专利名称：在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体制造工艺，尤其涉及一种通过湿法刻蚀在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺。
背景技术：
图1是现有技术中进行器件单元的轻掺杂离子注入的示意图，图2是现有技术中进行静态随机存储器件的轻掺杂离子注入的示意图，请参见图1、图2，现有的常规轻掺杂漏极(Lightly Doped Drain，简称LDD)注入工艺中采用首先进行器件单元(Core)的轻掺杂漏极注入，然后再进行静态随机存储器件(SRAM)的轻掺杂漏极注入，并没有湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸(CD)的工艺，因此不能调节LDD注入宽度，无法针对不同的器件注入不同的宽度，并且没有相应的优化注入顺序。
发明内容
本发明公开了一种在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，用以解决现有技术中常规轻掺杂漏极注入工艺中没有湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，不能调节轻掺杂漏极注入宽度，并且没有相应的优化注入顺序的问题。本发明的上述目的是通过以下技术方案实现的
一种在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，一半导体器件上设有第一器件和第二器件，其中，步骤a:进行所述第一器件的轻掺杂漏极注入；步骤b 进行湿法刻蚀，以减小所述第一器件的栅极侧壁以及所述第二器件的栅极侧壁的厚度；步骤c 进行所述第二器件的轻掺杂漏极注入。如上所述的在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，在所述步骤a之前包括在半导体器件单元上覆盖光刻胶的工艺步骤。如上所述的在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，所述第一器件暴露在光刻胶的开口中，所述步骤a与步骤b之间还包括去除覆盖在半导体器件的第二器件上的光刻胶的工艺步骤。如上所述的在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，所述步骤b与步骤c之间还包括在所述第一器件上覆盖光刻胶的工艺步骤。如上所述的在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，所述第一器件为静态随机存储器件
如上所述的在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，步骤b 之前进行步骤a，以保证扩散至的静态随机存储器件栅极下方的轻掺杂漏极的宽度较小，进而保证静态随进存储器件的低漏电。如上所述的在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其中，步骤b之后进行步骤C，以保证扩散至第二器件栅极下方的轻掺杂漏极的宽度较大。如上所述的在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，其特征在于，所述湿法刻蚀采用轻浓度氢氟酸湿法刻蚀。综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺解决了现有技术中常规轻掺杂漏极注入工艺中没有湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，不能调节轻掺杂漏极注入宽度，并且没有相应的优化注入顺序的问题，通过将静态随机存储器件的轻掺杂漏极离子注入的顺序提前，完成静态随机存储器件的轻掺杂漏极离子注入后通过湿法刻蚀，减小静态随机存储器件及器件单元的栅极侧壁层的厚度，之后再进行器件单元的轻掺杂漏极离子注入的工艺，在保证了静态随机存储器件的低漏电的前提下，同样保证了器件单元的高性能。
图1是现有技术中进行器件单元的轻掺杂离子注入的示意图2是现有技术中进行静态随机存储器件的轻掺杂离子注入的示意图； 图3是本发明在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的静态随机存储器件的轻掺杂漏极离子注入的示意图4是本发明在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的进行湿法刻蚀后的结构示意图5是本发明在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的器件单元的轻掺杂漏极离子注入的示意图6是本发明在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的流程图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的具体实施方式
作进一步的说明
图6是本发明在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的流程图，请参见图6，一种在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，一半导体器件上设有第一器件和第二器件，如果要使第一器件和第二器件均达到最佳性能，则第一器件与第二器件的轻掺杂漏极注入的宽度不同，第二器件需要的轻掺杂漏极注入宽度要小于第一器件的注入宽度，才能保证两个器件同时达到最佳性能。本发明中的所述第一器件为静态随机存储器件，本发明中的所述第二器件为器件单元。本发明采取的技术方案是
