Amoled结构及其制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种AMOLED结构及其制作方法。该AMOLED结构包括基板、TFT电路层、主板电路层、OLED器件层、第一封装层、以及第二封装层，所述基板包括相对的顶面和底面，所述TFT电路层设于所述基板的顶面，所述主板电路层设于所述基板的底面，所述OLED器件层设于所述TFT电路层之上，所述第一封装层包覆所述TFT电路层和所述OLED器件层，所述第二封装层包覆所述主板电路层。本发明可有效利用基板空间，同时具有减薄AMOLED厚度的效果。
【专利说明】AMOLED结构及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种AMOLED结构及其制作方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light)Emitting D1de, OLED)具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当电流通过时，有机材料就会发光，而且有机发光二极管显示屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，因此现在有机发光二极管的应用越来越广泛。OLED的驱动方式分为被动式驱动和主动式驱动，被动式驱动即无源驱动(PM0LED，Passive Matrix Organic Light Emitting D1de (被动式有机电激发光二极管)，主动式驱动即有源驱动(AM0LED,Active Matrix Organic Light Emitting D1de,有源矩阵有机发光二极管面板)。因PMOLED的大尺寸化难度大，为维持整个面板的亮度，需提高每一像素的亮度而提高操作电流，因此减少使用寿命，所以目前的应用来看，AMOLED越来越受到人们的欢迎。
[0003]AMOLED相比传统的液晶面板，具有反应速度快、对比度高、视角广等特点。另外AMOLED还具有自发光的特色，不需使用背光板，因此比传统的液晶面板更轻薄，还可以省去背光模块的成本。多方面的优势使其具有良好的应用前景。
[0004]现行AMOLED多为TFT有源驱动OLED元件，其制造为TFT蒸镀上OLED元件后加上盖板封装，显示观看面为盖板面，还可以在盖板上加一层触摸屏加以充分利用。而TFT的背面则保持完整，对其进行后续的薄化处理外并无做任何利用。现行的市场竞争中，AMOLED向着超薄的方向发展，越薄的显示屏在市场竞争中越占优势。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种AMOLED结构及其制作方法，可以解决AMOLED中的TFT背面无法充分利用的问题，以达到减薄AMOLED厚度的效果。
[0006]实现上述目的的技术方案是:
[0007]本发明一种AMOLED结构,包括娃片、TFT电路层、主板电路层、OLED器件层、第一封装层、以及第二封装层，所述硅片包括相对的顶面和底面，所述TFT电路层设于所述硅片的顶面，所述主板电路层设于所述硅片的底面，所述OLED器件层设于所述TFT电路层之上，所述第一封装层包覆所述TFT电路层和所述OLED器件层，所述第二封装层包覆所述主板电路层。
[0008]将TFT制作的底材由原有的玻璃基板改为硅片，将AMOLED的主板电路设置在硅片的背面，有效地利用硅片空间，将主板电路与TFT电路集成于硅片的背面与顶面，而现有的显示结构中主板电路不仅有单独的玻璃基板，且为容置主板电路的连接线还留设有空间，本发明的AMOLED结构省去了主板电路的单独基板以及预留的空间，利用硅片的背面承载主板电路，可有效减薄AMOLED结构的整体厚度。
[0009]本发明一种AMOLED结构的进一步改进在于，所述主板电路层包括驱动电路、与所述驱动电路分别连接的CPU以及存储器。
[0010]本发明一种AMOLED结构的进一步改进在于，所述驱动电路电连接所述TFT电路层。
[0011]本发明一种AMOLED结构的进一步改进在于，所述第一封装层和所述第二封装层为薄膜封装层。
[0012]本发明一种AMOLED结构的进一步改进在于，所述第一封装层为围堰填充胶封装层。
[0013]本发明一种上述AMOLED结构的制作方法，包括:
[0014]提供一基板，于所述基板的顶面及底面分别形成磊晶；
[0015]于所述基板底面的磊晶之上制作主板电路，形成主板电路层；
[0016]于所述基板顶面的磊晶之上制作TFT电路，形成TFT电路层；
[0017]封装所述主板电路层，形成第二封装层；
[0018]于所述TFT电路层之上蒸镀OLED器件，形成OLED器件层；
[0019]封装所述TFT电路层和所述OLED器件层，形成第一封装层。
[0020]将主板电路与TFT电路集成于基板的背面与顶面，利用基板的背面承载主板电路，省去了主板电路的单独基板以及预留的空间，可有效减薄AMOLED结构的整体厚度。
