专利名称：基板检查装置以及基板检查装置中的对位方法
技术领域：
本发明涉及用于进行基板的电气检查的基板检查装置以及该基板检查装置中的基板的对位方法。
背景技术：
随着半导体装置的小型化、高速化、高集成化不断发展，在形成有这些半导体装置的基板上所配置的、与基板的外部电连接的电极焊盘也更加细微化。在进行形成有半导体装置的基板的检查的基板检查装置中，使用这样的电极焊盘，在基板检查装置的检查装置本体部和基板之间进行信号的交换。基板检查装置被设置在基板和检查装置本体部之间，具有用于对基板检查本体部和基板进行电连接的接触器。 接触器具有用于与基板的电极焊盘电连接的接触部。如上所述，电极焊盘的细微化不断发展，因此在接触器的接触部中，除细微化外，还要求高密度化。在以往的基板检查装置中，在使接触器的接触部与基板的电极焊盘接触时，施加一定的荷重。另外，不向垂直方向而向水平方向施加荷重。这是为了使接触部扎破在金属布线的布线端子表面所形成的例如由氧化膜构成的绝缘层，使接触部和电极焊盘可靠地接触。这里，作为接触器的构造，公开了在例如由树脂构成的基底薄膜上形成布线图案， 且在布线图案的一部分上形成与基板的电极焊盘电连接的接触部的接触器(例如，参照专利文献1)。另外，公开了在形成有多个线状图案的电路基板的电路基板面上以一列或二维格子状形成导电性的探查电极、且以能够选择所检查的基板的电极焊盘之间不短路的各种配置的方式形成的接触器(例如，参照专利文献2)。专利文献1 日本特开2000-180469号公报专利文献2 日本特开平7-63788号公报但是，在上述的基板检查装置中，在基板上使接触器对位时，存在下面的问题。为了使基板的电极焊盘和接触器的接触部之间可靠地电连接，需要在基板上以高精度对位接触器。通常，使用一边用设置在检查装置上的CCD照相机观察设置在基板上的对准标记，一边进行位置对准等方法。但是，随着基板上的电极焊盘以及接触器的接触部的细微化以及高密度化的发展，为了使在作为检查对象的基板上所形成的半导体装置的电极焊盘与接触器的对应的接触部可靠地接触，必须进行高精度的对位。在不能够可靠地进行对位的情况下，产生与基板上的电极焊盘未电连接的接触器的接触部，存在无法进行基板检查或得到错误的检查结果的可能性。另外，在向垂直方向或水平方向施加荷重的方法中，由于伴随着高集成化的电极焊盘数量的增加，例如在每一个电极焊盘施加5g的荷重的情况下，在每一个半导体装置具有1000个布线端子的半导体装置被形成了 1000个的基板中，需要5gX 1000X 1000 = 5吨的荷重。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，提供一种基板检查装置以及基板检查装置中的对位方法，对基板检查装置以及基板检查装置中的对位方法来说，即便在基板的电极焊盘以及接触器的接触部细微化以及高密度化的情况下，也能够在基板上以高精度对位接触器，能够不施加较大的荷重，而使基板的电极焊盘和接触器的接触部之间可靠地电连接。根据本发明的第1实施方式，提供基板检查装置，其具备检查装置本体部，其用于在电气上对形成有电子电路以及电极焊盘的基板进行检查；第1接触器，其包含由导电性材料形成的接触部，且与上述检查装置本体部电连接。在该基板检查装置中，上述接触部和上述基板的电极焊盘通过具有导电性的液体电连接。根据本发明的第2实施方式，提供基板检查装置中的对位方法，该基板检查装置中的对位方法，用于接触部与基板的对位，该接触部用于使上述基板与基板检查装置的检查装置本体部电连接，该基板检查装置对形成有电子电路以及电极焊盘的基板进行电气检查。该对位方法包含对形成于上述基板的上表面的电极焊盘进行亲水化处理的第1亲水化处理工序；在上述基板上供给液体的第1液体供给工序；在表面上供给了液体的上述基板上载置上述第1接触器的第1载置工序；通过上述液体使上述第1接触器和上述基板对位的对位工序。
图1是表示第1实施方式的基板检查装置的包含部分剖面的主视图。图2是表示第1实施方式的基板检查装置的电气电路的框图。图3是表示第1实施方式的基板检查装置的电气电路的框图。图4是示意地表示第1实施方式的接触晶片的一个例子的剖面图。图5是示意地表示第1实施方式的接触晶片的一个例子的剖面图。图6是示意地表示第1实施方式的接触晶片的一个例子的剖面图。图7是示意地表示第1实施方式的接触晶片的一个例子的剖面图。图8是用于说明第1实施方式的基板检查装置中的对位方法的各工序的顺序的流程图。图9A是示意地表示第1实施方式的基板检查装置中的对位方法的各步骤中的接触器以及基板的剖面图。图9B是示意地表示继图9A之后，第1实施方式的基板检查装置中的对位方法的各步骤中的接触器以及基板的剖面图。图10是示意地表示继图9B之后，第1实施方式的基板检查装置中的对位方法的各步骤中的接触器以及基板的剖面图。图11是用于说明第1实施方式的接触晶片的制造方法的各工序的顺序的流程图。图12是示意地表示第1实施方式的接触晶片的制造方法的各步骤中的接触晶片的剖面图以及俯视图。图13是示意地表示第1实施方式的接触晶片的制造方法的各步骤中的接触晶片的剖面图以及俯视图。图14是表示第2实施方式的基板检查装置的包含部分剖面的主视图。图15是表示第2实施方式的基板检查装置的电气电路的框图。图16是表示第2实施方式的变形例的基板检查装置的包含部分剖面的主视图。图17是表示第2实施方式的变形例的基板检查装置的电气电路的框图。图18是表示第3实施方式的基板检查装置的包含部分剖面的主视图。图19是表示第3实施方式的基板检查装置的电气电路的框图。图20是用于说明第3实施方式的基板检查装置中的对位方法的各工序的顺序的流程图。图21A是示意地表示第3实施方式的基板检查装置中的对位方法的各步骤中的接触器以及基板的剖面图(第1个)。图21B是示意地表示第3实施方式的基板检查装置中的对位方法的各步骤中的接触器以及基板的剖面图(第2个)。图21C是示意地表示第3实施方式的基板检查装置中的对位方法的各步骤中的接触器以及基板的剖面图(第3个)。图21D是示意地表示第3实施方式的基板检查装置中的对位方法的各步骤中的接触器以及基板的剖面图(第4个)。图22是表示第4实施方式的基板检查装置的包含部分剖面的主视图。图23是示意地表示第4实施方式的接触晶片的制造方法的各步骤中的接触晶片的剖面图以及俯视图。
