专利名称：切割用粘合片及使用了切割用粘合片的半导体装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及切割用粘合片。尤其涉及在具有激光划片工序的半导体装置的制造方法中使用的切割用粘合片。另外本发明涉及使用了前述切割用粘合片的半导体装置的制造方法。
背景技术：
目前，存在将激光切割片粘贴于半导体晶圆后，对前述半导体晶圆照射激光束，将该半导体晶圆单片化的半导体芯片的制造方法(所谓激光切割)(例如参照专利文献1、专利文献2)。在专利文献I所记载的半导体芯片的制造方法中，将激光切割片粘贴在半导体晶圆上，在使激光切割片吸附于吸附工作台的状态下对半导体晶圆进行加工。另外，在专利文献2所记载的半导体芯片的制造方法中，自激光切割片的粘贴面侧对半导体晶圆照射激光束。另外，目前，随着形成于半导体芯片的电路图案的微细化，电路之间的距离变近，因此接近的电路间的电容增大。于是，与其成比例地产生流过电路的信号变得迟缓这样的现象(信号延迟)。因此，提出了使用介电常数低的所谓low-k材料(低介电材料)在电路上形成低介电材料层、降低电路间电容的方案。作为上述低介电材料层，例如可列举出SiOJ^相对介电常数k = 4.2)、SiOF膜(k = 3.5 3.7)、Si0C膜(k = 2.5 2.8)等。这种低介电材料层例如在半导体晶圆上通过等离子体CVD法形成。然而，上述那样的低介电材料层非常脆，有在切割工序中产生裂纹、引起半导体元件的工作异常的担心。因此，近年来，采取了使用激光先除去低介电材料层(激光划片)再用刀片等进行切割的手法(例如参照专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2010-56329号公报专利文献2:日本特开2010-73897号公报专利文献3:日本特开2010-093273号公报·
发明内容
发明要解决的问题然而，在专利文献I所记载的半导体芯片的制造方法中，由于在将激光切割片吸附于吸附工作台的状态下加工半导体晶圆，因此尤其在加工半导体晶圆的边缘部分时，存在有时会因激光束而使吸附工作台损伤这样的问题。另外，在专利文献2所记载的半导体芯片的制造方法中，由于激光束以高透过率透过激光切割片，因此尤其存在高强度的激光束到达未粘贴半导体晶圆的部分的背后这样的问题。另外，即使在专利文献3所公开的这种激光划片工序中，也与在专利文献I等中公开的激光切割同样，尤其在加工半导体晶圆的边缘部分时，存在有时因激光束而使吸附工作台损伤这样的问题。本发明是鉴于前述问题而做出的，其目的在于提供在对半导体晶圆进行激光划片时可防止吸附工作台损伤的切割用粘合片以及使用了该切割用粘合片的半导体装置的制造方法。
_4] 用于解决问题的方案本申请的发明人等为了解决上述现有的问题而进行了研究，结果发现:如果使构成切割用粘合片的粘合剂层中含有规定量的紫外线吸收剂，将切割用粘合片在波长355nm下的透光率设定在一定范围内，则可以防止由激光束而导致吸附工作台损伤，从而完成本发明。S卩，本发明涉及的切割用粘合片的特征在于，其为具有基材和设置在前述基材上的粘合剂层的切割用粘合片，在前述粘合剂层中，相对于100重量份树脂固体成分，含有
0.02 5重量份的紫外线吸收剂，前述切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30 80%。根据前述技术方案，在粘合剂层中相对于100重量份树脂固体成分，含有0.02 5重量份的紫外线吸收剂，切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30 80%。由于在粘合剂层中的紫外线吸收剂的含量相对于100重量份树脂固体成分为0.02重量份以上，切割用粘合片在波长355nm下的透光率为80%以下，因此在通过激光束的光吸收烧蚀对半导体晶圆上形成的低介电材料层进行裁切时，能够通过粘合剂层吸收激光束，减少至吸附工作台的到达量。其结果，能够防止吸附工作台损伤。另外，由于在粘合剂层中的紫外线吸收剂的含量相对于100重量份树脂固体成分为5重量份以下，切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30%以上，因此在激光吸收之际，能够防止胶带的熔融。在前述技术方案中，前述基材在波长355nm下的透光率优选为70 100%。前述基材在波长355nm下的透光率为70 100%时，基材处的激光束的吸收比较少，对基材的损伤少。其结果，在切割、扩晶(expand)之际,能够防止切割用粘合片开裂。在前述技术方案中，前述基材优选为多层。前述基材为多层时，能够通过在层间的光散射和/或在层间的光的折射来削弱激光强度。在前述技术方案中，前述基材的比热优选为1.0 3.0J/gK。前述基材的比热为
