技术总结
公开了高速高功率半导体器件。在一示例性设计中，高速高功率半导体器件包括源极、用于提供输出信号的漏极以及用于接收输入信号的有源栅极。该半导体器件进一步包括位于该有源栅极和该漏极之间的至少一个场栅极、被形成为横交于该至少一个场栅极的至少一个浅沟槽隔离（STI）条、以及平行于该至少一个STI条并与该至少一个STI条交替出现地形成的至少一个漏极有源条。该半导体器件可通过有源FET和MOS变容器的组合来建模。该有源栅极控制该有源FET，而该至少一个场栅极控制该MOS变容管。该半导体器件具有低电阻并且能处理高电压。
技术研发人员：Y·杜;V·阿帕林;R·吉尔摩
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
文档号码：201280009506
技术研发日：2012.02.17
技术公布日：2017.04.12