高速高功率半导体器件的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种电子装置，包括：位于有源栅极和漏极之间的至少一个场栅极，被形成为横交于所述至少一个场栅极的至少一个浅沟槽隔离条，与所述至少一个浅沟槽隔离条平行并且与所述至少一个浅沟槽隔离条交替出现地形成的至少一个漏极有源条，以及电容器，其第一端耦合到所述有源栅极或源极，而第二端耦合到所述至少一个场栅极之一。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个场栅极包括单个场栅极。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个场栅极中的每一个具有等于或大于所述有源栅极的长度的长度。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，每一场栅极位于距所述有源栅极或另一场栅极小于或等于两倍最小多晶硅间隔处。5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个漏极有源条是在所述有源栅极和所述漏极之间的漏极有源区内形成的。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个浅沟槽隔离条穿过所述漏极和所述有源栅极之间。7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括在所述有源栅极下方形成的P型或N型阱，以及在所述有源栅极和所述P型或N型阱之间形成的晶体管栅极氧化物层。8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括在每个场栅极和每个漏极有源条之间形成的晶体管栅极氧化物层。9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个场栅极中的每一个具有基于所述有源栅极处的第一电压和所述漏极处的第二电压确定的不同电压。10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述有源栅极控制场效应晶体管(FET)，而所述至少一个场栅极控制金属氧化物半导体(MOS)变容管(VAR)。11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括具有N型源极和N型漏极的N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。12.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括具有P型源极和P型漏极的P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，其中所述装置是用绝缘体上硅(SOI)集成电路(IC)工艺在氧化物埋层上方制造的。14.如权利要求1所述的装置，其特征在于，其中所述装置是用体互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路(IC)工艺制造的。15.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：包括半导体器件的有源电路，所述半导体器件具有所述至少一个场栅极、所述至少一个STI条以及所述至少一个漏极有源条。16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述有源电路包括功率放大器。17.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置包括集成电路。18.一种形成电子器件的方法，包括：在有源栅极和漏极之间形成至少一个场栅极；形成横交于所述至少一个场栅极的至少一个浅沟槽隔离条；形成与所述至少一个STI条平行并且与所述至少一个浅沟槽隔离条交替出现的至少一个漏极有源条；以及形成电容器，所述电容器的第一端耦合到所述有源栅极或源极，而第二端耦合到所述至少一个场栅极之一。19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括：形成氧化物埋层，其中所述源极、所述漏极、所述至少一个浅沟槽隔离条以及所述至少一个漏极有源条形成于所述氧化物埋层上。20.如权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括：形成P型阱，其中所述源极和所述有源栅极形成于所述P型阱上方；以及形成N型阱，其中所述漏极、所述至少一个场栅极、所述至少一个浅沟槽隔离条以及所述至少一个漏极有源条形成于所述N型阱上方。21.如权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括：形成N型阱，其中所述源极和所述有源栅极形成于所述N型阱上方；以及形成P型阱，其中所述漏极、所述至少一个场栅极、所述至少一个浅沟槽隔离条以及所述至少一个漏极有源条形成于所述P型阱上方。22.一种电子设备，包括：用于在有源栅极和漏极之间形成至少一个场栅极的装置；用于形成横交于所述至少一个场栅极的至少一个浅沟槽隔离条的装置；用于形成与所述至少一个浅沟槽隔离条平行并且与所述至少一个浅沟槽隔离条交替出现的至少一个漏极有源条的装置；以及用于形成电容器的装置，所述电容器的第一端耦合到所述有源栅极或源极，而第二端耦合到所述至少一个场栅极之一。23.如权利要求22所述的设备，其特征在于，还包括：用于形成氧化物埋层的装置，其中所述源极、所述漏极、所述至少一个浅沟槽隔离条以及所述至少一个漏极有源条形成于所述氧化物埋层上。24.如权利要求22所述的设备，其特征在于，还包括：用于形成P型阱的装置，其中所述源极和所述有源栅极形成于所述P型阱上方；以及用于形成N型阱的装置，其中所述漏极、所述至少一个场栅极、所述至少一个浅沟槽隔离条以及所述至少一个漏极有源条形成于所述N型阱上方。