1.0 3.0J/gK时，能够抑制由激光吸收导致的生热。需要说明的是，在前述基材为多层的情况下，基材的比热为1.0 3.0J/gK是指构成前述基材的各层的比热均在1.0 3.0J/gK的范围内。在前述技术方案中，前述基材的熔点优选为90°C以上。前述基材的熔点为90°C以上时，能够防止由激光加工时的热导致熔融。另外，本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，其包括如下工序:贴合工序，将前述的切割用粘合片贴合于在表面形成有低介电材料层的半导体晶圆的背面；和激光划片工序，自表面侧对前述半导体晶圆照射紫外线激光束来裁切低介电材料层。在前述技术方案的半导体装置的制造方法中，使用在粘合剂层中相对于100重量份树脂固体成分含有0.02 5重量份的紫外线吸收剂、切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30 80%的切割用粘合片。由于在粘合剂层中的紫外线吸收剂的含量相对于100重量份树脂固体成分为0.02重量份以上，切割用粘合片在波长355nm下的透光率为80%以下，因此在通过激光束的光吸收烧蚀对在半导体晶圆上形成的低介电材料层进行裁切时，能够通过粘合剂层吸收激光束，减少至吸附工作台的到达量。其结果，能够防止吸附工作台损伤。另外，由于在粘合剂层中的紫外线吸收剂的含量相对于100重量份树脂固体成分为5重量份以下，切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30%以上，因此在激光吸收之际，能够防止胶带的熔融。发明的效果根据本发明，可提供能够防止由激光束导致的吸附工作台损伤的切割用粘合片以及使用了该切割用粘合片的半导体装置的制造方法。
图1为示出本发明的切割用粘合片的一例的剖面示意图。图2为示出本发明的使用了切割用粘合片的半导体装置的制造方法的一例的剖面示意图。图3为示出本发明的使用了切割用粘合片的半导体装置的制造方法的一例的剖面示意图。
具体实施例方式边参照图1边对本发明的实施方式进行说明，但本发明不限定于该例子。图1为示出本发明的切割用粘合片的一例的剖面示意图。需要说明的是，在本说明书中，对图中不需要说明的部分进行了省略，为了使说明变得容易存在进行了扩大或缩小等而图示的部分。(切割用粘合片)
如图1所示，切割用粘合片3具有基材31、和设置在基材31上的粘合剂层32。切割用粘合片3只要具有将基材31和粘合剂层32层叠而得到的构成即可，也可以具有其他层。基材(支撑基材)可以用作粘合剂层等的支撑母体。基材31在波长355nm下的透光率优选为70 100%，更优选为80 95%。基材31在波长355nm下的透光率为70 100%时，在基材31处的激光束的吸收较少，对基材的损伤少。其结果，在切割、扩晶之际，能够防止切割用粘合片3开裂。基材31在波长355nm下的透光率可以通过实施例记载的方法测定。基材31的比热优选为1.0 3.0J/gK,更优选为2.0 3.0J/gK。基材31的比热为1.0 3.0J/gK时，能够抑制由激光吸收导致的生热。基材31的熔点优选为90°C以上，更优选为100°C以上。另外，基材31的熔点虽越高越好，但可设为例如300°C以下。前述基材的熔点为90°C以上时，能够防止由激光加工时的热导致熔融。作为基材31的形成材料，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯酯；聚萘二甲酸乙二醇酯；聚苯乙烯；聚碳酸酯；聚酰亚胺；(甲基)丙烯酸(酯)系聚合物；聚氨酯系树脂；聚降冰片烯系树脂；聚乙二醇、以及聚四亚甲基二醇等聚亚烷基二醇系树脂；有机硅系橡胶 ’聚乙烯、聚丙烯、聚丁二烯、聚乙烯基醇、聚甲基戊烯、以及乙烯醋酸乙烯酯共聚物等聚烯烃系树脂等，但不限定于这些。它们当中，优选使用不含芳香族烃基的树脂，更优选使用(甲基)丙烯酸(酯)系聚合物、聚烯烃系树脂。
基材31可以是单层的，也可以是多层的。在基材31为多层的情况下，能够通过在层间的光散射和/或在层间的光的折射来削弱激光强度。另外，基材31可形成膜状、网状等各种形状。基材31尤其适宜为前述树脂的纤维状体、无纺布、织布、多孔的多孔体等孔隙率大的基材。对基材31的厚度(多层的情况下为总厚度)没有特别的限制，可以根据强度、柔软性、使用目的等适当地选择，优选为80 250 μ m，更优选为100 200 μ m，进一步优选为140 160 μ m。通过将基材31的厚度设为80 μ m以上，可以抑制由激光导致的熔融。另外，通过将基材31的厚度设为250 μ m以下，可以确保拾取性。此外，在基材31中，在无损本发明的效果等的范围内，可以含有各种添加剂(着色齐 、填充材料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。在粘合剂层32中，相对于100重量份树脂固体成分，含有0.02 5重量份的紫外线吸收剂。紫外线吸收剂的前述含量优选为0.1 1.5重量份，更优选为0.2 1.0重量份。由于紫外线吸收剂的含量相对于100重量份树脂固体成分为0.05重量份以上，因此在通过激光束的光吸收烧蚀进行在被加工物(例如半导体晶圆)上形成的低介电材料层41 (参照图2的(a))的裁切时，能够通过粘合剂层32吸收激光束，减少至吸附工作台的到达量。其结果，能够防止吸附工作台损伤。作为前述紫外线吸收剂，有苯并三唑系紫外线吸收剂、羟基苯基三嗪系紫外线吸收剂、二苯甲酮系紫外线吸收剂、苯甲酸酯系紫外线吸收剂等，在本发明中优选苯并三唑系紫外线吸收剂和/或羟基苯基三嗪系紫外线吸收剂。