Led封装结构的制作方法

文档序号:7160562阅读:109来源:国知局
专利名称:Led封装结构的制作方法
技术领域
本发明涉及一种LED封装结构,尤其涉及一种具有较佳密合度的LED封装结构。
技术背景
LED产业是近几年最受瞩目的产业之一,发展至今,LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点,然而LED高功率产品为获得所需要的亮度与颜色,在LED封装结构中具有一个反射层设置。所述反射层通常是使用塑料制成,例如,PPA(Polyphthalamide)或是其它高热塑性的塑料。这样以塑料制成的所述反射层在所述封装结构中基板顶面的电极上设置时,由于与所述电极金属性质的材料密合性不佳,因此会直接影响到所述LED封装结构的密合度。目前虽然有在所述电极金属片上先进行打孔的制程运作,然后将具有孔洞的所述电极设置于所述LED封装结构中使用,通过所述孔洞增加所述反射层与所述基板的接触面积,从而提高所述LED封装结构的密合度。但是,以增加所述反射层接触面积的制程方式提高所述LED封装结构的密合度,不但造成工时的增加并使成本提高,实应加强这些提高密合度方式的改善。发明内容
有鉴于此,有必要提供一种可提高密合度、节省成本的LED封装结构。
一种LED封装结构,其包括一个基板、一个LED芯片、一个反射层以及一个封装层。 所述基板包含至少两电极,所述电极设置于所述基板的顶面上,并分别具有一个凸出部位于所述基板的两侧。所述LED芯片设置于所述电极上并与所述电极达成电性连接。所述反射层环绕所述LED芯片,所述封装层覆盖所述基板、所述反射层以及所述LED芯片。
上述LED封装结构,由于所述封装层将所述基板、所述反射层以及所述LED芯片组合的结构自外周围完整地包覆,因此可直接提高所述LED封装结构的密合度,不会增加其它额外的制程使成本增加,同时所述电极具有的所述凸出部,可使所述LED封装结构形成侧向式的构型,方便实际使用时的运用。


图1是本发明LED封装结构的剖视图。
图2是本发明LED封装结构的俯视图。
主要元件符号说明
权利要求
1.一种LED封装结构,其包括一个基板、一个LED芯片、一个反射层以及一个封装层,所述基板包含至少两个电极,所述电极设置于所述基板的顶面上,并分别具有一个凸出部位于所述基板的两侧,所述LED芯片设置于所述电极上并与所述电极达成电性连接,所述反射层环绕所述LED芯片,所述封装层覆盖所述基板、所述反射层以及所述LED芯片。
2.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于所述基板材料可以是陶瓷、硅或是塑料。
3.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于所述至少两个电极在所述基板顶面上具有一个连接区域,其中一个所述连接区域设置所述LED芯片,所述LED芯片通过导电线与所述连接区域电性连接。
4.如权利要求3所述的LED封装结构,其特征在于所述至少两个电极具有不同的极性,一个为正电极,一个为负电极。
5.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于所述反射层设置于所述基板的顶面环绕形成一个杯状凹槽,所述杯状凹槽内嵌入设置所述连接区域,所述杯状凹槽的顶面为所述LED封装结构的出光面。
6.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于所述反射层其材料是塑料或是高分子材料,例如,PPA(Polyphthalamide)塑料或是环氧树脂材料。
7.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于所述反射层与所述封装层是以嵌入成型方式制造。
8.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于所述电极的所述凸出部,由所述封装层左、右两侧面侧向延伸后,再转向所述封装层的后侧面。
9.如权利要求8所述的LED封装结构,其特征在于所述凸出部在所述封装层后侧面的延伸长度至少与所述后侧面平齐。
10.如权利要求8所述的LED封装结构,其特征在于所述LED封装结构为侧向式封装。
11.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于所述封装层,为热塑性或是热固性的透明材料,所述透明材料内可以包含有荧光粉。
全文摘要
本发明提供一种LED封装结构,其包括一个基板、一个LED芯片、一个反射层以及一个封装层。所述基板包含至少两电极,所述电极设置于所述基板的顶面上,并分别具有一个凸出部位于所述基板的两侧。所述LED芯片设置于所述电极上并与所述电极达成电性连接。所述反射层环绕所述LED芯片,所述封装层覆盖所述基板、所述反射层以及所述LED芯片。本发明所述电极的凸出部可形成侧向式的封装结构,所述封装层完整地包覆则可以增加LED封装结构的密合度。
文档编号H01L33/54GK103035811SQ201110292749
公开日2013年4月10日 申请日期2011年9月30日 优先权日2011年9月30日
发明者杨家强, 曾文良 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
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