专利名称：陶瓷电子部件的制造方法以及陶瓷电子部件的制作方法
技术领域：
本发明涉及陶瓷电子部件的制造方法以及陶瓷电子部件。
背景技术：
目前，例如，人们已较多地利用层叠陶瓷电容器等的陶瓷电子部件。例如，在下述专利文献I中记载着其中一例。在专利文献I中记载的层叠型陶瓷电子部件具有长方体状的陶瓷胚体、第一内部电极以及第二内部电极、和第一外部电极以及第二外部电极。第一内部电极以及第二内部电极在陶瓷胚体的内部沿厚度方向而对置。第一内部电极被引出至陶瓷胚体一侧的端面，第二内部电极被引出至陶瓷胚体另一侧的端面。第一外部电极形成在陶瓷胚体一侧的端面上，并与第一内部电极电连接。第二外部电极形成在陶瓷胚体另一侧的端面上，并与第二内部电极电连接。 另外，在专利文献I中，作为上述层叠型陶瓷电子部件的制造方法，记载下述方法，即，在陶瓷胚体的在内部形成有第一内部电极以及第二内部电极的端面上，通过镀敷来形成第一外部电极以及第二外部电极的方法。专利文献I :W02007/049456A1 号公报但是，在上述专利文献I记载的方法中，存在不能良好地形成第一外部电极以及第二外部电极的情况。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而开发的，其目的在于提供一种能够良好地制造具备与被引出至长方体状的陶瓷胚体端面的内部电极进行电连接并由镀膜构成的外部电极的陶瓷电子部件。本发明涉及一种陶瓷电子部件的制造方法，其中，陶瓷电子部件具备长方体状的陶瓷胚体，其具有沿着长度方向与垂直于长度方向的宽度方向延伸的一对表面、沿着长度方向与垂直于长度方向以及宽度方向的厚度方向延伸的一对表面、以及沿着宽度方向与厚度方向延伸的一对表面共六个表面；多个第一内部电极，其配置在陶瓷胚体的内部，并被引出至陶瓷胚体的六个表面的至少一个；多个第二内部电极，其按照在陶瓷胚体的内部与第一内部电极对置的方式进行配置，并被引出至陶瓷胚体的六个表面的至少一个；第一外部电极，其形成在陶瓷胚体上，并与第一内部电极连接；以及第二外部电极，其形成在陶瓷胚体上，并与第二内部电极连接，第一内部电极以及第二内部电极分别具有相互对置的对置部、以及相互不对置的引出部，该引出部与对置部连接且被引出至陶瓷胚体的表面，第一外部电极以及第二外部电极分别具有形成在陶瓷胚体的正上方的镀膜。在本发明所涉及的陶瓷电子部件的制造方法中，准备在内部已形成多个第一内部电极以及多个第二内部电极的陶瓷胚体。按照第一内部电极所被引出的表面中的第一内部电极的引出部的露出率相对于与陶瓷胚体的该表面平行的剖面中的第一内部电极的引出部的露出率之比，即作为((第一内部电极所被引出的表面中的第一内部电极的引出部的露出率)/(与陶瓷胚体的第一内部电极所被引出的表面平行的剖面中的第一内部电极的引出部的露出率))的第一内部电极露出率成为102% 153%，并且，第二内部电极所被引出的表面中的第二内部电极的引出部的露出率相对于与陶瓷胚体的该表面平行的剖面中的第二内部电极的引出部的露出率之比，即作为((第二内部电极所被引出的表面中的第二内部电极的引出部的露出率)/(与陶瓷胚体的第二内部电极所被引出的表面平行的剖面中的第二内部电极的引出部的露出率))的第二内部电极露出率成为102% 153%的方式对陶瓷胚体进行加工。在所加工的陶瓷胚体上形成镀膜的镀敷。在本发明所涉及的陶瓷电子部件的制造方法的某一特定的情况下，陶瓷胚体具有沿着长度方向与宽度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿着厚度方向与长度方向延伸的第一侧面以及第二侧面、以及沿着 宽度方向与厚度方向延伸的第一端面以及第二端面。多个第一内部电极各自的对置部在陶瓷胚体的内部沿着厚度方向而排列，引出部被引出至第一端面。多个第二内部电极各自的对置部陶瓷胚体的内部被配置于在厚度方向上相邻的第一内部电极之间，引出部被引出至第二端面。在本发明所涉及的陶瓷电子部件的制造方法的其他特定的情况下，陶瓷胚体具有沿着长度方向与宽度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿着厚度方向与长度方向延伸的第一侧面以及第二侧面、以及沿着宽度方向与厚度方向延伸的第一端面以及第二端面。多个第一内部电极各自的对置部在陶瓷胚体的内部沿着宽度方向而排列，引出部被引出至第一主面以及第二主面的至少一方。