具体实施例方式根据本发明的实施方式，即便在基板的电极焊盘以及接触器的接触部细微化以及高密度化的情况下，也能够使接触器以高精度对位在基板上，不施加较大的荷重也能够使基板的电极焊盘和接触器的接触部之间可靠地电连接。接下来，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。(第1实施方式)首先，参照图1至图12，对第1实施方式的基板检查装置、接触晶片、基板检查装置中的对位方法以及接触晶片的制造方法进行说明。如图1所示，基板检查装置10具有测试器本体11、测试头12以及自动探针13。测试器本体11产生信号，该信号用于对形成于基板(晶片)上的多个半导体芯片内的电子电路等进行测试，具有读取来自电子电路等的信号的LSI (Large Scale Integrated Circuit)等电气电路。测试头12能够上下移动，配置在自动探针13内。测试头12具有接触器支架14 以及接触器15。接触器15设置在测试器本体11和检查对象的基板(以下，称为晶片)16 之间，将从测试器本体11发送过来的信号发送至晶片16，将从晶片16发送过来的信号发送至测试器本体11。接触器支架14设置在测试头12和接触器15之间，将接触器15保持于测试头12。具体而言，接触器支架14设置在测试头12的下部，在下面侧保持接触器15。自动探针13具有吸附固定晶片16的卡盘17。自动探针13以及卡盘17具有未图示的温度调节机构等，将晶片16的温度调节成规定的温度。在晶片16上形成有电极焊盘 18。如图1所示，在本实施方式中，接触器15由半导体晶片构成。因此，在本实施方式中，以下将接触器15称作接触晶片。但是，在其他的实施方式中，接触器15可以不由半导体晶片构成而由其他的材料构成。在接触晶片15上形成有在表面上形成接触部21a的引出布线21、接点22以及测试电路23 (在图1中，省略接触部21a的图示，将引出布线21和接触部21a —体地表示)。 形成于引出布线21的表面的接触部21a与晶片16的电极焊盘18接触，从而使接触晶片15 与晶片16电连接。在本实施方式中，在表面上形成接触部21a的引出布线21设置在接触晶片15的下表面(与晶片16对置的面)。引出布线21以及接触部21a由金属等的导电性材料形成。接点22设置在接触晶片15的接触器支架14侧，使接触晶片15和接触器支架14 电连接。接点22也可以设置在接触晶片15的上表面。另外，如图1示意地表示，也可以设置在接触晶片15的侧面。接点22也由金属等的导电性材料形成。测试电路23被设置在接触晶片15的内部，并位于表面上形成有接触部21a的引出布线21和接点22之间。测试电路23也可以通过利用了半导体制造技术的工艺(半导体工艺)形成。此外，在接触器支架14以及测试头12的内部设置有使接触晶片15的接点22与测试器本体11电连接的布线22a。S卩，接触晶片15设置在测试器本体11和晶片16之间， 将经由布线2 从测试器本体11发送过来的信号发送至晶片16，将从晶片16发送过来的信号经由布线2 发送至测试器本体11。另外，在晶片16上除电极焊盘18以外，形成不进行电气布线的虚拟电极焊盘，在接触晶片15上也可以形成用于与虚拟电极焊盘接触的虚拟接触部。虚拟接触部形成于接触晶片15的例如周边部，不与测试电路23等电连接。如图1所示，接触晶片15从上而下的顺序形成有绝缘层M、与接点22连接的布线 25、通过绝缘层沈分离的测试电路23以及焊盘27、形成于晶片基体上的贯通电极观、布线 29、绝缘层30以及通过绝缘层30分离的接触部21a。此外，本实施方式中的测试器本体11发挥作为检查装置本体部的功能。另外，本实施方式中的测试头12以及接触器支架14发挥作为固定机构的功能。另外，测试头12可以设置在自动探针13的内部，也可以设置在自动探针13的外部。接下来，参照图2以及图3，对使用本实施方式的基板检查装置进行检查时构成的电气电路进行说明。如图2所示，在使用基板检查装置进行检查时，由测试器本体11、接触晶片15以及晶片16构成电气电路。测试器本体11具有测试信号发生器31以及数据处理器32。数据处理器32除了具有数据处理器外，还具有存储器以及AD/DAC (模数/数模转换器)。接触晶片15如插入至图2所示的框图的上方的接触晶片15的俯视图所示，具有多个测试电路部15a。各测试电路部1 具有接触焊盘(接触部)21a以及测试电路23。测试电路部 15a的测试电路23具有驱动器41、比较器42以及开关43。
作为规格，例如驱动器41、比较器42以及开关43的频带可以是 200MHz/10GHz， 驱动器41能够以Vol/Voh固定(最差条件)/可变(可以不是可编程的)等条件动作，比较器42能够以Vil/Vih固定(最差条件)/可变(可以不是可编程的)等条件动作。开关 43 可以由 5 个MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)构成。该情况下，可以将4个MOSFET用于DC测量，剩余一个MOSFET用于高速测量。此外，接触晶片15的测试电路部15a也可以不包含电压/电流源44，而将电压/ 电流源44包含在测试器本体11中。图3示出测试器本体11中包含电压/电流源44的例子。在图3所示的例子中，由于测试器本体11中包含电压/电流源44，所以可以在接触晶片15的测试电路部15a中没有电压/电流源。接下来，参照图4至图7，对接触晶片的测试电路进行说明。在图4所示的例子中，测试电路23通过半导体工艺形成于接触晶片15本体中。 如图4所示，在接触晶片15的上表面侧通过半导体工艺形成例如由MOSFET等构成的半导体元件51，形成开关、驱动器以及比较器。在接触晶片15的上表面侧形成的半导体元件51 被绝缘层52覆盖。半导体元件51的电极端子(在半导体元件51为MOSFET的情况下，与源极53、漏极M以及栅极55对应的电极端子)，通过布线56以及通孔电极57等与形成于绝缘层52的表面的、对应的焊盘58电连接。另一方面，在接触晶片15的一部分形成有贯通接触晶片15的上表面至下表面的贯通孔61，形成于接触晶片15的上表面侧的半导体元件51的一部分的电极端子通过形成于贯通孔61的贯通电极62与形成于晶片15的下表面的、对应的焊盘63电连接。在图5所示的例子中，测试电路23通过半导体工艺形成在与接触晶片15不同的晶片1 上，形成有测试电路23的晶片1 被埋入接触晶片15的凹部。该情况下，在被埋入至接触晶片15的晶片15b中，与图4相同，半导体元件51的一部分的电极端子通过布线 56以及通孔电极57等与形成于晶片1 的上表面的、对应的焊盘58电连接。另外，通过形成于贯通晶片15b的上表面至下表面的贯通孔61a的贯通电极62a、形成于接触晶片15的凹部的底面的焊盘63a、形成于贯通接触晶片15的凹部的底面至下表面的贯通孔61的贯通电极62，半导体元件51的一部分的电极端子与形成于接触晶片15的下表面的焊盘63电连接。在图6所示的例子中，与图5相同，通过半导体工艺在与接触晶片15不同的晶片 15c上形成测试电路23，形成有测试电路23的晶片15c被安装在接触晶片15上。被安装的晶片15c中，与图4以及图5相同，半导体元件51的一部分的电极端子通过形成于绝缘层52之间的布线56以及通孔电极57与形成在晶片15c上的绝缘层52的上表面的、对应的焊盘58电连接。另外，通过形成于贯通晶片15c的上表面至下表面的贯通孔61b的贯通电极62b、形成于接触晶片15的下表面的焊盘63b、形成于贯通接触晶片15的上表面至下表面的贯通孔61的贯通电极62，半导体元件51的一部分的电极端子与形成于接触晶片15 的下表面的焊盘63电连接。