作为苯并三唑系紫外线吸收剂，例如可列举出2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H_苯并三唑、苯丙酸与3- (2H-苯并三唑-2-基)-5- (1，1-二甲基乙基)-4-羟基(C7 C9的侧链和直链烷基)的酯化合物、辛基-3- [3-叔丁基-4-羟基-5- (5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯与2-乙基己基-3- [3-叔丁基-4-羟基-5- (5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯的 混合物、2- (2H-苯并三唑-2-基)-4,6-双(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚、2- (2H-苯并三唑-2-基)-6- (1-甲基-1-苯基乙基)-4- (1，1，3，3_四甲基丁基)苯酚、甲基-3- (3- (2H-苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯/聚乙二醇300的反应生成物、2- (2H-苯并三唑-2-基)-对甲酚、2- [5-氯(2H)-苯并三唑-2-基]-4-甲基-6-(叔丁基)苯酚、2- (2H-苯并三唑-2-基)-4，6- 二-叔戊基苯酚、2- (2H-苯并三唑-2-基)-4- (I, 1,3, 3-四甲基丁基)苯酚、2_2’_亚甲基双[6- (2H-苯并三唑-2-基)-4- (I, 1,3, 3-四甲基丁基)苯酚]、甲基-3- (3- (2H-苯并三唑-2-基)_5_叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯与聚乙二醇300的反应生成物、2-( 2H-苯并三唑-2-基)_6_十二烷基-4-甲基苯酚、2- [2-羟基-3- (3、4、5、6_四氢邻苯二甲酰亚胺-甲基)-5-甲基苯基]苯并三唑、2，2’ -亚甲基双[6-(苯并三唑-2-基)-4-叔辛基苯酚]等。另外，作为羟基苯基三嗪型紫外线吸收剂，例如可列举出2-(4，6-双(2，4_二甲基苯基)-均三嗪-2-基)-5-羟基苯基与[(ClO C16、主要为C12 C13的烷氧基)甲基]环氧乙烷的反应生成物、2-(2，4- 二羟基苯基)-4，6-双-(2，4- 二甲基苯基)-均三嗪与(2-乙基己基)_缩水甘油酸酯的反应生成物、2，4-双[2-羟基-4- 丁氧基苯基]-6- (2，4- 二丁氧基苯基)-均三嗪、2- (4，6-二苯基-均三嗪-2-基)-5-[(己基)氧基]-苯酚、2- (2-羟基-4-[1-羊氧基擬基乙氧基]苯基)_4，6-双(4-苯基苯基)-均二曝等。
作为二苯甲酮系紫外线吸收剂，例如可列举出2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮等。作为苯甲酸酯系紫外线吸收剂，例如可列举出2，4-二-叔丁基苯基-3，5-二-叔丁基-4-羟基苯甲酸酯(TINIVIN120)等。作为可由商业途径获得的苯并三唑系紫外线吸收剂，例如可列举出作为2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并三唑的Ciba Japan K.K.制造的“TINUVIN PS”、作为苯丙酸与
3-(2H-苯并三唑-2-基)-5- (1，1-二甲基乙基)-4-羟基(C7 C9的侧链以及直链烷基)的酯化合物的Ciba Japan K.K.制造的“TINUVIN384-2”、作为辛基-3- [3-叔丁基-4-羟基-5- (5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯与2-乙基己基-3- [3-叔丁基-4-羟基-5- (5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯的混合物的Ciba Japan K.K.制造的“TINUVIN109”、作为2-(2H-苯并三唑-2-基)_4，6-双(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚的CibaJapan K.K.制造的“TINUVIN900”、作为2_ (2H-苯并三唑-2-基)-6- (1-甲基-1-苯基乙基)-4- (1，1，3，3-四甲基丁基)苯酚的Ciba Japan K.K.制造的“TINUVIN928”、作为甲基-3- (3- (2H-苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯/聚乙二醇300的反应生成物的Ciba Japan K.K.制造的TINUVIN1130”、作为2- (2H-苯并三唑_2_基)-对甲酚的CibaJapan K.K.制造的“TINUVIN P”、作为2- [5-氯(2H)-苯并三唑-2-基]-4-甲基-6-(叔丁基)苯酚的Ciba Japan K.K.制造的TINUVIN326”、作为2- (2H-苯并三唑-2-基)-4,6-二-叔戊基苯酚的Ciba Japan K.K.制造的TINUVIN328”、作为2_(2H_苯并三唑-2-基)-4- (I, I, 3，3-四甲基丁基)苯酚的 Ciba Japan K.K.制造的 TINUVIN329”、作为2-2’-亚甲基双[6- (2H-苯并三唑-2-基)-4- (1，1，3，3-四甲基丁基)苯酚]的CibaJapan K.K.制造的“TINUVIN360”、作为甲基_3_(3_(2H-苯并三唑_2_基)_5_叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯与聚乙二醇300的反应生成物的Ciba Japan K.K.制造的“TINUVIN213”、作为2- (2H-苯并三唑-2-基)-6-十二烷基-4-甲基苯酚的Ciba Japan K.K.制造的“TINUVIN571”、作为2- [2-羟基-3- (3、4、5、6_四氢邻苯二甲酰亚胺-甲基)-5-甲基苯基]苯并三唑的住友化学株式会社制造的“Sumisorb250”、作为2,2’ -亚甲基双[6-(苯并三唑-2-基)-4-叔辛基苯酚]的ADEKA制造的“ADKSTAB LA31 ”等。