)或十字线图形的接触孔图形。对于正性作用材料，如所示，光掩模具有光学透明 和光学不透明区域，光学透明区域对应在其后的显影步骤中要去除的光敏层区域。对于负 性作用材料，光学不透明区域对应要被显影掉的光刻胶层部分。曝光能量通常从大约1至 lOOmJ/cm2，取决于曝光工具和光敏组合物的成分。此处关于将光敏组合物暴露于激活组合 物的辐射是指辐射能够在光敏组合物中形成潜像，例如通过光酸产生剂化合物产生酸来使 光敏成分的反应。光敏组合物典型地通过短曝光波长激活，特别是亚-400nm、亚-300nm或 亚-200nm的曝光波长，以I-线(365nm ；)、248nm和193nm为典型的曝光波长，以及EUV和 157nm。第一光敏层106曝光后，在高于所述层的软化点温度执行光敏层的后曝光烘烤 (PEB)。PEB可例如在热板上或烤炉中执行。PEB的条件取决于例如光敏层的具体材料和厚 度。典型地，PEB的执行温度为从大约80至150°C，且时间为从大约30至90秒。曝光的光敏层106接着显影以形成第一光刻胶图形106’，如图IB所示。尽管显影剂材料取决于光敏层106的特定材料，合适的显影剂和显影技术是本领域公知的。典型的 显影剂包括例如水性碱显影剂如氢氧化季铵溶液，例如，氢氧化四-烷基铵溶液如0. 26N氢 氧化四甲基铵。显影后，第一光刻胶图形106’在第一硬烘烤工艺中热处理以进一步从该光刻胶除 去溶剂和形成硬化的光刻胶图形106”，如图IC所示。硬烘烤通常用热板或烤炉执行，且典 型地执行温度为从大约150°C或更高，例如从大约170至180°C，且时间为从大约30至120秒。参考图1D，用能有效使第一光刻胶图形的表面碱性化的材料处理硬烘烤的第一光 刻胶图形106”。在随后施加在光刻胶图形上的光敏层的曝光过程中，碱性表面阻碍反应。 例如，在正性作用光敏层的情况下，酸-催化的脱保护反应在底下的碱-处理过的光刻胶图 形的直接邻近部分被防止。结果，在显影后，部分光敏层将留在那些区域。但不限于此，特别地，合适的表面处理材料包括碱性材料和不同于该碱性材料的 表面活性剂。可以确定，表面活性剂促进在该碱性材料处理过的光刻胶图形上形成第二光 刻胶的基本均勻的涂层。碱性材料可采用各种形式且可以是以如下形成溶液的形式在合适的溶剂中溶解 固体化合物。用于光刻胶图形处理的合适的碱性材料包括例如水性碱显影剂如氢氧化季铵 溶液，例如，氢氧化四-烷基铵溶液如0. 26常量(Normality) (N) (2. 38wt% )氢氧化四甲铵 (TMAH)。用于碱性材料和合成物的其它材料的溶剂材料应不溶解或最小限度溶解该底下的 光刻胶。碱性材料(不包括任何溶剂，例如，水，醇等)典型地占整个组合物的从大约1至 IOwt %。用于光刻胶图形处理组合物的合适表面活性剂包括那些展示出两性性质的材 料，指它们可以同时具有亲水性和疏水性。两性表面活性剂具有一个或多个对水有强亲 合力的亲水头部基团和长的亲有机物质且抵制水的疏水尾部。合适的表面活性剂可为离 子(即，阴离子，阳离子)或非离子。表面活性剂的进一步的例子包括硅氧烷(silicone) 表面活性剂，聚(环氧烷烃)表面活性剂和氟化学表面活性剂。合适用于水溶液的非 离子表面活性剂包括但不限于辛基和壬基苯酚乙氧基化物如TRITON : x-ii4、x-ioo、 X-45、X-15和支化仲醇乙氧基化物如TERGITOL TMN-6 (陶氏化学公司，美国密歇根州 米德兰市)。再进一步的示例性的表面活性剂包括醇(伯醇或仲醇)乙氧基化物、胺 乙氧基化物、葡糖苷(glucoside)、葡糖胺、聚乙二醇、聚(乙二醇-共-丙二醇)或在 McCutcheon'sEmulsifiers and Detergents,North American Edition for the Year 2000 published byManufacturers Confectioners Publishing Co. of Glen Rock, N. J 中公开 的其它表面活性剂。乙炔二醇衍生物的非离子表面活性剂也是合适的，包括下面通式的这样的表面活 性剂
权利要求
一种形成电子器件的方法，所述方法包括(a)提供包括一层或更多层要被图形化的层的半导体衬底；(b)在该一层或更多层上形成光刻胶图形，该光刻胶图形包括第一多个开口；(c)用能够有效使该光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该光刻胶图形；(d)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；(e)在该光刻胶图形的第一多个开口中施加组合物层，该组合物包括树脂成分和酸产生剂；(e)将该层暴露于使该酸产生剂产生酸的环境；以及(f)用显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层。
2.根据权利要求1的方法，其中该层是光敏的，该酸产生剂是光酸产生剂且使该酸产 生剂产生酸的条件包括暴露该层于激发辐射。
3.根据权利要求2的方法，其中使显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层的步骤形成第 二多个开口，其中该第二多个开口以由第一多个开口限定的体积(volume)设置在该层中， 且具有比第一多个开口更小的直径。
4.根据权利要求3的方法，其中使显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层的步骤去除该 光刻胶图形，且由该层形成多个环形图形。
5.根据权利要求2的方法，其中使显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层的步骤在光刻 胶图形中形成第二多个开口，其中该第二多个开口对应于第一多个开口间隔设置。
6.根据权利要求2的方法，其中使显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层的步骤去除该 光刻胶图形，且由该层形成多个柱形图形。
7.根据权利要求2的方法，其中曝光该层的步骤为浸没曝光。
8.根据权利要求1的方法，进一步包括在用能够有效形成碱性化的处理步骤之后且在 施加该组合物层的步骤之前热处理该硬烘烤的第一光刻胶图形。
9.一种涂覆的衬底，所述衬底包括(a)包括要被图形化的一层或更多层的半导体衬底；(b)在该要被图形化的一层或更多层上的光刻胶图形，该光刻胶图形包括第一多个开 口且具有碱性表面；以及(c)在该光刻胶图形的该第一多个开口中的组合物层，该组合物包括树脂成分和酸产 生剂。
10.根据权利要求9的涂覆的衬底，其中该层是光敏的且该酸产生剂是光酸产生剂。
全文摘要
提供形成电子器件的方法。方法包括光刻胶图形的碱性处理且满足高密度的光刻胶图形的形成。该方法在半导体器件制造中有特别的用处。提供了一种形成电子器件的方法，所述方法包括(a)提供包括一层或更多层要被图形化的层的半导体衬底；(b)在该一层或更多层上形成光刻胶图形；(c)用能够有效使该光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该光刻胶图形；(d)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；(e)在该光刻胶图形的第一多个开口中施加组合物层；(e)将该层暴露于使该酸产生剂产生酸的环境；以及(f)用显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层。
文档编号H01L21/768GK101963756SQ20101027236
公开日2011年2月2日 申请日期2010年6月25日 优先权日2009年6月26日
发明者T·卡多拉西亚, Y·C·裴, 刘沂 申请人:罗门哈斯电子材料有限公司