半导体装置及半导体装置的制造方法

专利名称：半导体装置及半导体装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及适用了 WLCSP(Wafer Level Chip Size Package 晶圆级芯片尺寸封装)的半导体装置及其制造方法。
背景技术：
目前，作为对于半导体装置的小型化有效的封装技术公知有mxsp。在适用了 mxsp的半导体装置中，在多个半导体芯片集合的晶片状态下完成封装，并通过切割 (dicing)切出的各半导体芯片的尺寸成为封装尺寸。例如，专利文献1的图7公开有一种芯片尺寸封装体，其具备芯片尺寸的LSI (半导体芯片)、形成在LSI上的钝化膜、形成在钝化膜上的环氧树脂、形成为在环氧树脂的厚度方向上贯通环氧树脂内的凸起、配置在凸起的前端的焊料球。在LSI的周缘部，在其表面上设置有凸起和同等数量的电极。此外，在钝化膜上形成有用于使焊料球的位置与电极的位置相比沿LSI的表面向内方移动的配线金属。该配线金属在比电极靠内方的位置与凸起连接。先行技术文献专利文献专利文献1日本特开平9-64049号公报考虑到芯片尺寸封装体向安装基板安装时的焊料球的变形，必须在相邻的焊料球间设置用于防止它们互相接触的间隙。因此，无法使承担支承焊料球的柱体任务的凸起的间隔缩小固定值以上。此外，为了避免芯片尺寸封装体的尺寸的增大，凸起配置在比配置在最外侧(LSI 的周缘侧)的电极靠内侧的位置。因此，在凸起与LSI的周缘之间存在未配置凸起及焊料球的、称为外伸部的部分。因此，封装尺寸由凸起(焊料球)的个数及外伸部的宽度确定，对于其小型化存在极限。

发明内容
本发明的主要目的在于提供一种能够使封装尺寸超越以往的极限而小型化的半导体装置及其制造方法。为了实现所述的目的，本发明所涉及的半导体装置包括半导体芯片，其具有表面及背面；密封树脂层，其层叠在所述半导体芯片的所述表面上；柱体，其沿厚度方向贯通所述密封树脂层，且具有与所述密封树脂层的侧面成为同一平面的侧面及与所述密封树脂层的表面成为同一平面的前端面；外部连接端子，其设置在所述柱体的所述前端面。在该半导体装置中，柱体的侧面与密封树脂层的侧面成为同一平面。即，柱体的侧面从密封树脂层的侧面露出。因此，在柱体与半导体芯片的周缘之间不存在外伸部，因此与以往的半导体装置相比，能够将半导体装置的封装尺寸减少外伸部的宽度的量。其结果是，能够超越以往的极限地使封装尺寸小型化。这样的半导体装置例如可以通过包括以下的工序A E的制造方法制造。A.在具有表面及背面的多个半导体芯片形成为作为其集合体的半导体晶片的状态下，在各所述半导体芯片的所述表面上形成柱状的柱体的柱体形成工序；B.在所述半导体晶片的所述表面上形成密封树脂层的密封工序，该密封树脂层具有与所述柱体的前端面成为同一平面的表面；C.在所述密封工序后，在沿着所述半导体芯片的周缘设定的切割线上形成从所述密封树脂层的所述表面下挖的槽，并使所述柱体的侧面作为该槽的内表面的一部分而露出的槽形成工序；D.在所述槽形成工序后，在所述柱体的所述前端面上形成相对于所述密封树脂层的所述表面鼓起的端子的端子形成工序；E.在所述端子形成工序后，将所述半导体晶片沿着所述切割线分割成各所述半导体芯片的工序。也可以构成为，密封工序包括在所述半导体晶片的所述表面上以将所述柱体完全覆盖的方式形成密封树脂层的树脂被覆工序；对所述密封树脂层进行研磨直至所述柱体的所述前端面从所述密封树脂层露出的研磨工序。此外，将半导体晶片分割成各半导体芯片的工序可以为从所述半导体晶片的所述背面下挖所述半导体晶片从而使所述槽的内侧与所述半导体晶片的所述背面侧连通的切割工序，也可以为从所述槽的内侧下挖所述半导体晶片从而使所述槽的内侧与所述半导体晶片的所述背面侧连通的切割工序。此外，优选，外部连接端子跨越柱体的前端面和柱体的侧面设置。由此，柱体的前端面与柱体的侧面所成的角部由外部连接端子覆盖，柱体的前端面与外部连接端子的交界不向外部露出。因此，在对柱体及外部连接端子施加应力时，能够防止该应力集中在柱体的前端面与外部连接端子的交界，能够防止外部连接端子从柱体剥离。此外，优选，沿着半导体芯片的周缘设置有多个柱体，所有的柱体的侧面与密封树脂层的侧面成为同一平面。此时，在半导体芯片向安装基板安装后，能够视觉辨认外部连接端子相对于所有柱体的侧面的覆盖状态。因此，能够容易地进行半导体芯片向安装基板的安装状态的外观检查。此外，也可以构成为，所述半导体装置还包括钝化膜，其夹在所述半导体芯片与所述密封树脂层之间，且具有多个焊盘开口 ；电极焊盘，其从各所述焊盘开口露出。此时，所述柱体进入所述焊盘开口内，且与所述电极焊盘连接。此外，也可以构成为，所述柱体的所述侧面包括与所述密封树脂层接触的俯视C 字状的圆弧面。此外，也可以构成为，所述柱体由Cu构成。此外，也可以构成为，所述外部连接端子包括形成为大致球形状的焊料球，该焊料球从所述柱体的所述前端面绕入所述柱体的所述侧面中的从所述密封树脂层露出的部分， 并将该部分覆盖。此时，也可以构成为，焊料球具有覆盖所述柱体的所述侧面中的从所述密封树脂层露出的部分的被覆部分。此外，也可以构成为，所述焊料球的所述被覆部分形成为沿着所述柱体的所述侧面平行延伸的薄膜状。
此外，适用了 WXSP的半导体装置由于封装尺寸小而适用于数码相机和携带式电话机等小型设备中，但LSI (半导体芯片)的侧面裸露。因此，不适用于搭载有闪光灯(闪光操纵器)的设备。在闪光灯发光时，来自闪光灯的光也向设备的内部扩散。如果半导体装置设置在设备内，则该光中含有的红外线从LSI的侧面进入其内部，可能引起形成在LSI 上的IC产生噪声等误动作。因此，本发明的另一目的在于提供一种能够防止红外线进入半导体芯片的内部的半导体装置及其制造方法。为了实现该另一目的，本发明的半导体装置优选，还包括背面被覆膜，其覆盖所述半导体芯片的所述背面；遮光膜，其由具有对红外线的遮光性的材料构成，且覆盖所述半导体芯片的侧面。由此，能够防止红外线从半导体芯片的侧面进入其内部。此外，由于半导体芯片的表面及背面分别由密封树脂层及背面被覆膜覆盖，因此红外线不会从半导体芯片的表面及背面进入内部。因此，红外线不会进入半导体芯片的内部，因此能够防止因红外线的进入引起的IC的误动作等的不良情况的发生。作为具有对红外线的遮光性的材料可以例示出金属材料。例如，在背面被覆膜及 /或遮光膜由金属材料构成的情况下，能够发挥对红外线的良好的遮光性。此外，也可以构成为，遮光膜及背面被覆膜一体形成。此时，与分别不同体地形成遮光膜及背面被覆膜的方法相比，能够削减半导体装置的制造工序数。此外，遮光膜也可以由树脂材料形成，也可以具有由树脂材料构成的层和由金属材料构成的层的层叠构造。此外，作为具有对红外线的遮光性的金属材料优选为从Pd、Ni、Ti、Cr及TiW构成的组中选择的一种。此外，作为具有对红外线的遮光性的树脂材料，优选为从由环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺及苯酚构成的组中选择的一种。此外，背面被覆膜的厚度优选为3μπι ΙΟΟμπι。此外，遮光膜的厚度优选为 0. 1 μ m 10 μ m0具有背面被覆膜及遮光膜的半导体装置例如可以通过包括上述A E的工序以及包括以下的F H的工序的制造方法制造。F.在所述端子形成工序前，通过在所述槽的内表面上覆盖具有对红外线的遮光性的遮光性材料而在作为所述槽的所述内表面的一部分露出的所述半导体芯片的侧面上形成遮光膜的工序；G.在所述端子形成工序后，通过从所述背面侧研磨所述半导体晶片，从而使形成有所述遮光膜的所述槽贯通至所述半导体晶片的所述背面侧的背面研磨工序；H.在通过所述背面研磨工序而露出的所述半导体晶片的所述背面上形成覆盖该背面的背面被覆膜的工序。也可以构成为，工序F的形成遮光膜的工序包括在作为所述槽的所述内表面的一部分而露出的所述柱体的所述侧面及所述半导体芯片的所述侧面的整个区域上形成所述遮光膜的工序；通过由相对于该遮光膜具有蚀刻选择比的材料构成的保护层覆盖所述遮光膜中的所述半导体芯片的所述侧面上的第一部分的工序；在通过所述保护层保护所述遮光膜的第一部分的状态下，选择性地除去所述遮光膜中的所述柱体的所述侧面上的第二部分的工序；在除去所述遮光膜的所述第二部分后，将所述保护层完全除去的工序。此时，若形成所述背面被覆膜的工序包括形成将多个所述半导体芯片的所述背面一并覆盖的膜的工序，则工序E的分割成所述半导体芯片的工序也可以包括在所述切割线上切断一并覆盖所述半导体芯片的所述背面的所述背面被覆膜的工序。此外，若工序H的形成所述背面被覆膜的工序包括形成分别覆盖多个所述半导体芯片的所述背面的膜的工序，则所述背面研磨工序也可以兼作为分割成所述半导体芯片的工序。此外，工序F的形成所述遮光膜的工序包括在作为所述槽的所述内表面的一部分而露出的所述柱体的所述侧面及所述半导体芯片的所述侧面的整个区域上形成第一遮光膜的工序；通过由具有相对于第一遮光膜的蚀刻选择比及对红外线的遮光性的材料构成的第二遮光膜覆盖该所述第一遮光膜中的所述半导体芯片的所述侧面上的第一部分的工序；在通过所述第二遮光膜保护所述第一遮光膜的所述第一部分的状态下，选择性地除去所述第一遮光膜中的所述柱体的所述侧面上的第二部分的工序；在除去所述第一遮光膜的所述第二部分后，通过选择性地除去所述第二遮光膜，从而形成具有所述第一遮光膜和所述第二遮光膜的层叠构造的所述遮光膜的工序。此时，也可以构成为，所述第一遮光膜及所述第二遮光膜中的一方由金属材料构成，另一方由树脂材料构成。此外，在还包括在工序B的密封工序前以沿着应当形成所述槽的线的方式形成具有与所述槽为同一形状的临时槽的工序的情况下，工序B的所述密封工序也可以包括在形成所述密封树脂层的同时向所述临时槽填充树脂材料的工序。此时，工序C的槽形成工序包括通过具有与所述临时槽的宽度相同的宽度的第一刃选择性地除去填充的所述树脂材料，从而使所述柱体的所述侧面露出的工序；通过具有比所述第一刃的宽度小的宽度的第二刃，以使所述树脂材料在所述半导体芯片的所述侧面上残留成膜状的方式选择性地除去所述树脂材料，从而在所述半导体芯片的所述侧面上形成由所述树脂材料构成的遮光膜的工序。