另外，作为可由商业途径获得的羟基苯基三嗪系紫外线吸收剂，例如可列举出作为2- (4，6-双(2，4-二甲基苯基)-均三嗪-2-基)-5-羟基苯基与[(ClO C16、主要为C12 C13的烷氧基)甲基]环氧乙烷的反应生成物的Ciba Japan K.K.制造的“TINUVIN400”、作为2- (2，4-二羟基苯基)-4，6-双-(2，4-二甲基苯基)-均三嗪与(2-乙基己基)-缩水甘油酸酯的反应生成物的Ciba Japan K.K.制造的“TINUVIN405”、作为2，4-双[2-轻基-4-丁氧基苯基]-6- (2，4-二丁氧基苯基)-均三嗪的Ciba JapanK.K.制造的“TINUBIN460”、作为2- (4，6-二苯基-均三嗪-2-基)_5_[(己基)氧基]-苯酚的Ciba Japan K.K.制造的“TINUVIN1577”、作为2_ (2-羟基辛氧基羰基乙氧基]苯基)-4,6-双(4-苯基苯基)-均三嗪的Ciba Japan K.K.制造的“TINUVIN479”等。作为可由商业途径获得的苯甲酸酯系紫外线吸收剂，例如可列举出作为2，4-二-叔丁基苯基-3，5-二-叔丁基-4-轻基苯甲酸酯的Ciba Japan K.K.制造的“TINIVIN120” 等。在本发明中，前述紫外线吸收剂可以单独使用或者组合使用两种以上。作为粘合剂层32的形成材料，可使用含(甲基)丙烯酸(酯)系聚合物、橡胶系聚合物等的粘合剂。作为形成(甲基)丙烯酸(酯)系聚合物的单体成分，例如可列举出具有甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、以及十二烷基等碳数30以下、优选碳数3 18的直链或支化的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。这些(甲基)丙烯酸烷基酯可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。作为上述以外的单体成分，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸及巴豆酸等含羧基单体、马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体、(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯及(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸及(甲基)丙烯酸磺酸丙酯等含磺酸基单体、2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体等。这些单体成分可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。另外，以(甲基)丙烯酸(酯)系聚合物的交联处理等为目的，根据需要还可以使用多官能单体等作为共聚单体成分。作为多官能单体，例如可列举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能单体可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。关于多官能单体的用量，从粘合特性等观点出发，优选为总单体成分的30重量％以下，进一步优选为20重量％以下。关于(甲基)丙烯酸(酯)系聚合物的制备，例如可以对含一种或两种以上的单体成分的混合物适用溶液聚合方式、乳液聚合方式、本体聚合方式、或悬浮聚合方式等适当的方式进行。作为聚合引发剂，可列举出过氧化氢、过氧化苯甲酰、叔丁基过氧化物等过氧化物系。虽然理想的是单独使用，但也可以组合还原剂来作为氧化还原系聚合引发剂使用。作为还原剂，例如可列举出亚硫酸盐、亚硫酸氢盐、铁、铜、钴盐等离子化的盐、三乙醇胺等胺类、醛糖、酮糖等还原糖等。另外，偶氮化合物也是优选的聚合引发剂，可使用2，2，-偶氮双-2-甲基丙脉酸盐、2，2’ -偶氮双-2，4- 二甲基戍臆、2，2’ -偶氮双-N, N’ - 二亚甲基异丁基脒酸盐、2，2’ -偶氮双异丁腈、2，2’ -偶氮双-2-甲基-N- (2-羟乙基)丙酰胺等。另外，也可以组合使用两种以上上述聚合弓I发剂。反应温度通常设为50 85°C左右，反应时间设为I 8小时左右。另外，在前述制造法中优选溶液聚合法，作为(甲基)丙烯酸(酯)系聚合物的溶剂，一般使用醋酸乙酯、甲苯等极性溶剂。溶液浓度通常设为20 80重量％左右。在前述粘合剂中，为了提高作为基础聚合物的(甲基)丙烯酸(酯)系聚合物的数均分子量，可以适当添加交联剂。作为该交联剂，可列举出多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、脲醛树脂、无水化合物、多胺、含羧基聚合物等。在使用该交联剂的情况下，考虑到不过于降低剥离粘合力，其用量一般相对于100重量份上述基础聚合物，优选配混
