1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：
在基底中形成凹槽；
在所述凹槽中形成多晶硅层，所述多晶硅层包括第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第二多晶硅层位于所述第一多晶硅层上方且所述第二多晶硅层的下表面与所述基底的上表面齐平；
在所述基底上形成侧墙，所述侧墙贴设于所述第二多晶硅层的两侧；
以所述第二多晶硅层和所述侧墙为掩膜，进行第一次离子注入，在所述基底的内部形成第一体区；
去除所述第二多晶硅层和所述侧墙；
对所述基底进行第二次离子注入，形成第二体区，所述第二体区包括相邻的第一子区部和第二子区部，所述第一子区部与所述凹槽相邻，所述第二子区部的深度大于所述第一子区部的深度。
2.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述在基底中形成凹槽包括：
在所述基底上表面形成第一保护层；
以所述第一保护层为掩膜，在所述基底中形成所述凹槽。
3.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述基底上形成侧墙包括：
在所述基底的上表面、所述第二多晶硅层的上表面和侧面形成第二保护层，纵向刻蚀所述第二保护层，形成所述侧墙。
4.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述第一次离子注入的离子注入剂量与所述第二次离子注入的离子注入剂量相等，并且所述第一次离子注入的注入能量大于所述第二次离子注入的注入能量。
5.根据权利要求4所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述第一次离子注入的注入能量为120KeV-180KeV，所述第二次离子注入的注入能量为40KeV-80KeV。
6.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层均为二氧化硅或氮化硅中的任意一种。
7.一种VDMOS器件，其特征在于，包括：
基底；
凹槽，形成所述基底内；
体区，形成在所述基底内，所述体区与所述凹槽相邻，所述体区包括第一子区部和第二子区部，所述第二子区部的深度大于所述第一子区部的深度，所述第一子区部贴设于所述凹槽两侧，所述第二子区部与所述凹槽间隔预设距离，所述预设距离的宽度与所述第一子区部的宽度相等。
8.根据权利要求7所述的VDMOS器件，其特征在于，还包括：第一多晶硅层，所述第一多晶硅层位于所述凹槽内，且所述第一多晶硅层的上表面与所述基底的上表面齐平。
9.根据权利要求8所述的VDMOS器件，其特征在于，还包括：栅氧化层，所述栅氧化层位于所述凹槽与所述第一多晶硅层之间。