图1是本发明的第一实施方式所涉及的半导体装置的示意俯视图。图2是本发明的第一实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示图1的A-A 切断面处的剖面。图3A是表示图2所示的半导体装置的制造中途的状态的示意剖视图。图;3B是表示图3A的下一工序的示意剖视图。图3C是表示图:3B的下一工序的示意剖视图。图3D是表示图3C的下一工序的示意剖视图。图3E是表示图3D的下一工序的示意剖视图。图3F是表示图3E的下一工序的示意剖视图。图3G是表示图3F的下一工序的示意剖视图。图3H是表示图3G的下一工序的示意剖视图。图31是表示图3H的下一工序的示意剖视图。
图3J是表示图31的下一工序的示意剖视图。图I是表示图3J的下一工序的示意剖视图。图3L是表示图I的下一工序的示意剖视图。图4是本发明的第二实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图2的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。图5A是表示图4所示的半导体装置的制造中途的状态的示意剖视图。图5B是表示图5A的下一工序的示意剖视图。图5C是表示图5B的下一工序的示意剖视图。图5D是表示图5C的下一工序的示意剖视图。图5E是表示图5D的下一工序的示意剖视图。图5F是表示图5E的下一工序的示意剖视图。图5G是表示图5F的下一工序的示意剖视图。图5H是表示图5G的下一工序的示意剖视图。图51是表示图5H的下一工序的示意剖视图。图5J是表示图51的下一工序的示意剖视图。图6是本发明的第三实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图2的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。图7A是表示图6所示的半导体装置的制造中途的状态的示意剖视图。图7B是表示图7A的下一工序的示意剖视图。图7C是表示图7B的下一工序的示意剖视图。图7D是表示图7C的下一工序的示意剖视图。图7E是表示图7D的下一工序的示意剖视图。图7F是表示图7E的下一工序的示意剖视图。图7G是表示图7F的下一工序的示意剖视图。图7H是表示图7G的下一工序的示意剖视图。图71是表示图7H的下一工序的示意剖视图。图7J是表示图71的下一工序的示意剖视图。图7K是表示图7J的下一工序的示意剖视图。图7L是表示图7K的下一工序的示意剖视图。图8是本发明的第四实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图2的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。图9A是表示图8所示的半导体装置的制造中途的状态的示意剖视图。图9B是表示图9A的下一工序的示意剖视图。图9C是表示图9B的下一工序的示意剖视图。图9D是表示图9C的下一工序的示意剖视图。图9E是表示图9D的下一工序的示意剖视图。图9F是表示图9E的下一工序的示意剖视图。图9G是表示图9F的下一工序的示意剖视图。图9H是表示图9G的下一工序的示意剖视图。
图91是表示图9H的下一工序的示意剖视图。图9J是表示图91的下一工序的示意剖视图。图9K是表示图9J的下一工序的示意剖视图。图9L是表示图9K的下一工序的示意剖视图。图10是本发明的第五实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图2的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。图11是本发明的第六实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图2的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。图12A是表示图11所示的半导体装置的制造中途的状态的示意剖视图。图12B是表示图12A的下一工序的示意剖视图。图12C是表示图12B的下一工序的示意剖视图。图12D是表示图12C的下一工序的示意剖视图。图12E是表示图12D的下一工序的示意剖视图。图12F是表示图12E的下一工序的示意剖视图。图12G是表示图12F的下一工序的示意剖视图。图13是本发明的第七实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图2的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。图14A是表示图13所示的半导体装置的制造中途的状态的示意剖视图。图14B是表示图14A的下一工序的示意剖视图。图15是表示图2所示的半导体装置的变形例的示意剖视图。图16是本发明的第八实施方式所涉及的半导体装置的示意俯视图。图17是本发明的第八实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示图16的 B-B切断面处的剖面。图18A是表示图17所示的半导体装置的制造中途的状态的示意剖视图。图18B是表示图18A的下一工序的示意剖视图。图18C是表示图18B的下一工序的示意剖视图。图18D是表示图18C的下一工序的示意剖视图。图18E是表示图18D的下一工序的示意剖视图。图18F是表示图18E的下一工序的示意剖视图。图18G是表示图18F的下一工序的示意剖视图。图18H是表示图18G的下一工序的示意剖视图。图181是表示图18H的下一工序的示意剖视图。图18J是表示图181的下一工序的示意剖视图。图19是本发明的第九实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图17 的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。图20A是表示图19所示的半导体装置的制造中途的状态的示意剖视图。图20B是表示图20A的下一工序的示意剖视图。图20C是表示图20B的下一工序的示意剖视图。图20D是表示图20C的下一工序的示意剖视图。
图20E是表示图20D的下一工序的示意剖视图。图20F是表示图20E的下一工序的示意剖视图。图20G是表示图20F的下一工序的示意剖视图。图20H是表示图20G的下一工序的示意剖视图。图21是本发明的第十实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图17 的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。图22A是表示图21所示的半导体装置的制造中途的状态的示意剖视图。图22B是表示图22A的下一工序的示意剖视图。图22C是表示图22B的下一工序的示意剖视图。图22D是表示图22C的下一工序的示意剖视图。图22E是表示图22D的下一工序的示意剖视图。图22F是表示图22E的下一工序的示意剖视图。图22G是表示图22F的下一工序的示意剖视图。图22H是表示图22G的下一工序的示意剖视图。图221是表示图22H的下一工序的示意剖视图。图23是本发明的第十一实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图 17的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。图M是本发明的第十二实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图 17的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。图25是表示图17所示的半导体装置的变形例的示意剖视图。
具体实施例方式以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。〈第一实施方式〉图1是本发明的第一实施方式所涉及的半导体装置的示意俯视图。图2是本发明的第一实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示图1的A-A切剖面处的剖面。半导体装置1为适用了 WXSP的半导体装置。半导体装置1具备半导体芯片2。 半导体芯片2例如为硅芯片，形成为具有表面3、侧面4及背面5的俯视四边形状。在半导体芯片2的表面3形成有钝化膜(表面保护膜)6。钝化膜6例如由氧化硅或氮化硅构成。在该钝化膜6上形成有多个焊盘开口 8，多个焊盘开口 8用于使与形成在半导体芯片2上的元件(未图示)电连接的内部配线的一部分作为电极焊盘7露出。S卩，钝化膜6从各电极焊盘7的中央部上被除去。在钝化膜6上层叠有密封树脂层9。密封树脂层9例如由环氧树脂构成。密封树脂层9覆盖钝化膜6的表面，将半导体装置1 (半导体芯片i)的表面3侧密封。并且，密封树脂层9的表面10形成为平坦面，且其侧面11与半导体芯片2的侧面4成为同一平面。由此，半导体装置1在俯视下具有与半导体芯片2的尺寸相同的外形尺寸(封装尺寸)。各电极焊盘7上设置有沿密封树脂层9的厚度方向贯通密封树脂层9的大致圆柱状的柱体12。柱体12例如由铜(Cu)构成。柱体12的下端部进入焊盘开口 8内，并与电极焊盘7连接。柱体12的前端面(上端部)13与密封树脂层9的表面10成为同一平面。柱体12的侧面14具有与密封树脂层9接触的俯视C字状的圆弧面15、从密封树脂层9的侧面11露出且与该侧面11成为同一平面的平坦面16。需要说明的是，以下，存在将平坦面 16仅记载成“侧面16”的情况。多个电极焊盘7 (焊盘开口 8)配置为呈沿着半导体芯片2的周缘的四方环状地排列成一列。因此，柱体12配置为呈沿着半导体芯片2的周缘的四方环状地排列成一列。由此，所有的柱体12的侧面16与密封树脂层9的侧面11成为同一平面。并且，相邻的柱体 12间的间隔设定为，在半导体装置1向安装基板(未图示)安装时，即使下述的焊料球17 变形，相邻的焊料球17也不会相互接触的距离。在各柱体12的前端面13上接合有作为外部连接端子的焊料球17。