多个第二内部电极各自的对置部在陶瓷胚体的内部被配置于在宽度方向上相邻的第二内部电极之间，引出部被引出至第一主面以及第二主面的至少一方。本发明所涉及的陶瓷电子部件的制造方法在某一特定的情况下，加工工序中，对陶瓷胚体进行滚筒抛光(barrel polishing)。在本发明所涉及的陶瓷电子部件的制造方法的其他特定的情况下，在镀敷工序中，通过将所加工的陶瓷胚体与导电性介质球投入至镀液中，并进行搅拌来形成镀膜。本发明所涉及陶瓷电子部件具备长方体状的陶瓷胚体、多个第一内部电极、多个第二内部电极、第一外部电极和第二外部电极。陶瓷胚体具有沿着长度方向和垂直于长度方向的宽度方向延伸的一对表面、沿着长度方向与垂直于长度方向以及宽度方向的厚度方向延伸的一对表面、和沿着宽度方向与厚度方向延伸的一对表面共六个表面。多个第一内部电极配置在陶瓷胚体的内部。多个第一内部电极被引出至陶瓷胚体的六个表面的至少一个。多个第二内部电极按照在陶瓷胚体的内部与第一内部电极对置的方式进行配置。多个第二内部电极被引出至陶瓷胚体的六个表面的至少一个。第一外部电极形成在陶瓷胚体上。第一外部电极与第一内部电极连接。第二外部电极形成在陶瓷胚体上。第二外部电极与第二内部电极连接，第一内部电极以及第二内部电极分别具有相互对置的对置部、以及相互不对置的引出部，该引出部与对置部连接且被引出至陶瓷胚体的表面。第一外部电极以及第二外部电极分别具有形成在陶瓷胚体的正上方的镀膜。第一内部电极露出率为102% 153%。第二内部电极露出率为102% 153%。第一内部电极露出率是第一内部电极所被引出的表面中的第一内部电极的引出部的露出率相对于与陶瓷胚体的该表面平行的剖面中的第一内部电极的引出部的露出率之比，即((第一内部电极所被引出的表面中的第一内部电极的引出部的露出率)/(与陶瓷胚体的第一内部电极所被引出的表面平行的剖面中的第一内部电极的引出部的露出率))。第二内部电极露出率是第二内部电极所被引出的表面中的第二内部电极的引出部的露出率相对于与陶瓷胚体的该表面平行的剖面中的第二内部电极的引出部的露出率之比，即((第二内部电极所被引出的表面中的第二内部电极的引出部的露出率)/(与陶瓷胚体的第二内部电极所被引出的表面平行的剖面中的第二内部电极的引出部的露出率))。在本发明所涉及的陶瓷电子部件的某一特定的情况下，陶瓷胚体具有沿着长度方向与宽度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿着厚度方向与长度方向延伸的第一侧面以及第二侧面、以及沿着宽度方向与厚度方向延伸 的第一端面以及第二端面。多个第一内部电极各自的对置部在陶瓷胚体的内部沿着厚度方向而排列，引出部被引出至第一端面。多个第二内部电极各自的对置部被配置于在陶瓷胚体的内部与厚度方向相邻的第一内部电极之间，引出部被引出至第二端面。在本发明所涉及的陶瓷电子部件的其他特定的情况下，陶瓷胚体具有沿着长度方向与宽度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿着厚度方向与长度方向延伸的第一侧面以及第二侧面、以及沿着宽度方向与厚度方向延伸的第一端面以及第二端面。多个第一内部电极各自的对置部在陶瓷胚体的内部沿着宽度方向而排列，引出部被引出至第一主面以及第二主面的至少一方。多个第二内部电极各自的对置部在陶瓷胚体的内部被配置于在宽度方向上相邻的第二内部电极之间，引出部被引出至第一主面以及第二主面的至少一方。发明效果根据本发明，能够提供可良好地制造获得具备与引出至长方体状的陶瓷胚体的端面的内部电极进行电连接并由镀膜构成的外部电极的陶瓷电子部件。
图I是本发明的一实施方式的陶瓷电子部件的概略立体图。图2是图I的线II-II的概略剖面图。图3是图I的线III-III的概略剖面图。图4是本发明的一实施方式中的滚筒抛光前的陶瓷胚体的概略剖面图。图5是放大了图4的V部分的概略剖面图。图6是放大了图4的VI部分的概略剖面图。图7是本发明的一实施方式中的滚筒抛光后的陶瓷胚体的概略剖面图。图8是用于说明本发明的一实施方式中的镀敷工序的概略剖面图。图9是用于说明比较例中的镀敷工序的概略剖面图。图10是用于说明内部电极露出率的测定位置的示意图。图11是用于说明外部电极的剥离工序的示意图。图12是第二实施方式所涉及的陶瓷电子部件的概略立体图。图13是沿着第二实施方式所涉及的陶瓷电子部件的长度方向L以及厚度方向T的概略剖面图。图14是沿着第二实施方式所涉及的陶瓷电子部件的长度方向L以及厚度方向T的概略剖面图。符号说明