0.01 5重量份左右。另外在形成粘合剂层的粘合剂中，根据需要，除了前述成分，还可以使其含有紫外线吸收剂、抗氧化剂、增粘剂、防老剂、填充剂、着色剂等各种添加剂。为了进一步提高自被加工物的剥离性，粘合剂也可以为通过紫外线、电子射线等辐射线而进行固化的辐射线固化型粘合剂。其中，在使用辐射线固化型粘合剂作为粘合剂的情况下，为了在激光加工后对粘合剂层照射辐射线，前述基材优选为具有足够的辐射线透过性的基材。作为辐射线固化型粘合剂，可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键等辐射线固化性的官能团且显示粘合性的粘合剂。作为辐射线固化型粘合剂，例如，可列举出在前述的(甲基)丙烯酸(酯)系聚合物中配混有辐射线固化性的单体成分、寡聚物成分的辐射线固化性粘合剂。作为配混的辐射线固化性的单体成分、寡聚物成分，例如可列举出氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、以及1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。它们可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。虽对辐射线固化性的单体成分、寡聚物成分的配混量没有特别的限制，但考虑到粘合性时，相对于100重量份构成粘合剂的(甲基)丙烯酸(酯)系聚合物等基础聚合物，优选为5 500重量份左右，进一步优选为70 150重量份左右。另外，作为辐射线固化型粘合剂，也可以使用在聚合物侧链或主链中或者在主链末端具有碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物。作为这样的基础聚合物，优选将(甲基)丙烯酸(酯)系聚合物作为基本骨架的聚合物。在该情况下，可以不特意添加辐射线固化性的单体成分、寡聚物成分，该使用是任意的。在前述辐射线固化型粘合剂中，在通过紫外线等使其固化的情况下，使其含有光聚合引发剂。作为该光聚合引发剂，例如可列举出莰醌、卤化酮、酰基氧化膦、以及酰基膦酸酷等。关于光聚合引发剂的配混量，相对于100重量份构成粘合剂的(甲基)丙烯酸(酯)系聚合物等基础聚合物，优选为0.1 10重量份左右，进一步优选为0.5 5重量份左右。粘合剂层32例如可以通过将粘合剂(压敏粘接剂)与根据需要而添加的溶剂、其他添加剂等混合并形成为片状的层的惯用的方法来形成。具体而言，例如可以通过将包含粘合剂及根据需要而添加的溶剂、其他添加剂的混合物涂布在基材31上的方法；在适当的隔离膜(剥离纸等)上涂布前述混合物来形成粘合剂层32、并将其转印(移动)至基材31上的方法等形成粘合剂层32。对粘合剂层32的厚度没有特别的限制，例如为3μπι 50μπι，优选为5μπι 30 μ m,进一步优选为7 μ m 20 μ m。粘合剂层32的厚度在前述范围内时，可以发挥适度的粘合力。需要说明的是，粘合剂层32可以为单层或者多层的任一者。作为切割用粘合片3的厚度，例如可以从80μπι 300μπι的范围选择，优选为100 μ m 200 μ m,进一步优选为 150 μ m 170 μ m。
(切割用粘合片的制造方法)对本实施方式所涉及的切割用粘合片的制造方法，以图1所示的切割用粘合片一体型半导体背面用薄膜I为例进行说明。首先，基材31可以通过现有公知的制膜方法制膜。作为该制膜方法，例如可示例出压延制膜法、在有机溶剂中的流延法、在密闭体系的吹胀挤出法(inflation extrusion method)、T模头挤出法、共挤出法、干式层压法等。接着，在基材31上涂布粘合剂组合物并使其干燥(根据需要使其加热交联)来形成粘合剂层32。作为涂布方式，可列举出辊涂覆、丝网涂覆、凹版涂覆等。其中，可以将粘合剂层组合物直接涂布于基材31，在基材31上形成粘合剂层32，另外，也可以将粘合剂组合物涂布于在表面进行过剥离处理的剥离纸等上来形成粘合剂层32，然后将该粘合剂层32转印至基材31上。由此，制作在基材31上形成有粘合剂层32的切割用粘合片3。在此，对形成有低介电材料层的半导体晶圆进行说明。在半导体晶圆4的表面(电路面)，形成有低介电材料层41 (参照图2)。作为半导体晶圆4，只要是公知惯用的半导体晶圆就没有特别的限制，可以从各种原材料的半导体晶圆中适当地选择使用。在本发明中，作为半导体晶圆，可适宜地使用硅晶圆。作为半导体晶圆4的厚度，例如可使用10 800 μ m的晶圆，尤其可使用20 200 μ m的晶圆。作为低介电材料层41，可使用介电常数低的所谓low-k材料形成，例如，可列举出SiO2 膜(相对介电常数 k = 4.2)、SiOF 膜(k = 3.5 3.7)、SiOC 膜(k = 2.5 2.8)等。低介电材料层41可以在半导体晶圆2上通过等离子体CVD法等形成。(半导体装置的制造方法)下面边参照图2、图3边对本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法进行说明。图2、图3为示出在使用了前述切割用粘合片3的情况下的半导体装置的制造方法的剖面示意图。前述半导体装置的制造方法可以使用前述切割用粘合片3来制造半导体装置。具体而言，其包括如下工序:贴合工序，将切割用粘合片3贴合于在表面形成有低介电材料层41的半导体晶圆4的背面；和激光划片工序，自表面侧对半导体晶圆4照射紫外线激光束来裁切低介电材料层41。[贴装(mount)工序]首先，如图2的(a)所示，适当地剥离在切割用粘合片3上任意设置的隔离膜，在粘合剂层32上粘贴带低介电材料层41的半导体晶圆4，使其保持粘接并固定(贴装工序)。切割用粘合片3粘贴于半导体晶圆4的背面。半导体晶圆4的背面是指与电路面相反侧的面(也称为非电路面、非电极形成面等)。对粘贴方法没有特别的限制，优选基于压接的方法。压接通常通过压接辊等按压手段在按压的同时进行。[激光划片工序]接着，如图2的(b)所示，使用激光束进行低介电材料层41的裁切。