专利名称：氧化铝陶瓷基板1瓦8dB衰减片的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种氧化铝陶瓷衰减片，特别涉及一种氧化铝陶瓷基板I瓦SdB的衰减片。
背景技术：
目前集成了三个膜状电阻设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率 ，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。由于国外对同类产品的研发与制造比国内起步早，无论在产品系列还是产品特性上都处于优势地位。同时国内市场上现有的衰减片衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻抗满足50± I. 5 Q，在3G频段以内衰减精度为8 ±0. 5dB,驻波要求输入、输出端在I. 2以内，能够满足目前3G网络的应用要求的功率氧化铝陶瓷基板I瓦SdB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案一种氧化铝陶瓷基板I瓦8dB衰减片，其包括一尺寸为2*3. 5*0. 635MM的氧化铝基板，所述氧化铝基板的背面印刷有背导层，所述氧化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氧化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。优选的，所述膜状电阻上印刷有玻璃保护膜。优选的，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。上述技术方案具有如下有益效果该氧化铝陶瓷基板I瓦SdB衰减片衰减电路处于一个完全对称的状态，使得电路的稳定性得到提升，同时客户在使用时不需要刻意的区分输入端和输出端，极大的方便了客户，也减少了客户在生产中因为输入输出端焊接错误导致不良品的产生。同时这种设计尽可能增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式
由以下实施例及其附图详细给出。
图I为本发明实施例的结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。如图I所示，该氧化铝陶瓷基板I瓦8dB衰减片包括一尺寸为2*3. 5*0. 635MM的氧化铝基板1，氧化铝基板I的背面印刷有背导层，氧化铝基板I的正面印刷有导线2及膜状电阻R1、R2、R3，膜状电阻R1、R2、R3通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过银浆与背导层电连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿氧化铝基板的中心线对称，膜状电阻Rl、R2、R3上印刷有玻璃保护膜3，导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，这样可对导线2及膜状电阻Rl、R2、R3形成保护。该氧化铝陶瓷基板I瓦SdB衰减片要求输入端和接地的阻抗为50± I. 5 Q，输出端和接地端的阻抗为50±1. 5Q。信号输入端进入衰减片，经过膜状电阻R1、R3、R2对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。 该氧化铝陶瓷基板I瓦8dB衰减片衰减电路处于一个完全对称的状态，使得电路的稳定性得到提升，同时客户在使用时不需要刻意的区分输入端和输出端，极大的方便了客户，也减少了客户在生产中因为输入输出端焊接错误导致不良品的产生。同时这种设计尽可能增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。以上对本发明实施例所提供的一种氧化铝陶瓷基板I瓦SdB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种氧化铝陶瓷基板I瓦8dB衰减片，其包括一尺寸为2*3. 5*0. 635MM的氧化铝基板，所述氧化铝基板的背面印刷有背导层，所述氧化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氧化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。
2.根据权利要求I所述的氧化铝陶瓷基板I瓦SdB衰减片，其特征在于所述膜状电阻上印刷有玻璃保护膜。
3.根据权利要求I所述的氧化铝陶瓷基板I瓦SdB衰减片，其特征在于所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。
全文摘要
本发明公开了一种氧化铝陶瓷基板1瓦8dB衰减片，其包括一尺寸为2*3.5*0.63mm的氧化铝基板，所述氧化铝基板的背面印刷有背导层，所述氧化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氧化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和表面电阻率来获得需要的衰减值，通过导线的设计，来获得较好的驻波特性。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
文档编号H01P1/22GK102723553SQ201210216599
公开日2012年10月10日 申请日期2012年6月28日 优先权日2012年6月28日
发明者陈建良 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司