专利名称：大功率led封装结构的制作方法
技术领域：
大功率LED封装结构技术领域[0001]本实用新型涉及一种LED，特别是一种大功率LED封装结构。
背景技术：
[0002]大功率LED生产过程中，在大功率LED的半导体芯片做好后，为了使半导体芯片免受机械应力、热应力、有害气体以及放射线等外部环境的影响，需要对半导体芯片进行封装和保护处理。封装后一方面可以保证半导体器件最大限度的发挥它的电学特性而正常工作，提高其使用寿命，另一方面通过封装也将会使应用更加方便。[0003]随着大功率LED的进一步推广运用，用户对大功率LED的可靠性要求越来越高，不适当的封装结构会降低LED生产的成品率，缩短大功率LED的使用寿命，降低企业的生产效率，提高产品的生产成本，因此，研发更为完善先进的LED封装结构具有重要的现实意义。发明内容[0004]本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种封装结构设计更为合理、封装操作方便、封装效果好的一种大功率LED封装结构。[0005]本实用新型所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本实用新型是一种大功率LED封装结构，其特点是该封装结构包括铜制或铝制的散热器，散热器上外侧固定设有引线电极支架，散热器上中部通过焊料层焊接设有硅基层，硅基层上设有下电极层，下电极层上设有若干键合金球，各键合金球上部通过铟焊料层与上电极层连接，上电极层上依次设有LED外延层和蓝宝石衬底层；所述的键合金球、铟焊料层、上电极层、LED外延层和蓝宝石衬底层的周围均将覆设有荧光粉保护层，引线电极支架通过铝制键合丝与下电极层连接导通；所述的下电极层、键合金球、铟焊料层、上电极层、LED外延层和蓝宝石衬底层以及荧光粉保护层均通过透光性硅胶材料层封装在散热器上，在透光性硅胶材料层上方设有固定在引线电极支架上的树脂透镜。·[0006]本实用新型所述的一种大功率LED封装结构技术方案中所述的键合金球的优选直径为50-110 μ m，硅基层的厚度优选为220-300 μ m ;铟焊料层的厚度优选为20-50 μ m。[0007]与现有技术相比，本实用新型大功率LED封装结构设计合理，封装过程可操作性强，封装效果好，可以有效地提高大功率LED发光效率，保证并延长大功率LED的使用寿命。
[0008]图1为本实用新型的一种结构示意图。
具体实施方式
[0009]以下参照附图，进一步描述本实用新型的具体技术方案，以便于本领域的技术人员进一步地理解本实用新型，而不构成对其权利的限制。[0010]实施例1，参照图1，一种大功率LED封装结构，该封装结构包括铜制或铝制的散热器1，散热器I上外侧固定设有引线电极支架2，散热器2上中部通过焊料层13焊接设有硅基层12,娃基层12上设有下电极层11，下电极层11上设有若干键合金球4,各键合金球4 上部通过铟焊料层14与上电极层10连接，上电极层10上依次设有LED外延层8和蓝宝石衬底层7 ;所述的键合金球4、铟焊料层14、上电极层10、LED外延层8和蓝宝石衬底层7的周围均将覆设有荧光粉保护层9，引线电极支架2通过铝制键合丝3与下电极层11连接导通；所述的下电极层11、键合金球4、铟焊料层14、上电极层10、LED外延层8和蓝宝石衬底层7以及荧光粉保护层9均通过透光性硅胶材料层5封装在散热器I上，在透光性硅胶材料层5上方设有固定在引线电极支架2上的树脂透镜6。[0011]实施例2，实施例1所述的一种大功率LED封装结构中所述的键合金球4的直径为50 μ m，硅基层12的厚度为220 μ m ;铟焊料层14的厚度为20 μ m。[0012]实施例3，实施例1所述的一种大功率LED封装结构中所述的键合金球4的直径为110 μ m，硅基层12的厚度为300 μ m;铟焊料层14的厚度为50 μ m。[0013]实施例4，实施例1所述的一种大功率LED封装结构中 所述的键合金球4的直径为100 μ m,硅基层12的厚度为260 μ m ;铟焊料层14的厚度为35 μ m。
权利要求1.一种大功率LED封装结构，其特征在于该封装结构包括铜制或铝制的散热器，散热器上外侧固定设有引线电极支架，散热器上中部通过焊料层焊接设有硅基层，硅基层上设有下电极层，下电极层上设有若干键合金球，各键合金球上部通过铟焊料层与上电极层连接，上电极层上依次设有LED外延层和蓝宝石衬底层；所述的键合金球、铟焊料层、上电极层、LED外延层和蓝宝石衬底层的周围均将覆设有荧光粉保护层，引线电极支架通过铝制键合丝与下电极层连接导通；所述的下电极层、键合金球、铟焊料层、上电极层、LED外延层和蓝宝石衬底层以及荧光粉保护层均通过透光性硅胶材料层封装在散热器上，在透光性硅胶材料层上方设有固定在引线电极支架上的树脂透镜。
2.根据权利要求1所述的一种大功率LED封装结构，其特征在于所述的键合金球的直径为50-110 μ m，硅基层的厚度为220-300 μ m ;铟焊料层的厚度为20-50 μ m。
专利摘要一种大功率LED封装结构，该封装结构包括铜制或铝制的散热器，散热器上外侧固定设有引线电极支架，散热器上中部通过焊料层焊接设有硅基层，硅基层上设有下电极层，下电极层上设有若干键合金球，各键合金球上部通过铟焊料层与上电极层连接，上电极层上依次设有LED外延层和蓝宝石衬底层；所述的键合金球、铟焊料层等周围均将覆设有荧光粉保护层，引线电极支架通过铝制键合丝与下电极层连接导通；各部件均通过透光性硅胶材料层封装在散热器上，在透光性硅胶材料层上方设有固定在引线电极支架上的树脂透镜。本实用新型结构设计合理，封装过程可操作性强，封装效果好，可以有效地提高大功率LED发光效率，保证并延长大功率LED的使用寿命。
文档编号H01L33/48GK202855795SQ20122044681
公开日2013年4月3日 申请日期2012年9月4日 优先权日2012年9月4日
发明者刘淑娟, 何雷, 张佃环 申请人:江苏尚明光电有限公司