并且，在图7所示的例子中，与图6相同，通过半导体工艺在与接触晶片15不同的晶片15d上形成测试电路23，形成有测试电路23的晶片15d以晶片15d上的绝缘层52面向接触晶片15的方式安装。被安装的晶片15d中，半导体元件51的一部分的电极元件通过形成于贯通晶片15d —面至另一面的贯通孔61c的贯通电极62c，与形成于晶片15d的背面(上表面)的焊盘63c电连接。另外，通过形成于绝缘层52之间的布线56和形成于绝缘层52的通孔电极57a，半导体元件51的一部分的电极端子与形成于接触晶片15的上表面的焊盘58a电连接。接下来，参照图8至图10，对在本实施方式的基板检查装置中使接触器和基板进行对位的对位方法进行说明。本实施方式中的对位方法包含本发明的实施方式的基板检查方法。在本实施方式的基板检查装置中的对位方法(基板检查方法)中，首先，准备晶片 16，进行对晶片16的电极焊盘18的表面进行亲水化的亲水化处理工序(图8的Sll)。图 9A(a)示意地表示进行Sll的工序后的晶片16的剖面。应予说明，在图9A(a)至图9A(d) 中，以18a表示进行了亲水化处理的电极焊盘18的表面。例如可以在涂敷光催化剂后，隔着掩模选择性地照射UV光来进行亲水化处理。另夕卜，在存在上述的虚拟电极焊盘的情况下，也可以对虚拟电极焊盘进行亲水化处理。并且， 在本实施方式中，进行对电极焊盘18以外的区域进行疏水化的疏水化处理。例如可以通过选择性地涂敷有机硅化合物等疏水性材料来进行疏水化处理。但是，在其他的实施方式中， 也可以不进行疏水化处理。接下来，对于电极焊盘18具有亲水化处理的表面18a，其以外的区域进行了疏水化处理的晶片16，进行液体供给工序(S12)。具体而言，向进行了亲水化处理的电极焊盘18的表面18a的上面以及周围供给液体。例如可以通过涂敷、喷雾、喷出等的各种供给方法供给液体。通过液体的供给，如图 9A(b)所示，在进行了亲水化处理后的电极焊盘18的表面18a以及其周围形成液滴19。此外，也可以不对电极焊盘18的进行了亲水化处理后的表面18a直接供给液体。 即便在晶片16的整个表面薄薄涂敷液体的情况下，液体也从进行了疏水化处理后的区域向进行了亲水化处理的表面18a移动，因此，如图9A(b)所示，在表面18a以及其周围形成液滴19。另外，可以使用喷墨打印技术，在电极焊盘18上选择地涂敷液体，形成液滴19。在本实施方式中，优选供给的液体(液滴19)具有导电性。另外，例如对电极焊盘 18进行亲水化处理，对其以外的区域进行疏水化处理的情况下，优选具有亲水性的液体例如为包含水分的液体。或者，对电极焊盘18进行疏水化处理，对其以外的区域进行亲水化处理的情况下，也可以使用疏水性(亲油性)的液体。另外，在存在上述的虚拟电极焊盘的情况下，在虚拟电极焊盘上也涂敷液体。接下来，进行载置工序。在本实施方式中载置工序包含在晶片16上载置接触晶片15的载置步骤(S13)、使接触晶片15相对于晶片16对位的对位步骤(S14)以及用于清洗晶片16的电极焊盘18和接触晶片15的接触部21a的蚀刻步骤(S15)。在载置步骤中，如图9A(c)所示，在电极焊盘18的表面18a上供给了液滴19的晶片16上载置接触晶片15。具体而言，首先，通过基板检查装置所具备的对位机构等，以电极焊盘18和形成于接触晶片15的引出布线21的表面上的接触部21a对置的方式进行对位。 该对位不需要较高的对位精度。接下来，在进行了亲水化处理的电极焊盘18的表面18a的上面以及周围形成了液滴19的状态下，在晶片16上载置接触晶片15。另外，在载置时，无需在横(水平)向对接触晶片15施加力。此外，对于载置的接触晶片15的接触部21a也可以与晶片16的电极焊盘18同样地进行亲水化处理。或者也可以使用对于液体浸润性良好的金属等的具有亲水性的材料来形成接触部21a。另外，也可以通过与和接触器支架14为一体的测试头12分开设置的未图示的搬运装置，将接触晶片15载置到晶片16上。另外，也可以使预先保持于测试头12的接触器支架14上的接触晶片15在晶片16上从接触器支架14分离而降落，从而将接触晶片15载置到晶片16上。载置到晶片16上的接触晶片15在对位步骤中，如图9A(d)所示，对于晶片16进行自匹配对位(S14)。这是因为伴随着液滴19以与晶片16的电极焊盘18的具有亲水性的表面18a和接触晶片15的对应的接触部21a接触的方式移动，接触晶片15能够以与晶片 16匹配的方式移动，且因为液滴15自身不扩散，通过表面张力保留在表面18a以及接触部 21a之间。因此，在利用表面张力这一点上，更优选使用亲水性的液体，使电极焊盘18以及接触部21a具有亲水性。另外，在晶片16上有上述的虚拟电极焊盘，在接触晶片15上有上述的虚拟接触部的情况下，虚拟电极焊盘和虚拟接触部通过液体接触，而对位。如上述那样，对接触晶片15以及晶片16进行对位后，如图9B(e)所示，接触晶片 15以及晶片16在规定的期间保持原样放置。在该期间，通过液滴19，电极焊盘18的表面以及/或者接触部21a被还原或者被蚀刻(S15)。即，即便在电极焊盘18的表面以及/或者接触部21a上形成有氧化膜或者因污染等引起的覆膜的情况下，也能够通过液滴19使氧化膜或者覆膜还原或者通过蚀刻去除。为了进行这样的还原或蚀刻，液体(液滴19)使用具有还原氧化膜等的性质或者具有蚀刻氧化膜等的性质的液体。另外，通过进行这样的还原或者蚀刻，能够提高电极焊盘 18和接触部21a的电接触。接下来，如图9B (f)所示，进行通过使接触器支架14下降来施加力，从而将接触晶片15压在晶片16上，使接触晶片15和晶片16在接触的状态下固定的固定工序(S16)。应予说明，在图9B(f)中，省略接触部21a的图示，一体地表示引出布线21和接触部21a。在以下的图中也存在相同的情况。在对位工序(S14)中，已经使电极焊盘18和接触部21a对位，因此在固定工序(S16)中，只要向下方施加力即可。另外，由于在蚀刻工序(S15)中，去除了电极焊盘18的表面等的氧化膜，因此，无需对于接触晶片15在横向施加力。另外，在固定工序中，使接触晶片15的接点22和接触器支架14的接点电连接。由此，形成于晶片16内的被检查(电子)电路通过形成于接触晶片15上的接触部21a、测试电路23、接点22以及形成于接触器支架14内的布线22a与测试器本体11连接。如上所述，在进行了基板检查装置中的对位方法(从Sll至S16)后，进行检查与测试器本体11连接的晶片16的被检查电路的检查工序(S17)。在本实施方式中，基于从测试器本体11发送过来的信号，控制设置在接触晶片15上的测试电路23的开关以及驱动器来产生信号，产生的信号输入至晶片16的被检查电路的输入用的电极焊盘18。其结果，在被检查电路中产生规定的输出信号。该输出信号从晶片16的输出用的电极焊盘18输出， 控制接触晶片15的测试电路23的开关以及比较器而进行读取，读取的信号发送到测试器本体11。