专利名称：一种小功率场效应晶体管封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种小功率场效应晶体管封装结构，属半导体器件结构技术领 域。
背景技术：
随着微电子技术的飞速发展，半导体器件已广泛应用于宇航、军事、工业和民用产 品当中。场效应晶体管作为半导体器件中的一种，与双极型晶体管比较，具有输入阻抗高、 噪声系数低、热稳定性能好、抗辐射能力强等特点，在各类电器控制线路中发挥重要的作 用。虽然场效应晶体管有如此多的性能优点，但是如果没有一种好的器件封装形式也会降 低其可靠性能。一种好的器件封装形式不但可以提高器件的可靠性，同时也应便于产品在 被使用之前进行各类检测，除电参数被检测外，还应能够对器件密封性、器件内引线完好状 态等进行检测，以提高器件使用前安全性。传统的场效应晶体管的封装结构形式存在可靠性差、检测不方便等诸多缺陷，需 要寻求一种更好的封装结构形式来保障器件的可靠性和安全性。
发明内容本实用新型的目的是，根据传统场效应晶体管的封装结构形式存在的一些不足， 提出一种小功率场效应晶体管封装结构设计，弥补传统结构的缺陷，保障器件的可靠性和 安全性。本实用新型的技术方案是，本实用新型小功率场效应晶体管封装结构由器件芯 柱、管帽(1)和器件内部芯片(2)所组成。芯片(2)安放在器件芯柱上方，芯片的栅极与 器件芯柱上方“ n ”型烧结引线形成的小岛面烧接相连，芯片的源极和漏极分别与器件芯 柱上方的烧结引线相连，管帽包裹芯片和器件芯柱，留出连接芯片的“ n”型烧结引线和连 接内引线的烧结引线。器件芯柱包括芯柱底盘(6)、用于绝缘的玻璃坯(7)、用于安装芯片 的“ n”型烧结引线(4)和用于连接内引线的烧结引线(5)，整个器件芯柱需要将芯柱底盘、玻璃坯(7)和烧结引线(5)在高温条件下使其融合形成一个整体。采用“ n”型烧结引线的目的一方面由于其特殊的形状可以很好的将烧结引线 融入在玻璃坯中，不易产生漏气孔，保证了烧结引线的牢固；另一方面“ n”型烧结引线(5) 顶端象似“小岛”形状，并打磨成平面(8)，可以增加芯片的烧结面积。芯片固定采用金锑烧 结，由于金锑在高温条件于硅材料有很好互熔性。外部封装采用金属管帽玻璃空封，可以便 于检测腔体是否漏气，同时也可通过x射线对腔体引线进行检测。器件芯柱、管帽材均采用 可伐材料，表面为镀金，可以有效防止生锈现象发生。本实用新型与现有技术比较的有益效果是，由于本实用新型采用的结构合理、工 艺先进，各部分之间连接可靠，且密封性好，采用此种结构的小功率场效应管质量好，可靠 性高，寿命长，与传统的同类产品比较，其使用寿命可得到提高。本实用新型适用于小功率 场效应管的批量化生产，也适用于类似结构的半导体器件。
图1为本实用新型器件的装配示意图；图2为本实用新型器件芯柱的剖视图；图3为本实用新型器件芯柱的俯视图；图中图号⑴器件管帽；⑵芯片；(3)沿圆周接触焊；⑷“ n ”型烧结引线；(5) 烧结引线；(6)芯柱底盘；(7)器件芯柱玻璃坯；(8)装配芯片的小岛面；(9)内引线的键合
具体实施方式
本实用新型实施例如图1所示。本实施例由A3-01_Fb型器件芯柱、A3-01B型管 帽(1)和器件内部芯片(2)所组成。芯片(2)安放在器件芯柱上方，芯片的栅极与器件芯 柱上方“ n ”型烧结引线形成的小岛面烧接相连，芯片的源极和漏极分别与器件芯柱上方的 烧结引线相连，管帽包裹芯片和器件芯柱，留出连接芯片的“ n”型烧结引线和连接内引线 的烧结引线。A3-01-Fb型器件芯柱包括A3-01-Fb型芯柱底盘(6)、用于绝缘的A3_01_Fb玻璃 坯(7)、用于安装芯片的“ n”型烧结引线(4)和用于连接内引线的烧结引线(5)，整个器件 芯柱要将A3-01-Fb芯柱底盘(6)、A3-01-Fb玻璃坯(7)和烧结引线(5)在高温条件下使其 融合形成一个整体。本实施例内部芯片固定采用金锑烧结，由于金锑在高温条件下与硅材 料有很好互熔性。外部封装采用金属管帽玻璃空封，可以便于检测腔体是否漏气，同时也可 通过X射线对腔体里的内引线进行检测。器件芯柱、管帽均采用可伐材料，表面为镀金，可 以有效防止生锈现象发生。
权利要求一种小功率场效应晶体管封装结构，其特征在于，所述封装结构由器件芯柱、管帽(1)和器件内部芯片(2)所组成；芯片(2)安放在器件芯柱上方，芯片的栅极与器件芯柱上方“η”型烧结引线形成的小岛面烧接相连，芯片的源极和漏极分别与器件芯柱上方的烧结引线相连，管帽(1)包裹芯片(2)和器件芯柱，留出连接芯片的“η”型烧结引线(4)和连接内引线的烧结引线(5)。
2.根据权利要求1所述的一种小功率场效应晶体管封装结构，其特征在于，所述器件 芯柱包括芯柱底盘(6)、用于绝缘的玻璃坯(7)、用于安装芯片的“ n”型烧结引线(4)和用 于连接内引线的烧结引线(5)，整个器件芯柱需要将芯柱底盘(6)、玻璃坯(7)和烧结引线 (5)在高温条件下使其融合形成一个整体。
专利摘要一种小功率场效应晶体管封装结构，由器件芯柱、管帽(1)和器件内部芯片(2)所组成。芯片(2)安放在器件芯柱上方，芯片的栅极与器件芯柱上方“η”型烧结引线形成的小岛面烧接相连，芯片的源极和漏极分别与器件芯柱上方的烧结引线相连，管帽包裹芯片和器件芯柱，留出连接芯片的“η”型烧结引线(4)和连接内引线的烧结引线(5)。所述器件芯柱包括芯柱底盘(6)、用于绝缘的玻璃坯(7)、用于安装芯片的“η”型烧结引线(4)和用于连接内引线的烧结引线(5)，整个器件芯柱需要将芯柱底盘(6)、玻璃坯(7)和烧结引线(5)在高温条件下使其融合形成一个整体。本实用新型适用于小功率场效应晶体管的批量化生产，也适用于类似结构的半导体器件。
文档编号H01L23/495GK201655792SQ20102014969
公开日2010年11月24日 申请日期2010年4月2日 优先权日2010年4月2日
发明者蔡家梁 申请人:江西联创特种微电子有限公司