1.一种IGBT，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底第一表面的集电极；
位于所述半导体第一表面，且环设于所述集电极四周的绝缘结构；
位于所述集电极背离所述半导体衬底一侧的金属电极层，所述金属电极层覆盖所述集电极和绝缘结构。
2.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述半导体衬底与所述集电极的掺杂类型不同。
3.根据权利要求2所述的IGBT，其特征在于，所述半导体衬底为轻掺杂N型半导体层，所述集电极为重掺杂P型半导体层。
4.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述绝缘结构的材料为二氧化硅。
5.根据权利要求1-4任一项所述的IGBT，其特征在于，所述半导体衬底包括有源区和终端区，其中，所述半导体衬底第二表面的有源区设有正面结构，终端区设有终端结构，且所述第二表面与所述第一表面为所述半导体衬底相对的两个表面。
6.根据权利要求5所述的IGBT，其特征在于，所述终端结构包括：
位于所述半导体衬底终端区内，且靠近所述有源区一侧的主结；
位于所述半导体衬底终端区内，且位于所述主结背离所述有源区一侧的场限环；
位于所述半导体衬底终端区内，且位于所述场限环背离所述有源区一侧的截止环。
7.根据权利要求6所述的IGBT，其特征在于，在所述第一表面至第二表面方向上，所述集电极至少覆盖所述有源区、主结、场限环和截止环。
8.一种IGBT的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底的第一表面形成集电极；
在所述半导体衬底的第一表面形成绝缘结构，所述绝缘结构环设于所述集电极的四周；
在所述集电极背离所述半导体衬底一侧形成金属电极层，所述金属电极层覆盖所述集电极和绝缘结构。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底的第一表面形成集电极包括：
在所述半导体衬底第一表面形成掩膜层，所述掩膜层上具有预设窗口，所述预设窗口与所述半导体衬底内待形成集电极的区域相对应；
以所述掩膜层为掩膜，对所述半导体衬底第一表面进行离子注入，在所述半导体衬底内待形成集电极的区域形成集电极；
去除所述掩膜层。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底的第一表面形成绝缘结构，所述绝缘结构环设于所述集电极的四周包括：
在所述集电极背离所述半导体衬底一侧形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述集电极和所述半导体衬底；
刻蚀所述集电极表面的绝缘层，保留所述半导体衬底表面的绝缘层，形成绝缘结构，所述绝缘结构环设于所述集电极四周。