而且，在测试器本体11中，判定晶片16的被检查电路是否正常动作。在本实施方式中，检查用的信号的产生和信号读取在与晶片16邻接的接触晶片15中进行。由此，能够缩短晶片16至读取信号的电路的布线长度。如果电路布线长较长， 则寄生在电路布线中的寄生容量显著增大，特别是不能够以高精度检查高频的信号。因此， 在本实施方式中，在对具有以高频，特别是IGHz以上的高频动作的电路的半导体基板进行检查的情况下，与以往的基板检查装置相比，能够以高精度进行基板检查。检查工序之后，进行分离工序(S18)。在分离工序中，在检查结束后，接触器支架 14以保持接触晶片15的状态下上升，分离接触晶片15和晶片16。但是，如果液滴19蒸发，则存在隔着液滴19相互对位的接触晶片15以及晶片16 不分离的情况。该情况下，如果要分离晶片16和接触晶片15，可以通过在接触晶片15和晶片16之间施加压力来分离。这里，图10(a)以及图10(b)表示利用了压力的施加的分离工序的前后的接触器支架14、接触晶片15以及晶片16等。如图所示，如果经由测试头12 和预先设置在接触器支架14上的气体供给路73，向预先设置在接触晶片15上的贯通孔74 送入气体，则能够分离接触晶片15和晶片16。贯通孔74可以设置在接触晶片15的中心， 也可以设置在未设置有接触部21a的接触晶片15的周边。另外，也可以在接触晶片15上不设置贯通孔74，而从晶片16的周边向接触晶片 15和晶片16之间吹入气体。另外，通过对气体进行减压，可以不使用高压就能够脱离。另夕卜，通过选择使用伴随干燥吸附力减弱的液体，而不使用特别的方法，就能够使接触晶片15 和晶片16分离。或也能够通过向接触晶片15和晶片16之间流入液体来进行分离。除此而外，也可以在将接触晶片15载置到晶片16上的状态下，移动到脱离用的处理室，从而使其脱离。接下来，参照图11以及图12，对本实施方式的接触晶片的制造方法进行说明。图11是用于说明本实施方式的接触晶片的制造方法的各工序的顺序的流程图。 图12是示意地表示本实施方式的接触晶片的制造方法的各步骤中的接触晶片的构造的剖面图以及俯视图。图12(a)至图12(f)分别表示进行了图11中的S21至S26的工序后的接触晶片的构造。此外，在图12中，在左侧示出剖面图，在右侧示出俯视图。首先，进行基板准备工序(S21)。具体而言，首先，如图12(a)所示，准备通过包含光刻、成膜等的半导体制造技术而预先形成了规定的电路的晶片15e。接下来，在晶片15e 的下表面形成在绝缘层26分离形成的测试电路23以及焊盘27、布线25、绝缘层M。测试电路23包含驱动器、比较器以及开关。此外，在晶片1 上形成贯通电极观，贯通电极观使测试电路23与后述的布线四电连接。接下来，如图12(b)所示，在晶片15e的上表面形成用于形成布线四的金属膜 ^a(金属膜形成工序S22)。接着，通过在金属膜29a上形成掩模，对从掩模露出的金属膜29a进行蚀刻，而如图12(c)所示，形成布线四(布线形成工序S23)。此时的蚀刻可以为湿式蚀刻，也可以为干式蚀刻。另外，布线四形成至晶片15e的周边部。形成至周边部的布线四用于与检查装置交换信号。接下来，在晶片15e中的形成了布线四的面上形成绝缘层30，如图12(d)所示， 通过光刻法以及蚀刻形成开口部。在开口部露出布线四。此外，在应形成开口部的位置形成掩模，也可以按覆盖该掩模、布线四以及晶片15e的上表面的方式形成绝缘层30，通过剥离掩模，在绝缘层30上形成开口部。绝缘层30只要不给先形成的布线带来损伤，可以以CVD、PVD、涂敷、蒸镀等任何的方法形成。绝缘层30除了可以为硅的氧化物外，也可以为聚酰亚胺这样的树脂材料。接下来，通过镀覆等，用金属填充绝缘层30的开口部，如图12(e)所示，形成与布线四电连接的引出布线21 (引出布线形成工序S25)。接下来，如图12(f)所示，在引出布线21上形成接触部21a(接触部形成工序 S26)。接触部21a可以具有从绝缘层30的上表面突出的凸状，也可以具有与绝缘层30的上表面相同高度的平面形状。另外，接触部21a还可以具有比晶片1 的表面低的凹状。该情况下，能够与检查对象的晶片16的电极焊盘18通过具有导电性的液体电连接。通过以上的制造方法，制造接触晶片15。此外，在其他的实施方式中，可以不进行接触部形成工序6 )，代替接触部21a 使用在引出布线形成工序(S2Q中形成的引出布线21。该情况下，可以以从绝缘层30的上表面突出的方式形成引出布线21。另外，进行对接触部21a的表面进行亲水化处理的亲水化处理工序也可。亲水化处理工序能够使用参照图9A(a)所说明的与对于晶片16的电极焊盘18进行的亲水化处理相同的方法进行。即，能够通过涂敷光催化剂后，利用掩模选择性地照射UV光来进行亲水化处理。另外，也可以对接触晶片15的接触部21a以外的区域进行疏水化处理。该情况下， 疏水化处理能够通过选择性地涂敷有机硅化合物等的防水性材料来进行。另外，在图12(a)至图12(f)的各个的右侧示出的俯视图中，布线四形成为格子状，引出布线21以及接触部21a也以排列成格子状的方式形成。但是，不限于格子状，可以为格子状以外的形状，例如如图13(a)至图13(f)所示，可以为从晶片16的中心以放射状延伸的形状。如果图13所示的例子与图12所示的例子相比较，则仅引出布线21以及接触部21a的配置的形状不同，剖面形状实质相同。在图13中，赋予与图12相同的标记，省略重复的说明。另外，接触晶片尽量设计成具有通用性，也可对与晶片的电极焊盘的配置对应地不使用的接触部进行绝缘处理。不使用的接触部的绝缘处理也可以例如在将接触晶片作为产品出厂前进行，也可在出厂后、检查前进行。作为在检查前进行的方法，有以下方法，在基板检查装置内或者基板检查装置的附近设置绝缘处理用的单元(例如抗蚀剂涂敷处理单元)、导电性恢复处理用(还原用)的单元(例如抗蚀剂剥离/显影处理单元)来进行绝缘处理以及导电性恢复处理。该情况下，能够接收来自工厂内的主机的传送指示，在检查前在检查装置内或者基板检查装置的附近进行绝缘处理。对于进行了绝缘处理的接触晶片而言，在形成的接触部中，未使用的接触部的表面被绝缘性材料覆盖。作为绝缘性材料，例如能够使用抗蚀剂，能够使用喷墨打印法进行涂敷。或在所形成的接触部中，也可以例如通过激光等对电连接未使用的接触部的布线进行切断加工。如以上说明，根据本实施方式的基板检查装置，即便在检查对象的晶片的电极焊盘和接触晶片的接触部细微化以及高密度化的情况下，也能够在晶片上以高精度对接触晶片进行对位，不用施加大的荷重，也能够可靠地电连接基板的电极焊盘和接触晶片的接触部之间。