焊料球17形成为大致球形状。此外，焊料球17的下部从柱体12的前端面13绕入侧面16中的从密封树脂层9露出的部分，并将该部分覆盖。换言之，焊料球17跨越柱体12的前端面13和侧面16设置。焊料球17经由电极焊盘7及柱体12与形成在半导体芯片2上的元件电连接。通过使焊料球17与安装基板上的焊盘(未图示)连接，从而实现半导体装置1向安装基板的安装。即，通过使焊料球17与安装基板上的焊盘连接，从而半导体装置1被支承在安装基板上，且实现安装基板与半导体芯片2的电连接。此外，半导体芯片2的侧面4的整个区域由遮光膜18覆盖。遮光膜18由具有对红外线的遮光性的金属材料构成。作为具有对红外线的遮光性的金属材料例如可以例示出 Pd(钯)、Ni(镍)、Ti(钛)、Cr (铬)及TiW(钛-钨合金)等。遮光膜18的厚度例如为 0. Iym以上ΙΟμ 以下。此外，半导体芯片2的背面5的整个区域由背面被覆膜19覆盖。背面被覆膜19 例如由环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺或苯酚等的树脂材料构成。背面被覆膜 19的厚度例如为3 μ m以上100 μ m以下。图3A 图3L是按工序顺序表示图2所示的半导体装置的制造方法的示意剖视图。半导体装置1的制造在半导体芯片2被切分成单片之前的晶片20的状态下进行。 在半导体芯片2 (晶片20)的表面形成有钝化膜6。首先，如图3A所示，通过光刻法及蚀刻法在钝化膜6上形成多个焊盘开口 8。接下来，如图:3B所示，在各电极焊盘7上形成有柱状的柱体12。柱体12例如通过如下方式形成，即，在钝化膜6上形成具有与形成柱体12的部分对应的开口的掩模后， 在该掩模的开口内镀敷作为柱体12的材料的铜而使其成长，然后除去掩模而形成柱体12。 此外，柱体12也可以以如下方式形成，S卩，在钝化膜6及电极焊盘7上通过镀敷法形成铜膜 (未图示)，然后，通过光刻法及蚀刻法选择性地除去铜膜而形成柱体12。接下来，如图3C所示，向钝化膜6上供给作为密封树脂层9的材料的液状的树脂 (例如，环氧树脂)。液状的树脂被供给至埋没柱体12的高度(将柱体12完全覆盖的高度)。并且，通过进行使树脂固化的处理，从而在钝化膜6上形成密封树脂层9。然后，密封树脂层9从其表面侧被研磨。该密封树脂层9的研磨持续直至柱体12 的前端面13从密封树脂层9的表面10露出。如图3D所示，该研磨的结果是得到与密封树脂层9的表面10成为同一平面的柱体12的前端面13。接下来，通过使切割刃21从半导体芯片2的表面侧进入，从而如图3E所示，在沿着各半导体芯片2的周缘设定的切割线上形成从密封树脂层9的表面下挖的槽22。槽22 被下挖至贯通密封树脂层9及钝化膜6且其底面到达半导体芯片2的背面5附近的位置的深度。此外，槽22形成为其侧面间的宽度在其深度方向上固定。由此，各柱体12的侧面16 及半导体芯片2的侧面4作为槽22的内表面(侧面)的一部分露出。然后，如图3F所示，在槽22的内表面的整个区域上覆盖有遮光膜18。遮光膜18 例如可以将由遮光膜18的材料构成的金属蒸镀在槽22的内表面上而形成，也可以通过非电解镀敷而形成。在遮光膜18的形成后，如图3G所示，与密封树脂层9的材料相同的液状的树脂 (例如，环氧树脂)向槽22内供给。该液状的树脂相对于遮光膜18具有蚀刻选择比，且被供给至其表面与半导体芯片2的表面3成为同一平面的高度。由此，形成由该液状的树脂构成且埋设在槽22中的保护层25。保护层25覆盖遮光膜18中的半导体芯片2的侧面4 上的第一部分23，而使遮光膜18中的柱体12的侧面16上的第二部分M露出(未覆盖第二部分24)。接着，在以保护层25覆盖遮光膜18的第一部分23的状态下，供给与保护层 25相比能够以高蚀刻率将遮光膜18蚀刻的蚀刻剂(蚀刻液、蚀刻气体)。由此，如图3H所示，选择性地除去未被保护层25覆盖的遮光膜18的第二部分M， 被保护层25覆盖着的遮光膜18的第一部分23残留在槽22内。然后，除去保护层25。接下来，如图31所示，在柱体12的前端面13上上配置有焊料球17。焊料球17通过其湿润性扩展至柱体12的侧面16。由此，柱体12的前端面13及侧面16被焊料球17覆
至
ΓΤΠ ο接下来，如图3J所示，在切割带沈的粘结面上配置焊料球17，在切割带沈上支承晶片20ο然而，从半导体芯片2(晶片20)的背面5侧研磨半导体芯片2(晶片20)。如图 3Κ所示，该半导体芯片2的研磨进行至半导体芯片2中的形成在槽22的下方的部分完全被除去，槽22的内侧与半导体芯片2的背面5侧连通。此时，遮光膜18中的覆盖在槽22的底面上的部分被除去。然后，如图3L所示，在半导体芯片2 (晶片20)的背面5的整个区域上形成背面被覆膜19。背面被覆膜19例如通过以下方式形成，即，将树脂材料涂敷(旋转涂敷)在晶片 20的背面5的整个区域，并使该树脂材料固化而形成背面被覆膜19。此外，背面被覆膜19 也可以通过将形成为膜状的树脂膜贴附在晶片20的背面5的整个区域上而形成。然后，使用切割刃(未图示)在切割线上切断背面被覆膜19，使晶片20单片化成各半导体芯片2。然后，在除去切割带沈后得到图2所示的半导体装置1。如上所述，在半导体装置1中，柱体12的侧面16与密封树脂层9的侧面11成为同一平面。即，柱体12的侧面16从密封树脂层9的侧面11露出。因此，在柱体12与半导体芯片2的周缘之间不存在外伸部，因此与以往的半导体装置相比，能够使半导体装置1的封装尺寸缩小外伸部的宽度的量。其结果是，能够使封装尺寸超越以往的极限而小型化。此外，焊料球17跨越柱体12的前端面13与侧面16设置。由此，柱体12的前端面13和侧面16所成的角部由焊料球17覆盖，柱体12的前端面13与焊料球17的交界不向外部露出。因此，在对柱体12及焊料球17施加了应力时，能够防止该应力向柱体12的前端面与焊料球17的交界集中，而且由于焊料球17与柱体12接触，因此能够使接触面积扩大侧面16的面积的量，因此能够防止焊料球17从柱体12剥离。此外，沿着半导体芯片2的周缘设置有多个柱体12，所有的柱体12的侧面16与密封树脂层9的侧面11成为同一平面。因此，在半导体芯片2向安装基板安装后，能够视觉辨认焊料球17相对于所有柱体12的侧面16的覆盖状态。由此，能够容易地进行半导体芯片2向安装基板的安装状态的外观检查。此外，在半导体装置1中，半导体芯片2的侧面4被由具有对红外线的遮光性的材料构成的遮光膜18覆盖。由此，能够防止红外线从半导体芯片2的侧面4进入其内部。此夕卜，由于在半导体芯片2的表面3上层叠有密封树脂层9，且半导体芯片2的背面5由背面被覆膜19覆盖，因此红外线不会从半导体芯片2的表面3及背面5进入内部。由此，红外线不会进入半导体芯片2的内部，因此能够防止因红外线的进入引起的IC的误动作等的不良情况的发生。〈第二实施方式〉图4是本发明的第二实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图2的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。需要说明的是，在图4中，对与图2所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。并且，以下，省略对标注有相同参照符号的部分的说明。在图2所示的半导体装置1中，半导体芯片2的侧面4的整个区域被由金属材料构成的遮光膜18覆盖。相对于此，在图4所示的半导体装置31中，半导体芯片2的侧面4 的整个区域被由树脂材料构成的遮光膜32覆盖。遮光膜32由与背面被覆膜19相同的树脂材料，例如环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺或苯酚等树脂材料构成。图5A 图5J是按工序顺序表示图4所示的半导体装置的制造方法的示意剖视图。需要说明的是，在图5A 图5J中，对与图3A 图3L所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。半导体装置31的制造在半导体芯片2被切分成单片前的晶片20的状态下进行。 在半导体芯片2 (晶片20)的表面形成有钝化膜6。首先，如图5A所示，通过光刻法及蚀刻法在钝化膜6形成多个焊盘开口 8。接下来，如图5B所示，在各电极焊盘7上形成有柱状的柱体12。柱体12例如通过如下方式形成，即，在钝化膜6上形成具有与形成柱体12的部分对应的开口的掩模后， 在该掩模的开口内镀敷作为柱体12的材料的铜而使其成长，然后除去掩模而形成柱体12。 此外，柱体12也可以以如下方式形成，S卩，在钝化膜6及电极焊盘7上通过镀敷法形成铜膜 (未图示)，然后，通过光刻法及蚀刻法选择性地除去铜膜而形成柱体12。接下来，使切割刃33从半导体芯片2的表面侧进入，从而如图5C所示，在沿着各半导体芯片2的周缘设定的切割线上形成从密封树脂层9的表面下挖的作为临时槽的槽 34。槽34被下挖至贯通密封树脂层9及钝化膜6且其底面到达半导体芯片2的背面5附近的位置的深度。此外，槽34形成为其侧面间的宽度在其深度方向上固定。由此，各柱体 12的侧面16及半导体芯片2的侧面4作为槽34的内表面(侧面)的一部分露出。接下来，向钝化膜6上供给作为密封树脂层9的材料的液状的树脂(例如，环氧树脂)。液状的树脂被供给至埋没柱体12的高度(将柱体12完全覆盖的高度)。此时，液状的树脂向槽34内填充直至观察不到各柱体12的侧面16及半导体芯片2的侧面4。然后，通过进行用于使树脂固化的处理，从而在钝化膜6上形成密封树脂层9，同时，形成将槽34 完全埋没的树脂材料层35。然后，从密封树脂层9的表面侧对其进行研磨。该密封树脂层9的研磨持续到柱体12的前端面13从密封树脂层9的表面10露出。如图5D所示，该研磨的结果是得到与密封树脂层9的表面10成为同一平面的柱体12的前端面13。接下来，通过从半导体芯片2的表面侧使作为第一刃的切割刃36进入，从而如图 5E所示，选择性地除去树脂材料层35中的比半导体芯片2的表面3靠上侧的部分。切割刃36与在图5C所示的工序中为了形成槽34而使用的切割刃33具有相同的厚度。由此， 各柱体12的侧面16露出。接下来，通过从半导体芯片2的表面侧使作为第二刃的切割刃37进入，从而如图 5F所示，选择性地除去残留在槽34内的树脂材料层35的中央部分。切割刃37具有比在图 5E所示的工序中为了除去树脂材料层35中的比半导体芯片2的表面3靠上侧的部分而使用的切割刃36小的厚度。由此，树脂材料层35在半导体芯片2的侧面4及槽34的底面上残留成膜状，该残留的部分成为遮光膜32。接下来，如图5G所示，在柱体12的前端面13上配置焊料球17。焊料球17通过其湿润性而扩展至柱体12的侧面16。由此，柱体12的前端面13及侧面16被焊料球17覆