I…陶瓷电子部件10…陶瓷胚体IOa…第一主面IOb…第二主面IOc…第一侧面
IOd…第二侧面 IOe…第一端面IOf…第二端面11…第一内部电极12…第二内部电极13…第一外部电极14…第二外部电极15…陶瓷层20…导电性介质球30…滚筒抛光前的陶瓷胚体30e，30f …端面
具体实施例方式以下，以图I所示的陶瓷电子部件I的制造方法为例，对实施本发明的优选方式进行说明。但是，下述陶瓷电子部件I的制造方法仅仅只是一个例示。本发明所涉及的陶瓷电子部件的制造方法并不仅限于下述陶瓷电子部件I的制造方法。(陶瓷电子部件I的构成)图I是本实施方式的陶瓷电子部件的概略立体图。图2是图I的线II-II的概略剖面图。图3是图I的线III-III的概略剖面图。首先，参照图I 图3，对本实施方式中制造的陶瓷电子部件I的构成进行说明。如图I 图3所示，陶瓷电子部件I具备陶瓷胚体10。陶瓷胚体10形成为长方体状。陶瓷胚体10具有第一主面IOa以及第二主面10b、第一侧面IOc以及第二侧面IOcU第一端面IOe以及第二端面10f。第一主面IOa以及第二主面IOb分别沿着长度方向L以及宽度方向W延伸。第一侧面IOc以及第二侧面IOd分别沿着长度方向L以及厚度方向T延伸。第一端面IOe以及第二端面IOf分别沿着宽度方向W以及厚度方向T延伸。另外，长度方向L与宽度方向W相互垂直。厚度方向T分别与长度方向L以及宽度方向W垂直。本发明中，“长方体”也包含角部或棱线部被倒角或倒棱后的长方体。即，陶瓷胚体10也可以形成为角部或棱线部至少一部分被倒角或倒棱后的长方体状。在本实施方式中，陶瓷胚体10是由多个陶瓷层15沿着厚度方向T进行层叠后的层叠体所构成。陶瓷层15的厚度优选为O. 5 μ m 10 μ m。陶瓷胚体10由适宜的陶瓷材料所形成。构成陶瓷胚体10的陶瓷材料能够根据陶瓷电子部件I的特性等来适宜地选择。例如，陶瓷电子部件I为陶瓷电容器元件的情况下，陶瓷胚体10能够由以电介质陶瓷为主成分的材料来形成。作为电介质陶瓷的具体例,例如能举出BaTi03、CaTiO3>SrTiO3、CaZrO3等。另外，在陶瓷基体10中也可适宜添加例如Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等的副成分。
另外，例如，在陶瓷电子部件I是陶瓷压电元件的情况下，能用压电陶瓷为主成分的材料来形成陶瓷基体10。作为压电陶瓷材料的具体例，例如能举出PZT(锆钛酸铅)系陶瓷材料等。在陶瓷电子部件I是热敏电阻元件的情况下，例如能用半导体陶瓷材料来形成陶瓷基体10。作为半导体陶瓷材料的具体例，例如能举出尖晶石系陶瓷材料等。在陶瓷电子部件I是电感器元件的情况下，例如能用磁性体陶瓷材料来形成陶瓷基体10。作为磁性体陶瓷材料的具体例，例如能举出铁氧体陶瓷等。在陶瓷胚体10的内部设置有多个第一内部电极11与多个第二内部电极12。第一内部电极11以及第二内部电极12在陶瓷胚体10的内部分别沿着厚度方向T而排列。第一内部电极11以及第二内部电极12沿着厚度方向T交替地排列。由此，第二内部电极12被配置在厚度方向T上相邻的第一内部电极11之间。第一内部电极11以及第二内部电极12的一部分彼此隔着陶瓷层15而在厚度方向T上对置。第一内部电极11引出至第一端面IOe0第一内部电极11不从第二端面10f、第一主面IOa及第二主面IOb以及第一侧面IOc以及第二侧面IOd上露出。第二内部电极12引出至第二端面IOf。第二内部电极12不从第一端面10e、第一主面IOa以及第二主面IOb及第一侧面IOc以及第二侧面IOd露出。第一内部电极11与第二内部电极12分别具有在厚度方向T上相互对置的对置部，以及在厚度方向T上相互不对置的引出部，且引出部与对置部连接且引出至第一端面IOe或第二端面10f。在本实施方式中，对置部的宽度方向W的幅宽与引出部的宽度方向的幅宽相同。由此，第一内部电极11以及第二内部电极12分别为矩形状。另外,在第一端面IOe中，相邻的第一内部电极11也可以连接。在第一端面IOe中，相邻的第一内部电极11分离的情况下，相邻的第一内部电极11间的距离优选为7pm以下。