(第2实施方式)接下来，参照图14以及图15，对第2实施方式的基板检查装置以及接触晶片进行说明。在以下的说明中，对之前说明的部分赋予相同的标记，有时省略说明(以下的变形例，实施方式也相同)。本实施方式的基板检查装置IOa具有测试器本体11a、测试头12a以及自动探针 13。测试器本体Ila包含生成用于对检查对象的晶片16的被检查电路进行测试的测试信号的电路、以及形成读取来自晶片16的被检查电路的输出信号的电路等的LSI (Large Scale Integrated Circuit)等。测试头12a以能够在自动探针13内上下移动的方式设置，具有接触器支架14a以及接触晶片15。接触器支架1 设置在测试头12a的下部，在下面侧保持接触器15。自动探针13具有卡盘17，卡盘17吸附晶片16。在本实施方式中，测试器本体Ila除了上述的电路外，还具有用于利用无线通信非接触地与接触晶片15交换信号的无线通信用的电路。另外，接触晶片15具有用于利用无线通信与测试器本体Ila传送信号的无线通信用的电路。使用这些无线通信用的电路， 测试器本体Ila和接触晶片15直接进行无线通信。如图14所示，接触晶片15包含接触部21a以及测试电路23，测试电路23包含无线通信电路(在图14中，省略接触部21a的图示，一体地表示引出布线21和接触部21a。)。 测试电路23能够通过使用了半导体制造技术的工艺(半导体工艺)形成。另外，从图14 和图1的比较容易理解，不需要接触晶片15和测试支架14b之间的接点，也不需要使接触晶片15和测试器本体11电连接的布线。此外，本实施方式中的测试器本体Ila发挥作为检查装置本体部的功能。另外，本实施方式中的测试头12a以及接触器支架1 发挥作为固定机构的功能。另外，测试头1 可以设置在自动探针13的内部，也可以设置在自动探针13的外部。接下来，参照图15，对使用本实施方式的基板检查装置进行检查时构成的电气电路进行说明。如图15所示，在基板检查装置IOa中，由测试器本体11a、接触晶片15以及晶片 16构成电气电路。该电气电路的大部分的构成与第1实施方式相同。测试器本体Ila具有测试信号发生器31以及数据处理器32。数据处理器32除了数据处理器外，还具有存储器以及AD/DAC (模数/数模转换器)。在接触晶片15上，如插入至图14所示的框图的上方的接触晶片15的俯视图所示，形成有多个测试电路部15a。各个测试电路部1 具有接触部 21a以及测试电路23。测试电路部15a的测试电路23具有驱动器41、比较器42、开关43 以及电压/电流源44。在上述的构成的基础上，在本实施方式中，测试器本体Ila具有无线接口(I/F)33 以及天线33。另外，测试电路部15a的测试电路23具有无线I/F45以及天线45。无线I/ F33、45包含发送系统以及接收系统的电路。发送系统以及接收系统的电路例如也可以通过双工机与天线连接。作为无线通信方式，不特别限定，一般的非接触通信技术即可，例如能够使用用于在电子货币等中利用的非接触IC卡等的通信方式。本实施方式的接触晶片的构造除了在测试电路中包含无线通信电路这一点外，与第1实施方式相同。即，如果在测试电路23内形成无线I/F以及天线45，则能够使用具有与在第1实施方式中使用图4至图7说明过的各种构造相同构造的接触晶片。另外，能够使用在第1实施方式中使用图8至图10说明的基板检查装置中的对位方法进行对位。并且，能够使用在第1实施方式中使用图11说明的接触晶片的制造方法来制造接触晶片。根据本实施方式，只要能够在晶片和接触晶片之间进行对位，使晶片和接触晶片电连接即可，接触晶片和接触器支架也可以不进行电连接。另外，可以不在接触器支架中设置布线。因此，能够使接触器支架的构造简单化。(第2实施方式的变形例)接下来，参照图16以及图17，对第2实施方式的变形例的基板检查装置以及接触晶片进行说明。如图16所示，本变形例中的基板检查装置IOb具有测试器本体lib、测试头12b以及自动探针13。测试头12b以能够在自动探针13内上下移动的方式设置，具有接触器支架14b以及接触晶片15。接触器支架14b设置在测试头12b的下部，在下面侧保持接触器 15。自动探针13具有卡盘17，卡盘17吸附固定晶片16。另外，与第2实施方式实质相同， 接触晶片15具有接触部21a以及测试电路23，在测试电路23中包含无线通信电路。另一方面，在本变形例中，在接触器支架14b上设置包含电路81以及布线82的测试器电路晶片80。本变形例中的测试器本体lib发挥作为检查装置本体部的功能。另外，本变形例中的测试头12b以及接触器支架14b发挥作为固定机构的功能。另外，测试头12b可以设置在自动探针13的内部，也可以设置在自动探针13的外部。参照图17，在基板检查装置中，由测试器本体lib、测试器电路晶片80、接触晶片 15以及晶片16构成电气电路。本变形例的接触晶片15与第2实施方式实质相同，具有驱动器41、比较器42、开关43、电压/电流源44以及无线I/F和天线45。另外，如果在测试电路23上形成无线I/F以及天线45，则能够使用具有与在第1 实施方式中使用图4至图7说明过的各种构造相同的构造的接触晶片。并且，能够使用在第1实施方式中使用图8至图10说明的基板检查装置中的对位方法对于晶片16进行对位。并且，能够使用在第1实施方式中使用图11说明过的接触晶片的制造方法来制造接触
曰曰/To另一方面，在本变形例中，在第2实施方式中设置在测试器本体上的测试信号发生器31、数据处理器32以及无线I/F和天线33设置在接触器支架14b内的测试器电路晶片80上。因此，在测试器电路晶片80上生成检查用的信号。而且，在接触晶片15(无线I/ F45)和测试器电路晶片80(无线I/F3； )之间进行无线通信。数据处理器32除了数据处理器外，还具有存储器以及AD/DAC (模数/数模转换器)。除此之外，在测试器电路晶片80 上设置用于与测试器本体lib传送信号的与测试计算机的I/F34。无线I/F33、45具有与第2实施方式中的无线I/F33、45实质相同的构成，能够利用实质相同的通信方式。使用本变形例中的基板检查装置以及接触晶片，也与第1实施方式以及第2实施方式相同，能够以高精度对接触晶片15和晶片16进行对位。除此而外，在本实施例中，在
14形成于接触器支架14b内的测试器电路晶片80上的测试信号发生器31上产生、且用数据处理器32等处理的信号通过无线通信发送至接触晶片15，经由接触晶片15输入至晶片16 的被检查电路。另外，在晶片16的被检查电路中产生的信号从接触晶片15通过无线通信发送至测试器电路晶片80。因此，能够缩短从测试器电路晶片80至晶片16的通信距离、布线长度。如果电路布线长较长，则在电路布线中寄生的寄生容量显著增大，特别是不能够以高精度检查高频信号。在本变形例中，通过将信号产生电路部分也设置在晶片16的附近， 在对具有以更高频，特别是IGHz以上的高频动作的电路的半导体基板进行检查的情况下， 与以往的基板检查装置相比，能够以高精度进行基板检查。此外，在本变形例中，也能够在晶片16和接触晶片15之间以高精度对位，能够使晶片16和接触晶片15电连接。接触晶片15和接触器支架14b也可以不经由接点电连接。 因此，能够使接触晶片15和接触器支架14b的构造简单化。(第3实施方式)接下来，参照图18以及图19，对第3实施方式的基板检查装置以及接触晶片进行说明。