至
ΓΤΠ ο接下来，如图5H所示，在切割带沈的粘结面上配置焊料球17，在切割带沈上支承晶片20ο然后，从半导体芯片2 (晶片20)的背面5侧对其进行研磨。如图51所示，该半导体芯片2的研磨进行至半导体芯片2中的形成在槽34的下方的部分被完全除去，槽34的内侧与半导体芯片2的背面5侧连通。此时，遮光膜32中的覆盖在槽34的底面上的部分被除去。然后，如图5J所示，在半导体芯片2 (晶片20)的背面5的整个区域上形成背面被覆膜19。背面被覆膜19例如可以通过以下方式形成，S卩，将树脂材料涂敷(旋转涂敷)到晶片20的背面5的整个区域，并使该树脂材料固化而形成背面被覆膜19。此外，背面被覆膜19也可以通过将形成为膜状的树脂膜贴附在晶片20的背面5的整个区域上而形成。然后，使用切割刃(未图示)在切割线上切断背面被覆膜19，晶片20被单片化成各半导体芯片2。然后，在除去切割带沈后得到图4所示的半导体装置31。在以上述方式得到的半导体装置31的结构中，能够发挥与图2所示的半导体装置 1的结构同样的效果。〈第三实施方式〉图6是本发明的第三实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图2的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。需要说明的是，在图6中，对与图2所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。并且，以下，省略对标注有相同参照符号的部分的说明。在图2所示的半导体装置1中，由金属材料构成的遮光膜18和由树脂材料构成的背面被覆膜19分别形成。相对于此，在图6所示的半导体装置41中，半导体芯片2的侧面 4及背面5的整个区域由保护膜42覆盖。换言之，保护膜42 —体地具备覆盖半导体芯片2的侧面4的整个区域的遮光膜43和覆盖半导体芯片2的背面5的整个区域的背面被覆膜 44。保护膜42由具有对红外线的遮光性的金属材料构成。作为具有对红外线的遮光性的金属材料例如可以例示出Pd、Ni、Ti、Cr及TiW等。保护膜42中的成为遮光膜43的部分的厚度例如为0. 1 μ m以上10 μ m以下。此外，保护膜42中的成为背面被覆膜44的部分的厚度例如为5 μ m以上50 μ m以下。图7A 图7L是按工序顺序表示图6所示的半导体装置的制造方法的示意剖视图。需要说明的是，在图7A 图7L中，对与图3A 图3L所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。半导体装置41的制造在半导体芯片2被切分成单片前的晶片20的状态下进行。 在半导体芯片2 (晶片20)的表面形成有钝化膜6。首先，如图7A所示，通过光刻法及蚀刻法在钝化膜6上形成多个焊盘开口 8。接下来，如图7B所示，在各电极焊盘7上形成有柱状的柱体12。柱体12例如通过如下方式形成，即，在钝化膜6上形成具有与形成柱体12的部分对应的开口的掩模后， 在该掩模的开口内镀敷作为柱体12的材料的铜而使其成长，然后除去掩模而形成柱体12。 此外，柱体12也可以以如下方式形成，S卩，在钝化膜6及电极焊盘7上通过镀敷法形成铜膜 (未图示)，然后，通过光刻法及蚀刻法选择性地除去铜膜而形成柱体12。接下来，如图7C所示，向钝化膜6上供给作为密封树脂层9的材料的液状的树脂 (例如，环氧树脂)。液状的树脂被供给至埋没柱体12的高度(将柱体12完全覆盖的高度)。然后，通过进行使树脂固化的处理，从而在钝化膜6上形成密封树脂层9。然后，从密封树脂层9的表面侧对其进行研磨。该密封树脂层9的研磨持续至柱体12的前端面13从封树脂层9的表面10露出。如图7D所示，该研磨的结果是得到与密封树脂层9的表面10成为同一平面的柱体12的前端面13。接下来，从半导体芯片2的表面侧使切割刃21进入，从而如图7E所示，在沿着各半导体芯片2的周缘设定的切割线上形成从密封树脂层9的表面下挖的槽22。槽22被下挖至贯通密封树脂层9及钝化膜6且其底面到达半导体芯片2的背面5附近的位置的深度。 此外，槽22形成为其侧面间的宽度在其深度方向上固定。由此，各柱体12的侧面16及半导体芯片2的侧面4作为槽22的内表面(侧面)的一部分露出。然后，如图7F所示，在槽22的内表面的整个区域覆盖有遮光膜43。遮光膜43可以通过例如将由遮光膜43的材料构成的金属蒸镀在槽22的内表面上形成，也可以通过非电解镀敷形成。在遮光膜43的形成后，如图7G所示，向槽22内供给与密封树脂层9的材料相同的液状的树脂(例如，环氧树脂)。该液状的树脂相对于遮光膜43具有蚀刻选择比，且被供给至其表面与半导体芯片2的表面3成为同一平面的高度。由此，形成由该液状的树脂构成且埋设在槽22中的保护层25。保护层25覆盖遮光膜43中的半导体芯片2的侧面4上的第一部分23，而使遮光膜43中的柱体12的侧面16上的第二部分M露出(未覆盖第二部分24)。接下来，在由保护层25覆盖遮光膜43的第一部分23的状态下，供给与保护层 25相比能够以高蚀刻率将遮光膜43蚀刻的蚀刻剂(蚀刻液、蚀刻气体)。由此，如图7H所示，选择性地除去未被保护层25覆盖的遮光膜43的第二部分M， 被保护层25覆盖遮光膜43的第一部分23残留在槽22内。然后，除去保护层25。
接下来，如图71所示，在柱体12的前端面13上配置有焊料球17。焊料球17通过其湿润性扩展至柱体12的侧面16。由此，柱体12的前端面13及侧面16被焊料球17覆盖。
接下来，如图7J所示，在切割带沈的粘结面上配置焊料球17，在切割带沈上支承晶片20ο然后，从半导体芯片2 (晶片20)的背面5侧对其进行研磨。如图7Κ所示，该半导体芯片2的研磨进行至半导体芯片2中的形成在槽22的下方的部分被完全除去，槽22的内侧与半导体芯片2的背面5侧连通。此时，遮光膜43中的被覆盖在槽22的底面的部分被除去。然后，如图7L所示，在半导体芯片2 (晶片20)的背面5的整个区域上按照半导体芯片2覆盖有背面被覆膜44。背面被覆膜44例如可以通过将由保护膜42的材料构成的金属蒸镀在半导体芯片2的背面5上形成，也可以通过非电解镀敷形成。然后，在取下切割带沈后得到图6所示的半导体装置41。在该半导体装置41的结构中，也能够发挥与图2所示的半导体装置1的结构同样的效果。〈第四实施方式〉图8是本发明的第四实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图2的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。需要说明的是，在图8中，对与图2所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。并且，以下，省略对标注有相同参照符号的部分的说明。在半导体装置45中，覆盖半导体芯片2的侧面4的遮光膜46具有金属层47和树脂层48的层叠构造。金属层47例如由Pd、Ni、Ti、Cr或TiW构成。此外，树脂层48例如由环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺或苯酚等树脂材料构成。图9Α 图9Μ是按照工序顺序表示的图8所示的半导体装置的制造方法的示意剖视图。需要说明的是，在图9Α 图9Μ中，对与图3Α 图3L所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。半导体装置45的制造在半导体芯片2被切分成单片前的晶片20的状态下进行。 在半导体芯片2 (晶片20)的表面上形成有钝化膜6。首先，如图9Α所示，通过光刻法及蚀刻法在钝化膜6上形成多个焊盘开口 8。接下来，如图9Β所示，在各电极焊盘7上形成柱状的柱体12。柱体12例如通过如下方式形成，即，在钝化膜6上形成具有与形成柱体12的部分对应的开口的掩模后，在该掩模的开口内镀敷作为柱体12的材料的铜而使其成长，然后除去掩模而形成柱体12。此外， 柱体12也可以以如下方式形成，即，在钝化膜6及电极焊盘7上通过镀敷法形成铜膜(未图示)，然后，通过光刻法及蚀刻法选择性地除去铜膜而形成柱体12。接下来，如图9C所示，向钝化膜6上供给作为密封树脂层9的材料的液状的树脂 (例如，环氧树脂)。液状的树脂被供给至埋没柱体12的高度(将柱体12完全覆盖的高度)。并且，通过进行用于使树脂固化的处理，从而在钝化膜6上形成密封树脂层9。然后，从密封树脂层9的表面侧对其进行研磨。该密封树脂层9的研磨持续到柱体12的前端面13从密封树脂层9的表面10露出。如图9D所示，该研磨的结果是得到与密封树脂层9的表面10成为同一平面的柱体12的前端面13。接下来，通过使切割刃21从半导体芯片2的表面侧进入，从而如图9E所示，在沿着各半导体芯片2的周缘设定的切割线上上形成从密封树脂层9的表面下挖的槽22。槽 22被下挖至贯通密封树脂层9及钝化膜6且其底面到达半导体芯片2的背面5附近的位置的深度。此外，槽22形成为其侧面间的宽度在其深度方向上固定。由此，各柱体12的侧面 16及半导体芯片2的侧面4作为槽22的内表面(侧面)的一部分露出。然后，如图9F所示，在槽22的内表面的整个区域上覆盖有作为第一遮光膜的金属层47。金属层47可以通过例如将由金属层47的材料构成的金属蒸镀在槽22的内表面上形成，也可以通过非电解镀敷形成。在金属层47形成后，如图9G所示，向槽22内供给与密封树脂层9的材料相同的液状的树脂(例如，环氧树脂)。该液状的树脂相对于金属层47具有蚀刻选择比，且被供给到其表面与半导体芯片2的表面3成为相同的高度。由此，形成该液状的树脂埋设在槽 22中的树脂材料层49。树脂材料层49覆盖金属层47中的半导体芯片2的侧面4上的第一部分50，并使金属层47中的柱体12的侧面16上的第二部分51露出(未覆盖第二部分 51)。接下来，在由树脂材料层49覆盖金属层47的第一部分50的状态下，供给与树脂材料层49相比能够以高蚀刻率将金属层47蚀刻的蚀刻剂(蚀刻液、蚀刻气体)。由此，如图9H所示，选择性地除去未被树脂材料层49覆盖的金属层47的第二部分51，被树脂材料层49覆盖的金属层47的第一部分50残留在槽22内。接下来，如图91所示，通过使切割刃52从半导体芯片2的表面侧进入，从而选择性地除去残留在槽22内的树脂材料层49的中央部分。切割刃52具有比在图9E所示的工序中为了形成槽22而使用的切割刃21小的厚度。由此，树脂材料层49在金属层47上残留成膜状，该残留的部分成为作为第二遮光膜的树脂层48。如此，形成具有金属层47和树脂层48的层叠构造的遮光膜46。接下来，如图9J所示，在柱体12的前端面13上配置焊料球17。焊料球17通过其湿润性而扩展至柱体12的侧面16。由此，柱体12的前端面13及侧面16被焊料球17覆