如此这样，能够在第一端面IOe的位于第一内部电极11间的部分上可靠地形成镀膜。相同地，在第二端面IOf中，相邻的第二内部电极12也可以连接。在第二端面IOf 中，相邻的第二内部电极12分离的情况下，相邻的第二内部电极12间的距离优选为7 以下。如此这样，能够在第二端面IOf的位于第二内部电极12间的部分上可靠地形成镀膜。第一内部电极11以及第二内部电极12的厚度优选为0. 3iim 2. Oiim。陶瓷胚体10的第一端面IOe上形成有第一外部电极13。第一外部电极13与第一内部电极11连接。另一方面，陶瓷胚体10的第二端面IOf上形成有第二外部电极14。第二外部电极14与第二内部电极12连接。另外，本实施方式中，第一外部电极13以及第二外部电极14仅形成在第一端面IOe或第二端面IOf上，但是，也可以是第一外部电极13以及第二外部电极14各自的一部分形成在主面10a、10b或侧面10c、10d上。在本实施方式中，第一外部电极13以及第二外部电极14分别由镀膜构成。不过，在本发明中，第一外部电极以及第二外部电极也可以分别通过最靠陶瓷胚体10侧的层为镀膜的方式来构成，再层叠镀膜以外的层即可。另外，第一外部电极以及第二外部电极分别也可以由多个镀膜的层叠体来构成。镀膜每I层的厚度优选为I U m 15 ii m。作为构成第一、第二外部电极的金属，例如能够利用从Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au、Sn、Pd、Bi以及Zn构成的群中选择的I种金属或者包含该金属的合金。镀膜优选不含玻璃成分。另外，镀膜的单位体积的金属比例优选为99体积％以上。第一内部电极11以及第二内部电极12和第一外部电极13以及第二外部电极14的材质只要具有导电性即可，并不特别限定。第一内部电极11以及第二内部电极12例如能够由Ni、Cu、Ag、Pd、Au等的金属或包含这些金属中的至少一种的合金来形成。用于构成第一外部电极13以及第二外部电极14的镀膜例如能够由Cu、Ni、Sn、Pb、Au、Ag、Pd、Bi、Zn等金属或包含这些金属中的一种以上的金属的合金来形成。另外，第一内部电极11以及第二内部电极12的材质与第一外部电极13以及第二外部电极14的材质优选为相互间接合性好的材质。例如,第一内部电极11以及第二内部电极12由Ni或Ni合金构成的情况下，第一外部电极13以及第二外部电极14优选由Cu或者Cu合金构成的镀膜来形成。(陶瓷电子部件I的制造方法) 图4是本实施方式中的滚筒抛光前的陶瓷胚体的概略剖面图。图5是将图4的V部分放大后的概略剖面图。图6是将图4的VI部分放大后的概略剖面图。图7是本实施方式中的滚筒抛光后的陶瓷胚体的概略剖面图。图8是用于说明本实施方式中的镀敷工序的概略剖面图。接下来，参照图4 图8以及图I主要对陶瓷电子部件I的制造方法的一例进行详细说明。首先，准备用于形成陶瓷胚体10的陶瓷生片(green sheet)。陶瓷生片，例如能够通过丝网印刷法等的各种印刷法来形成。接下来，通过在陶瓷生片上印刷导电性膏而形成内部电极形成用图案。另外，内部电极形成用图案的能够通过丝网印刷法等来进行。内部电极形成用图案的印刷中所利用的膏也可以是除了导电性微粒子之外还包含有机粘合剂或有机溶剂的膏。接下来，将未形成有内部电极形成用图案的外层部形成用的陶瓷生片进行多层层叠，在其上依次层叠已印刷有内部电极形成用图案的陶瓷生片，并且在其上层叠多层未印刷有内部电极形成用图案的外层部形成用的陶瓷生片，由此制成母层叠体。另外，也可利用静水压挤压装置等在层叠方向上挤压母层叠体。接下来，通过对未加工的陶瓷层叠体进行焙烧，获得图4所示的陶瓷胚体30。焙烧温度能够基于陶瓷层叠体的组成等而适宜地设定。焙烧温度例如能够设为900°C 1300°C程度。在此，陶瓷生片与内部电极形成用图案在焙烧时中的收缩量不同。一般而言，较之于陶瓷生片，内部电极形成用图案较大地收缩。由此，如图5或图6所示，通过焙烧内部电极形成用图案而形成的第一内部电极11以及第二内部电极12成为从陶瓷胚体30的端面30e、30f向后退缩的状态。由此，如图8所示，以第一内部电极11以及第二内部电极12作为起点，即使在陶瓷胚体30的端面30e、30f上施镀，也会存在介质球120不能与第一内部电极11以及第二内部电极12接触的情况。