1.一种发光二极管元件，包含：
导电支持基板，包含：
第一表面；
相对于该第一表面的第二表面；
第一部件，形成一导电通道；
第二部件；以及
由该第一部件及该第二部件定义一环状开口，由该第一表面延伸至该第二表面；以及
绝缘材料，填入该环状开口；
发光叠层结构，包含：
具有第一半导体层、第二半导体层以及位于该第一半导体层与该第二半导体层间的活性层的半导体叠层；以及
第一导电层，电连接该第一半导体层或该第二半导体层与该导电通道；以及
导电接合层，利用该导电接合层接合该发光叠层结构于该第一表面。
2.如权利要求1所述的发光元件，还包含第一电极垫，位于该导电通道的该第二表面，以及与该第一电极垫相互分离的第二电极垫，位于该第二表面。
3.如权利要求1所述的发光元件，还包含多个穿过该第一半导体层及该活性层的通孔，各通孔中具有第二导电层，电连接该第二半导体层与该导电接合层，且其中该第一导电层电连接该第一半导体层与该导电通道。
4.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一导电层与该第二导电层之间，以及该半导体叠层与该导电接合层之间具有绝缘层。
5.如权利要求1所述的发光元件，还包含：
穿过该第一半导体层及该活性层的通孔，该第一导电层设置于该通孔中；以及
电极延伸层，位于该第二半导体层上，且连接该第一导电层。
6.如权利要求5所述的发光元件，其中该发光二极管层叠结构还包含绝 缘层，覆盖该通孔的侧壁。
7.如权利要求1所述的发光元件，其中该导电通道与该支持基板为相同材料。
8.如权利要求1所述的发光元件，其中该支持基板的材料为磷化镓(GaP)、硅(Si)、钼(Mo)、铜(Cu)、金属材料、金属合金或金属基印刷电路板(Metal Core PCB；MCPCB)。
9.如权利要求1所述的发光元件，其中该发光叠层结构相对于该支持基板的表面具有波长转换层。
10.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一半导体层上具有反射层。
11.一种发光元件制造方法，包含：
提供一发光叠层结构，包含：第一半导体层、活性层以及第二半导体层于一成长基板上；
形成一第一接合层，在该发光叠层结构上；
提供一基板，该基板具有第一表面以及相对于该第一表面的第二表面，并蚀刻该基板的该第一表面至一深度以形成一环状封闭沟槽；
在该环状封闭沟槽内填充一绝缘材料；
利用该第一接合层接合该发光叠层结构与该基板；
由该第二表面将该基板减薄至暴露出该绝缘材料，形成一第三表面；以及
在该第三表面形成一电极垫。