至
ΓΤΠ ο接下来，如图9K所示，在切割带沈的粘结面上配置焊料球17，在切割带沈上支承晶片20ο然后，从半导体芯片2 (晶片20)的背面5侧对其进行研磨。如图9L所示，该半导体芯片2的研磨进行至半导体芯片2中的形成在槽22的下方的部分被完全除去，槽22的内侧与半导体芯片2的背面5侧连通。此时，遮光膜46中的被槽22的底面覆盖的部分被除去。然后，如图9Μ所示，在半导体芯片2 (晶片20)的背面5的整个区域形成有背面被覆膜19。背面被覆膜19例如可以通过以下方式形成，S卩，将树脂材料涂敷(旋转涂敷)到晶片20的背面5的整个区域，并使该树脂材料固化而形成背面被覆膜19。此外，背面被覆膜19也可以通过将形成为膜状的树脂膜贴附在晶片20的背面5的整个区域上而形成。然后，使用切割刃(未图示)在切割线上切断背面被覆膜19，使晶片20单片化成各半导体芯片2。然后，在除去切割带沈后得到图8所示的半导体装置45。在该半导体装置45的结构中，也能够发挥与图2所示的半导体装置1的结构同样的效果。<第五实施方式>图10是本发明的第五实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图2的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。需要说明的是，在图10中，对与图2所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。并且，以下，省略对标注有相同参照符号的部分的说明。在半导体装置53中，覆盖半导体芯片2的侧面4的遮光膜M具有树脂层55与金属层56的层叠构造。树脂层55例如由环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺或苯酚等树脂材料构成。此外，金属层56例如由Pd、Ni、Ti、Cr或TiW构成。在该半导体装置53的结构中，也能够发挥与图2所示的半导体装置1的结构同样的效果。<第六实施方式>图11是本发明的第六实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图2的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。需要说明的是，在图11中，对与图2所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。并且，以下，省略对标注有相同参照符号的部分的说明。在半导体装置57中省略了覆盖半导体芯片2的侧面4的遮光膜18及覆盖半导体芯片2的背面5的背面被覆膜19。图12A 图12G是按工序顺序表示图11所示的半导体装置的制造方法的示意剖视图。需要说明的是，在图12A 图12G中，对与图3A 图3L所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。半导体装置57的制造在半导体芯片2被切分成单片前的晶片20的状态进行。在半导体芯片2 (晶片20)的表面上形成有钝化膜6。首先，如图12A所示，通过光刻法及蚀刻法在钝化膜6上形成多个焊盘开口 8。接下来，如图12B所示，在各电极焊盘7上形成有柱状的柱体12。柱体12例如通过如下方式形成，即，在钝化膜6上形成具有与形成柱体12的部分对应的开口的掩模后， 在该掩模的开口内镀敷作为柱体12的材料的铜而使其成长，然后除去掩模而形成柱体12。 此外，柱体12也可以以如下方式形成，即，在钝化膜6及电极焊盘7上通过镀敷法形成铜膜 (未图示)，然后，通过光刻法及蚀刻法选择性地除去铜膜而形成柱体12。接下来，如图12C所示，向钝化膜6上供给作为密封树脂层9的材料的液状的树脂 (例如，环氧树脂)。液状的树脂被供给至埋没柱体12的高度(将柱体12完全覆盖的高度)。然后，通过进行使树脂固化的处理，从而在钝化膜6上形成密封树脂层9。然后，从密封树脂层9的表面侧对其进行研磨。该密封树脂层9的研磨持续到柱体12的前端面13从密封树脂层9的表面10露出。如图12D所示，该研磨的结果是得到与密封树脂层9的表面10成为同一平面的柱体12的前端面13。接下来，通过使切割刃21从半导体芯片2的表面侧进入，从而如图12E所示，在沿着各半导体芯片2的周缘设定的切割线上形成从密封树脂层9的表面下挖的槽58。槽58 下挖至贯通密封树脂层9及钝化膜6且其底面到达半导体芯片2的表面3的深度。由此， 各柱体12的侧面16在槽58的内表面露出。
然后，如图12F所示，在柱体12的前端面13上配置焊料球17。焊料球17通过其湿润性而扩展至柱体12的侧面16。由此，柱体12的前端面13及侧面16被焊料球17覆盖。然后，在切割带(未图示)的粘结面上配置有焊料球17且切割带上支承有晶片20的状态下，从半导体芯片2的背面5侧使具有与切割刃21相同的刃宽的切割刃59沿切割线上进入。然后，晶片20被从背面5侧下挖，如图12G所示，晶片20被单片化成各半导体芯片2。然后，在除去切割带后得到图11所示的半导体装置57。在该半导体装置57的结构中，也能够发挥与图2所示的半导体装置1的结构同样的效果。<第七实施方式>图13是本发明的第七实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图2的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。需要说明的是，在图13中，对与图2所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。并且，以下，省略对标注有相同参照符号的部分的说明。在图1所示的半导体装置1中，焊料球17形成为大致球形状。相对于此，在图13 所示的半导体装置60中，在焊料球61上形成有与密封树脂层9的侧面11及柱体12的侧面16平行的球侧面62。具体而言，焊料球61绕入柱体12的侧面16并将该部分覆盖。该被覆部分63形成为沿着柱体12的侧面16平行延伸的薄膜状。并且，该被覆部分63的外侧(半导体芯片 2的周缘侧)的侧面成为球侧面62。此外，在半导体装置60中，省略了覆盖半导体芯片2的侧面4的遮光膜18及覆盖半导体芯片2的背面5的背面被覆膜19。图14A 图14B是图13所示的半导体装置的各制造工序的示意剖视图。在图12A 图12E所示的工序后继续进行图14A 图14B所示的工序。在通过图12E所示的工序形成从密封树脂层9的表面下挖的槽58后，如图14A所示，在柱体12的前端面13上配置焊料球61。焊料球61通过其的湿润性扩展至柱体12的侧面16。由此，柱体12的前端面13及侧面16被焊料球61覆盖。并且，在切割带(未图示)的粘结面上粘接有半导体芯片2的背面5且在切割带上支承有晶片20的状态下使切割刃64从晶片20的表面3侧进入槽58内。然后，将晶片20从表面3侧下挖，如图14B所示，晶片20被单片化成各半导体芯片2。此时，焊料球61中的与切割线重叠的部分随着切割刃64的进入而被切断。由此，在焊料球61上形成球侧面62。然后，在除去切割带后得到图13所示的半导体装置60。在如此得到的半导体装置60中也能够发挥与图2所示的半导体装置1同样的效^ ο以上，对本发明的第一 第七实施方式进行了说明，但本发明也可以以其他方式实施。例如，如图15所示，槽22的侧面也可以形成为越靠半导体芯片2的表面3侧其间隔越变宽的锥形状。这样的锥形状的槽22例如可以通过在图3E所示的工序中采用具有越接近刃尖其厚度越小的剖面大致二字状的刃的切割刃来作为从半导体芯片2的表面3侧进入的切割刃 21。此外，在图2所示的半导体装置1中，举出了作为遮光膜18的材料采用具有对红外线的遮光性的金属材料、作为背面被覆膜19的材料采用树脂材料的结构，但也可以作为遮光膜18的材料采用树脂材料而作为背面被覆膜19的材料采用具有对红外线的遮光性的金属材料(例如，Pd、Ni、Ti、Cr及TiW)。这种情况下，作为遮光膜18的材料的树脂材料优选采用具有对红外线的遮光性的树脂材料，例如环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺或苯酚等。此外，作为柱体12的材料例示出了铜，但作为柱体12的材料也可以采用金(Au) 或Ni(镍)等金属材料。此外，柱体12配制成呈沿着半导体芯片2的周缘的环状地排列成一列，根据柱体 12的个数(销数)，柱体12也可以配置成呈沿着半导体芯片2的周缘的环状地排列成多列。 例如，在设置有100根柱体12的情况下，柱体12也可以配置成呈沿着半导体芯片2的周缘的环状地排列成五列。<第八实施方式>图16是本发明的第八实施方式所涉及的半导体装置的示意俯视图。图17是本发明的第八实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示图16的B-B切断面处的剖面。半导体装置71是适用了 WXSP的半导体装置，具备半导体芯片72。