由此，由第一内部电极11以及第二内部电极12起镀层不能较好地生长，从而存在不能适宜地形成第一外部电极13以及第二外部电极14的情形。相对于此，本实施方式中，在进行基于镀敷的第一外部电极13以及第二外部电极14的形成工序之前，进行陶瓷胚体30的加工工序。具体而言，对陶瓷胚体30进行湿式滚筒抛光。由此，抛光端面30e、30f的表层,使第一内部电极11以及第二内部电极12露出。由此，获得如图7所示的陶瓷胚体10。具体而言，以使得内部电极露出率为102 153 %地进行湿式滚筒抛光。在此,“内部电极露出率”包含第一内部电极露出率、第二内部电极露出率。“第一内部电极露出率”是，第一内部电极所被引出的表面中的第一内部电极的引出部的露出率相对于与陶瓷胚体的该表面平行的剖面中的第一内部电极的引出部的露出率之间的比((第一内部电极所被引出的表面中的第一内部电极的引出部的露出率)/(与陶瓷胚体的第一内部电极所被引出的表面平行的剖面中的第一内部电极的引出部的露出率))。第二内部电极露出率是，第二内部电极所被弓I出的表面中的第二内部电极的引出部的露出率相对于与陶瓷胚体的该表面平行的剖面中的第二内部 电极的引出部的露出率之间的比((第二内部电极所被引出的表面中的第二内部电极的引出部的露出率)/(与陶瓷胚体的第二内部电极所被引出的表面平行的剖面中的第二内部电极的引出部的露出率))。具体而言，在本实施方式中，以使得第一内部电极11所被引出的第一端面IOe中的第一内部电极11的引出部的露出率相对于与陶瓷胚体10的第一端面IOe平行的剖面中的第一内部电极11的引出部的露出率之间的比((第一内部电极11所被引出的第一端面IOe中的第一内部电极11的引出部的露出率)/(与陶瓷胚体10的第一端面IOe平行的剖面中的第一内部电极11的引出部的露出率))、以及第二内部电极12所被引出的第二端面IOf中的第二内部电极12的引出部的露出率相对于与陶瓷胚体10的第二端面IOf平行的剖面中的第二内部电极12的引出部的露出率之间的比((第二内部电极12所被引出的第二端面IOf中的第二内部电极12的引出部的露出率)/(与陶瓷胚体10的第二端面IOf 平行的剖面中的第二内部电极12的引出部的露出率))这两者成为102 153%地进行湿式滚筒抛光。另外，除湿式滚筒抛光外，也可以进行干式滚筒抛光、以喷砂抛光进行抛光。在此，内部电极露出率是指，在第一端面IOe以及第二端面IOf各自中的第一内部电极11以及第二内部电极12的露出率相对于在沿着陶瓷胚体10的宽度方向W以及厚度方向T的剖面中的第一内部电极11以及第二内部电极12的露出率之间的比((第一端面IOe以及第二端面IOf的各自中的第一内部电极11以及第二内部电极12的露出率)/(沿着陶瓷胚体10的宽度方向W以及厚度方向T的剖面中的第一内部电极11以及第二内部电极12的露出率))。能按照以下要领来测定该内部电极露出率。首先，进行对端面10e、10f的EDX映射。由此，计算端面10e、10f中的内部电极11、12的特定成分相对于陶瓷胚体10的特定成分的比((内部电极11、12的特定成分)/(陶瓷胚体10的特定成分))。例如，内部电极11、12主要包含Ni为主成分，陶瓷胚体10包含Ti或者Ba为主成分的情况下，通过端面10e、10f中的Ni/Ti或Ni/Ba来计算各自的主成分的比。另外，在而后记载的实施例中，计算Ni/Ba。另外，第一内部电极的引出形式与第二内部电极的引出形式实质为相同的情况下，第一内部电极露出率与第二内部电极露出率实质上成为相同。由此，第一内部电极露出率为规定的范围的情况下，可视为第二内部电极露出率也为规定的范围，只要对第一内部电极以及第二内部电极露出率中其中一者进行评价即可。接下来，对陶瓷胚体10的端面10e、10f 进行IOiim程度的抛光，使剖面露出。接下来，计算出在该剖面中的内部电极11、12的特定成分相对于陶瓷胚体10的特定成分的比((内部电极11、12的特定成分)/(陶瓷胚体10的特定成分))。例如，计算剖面中的Ni/Ba。接下来，通过将端面10e、10f中的((内部电极11、12的特定成分)/(陶瓷胚体10的特定成分))除以剖面中的((内部电极11、12的特定成分)/(陶瓷胚体10的特定成分))来计算内部电极露出率。