[0021]本发明一种AMOLED结构的制作方法的进一步改进在于，制作主板电路包括:
[0022]于所述基板底面的磊晶之上生成氧化层；
[0023]于所述氧化层之上涂覆光阻，形成光阻层；
[0024]用紫外光透过光罩照射所述光阻层；
[0025]采用显影处理，将所述光阻层内未被紫外光照射的区域溶解去除，进而露出氧化层；
[0026]用氩氟酸将露出的氧化层蚀刻去除，用化学溶液去除剩余的光阻层，于所述氧化层上形成了电路图案；
[0027]于所述电路图案上设置CPU和存储器，形成了所述主板电路层。
[0028]本发明一种AMOLED结构的制作方法的进一步改进在于，所述第一封装层采用薄膜封装或者围堰填充胶封装。
[0029]本发明一种AMOLED结构的制作方法的进一步改进在于，所述第二封装层采用薄膜封装。
【专利附图】
【附图说明】
[0030]图1为本发明一种AMOLED结构的剖面示意图；
[0031]图2至图7为本发明一种AMOLED结构及其制作方法的分解示意图。
【具体实施方式】
[0032]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
[0033]请参阅图1,显示了本发明一种AMOLED结构的剖面示意图,本发明AMOLED结构公开了采用半导体用的硅片替换有机玻璃作为基板，进而利用基板的背面制作主板电路的一种AMOLED结构，该结构省去了主板电路原有的基板以及主板电路与TFT电路之间电连接的布线空间，可以有效地减薄AMOLED的整体厚度。现有的AMOLED结构的封装中，是采用玻璃基板上形成TFT电路和OLED器件层，然后在单独制作主板电路，对主板电路与TFT电路之间进行电连接，然后将上述结构封装在一起，就形成了 AMOLED显示屏。本发明的AMOLED结构相比现有技术，可以有效地利用基板空间，达到减薄结构厚度的效果。下面结合附图对本发明的AMOLED结构进行说明。
[0034]如图1所示,为本发明一种AMOLED结构的剖面示意图。本发明一种AMOLED结构包括硅片21、TFT电路层30、0LED器件层40、第一封装层50、主板电路层60、以及第二封装层70，其中硅片21包括相对的顶面201和底面202，TFT电路层30设于硅片21的顶面201，主板电路层60设于硅片21的底面202，OLED器件层设于TFT电路层30之上，第一封装层50包覆TFT电路层30和OLED器件层40，第二封装层70包覆主板电路层60。
[0035]第一封装层50可以为薄膜封装，也可以为围堰填充胶封装，用于保护TFT电路层30和OLED器件层40。第二封装层70为薄膜封装，用于保护主板电路层60。主板电路层60包括驱动电路、以及与驱动电路连接的CPU和存储器。主板电路层60中的驱动电路电连接TFT电路层30，通过主板电路层60驱动控制TFT电路层30，进而实现对AMOLED结构的发光控制。
[0036]本发明AMOLED结构的有益效果:
[0037]本发明AMOLED结构，因采用硅片替代了现有技术中的玻璃作为基板，单晶硅载子的迁移率优于工艺处理过的玻璃，对于TFT在性能上有很大的助益。另外，将主板电路层60制作整合于硅片21的背面，AMOLED整体的体积有显著的缩减。现有技术中AMOLED屏幕加上主板的总厚度最薄在4毫米，本发明上述结构可达到3毫米以下的超薄型AMOLED显示屏。
[0038]下面结合图2至图7，对本发明AMOLED结构的制作方法进行说明。
[0039]如图2至图7所示，本发明AMOLED结构的制作方法包括:
[0040]提供一基板，在基板的顶面和底面分别形成磊晶。结合图2所示，基板20包括顶面201和底面202，在基板20的顶面201和底面202上分别进行单晶成长，于基板20的顶面201上形成嘉晶301,基板20的底面202上形成嘉晶601,该基板20米用娃片。
[0041]于基板底面的磊晶之上制作主板电路，形成主板电路层。结合图3所示，在基板20的底面202上的磊晶601上制作主板电路，形成主板电路层60，制作主板电路包括:在磊晶601上生产氧化层，于氧化层的表面涂覆光阻，形成光阻层，用紫外光透光带有主板电路图的光罩照射光阻层，照射后采用显影处理，其中未被照射的光阻区域溶解于显影液中，这样就露出了光阻层下面的氧化层，利用氩氟酸将暴露的氧化层蚀刻掉，再用化学容易出去剩余的光阻层，这样剩下的氧化层就形成了电路图案602，在电路图案602上设置CPU和存储器，就形成了主板电路层60。
[0042]于基板的顶面的磊晶之上制作TFT电路，形成TFT电路层。结合图4所示，在基板20上的磊晶301上制作TFT电路，形成TFT电路层30，该TFT电路的形成过程同主板电路层60中的主板电路的形成过程，先于磊晶301上生成氧化层，再于氧化层上涂覆光阻，用紫外光透过带有TFT电路图案的光罩照射光阻，对经紫外光照射过的光阻进行显影处理，其中未被照射的区域溶解于显影液中，接着利用氩氟酸将暴露的氧化层蚀刻掉，最后利用化学溶液除去光阻层，这样就形成了电路图案302。在本发明的另一较佳实施例中，先制作TFT电路，形成TFT电路层30，后制作主板电路，形成主板电路层60。另外，还可以同时制作TFT电路和主板电路,对基板20的顶面和底面同时形成电路层。