半导体芯片 72例如为硅芯片，形成为俯视四边形状。在半导体芯片72的最靠表面的面上形成有钝化膜(表面保护膜)73。钝化膜73 例如由氧化硅或氮化硅构成。此外，在半导体芯片72上形成有与形成在半导体芯片72上的元件电连接的多个电极焊盘74。钝化膜73从各电极焊盘74的中央部上被除去。在钝化膜73上形成有有机绝缘膜85。有机绝缘膜85例如由聚酰亚胺等有机材料构成。在有机绝缘膜85上形成有用于使电极焊盘74露出的多个焊盘开口 75。多个电极焊盘74(焊盘开口 75)配置成呈沿着半导体芯片72的周缘的四方环状排列成一列。在有机绝缘膜85上形成有多个再配线76。再配线76例如由铝等金属材料构成。 各再配线76从电极焊盘74经由焊盘开口 75向有机绝缘膜85上被引出，并沿着有机绝缘膜85的表面延伸。此外，在有机绝缘膜85上层叠有密封树脂层77。密封树脂层77例如由环氧树脂构成。密封树脂层77覆盖有机绝缘膜85及再配线76的表面，将半导体装置71 (半导体芯片72)的表面侧密封。并且，密封树脂层77的表面形成为平坦面，且其侧面形成为与半导体芯片72的侧面成为同一平面。在各再配线76上，圆柱状的柱体78沿密封树脂层77的厚度方向贯通密封树脂层 77设置。柱体78例如由铜(Cu)构成。此外，柱体78的前端面与密封树脂层77的表面成为同一平面。在各柱体78的前端面上接合有作为外部连接端子的焊料球80。焊料球80经由电极焊盘74、再配线76及柱体78与形成在半导体芯片72上的元件电连接。通过焊料球80与安装基板上的焊盘(未图示)连接，从而实现半导体装置71向安装基板的安装。即，通过焊料球80与安装基板上的焊盘连接，从而半导体装置71支承在安装基板上且安装基板与半导体芯片72实现电连接。此外，半导体芯片72的侧面的整个区域由遮光膜81覆盖。遮光膜81由具有对红外线的遮光性的金属材料构成。作为具有对红外线的遮光性的金属材料例如可以例示出 Pd(钯)、Ni(镍)、Ti(钛)、Cr(铬)及TiW(钛-钨合金)等。遮光膜81的厚度例如为 0. Iym以上ΙΟμ 以下。此外，半导体芯片72的背面的整个区域由背面被覆膜82覆盖。背面被覆膜82例如由环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺或苯酚等的树脂材料构成。背面被覆膜82 的厚度例如为3 μ m以上100 μ m以下。图18A 图18J是按照工序顺序表示图17所示的半导体装置的制造方法的示意剖视图。半导体装置71的制造在半导体芯片72被切分成单片前的晶片的状态下进行。在半导体芯片72(晶片)的表面上形成有钝化膜73。在钝化膜73上形成有有机绝缘膜85。首先，如图18A所示，通过光刻法及蚀刻法在有机绝缘膜85上形成多个焊盘开口 75。接下来，在从有机绝缘膜85及各焊盘开口 75露出的电极焊盘74上上形成由再配线76的材料构成的镀敷层，并且如图18B所示，通过光刻法及蚀刻法将该镀敷层图案化在多个再配线76上。然后，如图18C所示，在各再配线76上形成圆柱状的柱体78。柱体78例如可以通过以下方式形成，即，在有机绝缘膜85及再配线76上形成具有与形成柱体78的部分对应的开口的掩模后，在该掩模的开口内镀敷作为柱体78的材料的铜并使其成长，然后除去掩模而形成柱体78。此外，柱体78也可以通过镀敷法在有机绝缘膜85及再配线76上形成铜膜(未图示)，然后通过光刻法及蚀刻法选择性地除去铜膜而形成。接下来，向有机绝缘膜85上供给作为密封树脂层77的材料的液状的树脂(例如， 环氧树脂)。液状的树脂被供给至埋没柱体78的高度。然后，在进行使树脂固化的处理后， 从密封树脂层77的表面侧对其进行研磨。如图18D所示，该密封树脂层77的研磨持续至柱体78的前端面与密封树脂层77的表面成为同一平面。接下来，通过使切割刃(未图示)从半导体芯片72的表面侧进入，从而如图18E 所示，在沿着各半导体芯片72的周缘设定的切割线上形成从密封树脂层77的表面下挖的槽83。槽83被下挖至其底面到达半导体芯片72的背面的附近的位置的深度。此外，槽83 形成为其侧面间的宽度在其深度方向上固定。然后，如图18F所示，在槽83的内表面的整个区域覆盖遮光膜81。遮光膜81例如可以通过将由遮光膜81的材料构成的金属蒸镀在槽83的内表面上形成，也可以通过非电解镀敷形成。接下来，如图18G所示，在柱体78的前端面上配置焊料球80。接下来，如图18H所示，在切割带84的粘结面上配置焊料球80，在切割带84上支承晶片。并且，从半导体芯片72(晶片)的背面侧对其进行研磨。如图181所示，该半导体芯片72的研磨进行至半导体芯片72中的形成在槽83的下方的部分完全被除去，槽83的内侧与半导体芯片72的背面侧连通。此时，遮光膜81中的覆盖在槽83的底面上的部分被除去。然后，如图18J所示，在半导体芯片72(晶片)的背面的整个区域上形成背面被覆膜82。背面被覆膜82例如可以通过将树脂材料涂敷(旋转涂敷)在晶片的背面的整个区域并使该树脂材料固化形成。此外，背面被覆膜82也可以通过将形成为膜状的树脂膜贴附在晶片的背面的整个区域上形成。然后，使用切割刃(未图示)在切割线上切断背面被覆膜82，将晶片单片化成各半导体芯片72。切割刃(未图示)具有与在图18E所示的工序中为了形成槽83而使用的切割刃相同的厚度。然后，在除去切割带84后得到图17所示的半导体装置71。如上所述，在半导体装置71中，半导体芯片72的侧面被遮光膜81覆盖，该遮光膜 81由具有对红外线的遮光性的材料构成。由此，能够防止红外线从半导体芯片72的侧面进入其内部。此外，在半导体芯片72的表面上层叠有密封树脂层77，且半导体芯片72的背面由背面被覆膜82覆盖，因此红外线不会从半导体芯片72的表面及背面向内部进入。因此， 红外线不会向半导体芯片72的内部进入，因此能够防止因红外线的进入引起的IC的误动作等不良情况的发生。〈第九实施方式〉图19是本发明的第九实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图17 的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。需要说明的是，在图19中，对与图17所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。并且，以下省略对标注有相同参照符号的部分的说明。在图17所示的半导体装置71中，半导体芯片72的侧面的整个区域被由金属材料构成的遮光膜81覆盖。相对于此，在图19所示的半导体装置86中，半导体芯片72的侧面的整个区域由密封树脂层87覆盖。即，层叠在有机绝缘膜85上的密封树脂层87覆盖有机绝缘膜85及再配线76的表面、及半导体芯片72的侧面的整个区域，将半导体装置86 (半导体芯片72)的表面及侧面密封。密封树脂层87中的覆盖半导体芯片72的侧面的部分成为用于防止红外线向半导体芯片72的内部进入的遮光膜88。遮光膜88例如形成为5 μ m 以上50 μ m以下的厚度。图20A 图20H是按照工序顺序表示图19所示的半导体装置的制造方法的示意剖视图。需要说明的是，在图20A 图20H中，对与图18A 图18J所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。半导体装置86的制造在半导体芯片72被切分成单片前的晶片的状态下进行。在半导体芯片72(晶片)的表面上形成有钝化膜73。在钝化膜73上形成有有机绝缘膜85。首先，如图20A所示，通过光刻法及蚀刻法在有机绝缘膜85上形成有多个焊盘开 Π 75。接下来，在从有机绝缘膜85及各焊盘开口 75露出的电极焊盘74上形成由再配线 76的材料构成的镀敷层，如图20Β所示，通过光刻法及蚀刻法将该镀敷层图案化在多个再配线76上。然后，如图20C所示，在各再配线76上形成圆柱状的柱体78。柱体78例如可以通过以下方式形成，即，在有机绝缘膜85及再配线76上形成具有与形成柱体78的部分对应的开口的掩模后，在该掩模的开口内镀敷作为柱体78的材料的铜并使其成长，然后除去掩模而形成柱体78。此外，柱体78也可以通过镀敷法在有机绝缘膜85及再配线76上形成铜膜(未图示)，然后通过光刻法及蚀刻法选择性地除去铜膜而形成。接下来，通过使切割刃(未图示)从半导体芯片72的表面侧进入，从而如图20D 所示，在沿着各半导体芯片72的周缘设定的切割线上形成槽89。槽89被下挖至其底面到达半导体芯片72的背面的附近的位置的深度。此外，槽89形成为其侧面间的宽度在其深度方向上固定。接下来，向有机绝缘膜85上及槽89的内部供给作为密封树脂层87的材料的液状的树脂(例如，环氧树脂)。液状的树脂被供给至将槽89的内部完全埋住而埋没柱体78的高度。并且，在进行用于使树脂固化的处理后，从密封树脂层87的表面侧对其进行研磨。如图20E所示，该密封树脂层87的研磨持续至柱体78的前端面与密封树脂层87的表面成为
