1.一种用于固定晶片的保持器，所述晶片具有用于在其上形成集成电路IC的顶面及与所述顶面相对的底面，所述保持器包括：
开口；
围绕所述开口的基座部分；及
与所述基座部分连接的定位部分；
其中所述基座部分经配置以支撑所述晶片的所述底面，所述定位部分经配置以横向定位所述晶片，且所述开口经配置以暴露对应于所述晶片的有效区域的所述底面。
2.根据权利要求1所述的保持器，其中所述保持器是导热的且耐高温。
3.根据权利要求1所述的保持器，其中所述保持器由金属或陶瓷制成。
4.根据权利要求1所述的保持器，其中所述基座部分与所述定位部分中的至少一者具有圆的形状。
5.根据权利要求1所述的保持器，其中所述基座部分界定多个凸部以进一步悬置所述晶片。
6.根据权利要求1所述的保持器，其中所述定位部分的高度大于所述晶片的厚度。
7.根据权利要求1所述的保持器，其中所述保持器是铝环，其包含由所述基座部分界定的内环及由所述定位部分界定的外环。
8.一种用于制造半导体封装的方法，所述半导体封装包含具有用于在其上形成集成电路IC的顶面及与所述顶面相对的底面的晶片；所述方法包括：
将所述晶片放置在保持器上；及
在所述晶片上堆叠平坦化元件，使得所述平坦化元件的所述底面紧靠所述晶片的所述顶面以使所述晶片平坦；
其中所述晶片及所述平坦化元件由所述保持器横向定位。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述平坦化元件及所述保持器是导热的且耐高温。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述平坦化元件是仿真晶片、石英晶片或金属盖。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述仿真晶片的粗糙度小于0.005um。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述金属盖是完整或中心对称的空心金属片。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述中心对称的空心金属片是辐射状的。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属盖是铝盖。
15.根据权利要求8所述的方法，其中所述保持器是铝环，其包含支撑所述晶片部分的内环及定位所述晶片及所述平坦化元件的外环。
16.根据权利要求8所述的方法，其中所述保持器进一步界定用于定位在所述平坦化元件的外边缘上形成的多个凸起的多个凹部。
17.根据权利要求8所述的方法，其中所述保持器由金属或陶瓷制成。
18.根据权利要求8所述的方法，其进一步包含在所述晶片的所述底面中形成合金后，移除所述平坦化元件及保持器。
19.根据权利要求8所述的方法，其中所述保持器包括：
开口；
围绕所述开口的基座部分；及
与所述基座部分连接的定位部分；
其中所述基座部分经配置以支撑所述晶片的所述底面，所述定位部分经配置以定位所述晶片及所述平坦化元件，且所述开口经配置以暴露对应于所述晶片的有效区域的所述底面。