图18是表示本实施方式的基板检查装置的包含部分剖面的主视图。如图所示，本实施方式中的基板检查装置IOc具有测试器本体11c、测试头12c以及自动探针13。测试器本体Ilc具有与第2实施方式的变形例中的测试器本体lib实质相同的构成，自动探针13也具有与第2实施方式的变形例中的自动探针13实质相同的构成。另一方面，本实施方式中的测试头12c具有接触器支架14b、接触晶片15、下侧接触器支架114b 以及下侧接触晶片115。接触器支架14b具有与第2实施方式的变形例的接触器支架14b 实质相同的构成，安装在测试头12c的下部。接触晶片15也具有与第2实施方式的变形例的接触晶片15实质相同的构成，保持于接触器支架14b上。如图18所示，下侧接触器支架114b在下面侧具有凹部，该凹部与卡盘17卡合。另夕卜，在下侧接触器支架114b上形成有包含具有无线通信电路(后述)等的电路181以及布线182等的下面侧测试器电路晶片180。下侧接触器支架114b通过布线182与测试器本体Ilc电连接。在下侧接触器支架114b的上面侧上所形成的凹部中保持有下侧接触晶片 115。另外，在下侧接触晶片115上形成有引出布线121、接触部121a、测试电路123、绝缘层124、布线125、绝缘层126、焊盘127、贯通电极128、布线129以及绝缘层130，由此，下侧接触晶片115能够发挥与接触晶片15实质相同的功能。测试电路123包含通信电路(后述)等，由此，能够与下侧接触器支架114b进行信号的交换。另外，如图18所示，在下侧接触晶片115和接触晶片15之间配置有检查对象的晶片116。在该晶片116的上表面具有电极焊盘18，下表面具有电极焊盘118。接触晶片15 的接触器部21a与对应的电极焊盘18电连接，接触晶片115的接触器部121b与对应的电极焊盘118电连接。根据以上的构成，能够高效地进行在上下两表面形成有电极焊盘(18、 118)的晶片116内的被检查电路的检查。接下来，参照图19，对使用本实施方式的基板检查装置进行检查时构成的电气电路进行说明。以下，为便于说明，将接触器支架14b称作上侧接触器支架14b，将接触晶片 15称作上侧接触晶片15，将测试器电路晶片80称作上侧测试器电路晶片80。由测试器本体11c、上侧测试器电路晶片80、上侧接触晶片15、以及晶片116构成一个电气电路。上侧测试器电路晶片80与第2实施方式的变形例的测试器电路晶片80相同，具有测试信号发生器31、数据处理器32、无线I/F33、天线33以及与测试计算机之间的 I/F34。它们形成在测试器电路晶片80内的电路80(图18)上。另外，上侧接触晶片15与第2实施方式的变形例相同，具有驱动器41、比较器42、开关43、电压/电流源44、无线I/ F45以及天线45。另一方面，由测试器本体11c、下侧测试器电路晶片180、下侧接触晶片115以及晶片116构成其他电气电路。下侧测试器电路晶片180也与(上面侧)测试器电路晶片80 相同，具有测试信号发生器131、数据处理器132、无线I/F133、天线133以及与测试计算机之间的I/F134。下侧接触晶片115与上侧接触晶片15相同，具有驱动器141、比较器142、 开关143、电压/电流源144、无线I/F145以及天线145。本实施方式的上侧接触晶片15能够具有在第1实施方式中使用图4至图7说明过的各种构造。并且，能够使用在第1实施方式中使用图11说明过的接触晶片的制造方法来制造上侧接触晶片15。另一方面，下侧接触晶片115也能够具有与第1实施方式相同的构造，能够使用第 1实施方式的接触晶片的制造方法来制造。此外，从设置在下侧接触器支架114b的内部的测试器电路晶片180引出的布线 122a和测试器本体Ilc可以以未图示的布线连接，也可以经由未图示的无线通信电路连接。接下来，参照图20至图21D，对在本实施方式的基板检查装置中，使接触器和基板对位的基板检查装置中的对位方法进行说明。图20是用于说明本实施方式的基板检查装置中的对位方法的各工序的顺序的流程图。图21A至图21D是示意地表示本实施方式的基板检查装置中的对位方法的各步骤中的接触器和检查对象的晶片的剖面图。此外，图20不仅表示基板检查装置中的对位方法， 还表示包含对位方法的基板检查方法。首先，进行下表面侧亲水化处理工序(S31)。具体而言，准备通过贴合等方式作为层叠基板制造的、在上下两表面形成有电极焊盘的晶片116，进行在下表面所形成的下表面侧电极焊盘118的亲水化处理。另外，在本实施方式中，对于下表面侧电极焊盘118以外的区域进行疏水化处理。以118a表示在图21A(a)至图21A(d)中进行亲水化处理的下表面侧电极焊盘118的表面。能够以与在第1实施方式中说明过的方法相同的方法进行下表面侧电极焊盘118 的亲水化处理和下表面侧电极焊盘118以外的区域的防水处理。另外，在存在下表面侧虚拟电极焊盘的情况下，可以对于该下表面侧虚拟电极焊盘进行亲水化处理。接下来，进行下面侧液体供给工序(S3》。具体而言，向收纳在下侧接触器支架 114b的上面侧的凹部中的且对下表面侧接触部121a进行了亲水化处理的下侧接触晶片 115供给液体。由此，如图21A(b)所示，在形成于下侧接触晶片115的引出电极121的表面上的下表面侧接触部121a上以及周围形成液滴119。供给液体的方法、液体的材料、液体的涂敷方法，参照第1实施方式。另外，在下侧接触晶片116上存在虚拟接触部的情况下，在虚拟接触部上也涂敷液体，在虚拟接触器部上也形成液滴。
接下来，进行下面侧载置工序(S33至S3。。下面侧载置工序包含载置步骤(S33)、 对位步骤(S34)以及蚀刻步骤(S35)。最初，在载置步骤中，如图21A(c)所示，在形成有液滴119的下侧接触晶片115上载置晶片116。S卩，以在下侧接触晶片115的引出电极121的表面上形成的下表面侧接触部 121a和下表面侧电极焊盘118通过液滴119接触的方式，在下侧接触晶片115上载置晶片 116。此外，在载置步骤之前，使晶片116和下侧接触晶片115对位，该对位无需较高的对位精度。另外，在载置时，无需向晶片116的任何方向施加力。此外，也可以在下侧接触晶片115的下表面侧接触部121a上，与晶片116的下表面侧电极焊盘118相同地进行亲水化处理。或也可以使用对于液体浸润性良好的金属等的具有亲水性的材料形成下表面侧接触部121a。另外，也可以将晶片116载置到下侧接触晶片115上的载置动作通过未图示的搬运装置来进行。在载置步骤(S33)中，在下侧接触晶片115上载置的晶片116，如图21A(d)所示， 通过液滴119的表面张力与下侧接触晶片115进行自匹配对位。另外，在晶片116上存在上述的下表面侧虚拟电极焊盘，且在下侧接触晶片115上存在上述的下表面侧虚拟接触部的情况下，下表面侧虚拟电极焊盘和下表面侧虚拟接触部通过液体接触而对位。在载置步骤(S3!3)中，晶片116和下侧接触晶片115对位后，如图21B (e)所示，晶片116和下侧接触晶片115在规定的期间保持原样放置。