另外，在此，记载着对陶瓷胚体10的端面10e、10f进行ΙΟμπι程度的抛光，陶瓷胚体10的各端面10e、10f中，不是第一内部电极11以及第二内部电极12各自露出，而只要仅第一内部电极11以及第二内部电极12从端面10e、10f露出的范围即可,也可以不是ΙΟμπι程度。即，内部电极露出率成为(端面10e、10f中的((内部电极11、12的特定成分)/(陶瓷胚体10的特定成分)))/ (剖面中的((内部电极11、12的特定成分)/ (陶瓷胚体10的特定成分)))。具体而言，例如，内部电极11、12包含以Ni为主成分，陶瓷胚体10包含Ba为主成分的情况下，内部电极露出率成为(端面10e、10f中的Ni/Ba)/(剖面中的Ni/Ba)。接下来，通过进行镀敷工序，形成用于构成第一外部电极13以及第二外部电极14的镀膜。具体而言，将陶瓷胚体10与导电性介质球20投入至镀液中，通过搅拌来形成镀膜。如此地，在本实施方式中，由于对内部电极露出率为102 153%的陶瓷胚体10进行施镀，如图9所示，导电性介质球20能够与内部电极11、12可靠地接触。由此，能够可靠地形成用于构成第一外部电极13以及第二外部电极14的镀膜。另外，镀膜的形成可通过电解镀来进行，也可以由非电解镀来进行。不过，通过非电解镀来形成镀膜时，需进行基于催化剂等的前处理，由于陶瓷电子部件I的制造工序有变繁杂的倾向，所以优选通过电解镀来形成镀膜。(实验例)以下述条件来制作具有与上述实施方式所涉及的陶瓷电子部件I实质的相同的构成的陶瓷电子部件。另外，关于实验例I 6的各例，分别制作105个样品。陶瓷电子部件的尺寸长度I. Omm,幅宽O. 5mm,高度O. 5mm(尺寸公差±0. 2mm)陶瓷胚体的材质钛酸钡系电介质陶瓷内部电极以Ni为主成分。陶瓷层的厚度0· 7 μ m内部电极的总数445层额定电压4. OV静电容量10 μ F陶瓷胚体的滚筒抛光加工条件工法湿式滚筒法转数250rpm介质PSZ(局部稳定化错)I <i>/150cc粉末氧化铝/50ccPOT 容积340cc加工时间0分(实验例I)，10分(实验例2)，20分(实验例3)，30分(实验例4)，40分(实验例5)，50分(实验例6)
镀膜的形成条件镀膜厚度约5 μ m的Cu镀膜
电镀槽ρΗ8·8，55°C工法水平旋转滚筒法转数IOrpm导电性介质1.8mm Φ电流密度X 时间0· 30A/dm2X150min(内部电极露出率的计算)实验例I 6中的内部电极露出率按照以下要领来求取。另外，内部电极露出率针对各实验例I 6分别提取5个样品，进行了测定。I)对制作的样品的外部电极进行电解剥离，使陶瓷胚体的端面露出。其后，利用EDX映射来求取陶瓷胚体的端面中的Ni/Ba值(Ni与Ba的比率)。2)对抛光加工后的陶瓷胚体的端面进行IOym程度的抛光，使内部电极与陶瓷为共处同一面的状态的剖面(图7的线A-A所示的剖面图)露出。接下来，利用EDX映射来求取该剖面中的Ni/Ba值(Ni和Ba的比率)。3)基于上述1)、2)的结果，求取了内部电极露出率=(端面中的Ni/Ba值)/(剖面中的Ni/Ba值)。4)通过上述I) 3)，图10所示的部分A D(部分B、C是比位于最外层的内部电极更靠向厚度方向的中心20 μ m的位置。部分C、D是比内部电极的宽度方向端部更靠向厚度方向的中心20μπι的位置。)的4个位置处，纵150μπιΧ横200μπι的视野范围内，求取内部电极露出率。其结果如下述的表I所示。另外，表I的内部电极露出率是5个样品的平均值。
另外，陶瓷电子部件中的内部电极露出率能够通过将外部电极进行电解剥离而使陶瓷胚体的端面露出，来进行测定。例如，外部电极由Cu镀膜构成的情况下，如图11所示，在硫氧化铜水溶液40中，插入由Cu板构成的阴极41以及阳极42。接下来，将要进行电解剥离的样品43放在阳极42侧的Cu板上，流过电流。由此，样品43的Cu镀膜在硫酸铜水溶液40中溶解出。通过上述处理能够除去Cu镀膜。(外部电极的成膜的可否的判定)接下来，将各实验例的样品100个用于进行外部电极的成膜的可否的判定。具体而言，对镀膜是否完全覆盖内部电极以及各内部电极间的陶瓷胚体的表面进行观察。其结果，关于100个的所有样品，在判断为镀膜完全覆盖内部电极以及各内部电极间的陶瓷胚体的表面的情况下，判断为“G”，而判断出镀膜未完全覆盖内部电极以及各内部电极间的陶瓷胚体的表面，存在有未覆盖内部电极或者各内部电极间的陶瓷胚体的表面的样品的情况下，判断为“NG”。