[0043]电连接主板电路层60和TFT电路层30，主板电路层60的主板电路控制TFT电路层30。在主板电路层60中的各电路元件，各电路元件通常为5至10毫米大小的长方形晶片，各晶片焊接于电路图案602上，然后由导线连接。这些导线除在连接面地区外，与磊晶601之间设有一绝缘层。连接个元件时，要注意与绝缘层的粘接力要强，但不能穿过绝缘层与磊晶601接触，这样在元件操作时不容易断线。在电路图案602上安装了 CPU和存储器后，制作出金属接面以及预留出连线，然后将连线电连接TFT电路层30。
[0044]封装主板电路层，形成第二封装层。结合图5所述，采用薄膜封装技术，封装主板电路层60，形成保护主板电路层60的第二封装层70。
[0045]于TFT电路层之上蒸镀OLED器件，形成OLED器件层。结合图6所示，在TFT电路层30之上蒸镀OLED器件层40，具体地，利用薄膜沉积工艺依次形成空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及OLED顶部电极,形成OLED器件层40。
[0046]封装TFT电路层和OLED器件层，形成第一封装层。结合图7所示，采用薄膜封装技术，将TFT电路层30和OLED器件层40包覆起来，形成了第一封装层50。第一封装层50还可以采用围堰填充胶封装，对TFT电路层30和OLED器件层40起到保护作用。
[0047]本发明AMOLED结构的制作方法的有益效果为:
[0048]本发明采用基板底面制作主板电路，即主板电路层。有效地利用基板空间，使得AMOLED整体结构减薄，还能够节省单独形成主板电路时，需要的布线连接用的空间，整合后的AMOLED结构可以达到3毫米以下的厚度，相比现有技术中最薄4毫米，本发明大大地减薄了 AMOLED的结构厚度。本发明采用硅片代替玻璃作为基板，单晶硅的迁移率优于玻璃，从而对TFT具有很好的助益效果。
[0049]以上结合附图实施例对本发明进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本发明做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本发明的限定，本发明将以所附权利要求书界定的范围作为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种AMOLED结构，其特征在于，包括硅片、TFT电路层、主板电路层、OLED器件层、第一封装层、以及第二封装层，所述硅片包括相对的顶面和底面，所述TFT电路层设于所述硅片的顶面，所述主板电路层设于所述硅片的底面，所述OLED器件层设于所述TFT电路层之上，所述第一封装层包覆所述TFT电路层和所述OLED器件层，所述第二封装层包覆所述主板电路层。
2.如权利要求1所述的AMOLED结构，其特征在于:所述主板电路层包括驱动电路、与所述驱动电路分别连接的CPU以及存储器。
3.如权利要求2所述的AMOLED结构，其特征在于:所述驱动电路电连接所述TFT电路层。
4.如权利要求1所述的AMOLED结构，其特征在于:所述第一封装层和所述第二封装层为薄膜封装层。
5.如权利要求1所述的AMOLED结构，其特征在于:所述第一封装层为围堰填充胶封装层。
6.一种AMOLED结构的制作方法，其特征在于，包括: 提供一基板，于所述基板的顶面及底面分别形成磊晶； 于所述基板底面的磊晶之上制作主板电路，形成主板电路层； 于所述基板顶面的磊晶之上制作TFT电路，形成TFT电路层； 封装所述主板电路层，形成第二封装层； 于所述TFT电路层之上蒸镀OLED器件，形成OLED器件层； 封装所述TFT电路层和所述OLED器件层，形成第一封装层。
7.如权利要求6所述的AMOLED结构的制作方法，其特征在于，制作主板电路包括: 于所述基板底面的磊晶之上生成氧化层； 于所述氧化层之上涂覆光阻，形成光阻层； 用紫外光透过光罩照射所述光阻层； 采用显影处理，将所述光阻层内未被紫外光照射的区域溶解去除，进而露出氧化层；用氩氟酸将露出的氧化层蚀刻去除，用化学溶液去除剩余的光阻层，于所述氧化层上形成了电路图案； 于所述电路图案上设置CPU和存储器，形成了所述主板电路层。
8.如权利要求6所述的AMOLED结构的制作方法，其特征在于，所述第一封装层采用薄膜封装或者围堰填充胶封装。
9.如权利要求6所述的AMOLED结构的制作方法，其特征在于，所述第二封装层采用薄膜封装。
【文档编号】H01L27/32GK104201191SQ201410429175
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年8月28日 优先权日:2014年8月28日
【发明者】邓学易 申请人:上海和辉光电有限公司