专利名称：图形化透明导电膜的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及导电膜技术领域，特别是涉及一种图形化透明导电膜。
背景技术：
透明导电膜是具有良好导电性和在可见光波段具有高透光率的一种导电薄膜。目前透明导电膜已广泛应用于平板显示、光伏器件、触控面板和电磁屏蔽等领域，具有极其广阔的市场空间。传统的手机触摸屏中，为了减轻手机的厚度和重量，大多是用的柔性的图形化透明导电膜；一般的触控屏幕，大多需要采用两片透明导电膜组成上下电极以完成触控功能。然而当两片透明导电膜上下组合时，其透光率将进一步减小。传统的两片透明的导电膜的导电区域大多是形状规则的网格，由于LCD的像素单元是形状规则的矩形单元，像素之间是形状规则且成周期性分布的黑色线条，而导电薄膜的周期性不透光线条就会与LCD的黑线形成周期性遮蔽，因此将这种透明导电薄膜贴附于LCD表面时会出现较为明显的莫尔条纹。此外相同的原理，当两张规则网格导电膜的贴合也会产生明显的莫尔条纹。这种现象无疑严重影响了基于金属网格的图形化透明导电膜的应用。
实用新型内容基于此，有必要针对上述问题，提供一种既能够完全消除莫尔条纹现象的图形化透明导电膜。 一种图形化透明导电膜，包括:基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置；第一导电层，设于所述基片的第一表面，所述第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，所述第一导电区包括由金属线所形成的若干金属网格；及第二导电层，包括第二导电区和第二绝缘区，所述第二导电区包括由金属线所形成的若干金属网格；其中所述若干金属网格均为埋入式金属网格且是形状不规则的随机网格，所述第一导电区的金属线斜率靠近横向的概率密度大于靠近纵向的概率密度，所述第二导电区的金属线斜率靠近纵向的概率密度大于靠近横向的概率密度，所述第二导电层与所述第一导电层叠加且在所述基片的厚度方向上相互间隔且绝缘，叠加后形成的叠加金属网格在各个角度均匀分布。在其中一个实施例中，所述第一导电层和所述第二导电层的形状不规则的随机网格叠加后满足以下条件:所述叠加金属网格中的金属线是直线段，且与右向水平方向X轴所成角度Θ呈均匀分布；其中，所述的均匀分布指的是统计每一条金属线的Θ值，然后按照5°的步距，统计落在每个角度区间内金属线的概率Pi，由此在(Γ180°以内的36个角度区间得到P:、Ρ2、……至P36 ;Pi满足标准差小于算术均值的20%。 在其中一个实施例中，所述第一导电区的金属线的斜率K1在(-1，I)范围内的概率密度最大，所述第二导电区的金属线的斜率K2在(-C ，- U U (I, +范围内的概率密
度最大。在其中一个实施例中，所述第二导电层设置于所述基片的第二表面，与所述第一导电层相对设置。在其中一个实施例中，所述第二导电层设置于所述第一导电层的表面，与所述第一导电层位于所述基片的同侧。在其中一个实施例中，所述第一绝缘区和所述第二绝缘区包括由金属线所形成的金属网格，所述第一绝缘区与所述第一导电区之间绝缘，所述第二绝缘区与所述第二导电区之间绝缘，所述第一绝缘区和所述第二绝缘区的金属网格是形状不规则的随机网格。在其中一个实施例中，所述第一绝缘区和所述第二绝缘区的金属网格在各个角度上均匀分布。在其中一个实施例中，所述第一绝缘区与所述第一导电区，所述第二绝缘区与所述第二导电区的绝缘方式为:所述第一绝缘区的金属线之间互相连通，且与所述第一导电区的金属线之间设有间隔；所述第二绝缘区的金属线之间互相连通，且与所述第一导电区的金属线之间设有间隔。在其中一个实施例中，所述第一绝缘区与所述第一导电区，所述第二绝缘区与所述第二导电区的绝缘方式为:所述第一绝缘区和所述第二绝缘区的金属网格由没有节点且彼此断开的金属线构 成。在其中一个实施例中，所述没有节点且彼此断开的金属线中每两根相互断开的金属线首尾端点的最小距离小于30 μ m。在其中一个实施例中，所述第一导电区和所述第一绝缘区的透过率之差小于2%，所述第二导电区和所述第二绝缘区的透过率之差小于2%。上述图形化透明导电膜，通过将第一导电层的金属网格在横向方向上做拉伸截取，第二导电层的金属网格在纵向方向上做拉伸截取，使得第一导电区的金属线斜率靠近横向的概率密度大于靠近纵向的概率密度，第二导电区的金属线斜率靠近纵向的概率密度大于靠近横向的概率密度，同时保证了金属网格面积即透光区域的增加，使得整个透明导电膜的透光率增加，又因为单方向的拉伸和截取能够确保偏向该方向上的金属线的概率密度不变，因此透明导电膜在该方向上的导电性能能够保持基本不变，而由于第一导电层和第二导电层在同一方向上的金属线概率密度不同，故将第一导电层和第二导电层叠加后，整个导电膜的叠加金属网格在各个角度均匀分布，完全消除了莫尔条纹现象。