低介电材料层41的裁切使在将半导体晶圆4粘贴于切割用粘合片3的状态下使其吸附于吸附工作台8来进行的。此时，由于使用具有相对于100重量份树脂固体成分含有0.05 2重量份的紫外线吸收剂的粘合剂层32、并且波长355nm下的透光率为30 80%的切割用粘合片3，因此通过粘合剂层32吸收激光束，能够减少至吸附工作台的到达量。其结果，能够防止吸附工作台损伤。作为低介电材料层41的裁切所使用的激光9，使用可进行基于紫外光吸收的烧蚀加工的激光，所述烧蚀加工属于不经由热加工工艺的非热性加工。关于其理由，可列举出(I)由于为光(分解)反应，因此不宜产生碳残渣等；(2)可在金属.玻璃.有机材料.陶瓷等众多被粘物上进行加工；(3)由于为局部的热反应，因此即使通过基于红外吸收的热加工，加工面也会变得清晰明确(sharp );等。具体而言，可列举出在400nm以下具有振荡波长的激光，例如振荡波长248nm的KrF准分子激光、308nm的XeCI准分子激光、YAG激光的第三次谐波(355nm)、第四次谐波(266nm);或在具有400nm以上的波长的激光的情况下，可实现经由多光子吸收过程的紫外线区域的光吸收、且可利用多光子吸收烧蚀实现20 μ m以下的宽度的裁切加工等的波长750 800nm附近的掺钛蓝宝石激光等中的脉冲宽度为le_9秒(0.000000001秒)以下的激光等。特别优选使用能够将激光束聚光成20 μ m以下的细窄宽度、辐射355nm的紫外线的激光。作为本激光划片工序中的激光束照射条件，例如可设为:将波长355nm、平均输出功率0.1 10W、重复频率I 50kHz的YAG激光的第三次谐波(355nm)通过物镜(f Θ透镜)聚光成10 100 μ m直径,并通过检电扫描器(galvano scanner)将激光束以I IOOmm/秒的速度扫描。[切割工序]接着，如图3的(a)所不,进行半导体晶圆4的切割。由此，将半导体晶圆4裁切成规定的尺寸进行单片化(小片化)，制造半导体芯片5。切割例如使用切割刀片从半导体晶圆4的电路面侧进行。另外，在本工序中，例如可采用进行切入至切割用粘合片3为止的被称为全切割的裁切方式等。对作为在本工序中使用的切割装置没有特别的限定，可使用现有公知的装置。由于半导体晶圆4被切割用粘合片3以优异的密合性粘接固定，因此能够抑制芯片崩碎、芯片飞出、并且还能够抑制半导体晶圆4的破损。需要说明的是，在进行切割用粘合片3的扩晶的情况下，该扩晶可以使用现有公知的扩晶装置进行。扩晶装置具有可介由切割环将切割用粘合片3按下至下方的圆环状的外圈筒、和比外圈筒的直径小的支撑切割用粘合片3的内圈筒。通过该扩晶工序，在后述的拾取工序中，能够防止邻接的半导体芯片之间接触而破损。实施例以下，使用实施例对本发明进行详细说明，但只要不超出本发明其要旨，并不限于以下的实施例。另外，各例中，份只要没有特别说明均为重量基准。(基材的比热的测定)在下述实施例、比较例中使用的基材的比热按以下方式测定。〔比热测定〕使用热分析系统(Seiko Instruments Inc.制造,DSC EXSTAR6000)测定基材的比热。以升温速度10°c /min进行测定，求得空容器、样品、以及参照物(水)这三者的DSC曲线。接着，通过下式求出比热。Cps = (Ys/Yr) X (Mr/Ms) XCprCps:样品的比热
Cpr:参照物的比热(水:4.2J/ (g.K))Ys:样品与空容器的DSC曲线差Yr:参照物与空容器的DSC曲线差Ms:样品的质量Mr:参照物的质量(基材的熔点的测定)在下述实施例、比较例中使用的基材的熔点是使用TA INSTRUMENTS公司制造的DSCQ2000，在5°C /分钟的升温条件下测定的。(实施例1)< 基材 >准备厚度100 μ m的由PP (聚丙烯)形成的薄膜(TORAY INDUSTRIES, INC.制造，商品名=Torayfan B02500)。该基材的比热为1.31J/gK，熔点为140。。。<切割用粘合片>在上述基材上涂布丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(A)，干燥形成粘合剂层，得到本实施例I的切割用粘合片。粘合剂层的厚度为ΙΟμπι。其中，丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(A)通过以下的方法制备。<丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(A) >在甲苯中加入将100重量份丙烯酸丁酯与5重量份丙烯酸共聚而得到的重均分子量90万的共聚物100重量份(固体成分20%)、作为交联剂的2重量份异氰酸酯系交联剂(商品名 “CORONATE L”，NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY C0., LTD.制造)、I 重量份环氧系交联剂(商品名 “TETRAD C”，MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.制造)以及 0.25 重量份紫外线吸收剂(BASF公司制造，TINUVIN326)，均匀地溶解混合制备丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(A)。(实施例2)< 基材 >准备厚度IOOym的由PMP (聚甲基戊烯)形成的薄膜(三井石油化学工业株式会社制造，商品名=Opulent X-88)。该基材的比热为1.34J/gK，熔点为223°C。