其结果如下述表I所示。另外，即使将滚筒抛光时间较长地设定，内部电极露出率也不超过153%而继续增大。这是由于以下的理由。通过滚筒抛光来削磨陶瓷胚体，内部电极的露出率变大，从此更进一步地通过滚筒抛光来削磨陶瓷胚体时，内部电极也通过滚筒的介质而挤压。其结果，内部电极向横向延伸，横向延伸的内部电极将成为跨架于陶瓷胚体的表面上的形式，按照不会通过滚筒抛光而使陶瓷胚体进一步被削除的方式起到保护作用。另外，内部电极某种程度地向横向延伸时，即使进一步进行滚筒抛光，内部电极不再延伸也被认为是其中的一个原因。
权利要求
1.一种陶瓷电子部件的制造方法，其中， 所述陶瓷电子部件具备 长方体状的陶瓷胚体，其具有沿着长度方向与垂直于所述长度方向的宽度方向延伸的一对表面、沿着所述长度方向与垂直于所述长度方向以及所述宽度方向的厚度方向延伸的一对表面、和沿着所述宽度方向与所述厚度方向延伸的一对表面共六个表面； 多个第一内部电极，配置在所述陶瓷胚体的内部，并被引出至所述陶瓷胚体的所述六个表面的至少一个； 多个第二内部电极，按照在所述陶瓷胚体的内部与所述第一内部电极对置的方式进行配置，并被引出至所述陶瓷胚体的所述六个表面的至少一个； 第一外部电极，其形成在所述陶瓷胚体上，并与所述第一内部电极连接；以及 第二外部电极，其形成在所述陶瓷胚体上，并与所述第二内部电极连接， 所述第一内部电极以及所述第二内部电极分别具有相互对置的对置部、以及相互不对置的引出部，该引出部与所述对置部连接且被引出至所述陶瓷胚体的表面， 所述第一外部电极以及所述第二外部电极分别具有形成在所述陶瓷胚体的正上方的镀膜， 所述陶瓷电子部件的制造方法包括 准备在内部已形成多个所述第一内部电极以及多个所述第二内部电极的陶瓷胚体的工序； 按照所述第一内部电极所被引出的表面中的所述第一内部电极的所述引出部的露出率相对于与所述陶瓷胚体的该表面平行的剖面中的第一内部电极的所述引出部的露出率之比，即作为((所述第一内部电极所被引出的表面中的所述第一内部电极的所述引出部的露出率)/(与所述陶瓷胚体的所述第一内部电极所被引出的表面平行的剖面中的第一内部电极的所述引出部的露出率))的第一内部电极露出率成为102% 153%，并且所述第二内部电极所被引出的表面中的所述第二内部电极的所述引出部的露出率相对于与所述陶瓷胚体的该表面平行的剖面中的第二内部电极的所述引出部的露出率之比，即作为((所述第二内部电极所被引出的表面中的所述第二内部电极的所述引出部的露出率)/(与所述陶瓷胚体的所述第二内部电极所被引出的表面平行的剖面中的第二内部电极的所述引出部的露出率))的第二内部电极露出率成为102% 153%的方式，对所述陶瓷胚体进行加工的加工工序；以及 在所加工的所述陶瓷胚体上形成所述镀膜的镀敷工序。
2.根据权利要求I所述的陶瓷电子部件的制造方法，其中， 所述陶瓷胚体具有沿着所述长度方向与所述宽度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿着所述厚度方向与所述长度方向延伸的第一侧面以及第二侧面、以及沿着所述宽度方向与所述厚度方向延伸的第一端面以及第二端面， 多个所述第一内部电极各自的所述对置部在所述陶瓷胚体的内部沿着所述厚度方向而排列，所述引出部被引出至所述第一端面， 多个所述第二内部电极各自的所述对置部在所述陶瓷胚体的内部被配置于在所述厚度方向上相邻的所述第一内部电极之间，所述引出部被引出至所述第二端面。
3.根据权利要求I所述的陶瓷电子部件的制造方法，其中，所述陶瓷胚体具有沿着所述长度方向与所述宽度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿着所述厚度方向与所述长度方向延伸的第一侧面和第二侧面、以及沿着所述宽度方向与所述厚度方向延伸的第一端面以及第二端面， 多个所述第一内部电极各自的所述对置部在所述陶瓷胚体的内部沿着所述宽度方向而排列，所述引出部被引出至所述第一主面以及所述第二主面的至少一方， 多个所述第二内部电极各自的所述对置部在所述陶瓷胚体的内部被配置于在所述宽度方向上相邻的所述第二内部电极之间，所述引出部被引出至所述第一主面以及所述第二主面的至少一方。