图1为图形化透明导电膜的结构示意图；图2为图形化透明导电膜的第一导电层的随机网格部分示意图；图3为图形化透明导电膜的第二导电层的随机网格部分示意图；图4为图2和图3叠加后的部分结构示意图；图5为图2和图3叠加后的概率分布示意图；图6是图形化透明导电薄膜的随机网格中每根线段与X轴所成夹角的概率Pi分布；[0027]图7为图2和图3的随机网格的放大示意图；图7A为图7中A的局部放大图；图7B为图7中B的局部放大图。
具体实施方式
下面根据附图及具体实施方式
对本实用新型作进一步说明。请参阅图1至图5, —种图形化透明导电膜100,包括基片110、第一导电层120和第二导电层130，基片110包括第一表面112和第二表面114，第一表面112和第二表面114相对设置。第一导电层120设于基片的第一表面112,包括第一导电区122和第一绝缘区124，第一导电区122包括由金属线所形成的若干金属网格，且第一导电区122的金属线斜率靠近横向的概率密度大于靠近纵向的概率密度。第二导电层130包括第二导电区132和第二绝缘区134，第二导电区132包括由金属线所形成的若干金属网格，第二导电层130与第一导电层120叠加且在基片110的厚度方向上相互间隔且互相绝缘，叠加后的所形成的叠加金属网格在各个角度均匀分布，且金属线斜率靠近纵向的概率密度大于靠近横向的概率密度。其中，金属网格均为埋入式金属网格，通过在基片110表面开设凹槽或者在基质层表面开设凹槽，再在凹槽中填充金属材料形成，或者直接在基片110表面涂布、烘干得到交错分布的金属线，再进行压实，得到埋入式金属网格。上述图形化透明导电膜，以基片110所在的平面为坐标平面，横向为X轴，纵向为Y轴。得到的第一导电区122的金属网格中的金属线斜率靠近横向的概率密度大于靠近纵向的概率密度，也即是说第一导电区122靠近X轴的金属线的数量大于靠近Y轴的数量。第二导电区132的金属网格中的金属线斜率靠近纵向的概率密度大于靠近横向的概率密度，也即是说第二导电区132靠近Y轴的金属线的数量大于靠近X轴的数量。而由于第一导电层120和第二导电层130在同一方向上的金属线概率密度不同,将第一导电层120和第二导电层130叠加后，整个导电膜的叠加金属网格分布概率成均匀分布，避免网格与LCD网格规则性重复，消除了莫尔条纹。本实施例`所说的随机网格可以为蜂窝状结构。请参阅图5，为第一导电层120和第二导电层130叠加之后的概率分布示意图。如图所示，因为第一导电区122的金属线斜率靠近横向的概率密度大于靠近纵向的概率密度，第二导电区132的金属线斜率靠近纵向的概率密度大于靠近横向的概率密度，故当第一导电区122的金属网格中的金属线的斜率呈上升趋势时，第二导电区132的金属网格中的金属线的斜率呈下降趋势，将第一导电层120和第二导电层130进行叠加后，叠加后的金属线的斜率整体呈水平状态，即整个导电层的叠加金属网格分布概率呈均匀分布。请参阅图4和图6，在本实施例中，随机网格的类型为各项同性不规则多边随机网格，下面将以5mm*5_面积的随机网格为例分析其叠加金属网格的金属线的角度分布。如图4所示的一个实施例中，随机网格共包括4257根线段。统计每根线段的与X轴所成夹角Θ得到一维数组θ (1ΓΘ (4257);进而以5°为区间布局，将(Γ180°分为36个角度区间；统计线段中落在每个区间内的概率，得到一组数组Ρ(1ΓΡ(36)，如图6所示；随后根据标准差计算公式:
权利要求1.一种图形化透明导电膜，其特征在于，包括: 基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置； 第一导电层，设于所述基片的第一表面，所述第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，所述第一导电区包括由金属线所形成的若干金属网格 '及 第二导电层，包括第二导电区和第二绝缘区，所述第二导电区包括由金属线所形成的若干金属网格； 其中所述若干金属网格均为埋入式金属网格且是形状不规则的随机网格，所述第一导电区的金属线斜率靠近横向的概率密度大于靠近纵向的概率密度，所述第二导电区的金属线斜率靠近纵向的概率密度大于靠近横向的概率密度，所述第二导电层与所述第一导电层叠加且在所述基片的厚度方向上相互间隔且绝缘，叠加后形成的叠加金属网格在各个角度均匀分布。
2.根据权利要求1所述的图形化透明导电膜，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的形状不规则的随机网格叠加后满足以下条件:所述叠加金属网格中的金属线是直线段，且与右向水平方向X轴所成角度Θ呈均匀分布； 其中，所述的均匀分布是指:统计每一条金属线的Θ值，然后按照5°的步距，统计落在每个角度区间内金属线的概率Pi,由此在(Tl80°以内的36个角度区间得到ΡρΡ2、……至P36 ；Pi满足标准差小于算术均值的20%。
3.根据权利要求1所述的图形化透明导电膜，其特征在于，所述第一导电区的金属线的斜率K1在(-1，I)范围内的概率密度最大，所述第二导电区的金属线的斜率K2在(-⑴，-1) U (1，+ m)范围内的概率密度最大。
4.根据权利要求1所述的图形化透明导电膜，其特征在于，所述第二导电层设置于所述基片的第二表面，与所·述第一导电层相对设置。
5.根据权利要求4所述的图形化透明导电膜，其特征在于，所述第二导电层设置于所述第一导电层的表面，与所述第一导电层位于所述基片的同侧。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的图形化透明导电膜，其特征在于，所述第一绝缘区和所述第二绝缘区包括由金属线所形成的金属网格，所述第一绝缘区与所述第一导电区之间绝缘，所述第二绝缘区与所述第二导电区之间绝缘，所述第一绝缘区和所述第二绝缘区的金属网格是形状不规则的随机网格。
7.根据权利要求6所述的图形化透明导电膜，其特征在于，所述第一绝缘区和所述第二绝缘区的金属网格在各个角度上均匀分布。
8.根据权利要求7所述的图形化透明导电膜，其特征在于，所述第一绝缘区与所述第一导电区，所述第二绝缘区与所述第二导电区的绝缘方式为:所述第一绝缘区的金属线之间互相连通，且与所述第一导电区的金属线之间设有间隔；所述第二绝缘区的金属线之间互相连通，且与所述第一导电区的金属线之间设有间隔。
9.根据权利要求7所述的图形化透明导电膜，其特征在于，所述第一绝缘区与所述第一导电区，所述第二绝缘区与所述第二导电区的绝缘方式为:所述第一绝缘区和所述第二绝缘区的金属网格由没有节点且彼此断开的金属线构成。
10.根据权利要求9所述的图形化透明导电膜，其特征在于，所述没有节点且彼此断开的金属线中每两根相互断开的金属线首尾端点的最小距离小于30 μ m。
11.根据权利要求10所述的图形化透明导电膜，其特征在于，所述第一导电区和所述第一绝缘区的透过率之差小于2%，所述第二导电区和所述第二绝缘区的透过率之差小于2%。 ·
专利摘要一种图形化透明导电膜，包括基片、第一导电层和第二导电层，第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，第二导电层包括第二导电区和第二绝缘区，第一导电区和第二导电区均包括由金属线所形成的若干金属网格；其中若干金属网格均为埋入式金属网格且是形状不规则的随机网格，第一导电区的金属线斜率靠近横向的概率密度大于靠近纵向的概率密度，第二导电区的金属线斜率靠近纵向的概率密度大于靠近横向的概率密度，第二导电层与第一导电层叠加且在基片的厚度方向上相互间隔且绝缘，叠加后形成的叠加金属网格在各个角度均匀分布；增大了透光率同时保证了导电性能不变，且叠加后的两层导电膜的金属网格在各个角度均匀分布，完全消除了莫尔条纹现象。
文档编号H01B5/14GK203118523SQ20132006722
公开日2013年8月7日 申请日期2013年2月5日 优先权日2013年2月5日
发明者周菲, 曹淼倩, 高育龙, 方运 申请人:南昌欧菲光科技有限公司