在该期间，晶片116的下表面侧电极焊盘118的表面以及/或者下侧接触晶片115的下表面侧接触部121a的表面被液滴 119还原或者蚀刻。即，即便在下表面侧电极焊盘118的表面以及/或者下表面侧接触部 121a的表面上形成有氧化膜或者因污染等导致的覆膜的情况下，也能够通过液滴119而去除。因此，作为液滴119的液体，能够使用具有还原氧化膜等的性质、或具有蚀刻氧化膜等的性质的液体，这与第1实施方式相同。接下来，进行下面侧固定工序(S36)。具体而言，如图21B(f)所示，施加力从而将晶片116压在下侧接触晶片115上，使下表面侧电极焊盘118和下表面侧接触部121a紧贴。(此外，在图21B(f)至图21D(1)中，省略下表面侧接触部121a的图示，一体地表示引出布线121和下表面侧接触部21a。)此外，下表面侧电极焊盘118的表面和下表面侧接触部121a的表面被液滴119清洗，因此，无需对于晶片116向横向施加力。此外，也可以省略下面侧固定工序，在进行后述的上面侧固定工序(S42)时，固定晶片116和下侧接触晶片115。接下来，进行上表面侧亲水化处理工序(S37)。具体而言，对晶片116的上表面侧电极焊盘18进行亲水化处理。另外，在本实施方式中，对上表面侧电极焊盘18以外的区域进行疏水化处理。能够通过与在第1实施方式中说明过的方法相同的方法进行亲水化处理以及疏水化处理。在图21B(g)至图21C(j)中，以18a表示进行了亲水化处理的(上表面侧)电极焊盘18的表面。接下来，进行上面侧液体供给工序(S38)。具体而言，通过与在第1实施方式中说明过的方法相同的方法，在晶片116上供给液体。由此，如图21C(h)所示，在表面18a上以及周围形成液滴19。接下来，进行上面侧载置工序(S39至S41)。上面侧载置工序包含载置步骤(S39)、 对位步骤(S40)、蚀刻步骤(S41)。首先，在载置步骤中，如图21C(i)所示，在表面上形成有液滴19的晶片116的上方，通过晶片搬运臂90搬运上面侧接触晶片15，并载置到晶片116上。此时，无需高精度地进行基于晶片搬运臂90的对位。另外，在载置时，无需向晶片116在横(水平)向施加力。此外，在上面侧接触晶片15的上表面侧接触部21a中，也可以与晶片116的上表面侧电极焊盘18相同地进行亲水化处理。或也可以使用对于液体浸润性良好的金属等的具有亲水性的材料来形成上表面侧接触部21a。在晶片116上载置的上面侧接触晶片15，在S40中，如图21C(j)所示，通过液滴 19的表面张力与晶片116之间进行自匹配对位。另外，在晶片116上有上述的(上表面侧)虚拟电极焊盘，且在(上面侧)接触晶片15上有上述的(上表面侧)虚拟接触部的情况下，(上表面侧)虚拟电极焊盘和(上表面侧)虚拟接触部通过液体接触对位。在载置步骤(S40)中，在晶片116和下侧接触晶片115对位后，如图21D (k)所示， 上侧接触晶片15在规定的期间保持原样地被放置。在该期间，晶片116的上表面侧电极焊盘18的表面以及/或者上侧接触晶片15的下表面侧接触部18的表面18a被液滴119还原或蚀刻。即，即便在上表面侧电极焊盘18的表面以及/或者下表面侧接触部121a的表面上形成有氧化膜或者因污染等导致的覆膜的情况下，也能够通过液滴119去除。接下来，进行上面侧固定工序(S4》。具体而言，通过与在第1实施方式中说明过的方法相同的方法，如图21D(1)所示，使接触器支架14b下降按下接触晶片15，接触晶片 15和晶片116在接触的状态下被固定。(在图21D(1)中，省略下表面侧接触部121a的图示)°在进行基板检查装置中的对位方法(S31至S4》后，与在第1实施方式中说明过的检查工序(图8的S17)实质相同地进行检查工序(S43)。但是，在本实施方式的检查工序中，对晶片116的下表面侧也进行检查。具体而言，从测试器本体Ilc经由下侧接触器支架 114b内的下面侧测试器电路晶片180向下侧接触晶片115通过无线通信发送信号，基于发送的信号，对设置在下侧接触晶片115上的测试电路123的开关以及驱动器进行控制产生信号，将产生的信号发送至晶片116的被检查电路的下面侧的输入侧。其结果，从晶片116 的被检查电路的下面侧的输出侧产生的信号，对下侧接触晶片115的测试电路123的开关以及比较器进行控制而被读取，读取的信号从下侧接触晶片115通过无线通信向下面侧测试器电路晶片180发送，进而向测试器本体Ilc发送。检查工序之后，进行分离工序(S44)。该分离工序能够与第1实施方式中的分离工序(S18)同样地进行。根据本实施方式的基板检查装置以及接触晶片，在上下表面具有电极焊盘的晶片 116的情况下，也能够以高精度对晶片116和接触晶片15以及接触晶片115进行对位。除此之外，在本实施方式中，也能够缩短晶片116至读取信号的电路的布线长度，在对具有以高频，特别是IGHz以上的高频动作的电路的半导体基板进行检查的情况下，与以往的基板检查装置相比，能够以高精度进行基板检查。(第4实施方式)接下来，参照图22至图23，对第4实施方式的基板检查装置、接触晶片以及接触晶片的制造方法进行说明。首先，参照图22，对本实施方式的基板检查装置进行说明。图22是表示本实施方式的基板检查装置的包含部分剖面的主视图。如图所示，本实施方式的基板检查装置IOd 具有测试器本体lid、测试头12d以及自动探针13。自动探针13具有与第1实施方式中的自动探针13实质相同的构成。另外，测试头12d具有接触器支架14c以及接触晶片15f。接触器支架14c以及接触晶片15f通过设置在接触晶片15f上的接点22相互电连接。另外，在接触晶片15f上设置有与检查对象的晶片16的电极焊盘18连接的接触部21a。另一方面，在本实施方式中，在接触晶片15f上未设置驱动器、比较器、开关以及电压/电流源等的测试电路。作为代替，可以在测试器本体Iid上设置测试电路，也可以在接触器支架14c的内部设置包含测试电路的测试器电路晶片。在本实施方式中，能够使用在第1实施方式中使用图8至图10说明过的基板检查装置中的对位方法进行对位。接下来，参照图23，对本实施方式的接触晶片的制造方法进行说明。图23是示意地表示本实施方式的接触晶片的制造方法的各步骤中的接触晶片的构造的剖面图(左侧) 以及俯视图(右侧)。首先，如图23(a)所示，准备晶片15f。如上所述，在本实施方式中，在晶片15f内没有形成测试电路。接下来，如图23(b)所示，在晶片15f上形成用于形成布线四的金属膜^a。接下来，在金属膜29a上形成掩模，通过蚀刻去除从掩模中露出的金属膜^a，而如图23(c)所示，形成布线四。该蚀刻可以为湿式蚀刻，也可以为干式蚀刻。接下来，在形成有布线四的晶片15f的整个面上形成绝缘层30，通过光刻法以及蚀刻，如图23(d)所示，在绝缘层30上形成开口部。在开口部露出布线四。此外，在应形成开口部的位置形成掩模，以覆盖该掩模、布线四以及晶片15f的上表面的方式形成绝缘层 30，也可以通过剥离掩模，在绝缘层30上形成开口部。绝缘层30只要不给预先形成的布线带来损伤，就能够通过CVD、PVD、涂敷、蒸镀等的任何方法形成。绝缘层30除了可以为硅的氧化物外，还可以为聚酰亚胺这样的树脂材料。接下来，通过电镀等用金属填充绝缘层30的开口部，如图23 (e)所示，形成与布线 29电连接的引出布线21。接下来，如图23(f)所示，在向上面引出的引出布线21上形成接触部21a。优选接触部21a通过亲水性的金属形成。接触部21a的上表面可以为与绝缘层30的上表面相同的高度，也可以为从绝缘层30的上表面凸状突出。在形成比绝缘层30的表面低的凹部的情况下，也能够通过具有导电性的液体与检查对象的晶片16的电极焊盘18(图22)之间电连接。此外，可以不形成接触部21a，而代替接触部21a使用引出布线21。该情况下，可以以从绝缘层30的上表面突出的方式形成引出布线21。
