专利名称：一种led封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及LED领域,尤其涉及一种LED封装结构。
背景技术：
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)是一种能将电能转化为可见光的固态半导体器件，其凭借体积小、能耗少、高亮度、低热量等优点，广泛应用于显示器件上。由于工艺所限，传统的LED封装结构仅仅只能在基板上用金线焊接单颗LED晶片。由于LED封装结构本身散热、固定等要求，其体积一般比较固定，这样LED封装结构仅焊接单颗LED晶片就造成了承载空间的浪费，无法满足器件高度集成的发展要求。
实用新型内容本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，提供一种LED封装结构，以提高LED 封装结构的集成程度。为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提出了一种LED封装结构，包括基板、 该基板一侧的多颗倒装大功率LED晶片、形成于该多颗大功率LED晶片外的荧光胶层，以及在该荧光胶层外压注形成的透明胶层。进一步地，所述大功率LED晶片底面设置有正电极及负电极，所述正电极与负电极之间设置有绝缘层。进一步地，所述大功率LED晶片底面设置有小面积点状排布的电极。进一步地，所述基板电极为或方形或圆形电极。进一步地，所述基板一侧形成有2-10颗大功率LED晶片。进一步地，所述荧光胶层与透明胶层均采用硅胶胶体。进一步地，所述基板为金属基板或陶瓷基板。本实用新型实施例通过提供一种LED封装结构，包括基板、该基板一侧的多颗倒装大功率LED晶片、形成于该多颗大功率LED晶片外的荧光胶层，以及在该荧光胶层外压注形成的透明胶层，从而LED封装结构上可集成多颗倒装大功率LED晶片，以充分利用LED封装结构的承载空间，进一步提高了 LED封装结构的功率及光通量，满足了照明市场高功率 LED的发展需求；而采用倒装大功率LED晶片，不需要金线焊接，节省了金线的开支，缩短了生产周期，提高了生产效率，降低了产品热阻，增加了可靠性。
图I是本实用新型实施例的LED封装结构的主要结构图。图2是本实用新型实施例的大功率LED晶片2的底面结构图。图3是本实用新型另一实施例的大功率LED晶片2的底面结构图。
具体实施方式
[0015]
以下结合附图，对本实用新型实施例进行详细说明。图I是本实用新型实施例的LED封装结构的主要结构图，其主要包括基板I、通过共晶焊工艺或固晶方式形成于该基板I 一侧的2-10颗(这个数量可根据实际情况确定)倒装(Flip Chip)大功率LED晶片2、形成于该多颗大功率LED晶片2外的荧光胶层3，以及在该荧光胶层3外压注形成的透明胶层4。具体地大功率LED晶片2可包括如图2所示的结构，底面设置有用于共晶焊的电极5(包括正极及负极)，电极5上一般可采用小面积点状或正方形、长方形、圆形及其他形状排布的电极，而电极5之间设置有绝缘层8。单颗大功率LED晶片2功率可取1-3W，从而整个LED 封装结构功率可取5W以上。作为一种实施方式，大功率LED晶片可包括如图3所不的结构,底面设置有正电极 6及负电极7,正电极6与负电极7之间设置有绝缘层8。另外，荧光胶层3与透明胶层4可均采用硅胶胶体，而基板I可以为金属基板或陶瓷基板。需要说明的有如下几点I、在将多颗倒装大功率LED晶片通过共晶焊工艺形成于基板一侧时，需要准确固晶到相应位置，并保证良品率；2、荧光胶层的涂覆要保证多颗大功率LED晶片发光光色的一致性；3、多颗大功率LED晶片集成共晶在同一基板上，可实现串、并联工作，从而实现多颗大功率LED晶片的集成封装；4、随着LED晶片工艺的改进，LED封装结构上可承载的LED晶片数量还可以不断增多；5、多颗大功率LED晶片的集成使得基板电路设计十分灵活。以上所述是本实用新型的具体实施方式
，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种LED封装结构，其特征在于，包括基板、该基板一侧的多颗倒装大功率LED晶片、形成于该多颗大功率LED晶片外的荧光胶层，以及在该荧光胶层外压注形成的透明胶层。
2.如权利要求I所述的LED封装结构，其特征在于，所述大功率LED晶片底面设置有正电极及负电极，所述正电极与负电极之间设置有绝缘层。
3.如权利要求I所述的LED封装结构，其特征在于，所述大功率LED晶片底面设置有小面积点状排布的电极。
4.如权利要求3所述的LED封装结构，其特征在于，所述电极为或方形或圆形电极。
5.如权利要求I至4中任一项所述的LED封装结构，其特征在于，所述基板一侧形成有2-10颗大功率LED晶片。
6.如权利要求I至4中任一项所述的LED封装结构，其特征在于，所述荧光胶层与透明胶层均采用硅胶胶体。
7.如权利要求I至4中任一项所述的LED封装结构，其特征在于，所述基板为金属基板或陶瓷基板。
专利摘要本实用新型实施例公开了一种LED封装结构，包括基板、通过共晶焊工艺或固晶方式形成于该基板一侧的多颗倒装大功率LED晶片、形成于该多颗大功率LED晶片外的荧光胶层，以及在该荧光胶层外压注形成的透明胶层，从而LED封装结构上可集成多颗大功率LED晶片，以充分利用LED封装结构的承载空间，进一步提高了LED的功率及光通量，满足了照明市场高功率LED的发展需求。
文档编号H01L33/56GK202352672SQ20112045807
公开日2012年7月25日 申请日期2011年11月17日 优先权日2011年11月17日
发明者万喜红, 易胤炜, 罗龙, 雷玉厚 申请人:深圳市天电光电科技有限公司