1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括用于形成逻辑器件的第一区域和用于形成存储器件的第二区域；
在所述衬底上形成栅极层；
在所述栅极层上形成第一硬掩膜层；
去除第二区域的所述第一硬掩膜层，保留所述第一区域的第一硬掩膜层；
在剩余第一硬掩膜层和所述第二区域的栅极层上形成第二硬掩膜层，所述第二硬掩膜层的厚度小于第一硬掩膜层；
在所述第二硬掩膜层上涂布抗反射涂层；
图形化所述第一区域的第一硬掩膜层、第二硬掩膜层和抗反射涂层，在所述第一区域形成第一栅极硬掩膜；
图形化所述第二区域的第二硬掩膜层和抗反射涂层，在所述第二区域形成第二栅极硬掩膜；
以所述第一栅极硬掩膜、第二栅极硬掩膜为掩膜刻蚀所述栅极层，在所述第一区域衬底上形成第一栅极，并在所述第二区域衬底上形成第二栅极；
去除所述第二硬掩膜层上的抗反射涂层；
在所述第二栅极表面的第二硬掩膜层上形成第三栅极；
去除所述第一栅极上剩余的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；
对所述第一栅极两侧的衬底进行掺杂形成第一源区和第一漏区，以形成用作逻辑器件的第一晶体管；对所述第二栅极和所述第三栅极两侧的衬底进行掺杂形成第二源区和第二漏区，以形成用作存储器件的第二晶体管，所述第二栅极为所述第二晶体管的浮栅，所述第三栅极为所述第二晶体管的控制栅。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层与第二硬掩膜层的材料相同。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一硬掩 膜层和第二硬掩膜层的材料为氮化硅或氧化硅。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在栅极层上形成第一硬掩膜层的步骤中，通过化学气相沉积工艺在栅极层上形成第一硬掩膜层；
形成第二硬掩膜层的步骤中，通过化学气相沉积工艺在剩余第一区域第一硬掩膜层和第二区域的栅极层上形成第二硬掩膜层。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在剩余第一硬掩膜层和第二区域的栅极层上形成第二硬掩膜层的步骤中，所述第二硬掩膜层的厚度为450～650埃。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成第三栅极的步骤包括：
在去除第二硬掩膜层上的抗反射涂层的步骤之后，形成覆盖第一栅极和第二栅极的第二栅极层；
去除第一栅极上方和第二栅极侧壁上的第二栅极层，保留第二栅极上方的第二栅极层，保留在第二栅极上方的第二栅极层构成所述第三栅极。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成第三栅极的步骤包括：
在第二硬掩膜层上涂布抗反射涂层之前，在第二硬掩膜层上形成第二栅极层；
图形化第一区域的第一硬掩膜层、第二硬掩膜层和抗反射涂层，以及第二区域的第二硬掩膜层和抗反射涂层，在第一区域形成第一栅极硬掩膜并在第二区域形成第二栅极硬掩膜的步骤包括，图形化所述第二栅极层，保留用于构成第一栅极硬掩膜和第二栅极硬掩膜的第二栅极层；
在去除第一栅极上剩余的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层的步骤之前，去除第一栅极上的第二栅极层并保留第二栅极上方的第二栅极层，保留在第二栅极上方的第二栅极层形成第三栅极。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射涂 层的材料为有机绝缘材料。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在第二硬掩膜层上涂布抗反射涂层之后，在所述抗反射涂层上形成低温氧化层；
所述图形化第一区域的第一硬掩膜层、第二硬掩膜层和抗反射涂层，以及第二区域的第二硬掩膜层和抗反射涂层的步骤还包括：图形化所述低温氧化层；
所述去除第二硬掩膜层上的抗反射涂层的步骤之前，去除所述低温氧化层。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在栅极层上形成第一硬掩膜层的步骤中，所述第一硬掩膜层的厚度为900～1100埃。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除第二区域的第一硬掩膜层，保留第一区域的第一硬掩膜层的步骤包括：
在第一区域的第一掩膜层上形成第一光刻胶，所述第一光刻胶露出所述第二区域；
对第二区域的衬底进行离子注入，对第二区域的衬底进行掺杂；
离子注入之后，以所述第一光刻胶为掩膜，对第一硬掩膜层进行刻蚀去除第二区域的第一硬掩膜层，保留第一区域的第一硬掩膜层；
去除第一光刻胶。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述第二区域的第一硬掩膜层的步骤中，通过干法刻蚀去除所述第二区域的第一硬掩膜层。
13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述存储器件还包括与第二晶体管共漏极的第三晶体管；
所述图形化第一区域的第一、第二硬掩膜层和抗反射涂层，以及第二区域的第二硬掩膜层和抗反射涂层，在第一区域形成第一栅极硬掩膜并在第二区域形成第二栅极硬掩膜的步骤还包括：图形化第二区域的第二硬掩膜层和抗反射涂层，在第二区域形成第三栅极硬掩膜；
所述通过所述第一栅极硬掩膜刻蚀所述栅极层在第一区域衬底上形成第一栅极，通过所述第二栅极硬掩膜刻蚀所述栅极层在第二区域衬底上形成第二栅极的步骤还包括：通过所述第三栅极硬掩膜刻蚀所述栅极层在第二栅极附近的第二区域衬底上形成选择栅极；
所述去除第一栅极上剩余第一硬掩膜层和第二硬掩膜层的步骤还包括：去除选择栅极上的第二硬掩膜层；
对第二栅极和第三栅极两侧的衬底进行掺杂形成第二源区和第二漏区，以形成用作存储器件的第二晶体管的步骤包括：
对所述第二栅极和选择栅极之间的衬底进行掺杂形成第二晶体管和第三晶体管的公共漏区，所述公共漏区即为所述第二漏区；
对第二栅极远离所述公共漏区一侧的衬底进行掺杂形成第二源区；
对选择栅极远离所述公共漏区一侧的衬底进行掺杂形成第三源区；
所述第三源区、公共漏区和选择栅极构成所述第三晶体管。
14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除第一栅极上剩余的第一、第二硬掩膜层，以及去除选择栅极上的第二硬掩膜层的步骤包括：
形成覆盖第二栅极的第二光刻胶，所述第二光刻胶露出第一栅极和选择栅极；
通过干法刻蚀去除第一栅极和选择栅极上的第二硬掩膜层；
通过湿法刻蚀去除第一栅极上剩余的第一硬掩膜层；
去除第二光刻胶。
15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第一、第二栅极硬掩膜为掩膜刻蚀所述栅极层的步骤中，通过干法刻蚀对所述栅极层进行刻蚀，所使用的刻蚀气体为Br2或HBr。
16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成用作逻辑器件的第一晶体管和用作存储器件的第二晶体管的步骤之后，所述形成方 法还包括：
形成覆盖第一晶体管、第二晶体管的层间介质层；
在层间介质层中形成分别露出第一源区和第三栅极的通孔；
在所述通孔中填充导电材料，以形成插塞。