<切割用粘合片>在上述基材上涂布丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(A)，干燥形成粘合剂层，得到本实施例2的切割用粘合片。粘合剂层的厚度为10 μ m。(实施例3)< 基材 >准备依次层叠厚度15 μ m的由PE (聚乙烯)形成的薄膜、厚度60 μ m的由PP (聚丙烯)形成的薄膜及厚度15 μ m的由PE (聚乙烯)形成的薄膜而得到的薄膜(总厚度90 μ m)。具体而言，使用2台挤出机以使低密度聚乙烯(PE)(宇部兴产株式会社制造的F522N)形成内层(A)和外层(A)的方式熔融，再使用另I台挤出机，以使非晶质聚烯烃与结晶性聚丙烯(PP)的组合物(宇部兴产株式会社制造的CAP355)形成中间层(B)的方式熔融，在250°C的I个T模头内按照成为(A)/ (B)/ (A)的顺序进行熔接层叠并从T模头挤出，将70°C的热水通过内部，使用带气刀的牵引辊(辊表面为6s的缎面状)以拉伸比2.5进行牵引，得到内层(A)与外层(A)均为15 μ m、中间层(B)为60 μ m的总计90 μ m的薄膜。上述由PE (聚乙烯)形成的薄膜的熔点为100°C，由PP (聚丙烯)形成的薄膜的熔点为140°C。另外，上述层叠薄膜的比热为1.69J/gK。<切割用粘合片>在上述基材上涂布丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(B )，干燥形成粘合剂层，得到本实施例3的切割用粘合片。粘合剂层的厚度为ΙΟμπι。其中，丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(B)通过以下方法制备。<丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(B) >除了将紫外线吸收剂的添加量变更为0.85重量份以外，通过与丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(A)同样的方法制备丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(B)。(实施例4)< 基材 >准备依次层叠厚度30 μ m的由PE (聚乙烯)形成的薄膜、厚度90 μ m的由PP (聚丙烯)形成的薄膜及厚度30 μ m的由PE (聚乙烯)形成的薄膜而得到的薄膜(总厚度150 μ m)。上述由PE(聚乙烯)形成的薄膜的熔点为100°C，由PP(聚丙烯)形成的薄膜的熔点为140°C。另外，上述层叠薄膜的比热为1.69J/gK。<切割用粘合片>在上述基材上涂布丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(C)，干燥形成粘合剂层，得到本实施例4的切割用粘合片。粘合剂层的厚度为ΙΟμπι。其中，丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(C)通过以下方法制备。<丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(C) >除了将紫外线吸收剂的添加量变更为0.6重量份以外，通过与丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(A)同样的方法，制备丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(C)。(实施例5)< 基材 >准备依次层叠厚度30 μ m的由PE (聚乙烯)形成的薄膜、厚度90 μ m的由PP (聚丙烯)形成的薄膜及厚度30 μ m的由PE (聚乙烯)形成的薄膜而得到的薄膜(日东电工株式会社制造，总厚度150 μ m)。上述由PE (聚乙烯)形成的薄膜的熔点为100°C，由PP (聚丙烯)形成的薄膜的熔点为140°C。另外，上述层叠薄膜的比热为1.69J/gK。<切割用粘合片>在上述基材上涂布丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(A)，干燥形成粘合剂层，得到本实施例5的切割用粘合片。粘合层的厚度为10 μ m。(比较例I)< 基材 >通过常用方法的压延(calender)制作厚度145 μ m的由PVC (聚氯乙烯)形成的薄膜。该基材的比热为1.5J/gK，熔点为170°C。<切割用粘合片>在上述基材上涂布丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(C)，干燥形成粘合剂层，得到本比较例I的切割用粘合片。粘合剂层的厚度为10 μ m。