同一平面。并且，从半导体芯片72(晶片)的背面侧对其进行研磨。如图20F所示，该半导体芯片72的研磨进行至半导体芯片72中的形成在槽89的下方的部分被完全除去，将槽89 内完全埋住的密封树脂层87的下端部在半导体芯片72的背面侧露出。然后，如图20G所示，在半导体芯片72(晶片)的背面的整个区域上形成背面被覆膜82。背面被覆膜82例如可以通过将树脂材料涂敷(旋转涂敷)在半导体晶片的背面的整个区域上并使该树脂材料固化而形成。此外，背面被覆膜82也可以通过将形成为薄膜状的树脂膜贴附在半导体芯片72(晶片)的背面的整个区域上形成。接下来，如图20H所示，在各柱体78的前端面上配置焊料球80。然后，使用切割刃 (未图示)在切割线上切断背面被覆膜82及密封树脂层87。切割刃使用厚度比在图20D 所示的工序中为了形成槽89而使用的切割刃的厚度小的切割刃。由此，在槽89的内表面 (半导体芯片72的侧面)残留有密封树脂层87，该残留的部分成为遮光膜88。在这样得到的半导体装置86的结构中，也能够发挥与图17所示的半导体装置71 的结构同样的效果。<第十实施方式>图21是本发明的第十实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图17 的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。需要说明的是，在图21中，对与图17所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。并且，以下省略对标注有相同参照符号的部分的说明。在图17所示的半导体装置71中，由金属材料构成的遮光膜81和由树脂材料构成的背面被覆膜82分开形成。相对于此，在图21所示的半导体装置90中，半导体芯片72的侧面及背面的整个区域由保护膜91覆盖。换言之，保护膜91 一体地具备覆盖半导体芯片 72的侧面的整个区域的遮光膜92和覆盖半导体芯片72的背面的整个区域的背面被覆膜 93。保护膜91由具有对红外线的遮光性的金属材料构成的。作为具有对红外线的遮光性的金属材料例如可以例示出Pd、Ni、Ti、Cr及TiW等。保护膜91中的成为遮光膜92的部分的厚度例如为0. 1 μ m以上10 μ m以下。此外，保护膜91中的成为背面被覆膜93的部分的厚度例如为5 μ m以上50 μ m以下。图22A 图221是按照工序表示图21所示的半导体装置的制造方法的示意剖视图。需要说明的是，在图22A 图221中，对与图18A 图18J所示的部分各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。半导体装置90的制造在半导体芯片72被切分成单片前的晶片的状态下进行。在半导体芯片72(晶片)的表面上形成有钝化膜73。在钝化膜73上形成有有机绝缘膜85。首先，如图22A所示，通过光刻法及蚀刻法在有机绝缘膜85上形成多个焊盘开口 75。 接下来，在从有机绝缘膜85及各焊盘开口 75露出的电极焊盘74上形成由再配线 76的材料构成的镀敷层，如图22B所示，通过光刻法及蚀刻法将该镀敷层图片化在多个再配线76上。然后，如图22C所示，在各再配线76上形成圆柱状的柱体78。柱体78例如可以通过以下方式形成，即，在有机绝缘膜85及再配线76上形成具有与形成柱体78的部分对应的开口的掩模后，在该掩模的开口内镀敷作为柱体78的材料的铜并使其成长，然后除去掩模而形成柱体78。此外，柱体78也可以通过镀敷法在有机绝缘膜85及再配线76上形成铜膜(未图示)，然后通过光刻法及蚀刻法选择性地除去铜膜而形成。接下来，向有机绝缘膜85上供给作为密封树脂层77的材料的液状的树脂(例如， 环氧树脂)。液状的树脂被供给至埋没柱体78的高度。并且，在进行用于使树脂固化的处理后，从密封树脂层77的表面侧对其进行研磨。如图22D所示，该密封树脂层77的研磨持续至柱体78的前端面与密封树脂层77的表面成为同一平面。接下来，使切割刃(未图示)从半导体芯片72的表面侧进入，如图22E所示，在沿着各半导体芯片72的周缘设定的切割线上形成从密封树脂层77的表面下挖的槽83。然后，如图22F所示，在柱体78的前端面上配置焊料球80。接下来，如图22G所示，在切割带84的粘结面上配置焊料球80，在切割带84上支承晶片。然后，从半导体芯片72(晶片)的背面侧对其进行研磨。如图22H所示，该半导体芯片72的研磨进行至半导体芯片72中的形成在槽83的下方的部分被完全除去，槽83的内侧与半导体芯片72的背面侧连通。然后，如图221所示，在半导体芯片72 (晶片)的背面的整个区域及半导体芯片72 中的面向槽83的侧面的部分的整个区域上覆盖保护膜91。保护膜91例如可以通过将由保护膜91的材料构成的金属蒸镀在半导体芯片72的背面及槽83的侧面上形成，也可以通过非电解镀敷形成。并且，在取下切割带84后得到图21所示的半导体装置90。在该半导体装置90的结构中也能够发挥与图17所示的半导体装置71的结构同样的效果。〈第—^一实施方式〉图23是本发明的第十一实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图 17的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。需要说明的是，在图23中，对与图17所示的各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。并且，以下省略对标注有相同参照符号的部分的说明。在半导体装置94中，覆盖半导体芯片72的侧面的遮光膜95具有由金属材料构成的金属层96与由树脂材料构成的树脂层97的层叠构造。金属层96例如由Pd、Ni、Ti、Cr或TiW构成。此外，树脂层97例如由环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺或苯酚等的树脂材料构成。具有这样的遮光膜95的半导体装置94通过接着图18A 图18C所示的工序进行以下说明的工序而获得。首先，通过使切割刃(未图示)从半导体芯片72的表面侧进入，从而在沿着各半导体芯片72的周缘设定的切割线上形成槽83。槽83下挖至其底面到达半导体芯片72的背面的附近的位置的深度。此外，槽83形成为其侧面间的宽度在其深度方向上一定。接下来，在槽83的内表面的整个区域上覆盖金属层96。金属层96例如通过将由金属层96的材料构成的金属蒸镀在槽83的内表面上形成，也可以通过非电解镀敷形成。然后，向该金属层96上及包括有机绝缘膜85的半导体芯片72上供给作为密封树脂层77的材料的液状的树脂。液状的树脂供给至将槽83内完全埋住且埋没柱体78的高度。并且，在进行用于使树脂固化的处理后，从密封树脂层77的表面侧对其进行研磨。接下来，在柱体78的前端面上配置焊料球80。接下来，在切割带84的粘结面上配置焊料球80，在切割带84上支承晶片。然后，从半导体芯片72 (晶片)的背面侧对其进行研磨。该半导体芯片72的研磨进行至半导体芯片72中的形成在槽83的下方的部分被完全除去，且密封树脂层77中的形成在槽83内的部分在半导体芯片72的背面侧露出。此时，金属层96中的覆盖在槽83的底面的部分被除去。然后，在半导体芯片72(晶片)的背面的整个区域形成有背面被覆膜82。背面被覆膜82例如可以通过将树脂材料涂敷(旋转涂敷)在晶片的背面的整个区域并使该树脂材料而形成。此外，背面被覆膜82也可以通过将形成为膜状的树脂膜贴附在晶片的背面的整个区域上形成。接着，使用切割刃(未图示)在切割线上切断背面被覆膜82及密封树脂层77。切割刃使用厚度比为了形成槽83而使用的切割刃的厚度小的切割刃。由此，在金属层96的表面残留有密封树脂层77，该残留的部分成为树脂层97。然后，在除去切割带84后得到图 23所示的半导体装置94。在这样得到的半导体装置94的结构中也能够发挥与图17所示的半导体装置71 的结构同样的效果。<第十二实施方式>图M是本发明的第十二实施方式所涉及的半导体装置的示意剖视图，表示与图 17的半导体装置的剖面在同一切断面处的剖面。需要说明的是，在图M中，对与图17所示的各部相当的部分标注与所述各部标注的参照符号相同的参照符号。并且，以下省略对标注有相同参照符号的部分的说明。在半导体装置79中，密封树脂层77绕入半导体芯片72的侧面，成为覆盖该侧面的侧面被覆膜98。此外，在密封树脂层77的更外侧(半导体芯片72的周缘侧)形成有金属膜99。由此，半导体芯片72的侧面由侧面被覆膜98及金属膜99覆盖，通过侧面被覆膜 98及金属膜99形成遮光膜。金属膜99例如由Pd、Ni、Ti、Cr或TiW构成。在这样的半导体装置79的结构中也能够发挥与图17所示的半导体装置71的结构同样的效果。
以上，对本发明的第八 第十二实施方式进行了说明，但本发明也可以通过其他的方式实施。例如，如图25所示，槽83的侧面也可以形成为越靠半导体芯片72的表面侧其间隔越宽的锥形状。这样的锥形状的槽83例如可以通过在图18E所示的工序中采用具有越接近刃尖其厚度越小的剖面大致二字状的刃的切割刃来作为从半导体芯片72的表面侧进入的切割刃。此外，在图17所示的半导体装置71中，举出了作为遮光膜81的材料采用具有对红外线的遮光性的金属材料而作为背面被覆膜82的材料采用树脂材料的结构，但也可以作为遮光膜81的材料采用树脂材料而作为背面被覆膜82的材料采用具有对红外线的遮光性的金属材料(例如，Pd、Ni、Ti、Cr及TiW)。这种情况下，作为遮光膜81的材料的树脂材料优选采用具有对红外线的遮光性的树脂材料，例如、环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺或苯酚等。本发明的实施方式仅是为了明确本发明的技术内容而使用的具体例，本发明不应局限于所述的具体例来进行解释，本发明的精神及范围仅由另附的权利要求书限定。此外，在本发明的各实施方式中表述的构成要件可以在本发明的范围内进行组
I=I O本申请与在2009年11月10日向日本国专利厅提出的特愿2009-256876号及在 2009年11月沈日向日本国专利厅提出的特愿2009-268533号对应，上述申请的全部公开内容通过引用于此被纳入。符号说明L···半导体装置，2…半导体芯片，3…(半导体芯片的)表面，4…(半导体芯片的) 侧面，5···(半导体芯片的)背面，7···电极焊盘，8…焊盘开口，9…密封树脂层，10…(密封树脂层的)表面，11···(密封树脂层的)侧面，12···柱体，13···(柱体的)前端面，14…(柱体的)侧面，15…(柱体的)圆弧面，16…(柱体的)平坦面(侧面)，17…焊料球，18…遮光膜，19···背面被覆膜，20···晶片，22···槽，23···(遮光膜的)第一部分，24···(遮光膜的) 第二部分，25···保护层，31···半导体装置，32···遮光膜，34···槽，35…树脂材料层，41···半导体装置，42···保护膜，43···遮光膜，44…背面被覆膜，45···半导体装置，46…遮光膜，47···金属层，48···树脂层，49···树脂材料层，50···(金属层的)第一部分，51···(金属层的)第二部分，53···半导体装置』4…遮光膜，55···树脂层，56…金属层，57···半导体装置，58…槽， 60…半导体装置，61···焊料球，62···球侧面，63···被覆部分，71···半导体装置，72···半导体芯片，74···电极焊盘，75…焊盘开口，77…密封树脂层，78…柱体，79…半导体装置，80···焊料球，81···遮光膜，82…背面被覆膜，83…槽，86…半导体装置，87…密封树脂层，88···遮光膜，89···槽，90···半导体装置，91···保护膜，92···遮光膜，93···背面被覆膜，94···半导体装置， 95…遮光膜，96···金属层，97···树脂层，98···侧面被覆膜，99···金属膜。
