一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，包括SiN层、N型层和P型基底，所述SiN层上设有主栅线和细栅线，将所述细栅线设置为三个区，分别为细栅线主栅附近区、细栅线中间区和细栅线未端区。本实用新型能保持或少量增加浆料的耗量，新型细栅线结构有助于降低串联电阻。
【专利说明】一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种晶体硅太阳电池，具体涉及一种具有新型细栅线结构的晶体娃太阳电池。
【背景技术】
[0002]晶体硅太阳电池技术经过十几年的发展，已经形成一套成熟的规模化制备工艺技术，其中关键的一个环节是丝网印刷工序。在丝网印刷阶段，分别印刷背电极、背电场和正面电极，并经过高温烧结形成具有良好接触电阻和电阻率的金属电极。晶体硅太阳电池的正面电极包括两根或者三根主栅线，以及数十根宽度、高度均匀的细栅线(如图1所示)，细栅线收集晶体硅太阳电池产生的光生电流后汇聚到主栅线上。随着丝网印刷的网版和浆料的持续改进，细栅线的宽度已经由最初的140um左右降低到45um左右，高度由原来的25um左右降低到13um左右。细栅线宽度和高度的降低一方面减小了正面电极的遮光面积，提升了太阳电池的短路电流，另一方面降低了浆料的耗量。但由于丝网印刷的网版由细不锈钢线编织而成，在不锈钢线交叠的位置处，现阶段宽度和高度均匀的细栅线容易出现宽度和高度减小的“束腰”形状，甚至形成类似栅线断续的情况，增大了晶体硅太阳电池的串联电阻。尽管采用两层印刷技术印刷两次细栅线，将两层细栅线叠加起来增加栅线高度，可以修复细栅的“束腰”、“断续”，降低晶体硅太阳电池的串联电阻，但这无疑会在一定程度上增加浆料的耗量。
【发明内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，能保持或少量增加浆料的耗量，新型细栅线结构有助于降低串联电阻。
[0004]本实用新型解决技术问题所采用的技术方案是:一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，包括SiN层、N型层和P型基底，所述SiN层上设有主栅线和细栅线，将所述细栅线设置为三个区，分别为细栅线主栅附近区、细栅线中间区和细栅线未端区。
[0005]作为一种优选，所述细栅线主栅附近区、细栅线中间区和细栅线未端区的长度比为1: 2: 1，所述细栅线中间区的高度高于细栅线未端区4?IOum;所述细栅线主栅附近区的宽度宽于细栅线中间区3?8um。
[0006]本实用新型细栅线宽度的逐次增加可通过丝网印刷网版的图形设计实现，高度的逐次增加可通过两层印刷技术实现。与上文提到的两层印刷技术不同，本实用新型所需印刷的第二层细栅线只部分叠加第一层细栅线。
[0007]本实用新型的有益效果是:细栅线末端区域收集的电流小，保留低宽度、低高度的结构对串联电阻的影响较小。到了细栅线的中间区域，细栅线上收集的电流逐渐增加，此时细栅线的“束腰”不利影响开始凸现，本实用新型的新细栅结构在此中间区增加了细栅的高度，同时在一定程度上修复细栅线的“束腰”形状，从而降低晶体硅太阳电池的串联电阻。在主栅附近区，细栅线收集的电流达到最大，此区域略微增加细栅线的宽度有助于降低串 联电阻。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型实施例局部结构示意图。
[0009]下面结合附图对本实用新型做进一步说明。
【具体实施方式】
[0010]实施例1:如附图1所示，一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，它是两主栅156mmX 156mm晶体硅太阳电池，包括SiN层1、N型层2和P型基底3，SiN层I上设有两个主栅线4和细栅线，将细栅线设置为三个区，分别为细栅线主栅附近区5、细栅线中间区6和细栅线未端区7。其中细栅线主栅附近区5的长度为9.5625mm,宽度为40um，高度为18um ;细栅线中间区6的长度为19.125mm,宽度为35um，高度为18um ;细栅线未端区7的长度为9.5625mm,宽度为35um,高度为13um。
[0011]实施例2:另一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，它是三主栅156mmX 156mm晶体硅太阳电池，包括SiN层、N型层和P型基底，SiN层上设有三个主栅线和细栅线，将细栅线设置为三个区，分别为细栅线主栅附近区、细栅线中间区和细栅线未端区。其中细栅线主栅附近区的长度为6.375mm，宽度为37um，高度为15um;细栅线中间区的长度为12.75mm,宽度为32um，高度为15um ;细栅线未端区的长度为6.375mm,宽度为32um，闻度为llum。
【权利要求】
1.一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，包括SiN层(I )、N型层(2)和P型基底(3)，所述SiN层(I)上设有主栅线(4)和细栅线，其特征在于:将所述细栅线设置为三个区，分别为细栅线主栅附近区(5)、细栅线中间区(6)和细栅线未端区(7)。
2.如权利要求1所述的一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，其特征在于:所述细栅线主栅附近区(5)、细栅线中间区(6)和细栅线未端区(7)的长度比为1: 2: 1，所述细栅线中间区(6)的高度高于细栅线未端区(7)4?IOum;所述细栅线主栅附近区(5)的宽度宽于细栅线中间区(6)3?8um。
【文档编号】H01L31/042GK203481248SQ201320643307
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2013年10月18日 优先权日:2013年10月18日
【发明者】许佳平, 陈康平, 金浩, 蒋方丹 申请人:浙江晶科能源有限公司