(比较例2)< 基材 >准备厚度100 μ m的由PVC (聚氯乙烯)形成的薄膜(ACHILLES CORPORATION制造，商品名:NHAA)。该基材的比热为1.5J/gK，熔点为170°C。<切割用粘合片>在上述基材上涂布丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(D )，干燥形成粘合剂层，得到本比较例2的切割用粘合片。粘合剂层的厚度为ΙΟμπι。其中，丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(D)通过以下方法制备。<丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(D) >除了未添加紫外线吸收剂以外，与丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(A)同样进行来制备丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(D)。(比较例3)< 基材 >准备依次层叠厚度30 μ m的由PE (聚乙烯)形成的薄膜、厚度90 μ m的由PP (聚丙烯)形成的薄膜及厚度30μπι的由PE (聚乙烯)形成的薄膜而得到的薄膜(总厚度150μπι)。上述由PE(聚乙烯)形成的薄膜的熔点为100°C，由PP(聚丙烯)形成的薄膜的熔点为140°C。另外，上述层叠薄膜的比热为1.69J/gK。<切割用粘合片>在上述基材上涂布丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(D )，干燥形成粘合剂层，得到本比较例3的切割用粘合片。粘合剂层的厚度为10 μ m。(比较例4)< 基材 >准备依次层叠厚度30 μ m的由PE (聚乙烯)形成的薄膜、厚度90 μ m的由PP (聚丙烯)形成的薄膜及厚度30 μ m的由PE(聚乙烯)形成的薄膜而得到的薄膜(总厚150 μ m)。上述由PE (聚乙烯)形成的薄膜的熔点为100°C，由PP (聚丙烯)形成的薄膜的熔点为140°C。另外，上述层叠薄膜的比热为1.69J/gK。<切割用粘合片>在上述基材上涂布丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(E )，干燥形成粘合剂层，得到本比较例4的切割用粘合片。粘合剂层的厚度为ΙΟμπι。其中，丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(E)通过以下方法制备。<丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(E) >除了将紫外线吸收剂的添加量变更为0.96重量份以外，通过与丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(A)同样的方法制备丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(Ε)。(比较例5)< 基材 >准备厚度100 μ m的由PEN (聚萘二甲酸乙二醇酯)形成的薄膜(Tei jin DuPont公司制造，商品名=TEONEX Q83)。该基材的比热为0.87J/gK，熔点为255。。。<切割用粘合片>在上述基材上涂布丙烯酸(酯)系粘合剂溶液(D )，干燥形成粘合剂层，得到本比较例5的切割用粘合片。粘合剂层的厚度为10 μ m。(基材及切割用粘合片在波长355nm下的透光率的测定)对在实施例和比较例中使用的基材进行波长355nm下的透光率的测定。另外，对实施例和比较例中涉及的切割用粘合片进行波长355nm下的透光率的测定。在测定中，使用了 UV-VIS分光光度计，SHIMAZU公司制造，UV-2550。结果示于表I。(基材的开裂及加工台的损伤的评价)基材的开裂及加工台的损伤的评价如下所述进行。首先，在硅晶圆上设置切割用粘合片。接着，通过物镜(f0透镜)将波长355nm、平均输出功率0.75W、重复频率5kHz的YAG激光的第三次谐波(355nm)聚光成30 μ m直径，通过检电扫描器以15_/秒的速度扫描激光束3次。其中，焦点设在距粘合剂层500 μ m的上方。接着，目视在切割用粘合片的基材处是否破裂，并通过光学显微镜确认。结果示于表
I。接着，从硅晶圆去除切割用粘合片，目视确认在硅晶圆上是否存在激光痕。结果示于表
1表I
权利要求
1.一种切割用粘合片，其特征在于，其为具有基材和设置在所述基材上的粘合剂层的切割用粘合片， 在所述粘合剂层中，相对于100重量份树脂固体成分，含有0.02 5重量份的紫外线吸收剂， 所述切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30 80%。
2.根据权利要求1所述的切割用粘合片，其特征在于，所述基材在波长355nm下的透光率为70 100%。
3.根据权利要求1所述的切割用粘合片，其特征在于，所述基材是多层的。
4.根据权利要求1所述的切割用粘合片，其特征在于，所述基材的比热为1.0 3.0J/gKo
5.根据权利要求1所述的切割用粘合片，其特征在于，所述基材的熔点为90°C以上。
6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序: 贴合工序，将权利要求1 5中的任一项所述的切割用粘合片贴合于在表面形成有低介电材料层的半导体晶圆的背面；和 激光划片工序，自表面侧对所述半导体晶圆照射紫外线激光束来裁切低介电材料层。
全文摘要
本发明的目的在于提供在对半导体晶圆进行激光划片时可防止吸附工作台损伤的切割用粘合片。本发明提供一种切割用粘合片，其为具有基材和设置在基材上的粘合剂层的切割用粘合片，在粘合剂层中，相对于100重量份树脂固体成分，含有0.02～5重量份的紫外线吸收剂，切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30～80%。
文档编号H01L21/301GK103081070SQ201280002593
公开日2013年5月1日 申请日期2012年7月2日 优先权日2011年7月11日
发明者佐佐木贵俊, 水野浩二, 浅井文辉, 志贺豪士 申请人:日东电工株式会社