图3是本发明在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的静态随机存储器件的轻掺杂漏极离子注入的示意图，请参见图3，步骤alOl 进行所述第一器件的轻掺杂漏极注入；
图4是本发明在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的进行湿法刻蚀后的结构示意图，请参见图4，步骤bl02 进行湿法刻蚀，以减小所述第一器件的栅极侧壁以及所述第二器件的栅极侧壁的厚度；
图5是本发明在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺的器件单元的轻掺杂漏极离子注入的示意图，请参见图5，步骤cl03 进行所述第二器件的轻掺杂漏极注入，经过步骤bl02的刻蚀后，器件单元的侧壁层的厚度变薄，减小了轻掺杂漏极注入的宽度。本发明中在步骤bl02之前进行步骤alOl，以保证扩散至的静态随机存储器件栅极下方的轻掺杂漏极的宽度较小，进而保证静态随进存储器件的低漏电。本发明中的步骤bl02之后进行步骤cl03，以保证扩散至第二器件栅极下方的轻掺杂漏极的宽度较大。本发明中在所述步骤alOl之前包括在半导体器件单元上覆盖光刻胶的工艺步
马聚ο本发明中所述步骤alOl与步骤bl02之间还包括去除覆盖在半导体器件的器件单元上的光刻胶的工艺步骤。本发明中所述步骤bl02与步骤cl03之间还包括在所述第二器件上覆盖光刻胶的
工艺步骤。本发明中所采取的技术方案并不影响制程的其他工艺，同时还能够起到优化器件性能，提高器件良率的有益效果。本发明中的所述湿法刻蚀采用轻浓度氢氟酸(DHF)湿法刻蚀。综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺解决了现有技术中常规轻掺杂漏极注入工艺中没有湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，不能调节轻掺杂漏极注入宽度，并且没有相应的优化注入顺序的问题。通过将静态随机存储器件的轻掺杂漏极离子注入的顺序提前，完成静态随机存储器件的轻掺杂漏极离子注入后通过湿法刻蚀，减小静态随机存储器件及器件单元的栅极侧壁层的厚度，之后再进行器件单元的轻掺杂漏极离子注入的工艺，在保证了静态随机存储器件的低漏电的前提下，同样保证了器件单元的高性能。以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。
权利要求
1.一种在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，一半导体器件上设有第一器件和第二器件，其特征在于，步骤a 进行所述第一器件的轻掺杂漏极注入；步骤 b 进行湿法刻蚀，以减小所述第一器件的栅极侧壁以及所述第二器件的栅极侧壁的厚度； 步骤c 进行所述第二器件的轻掺杂漏极注入。
2.根据权利要求1所述的在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺， 其特征在于，在所述步骤a之前包括在半导体器件单元上覆盖光刻胶的工艺步骤。
3.根据权利要求1所述的在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺， 其特征在于，所述第一器件暴露在光刻胶的开口中，所述步骤a与步骤b之间还包括去除覆盖在半导体器件的第二器件上的光刻胶的工艺步骤。
4.根据权利要求1所述的在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺， 其特征在于，所述步骤b与步骤c之间还包括在所述第一器件上覆盖光刻胶的工艺步骤。
5.根据权利要求1所述的在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺， 其特征在于，所述第一器件为静态随机存储器件。
6.根据权利要求5所述的在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺， 其特征在于，步骤b之前进行步骤a，以保证扩散至的静态随机存储器件栅极下方的轻掺杂漏极的宽度较小，进而保证静态随进存储器件的低漏电。
7.根据权利要求1所述的在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺， 其特征在于，步骤b之后进行步骤c，以保证扩散至第二器件栅极下方的轻掺杂漏极的宽度较大。
8.根据权利要求1所述的在轻掺杂漏极离子注入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺， 其特征在于，所述湿法刻蚀采用轻浓度氢氟酸湿法刻蚀。
全文摘要
本发明公开了一种在轻掺杂漏极离子植入中调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺，一半导体器件上设有第一器件和第二器件，其中，步骤a进行所述第一器件的轻掺杂漏极注入；步骤b进行湿法刻蚀，以减小所述第一器件的栅极侧壁以及所述第二器件的栅极侧壁的厚度；步骤c进行所述第二器件的轻掺杂漏极注入。本发明通过将静态随机存储器件的轻掺杂漏极离子注入的顺序提前，完成静态随机存储器件的轻掺杂漏极离子注入后通过湿法刻蚀，减小静态随机存储器件及单元器件的栅极侧壁层的厚度，之后再进行单元器件的轻掺杂漏极离子注入的工艺，在保证了静态随机存储器件的低漏电的前提下，同样保证了单元器件的高性能。
文档编号H01L21/768GK102412205SQ20111012366
公开日2012年4月11日 申请日期2011年5月13日 优先权日2011年5月13日
发明者刘格致, 毛刚 申请人:上海华力微电子有限公司