4.根据权利要求I至3中任意一项所述的陶瓷电子部件的制造方法，其中， 在所述加工工序中，对所述陶瓷胚体进行滚筒抛光。
5.根据权利要求I至4中任意一项所述的陶瓷电子部件的制造方法，其中， 在所述镀敷工序中，通过将所加工的所述陶瓷胚体与导电性介质球投入至镀液中，并进行搅拌，来形成所述镀膜。
6.一种陶瓷电子部件，其具备 长方体状的陶瓷胚体，其具有沿着长度方向与垂直于所述长度方向的宽度方向延伸的一对表面、沿着所述长度方向与垂直于所述长度方向以及所述宽度方向的厚度方向延伸的一对表面、和沿着所述宽度方向与所述厚度方向延伸的一对表面共六个表面； 多个第一内部电极，配置在所述陶瓷胚体的内部，并被引出至所述陶瓷胚体的所述六个表面的至少一个； 多个第二内部电极，按照在所述陶瓷胚体的内部与所述第一内部电极对置的方式进行配置，并被引出至所述陶瓷胚体的所述六个表面的至少一个； 第一外部电极，其形成在所述陶瓷胚体上，并与所述第一内部电极连接；以及 第二外部电极，其形成在所述陶瓷胚体上，并与所述第二内部电极连接， 所述第一内部电极以及所述第二内部电极分别具有相互对置的对置部、以及相互不对置的引出部，该引出部与所述对置部连接且被引出至所述陶瓷胚体的表面， 所述第一外部电极以及所述第二外部电极分别具有形成在所述陶瓷胚体的正上方的镀膜， 所述第一内部电极所被引出的表面中的所述第一内部电极的所述引出部的露出率相对于与所述陶瓷胚体的该表面平行的剖面中的第一内部电极的所述引出部的露出率之比，即作为((所述第一内部电极所被引出的表面中的所述第一内部电极的所述引出部的露出率)/(与所述陶瓷胚体的所述第一内部电极所被引出的表面平行的剖面中的第一内部电极的所述引出部的露出率))的第一内部电极露出率成为102% 153%，并且，所述第二内部电极所被引出的表面中的所述第二内部电极的所述引出部的露出率相对于与所述陶瓷胚体的该表面平行的剖面中的第二内部电极的所述引出部的露出率之比，即作为((所述第二内部电极所被引出的表面中的所述第二内部电极的所述引出部的露出率)/(与所述陶瓷胚体的所述第二内部电极所被引出的表面平行的剖面中的第二内部电极的所述引出部的露出率))的第二内部电极露出率成为102% 153%。
7.根据权利要求6所述的陶瓷电子部件，其中， 所述陶瓷胚体具有沿着所述长度方向与所述宽度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿着所述厚度方向与 所述长度方向延伸的第一侧面以及第二侧面、以及沿着所述宽度方向与所述厚度方向延伸的第一端面以及第二端面， 多个所述第一内部电极各自的所述对置部在所述陶瓷胚体的内部沿着所述厚度方向而排列，所述引出部被引出至所述第一端面， 多个所述第二内部电极各自的所述对置部在所述陶瓷胚体的内部被配置于在所述厚度方向上相邻的所述第一内部电极之间，所述引出部被引出至所述第二端面。
8.根据权利要求6所述的陶瓷电子部件，其中， 所述陶瓷胚体具有沿着所述长度方向与所述宽度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿着所述厚度方向与所述长度方向延伸的第一侧面以及第二侧面、以及沿着所述宽度方向与所述厚度方向延伸的第一端面以及第二端面， 多个所述第一内部电极各自的所述对置部在所述陶瓷胚体的内部沿着所述宽度方向而排列，所述引出部被引出至所述第一主面以及所述第二主面的至少一方， 多个所述第二内部电极各自的所述对置部在所述陶瓷胚体的内部被配置于在所述宽度方向上相邻的所述第二内部电极之间，所述引出部被引出至所述第一主面以及所述第二主面的至少一方。
全文摘要
提供一种能够良好地制造陶瓷电子部件的方法，获得具备与被引出至长方体状的陶瓷胚体的端面的内部电极电连接且由镀膜构成的外部电极的陶瓷电子部件。准备在内部已形成多个第一内部电极(11)以及多个第二内部电极(12)的陶瓷胚体(30)。进行按照内部电极露出率成为102％～153％的方式对陶瓷胚体(30)加工的加工工序。进行在所加工的陶瓷胚体(10)上形成镀膜的镀敷工序。
文档编号H01G4/30GK102623177SQ20121000901
公开日2012年8月1日 申请日期2012年1月12日 优先权日2011年1月26日
发明者元木章博, 小川诚, 岩永俊之, 川崎健一, 片山照代, 竹内俊介 申请人:株式会社村田制作所