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另外，在形成接触部21a后(为在不形成接触部21a的情况下形成引出布线21 后)，可以通过涂敷光催化剂，利用掩模选择性照射UV光，而对于接触部21a (或者引出布线 21)进行亲水化处理。另外，还可以对于接触部21a(或者引出布线21)以外的区域进行疏水化处理。疏水化处理例如能够通过选择性地涂敷有机硅化合物等的防水性材料来进行。 通过以上的制造方法，制造接触晶片。根据本实施方式，也能够在检查对象的晶片和接触晶片之间容易地进行自匹配对位，能够使晶片和接触晶片容易地电连接。以上，对本发明的优选实施方式进行了叙述，但本发明不限于所涉及的特定的实施方式，在权利要求所述的本发明的要旨的范围内，能够进行各种的变形、变更。本国际申请主张基于2009年9月11日申请的日本国专利申请2009-211003号的优先权，在此引用其全部内容。
权利要求
1.一种基板检查装置，其特征在于，具备检查装置本体部，其用于在电气上检查形成有电子电路以及电极焊盘的基板；以及第1接触器，其与上述检查装置本体部电连接，并包含由导电性材料形成的接触部， 上述接触部和上述基板的电极焊盘通过具有导电性的液体电连接。
2.根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于， 上述电极焊盘具有亲水性，上述第1接触器通过将上述接触部载置到在表面上被供给了液体的上述基板上而与上述基板对位。
3.根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于，上述液体具有对上述接触部以及/或者上述电极焊盘的氧化膜进行蚀刻的性质。
4.根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于， 上述接触部具有亲水性。
5.根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于，还具备固定机构，该固定机构将相对于上述基板对位后的上述第1接触器按压在上述基板上而进行固定。
6.根据权利要求5所述的基板检查装置，其特征在于， 上述第1接触器具有与上述固定机构电连接的接点， 上述固定机构与上述检查装置本体部电连接，通过上述接点以及上述固定机构，在上述第1接触器和上述检查装置本体部之间进行信号的交换。
7 根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于， 上述第1接触器具有无线通信电路，在上述第1接触器和上述检查装置本体部之间通过上述无线通信电路进行信号的交换。
8.根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于， 在上述第1接触器形成有虚拟接触部，上述虚拟接触部具有亲水性。
9.根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于，在上述第1接触器设置有包含了驱动器、比较器以及开关的电路。
10.根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于，在上述第1接触器设有表面被绝缘性材料覆盖的上述接触部。
11.根据权利要求10所述的基板检查装置，其特征在于， 上述绝缘性材料为抗蚀剂。
12.根据权利要求11所述的基板检查装置，其特征在于， 使用喷墨打印法涂敷上述抗蚀剂。
13.根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于， 在上述第1接触器设有未电连接的上述接触部。
14.根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于，还具备第2接触器，该第2接触器与上述检查装置本体部电连接，并包含由导电性材料形成的接触部，上述第1接触器的上述接触部与形成于上述基板的上表面的电极焊盘通过具有导电性的液体电连接，上述第2接触器的上述接触部与上述基板的下表面所形成的电极焊盘通过具有导电性的液体电连接。
15.一种对位方法，用于在基板检查装置中使基板与接触器对位，该接触器用于使上述基板与基板检查装置的检查装置本体部电连接，该基板检查装置用于在电气上检查形成有电子电路以及电极焊盘的上述基板，该对位方法的特征在于，包含对形成于上述基板的上表面的电极焊盘进行亲水化处理的第1亲水化处理工序；向上述基板上供给液体的第1液体供给工序；在表面上被供给了液体的上述基板上载置上述第1接触器的第1载置工序；通过上述液体使上述第1接触器和上述基板对位的对位工序。
16.根据权利要求15所述的对位方法，其特征在于，上述液体具有导电性。
17.根据权利要求15所述的对位方法，其特征在于，上述液体具有对上述接触部以及/或者上述电极焊盘的氧化膜进行蚀刻的性质。
18.根据权利要求15所述的对位方法，其特征在于，被设置于上述第1接触器的且与上述电极焊盘电连接的接触部具有亲水性。
19.根据权利要求15所述的对位方法，其特征在于，还包含对形成于上述基板的下表面的电极焊盘进行亲水化处理的第2亲水化处理工序；向使上述基板与上述检查装置本体部电连接的第2接触器的接触部供给液体的第2液体供给工序；将上述基板载置到在表面上被供给了液体的上述第2接触器上的第2载置工序；通过上述液体使上述第2接触器和上述基板对位的对位工序。
全文摘要
一种基板检查装置，具有检查装置本体部，其用于进行形成有电子电路以及电极焊盘的基板的电气检查；接触器，其与检查装置本体部电连接。接触器是在半导体晶片上形成有由导电性材料形成的接触部的部件，通过使接触部和基板的电极焊盘电连接，而进行基板的电气电路的检查。
文档编号H01L21/66GK102483438SQ20108004031
公开日2012年5月30日 申请日期2010年9月9日 优先权日2009年9月11日
发明者岩津春生 申请人:东京毅力科创株式会社