权利要求
1.一种半导体装置，其中，包括 半导体芯片，其具有表面及背面；密封树脂层，其层叠在所述半导体芯片的所述表面上；柱体，其沿厚度方向贯通所述密封树脂层，且具有与所述密封树脂层的侧面成为同一平面的侧面及与所述密封树脂层的表面成为同一平面的前端面； 外部连接端子，其设置在所述柱体的所述前端面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述外部连接端子跨越所述柱体的所述前端面和所述柱体的所述侧面形成。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中， 沿着所述半导体芯片的周缘设置有多个所述柱体，所有的所述柱体的所述侧面与所述密封树脂层的所述侧面成为同一平面。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，还包括钝化膜，其设置在所述半导体芯片与所述密封树脂层之间，且具有多个焊盘开口 ；电极焊盘，其从各所述焊盘开口露出，所述柱体进入所述焊盘开口内，且与所述电极焊盘连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，所述柱体的所述侧面包括与所述密封树脂层接触的俯视C字状的圆弧面。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中， 所述柱体由Cu构成。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，所述外部连接端子包括形成为大致球形状的焊料球，该焊料球从所述柱体的所述前端面绕入所述柱体的所述侧面中的从所述密封树脂层露出的部分，并将该部分覆盖。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述焊料球具有覆盖所述柱体的所述侧面中的从所述密封树脂层露出的部分的被覆部分。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述焊料球的所述被覆部分形成为沿着所述柱体的所述侧面平行延伸的薄膜状。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其中，还包括 背面被覆膜，其覆盖所述半导体芯片的所述背面；遮光膜，其由对红外线具有遮光性的材料构成，且覆盖所述半导体芯片的侧面。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中， 所述背面被覆膜由金属材料构成。
12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其中， 所述遮光膜由金属材料构成。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体装置，其中， 所述遮光膜及所述背面被覆膜一体形成。
14.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其中， 所述遮光膜由树脂材料构成。
15.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其中，所述遮光膜具有由树脂材料构成的层和由金属材料构成的层的层叠构造。
16.根据权利要求11至13中任一项所述的半导体装置，其中， 所述金属材料是从由Pd、Ni、Ti、Cr及TiW构成的组中选择的一种。
17.根据权利要求14或15所述的半导体装置，其中，所述树脂材料是从由环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺及苯酚构成的组中选择的一种。
18.根据权利要求10至17中任一项所述的半导体装置，其中， 所述背面被覆膜的厚度为3 μ m 100 μ m。
19.根据权利要求10至18中任一项所述的半导体装置，其中， 所述遮光膜的厚度为0. 1 μ m 10 μ m。
20.一种半导体装置的制造方法，其中，包括在具有表面及背面的多个半导体芯片形成为作为其集合体的半导体晶片的状态下，在各所述半导体芯片的所述表面上形成柱状的柱体的柱体形成工序；在所述半导体晶片的所述表面上形成密封树脂层的密封工序，其中该密封树脂层具有与所述柱体的前端面成为同一平面的表面；在所述密封工序后，在沿着所述半导体芯片的周缘设定的切割线上形成从所述密封树脂层的所述表面下挖的槽，并使所述柱体的侧面作为该槽的内表面的一部分而露出的槽形成工序；在所述槽形成工序后，在所述柱体的所述前端面上形成相对于所述密封树脂层的所述表面鼓起的端子的端子形成工序；在所述端子形成工序后，将所述半导体晶片沿着所述切割线分割成各所述半导体芯片的工序。
21.根据权利要求20所述的半导体装置的制造方法，其中， 所述密封工序包括在所述半导体晶片的所述表面上以将所述柱体完全覆盖的方式形成密封树脂层的树脂被覆工序；对所述密封树脂层进行研磨直至所述柱体的所述前端面从所述密封树脂层露出的研磨工序。
22.根据权利要求20或21所述的半导体装置的制造方法，其中，分割成所述半导体芯片的工序包括从所述半导体晶片的所述背面下挖所述半导体晶片，从而使所述槽的内侧与所述半导体晶片的所述背面侧连通的切割工序。
23.根据权利要求20或21所述的半导体装置的制造方法，其中，分割成所述半导体芯片的工序包括从所述槽的内侧下挖所述半导体晶片，从而使所述槽的内侧与所述半导体晶片的所述背面侧连通的切割工序。
24.根据权利要求20所述的半导体装置的制造方法，其中，还包括在所述端子形成工序前，通过在所述槽的内表面上覆盖对红外线具有遮光性的遮光性材料而在作为所述槽的所述内表面的一部分露出的所述半导体芯片的侧面上形成遮光膜的工序；在所述端子形成工序后，通过从所述背面侧研磨所述半导体晶片，从而使形成有所述遮光膜的所述槽贯通至所述半导体晶片的所述背面侧的背面研磨工序；在通过所述背面研磨工序而露出的所述半导体晶片的所述背面上形成覆盖该背面的背面被覆膜的工序。
25.根据权利要求M所述的半导体装置的制造方法，其中， 形成所述遮光膜的工序包括在作为所述槽的所述内表面的一部分而露出的所述柱体的所述侧面及所述半导体芯片的所述侧面的整个区域上形成所述遮光膜的工序；通过由相对于该遮光膜具有蚀刻选择比的材料构成的保护层覆盖所述遮光膜中的所述半导体芯片的所述侧面上的第一部分的工序；在通过所述保护层保护所述遮光膜的第一部分的状态下，选择性地除去所述遮光膜中的所述柱体的所述侧面上的第二部分的工序；在除去所述遮光膜的所述第二部分后，将所述保护层完全除去的工序。
26.根据权利要求25所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述背面被覆膜的工序包括形成将多个所述半导体芯片的所述背面一并覆盖的膜的工序，分割成所述半导体芯片的工序包括在所述切割线上将一并覆盖所述半导体芯片的所述背面的所述背面被覆膜切断的工序。
27.根据权利要求25所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述背面被覆膜的工序包括形成分别覆盖多个所述半导体芯片的所述背面的膜的工序，所述背面研磨工序兼作为分割成所述半导体芯片的工序。
28.根据权利要求M所述的半导体装置的制造方法，其中， 形成所述遮光膜的工序包括在作为所述槽的所述内表面的一部分而露出的所述柱体的所述侧面及所述半导体芯片的所述侧面的整个区域上形成第一遮光膜的工序；通过由相对于第一遮光膜具有蚀刻选择比及对红外线具有遮光性的材料构成的第二遮光膜覆盖所述第一遮光膜中的所述半导体芯片的所述侧面上的第一部分的工序；在通过所述第二遮光膜保护所述第一遮光膜的所述第一部分的状态下，选择性地除去所述第一遮光膜中的所述柱体的所述侧面上的第二部分的工序；在除去所述第一遮光膜的所述第二部分后，通过选择性地除去所述第二遮光膜，从而形成具有所述第一遮光膜和所述第二遮光膜的层叠构造的所述遮光膜的工序。
29.根据权利要求观所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一遮光膜及所述第二遮光膜中的一方由金属材料构成，另一方由树脂材料构成。
30.根据权利要求20所述的半导体装置的制造方法，其中，还包括在所述密封工序前以沿着应当形成所述槽的线的方式形成具有与所述槽相同形状的临时槽的工序，所述密封工序包括在形成所述密封树脂层的同时向所述临时槽填充树脂材料的工序， 所述槽形成工序包括通过具有与所述临时槽的宽度相同宽度的第一刃选择性地除去填充的所述树脂材料， 从而使所述柱体的所述侧面露出的工序；通过具有比所述第一刃的宽度小的宽度的第二刃，以使所述树脂材料在所述半导体芯片的所述侧面上残留成膜状的方式选择性地除去所述树脂材料，从而在所述半导体芯片的所述侧面上形成由所述树脂材料构成的遮光膜的工序。
全文摘要
本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置包括半导体芯片，其具有表面及背面；密封树脂层，其层叠在所述半导体芯片的所述表面上；柱体，其沿厚度方向贯通所述密封树脂层，且具有与所述密封树脂层的侧面成为同一平面的侧面及与所述密封树脂层的表面成为同一平面的前端面；外部连接端子，其设置在所述柱体的所述前端面。
文档编号H01L23/00GK102576694SQ201080043870
公开日2012年7月11日 申请日期2010年11月9日 优先权日2009年11月10日
发明者奥村弘守 申请人:罗姆股份有限公司